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再度重拳出击，十六款240/256GB固态硬盘横评
再度重拳出击，十六款240/256GB固态硬盘横评
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这是超能网又一篇关于SSD固态硬盘的大手笔，目前240/256GB的固态硬盘已经可以承担绝大部分的日常使用，是时候出手了，问题也来了，琳琅满目的产品要怎么买？
本篇为精简版本，您也可以浏览。2012年的横评是我们的重磅之作，这2年中固态硬盘还在发展中，虽然基础的技术早已定型，但是厂商的交替、产品的升级、技术的换代持续在进行中，既有厂商沦落到被收购，也有新厂商崛起，主流的
闪存之外又多了TLC闪存的身影，SandForce、Marvell两大主控厂商之外台系主控又卷土重来了，这个市场依然很热闹。这一次我们选择的是240/256GB容量的固态硬盘，如果说120/128GB的固态硬盘可以满足大家装系统及常用软件、游戏的基本需求之外，240/256GB容量的固态硬盘已经可以承担起除了高清电影收藏等需求之外的日常使用了。更重要的是，现在240/256GB的主流型号也在千元以内，部分甚至只要600多元，多数人都负担得起。本文是超能网团队合作的结晶，编辑Strike主力完成，感谢同事们的辛苦付出。
2.1 16款参测产品与获奖名单两年前我们做120/时有十四款产品，当时采用的占了绝大多数，这次我们挑选了十六款240/256GB的SSD，可以说是各家主控都有，包括三星、
Marvell、Intel、Indilinx、JMicron、SMI、LAMD、SandForce各家的方案，主控厂家的发力让厂家与消费者都有了更多的选择。这16款参加横评的SSD为：　　三星850 Pro　　三星840 EVO　　浦科特 M6 Pro　　浦科特 M6S　　Crucial MX100　　Intel 730　　Intel 520　　海盗船Neutron GTX　　OCZ Vector 150　　OCZ Vertex 460 　　SanDisk Extreme Pro　　影驰黑将　　创见340　　创见370　　富士通极速版　　东芝 Q Pro这16款产品的具体规格在下一页，当中三星850Pro与SanDisk Extreme
Pro提供了长达10年的质保，这是厂家对自己产品质量非常自信才会提供这么长的质保，浦科特M6 Pro、Intel 730、Intel
520、海盗船Neutron GTX、OCZ Vector 150都是提供5年质保，其他都是3年质保。SSD超能指数统计横评文章很长，所以我们先放出大家最想看到的测试结果，至于这个结果是怎么来的，还有还是请大家看下文，在这里说明的话实在是太长了。16款256/240GB SSD超能指数与性价比指数列表（三星840EVO的分数被剔除了，）三星850
Pro的超能指数是最高的，也就是说性能最好，不过因为它的售价实在是太高了，所以性价比指数垫底。排名第二的是SanDisk Extreme
Pro，第三则是影驰黑将。性价比指数排名第一的是影驰黑将，它的性能出色，价格却是最低，第二是Crucial
MX100，第三名是创见340。240/256GB 建议有了超能指数和性价比指数，16款240/256GB SSD各方面的优劣立即体现在我们眼前，通过这些数据我们可以给最近想买SSD的玩家提供一些建议。如果你追求速度，综合性能前两名是：　　三星850 Pro 256GB （超能指数98.7）　　SanDisk Extreme Pro 256GB　（超能指数94.4）三星850 Pro 256GB荣获超能网推荐金奖三星850 Pro延续了上一代840
Pro强劲的性能，摇摇领先其他产品，是追求性能的玩家最佳的选择，要说它有什么缺点的话就是太贵了，这个价格差不多可以买到容量翻倍的SSD了，当然了不下点成本哪能追求得到极致的性能。SanDisk Extreme Pro 256GB荣获超能网推荐银奖如果想要高性能SSD但又无法接受三星850 Pro那高昂的价格的话，超能指数排名第二的SanDisk
Extreme Pro 256GB是一个不错的选择，1299元的价格对于一个高性能256GB SSD来说要合理得多，它的性能也没啥好挑剔的。如果你讲实惠，性价比前列的是：　　影驰黑将256GB（性价比指数9.9）　　Crucial MX100 256GB（性价比指数9.2）影驰黑将256GB荣获超能网推荐金奖影驰黑将其实是一款性能和性价比都非常好的产品，超能指数是93.2，排名第三，它的随机读取表现非常强劲，甚至能够超越850
Pro，而售价只需要699元，如果同时追求性能和性价比的话它是一个非常好的选择。Crucial MX100 256GB荣获超能网推荐银奖Crucial MX100
256GB的超能指数得分为86.7，其实还算不错，现在它只需699元就能入手，性价比非常不错，这个价位其实已经可以对一些128GB的SSD造成很大的威胁了。如果你注重稳定和耐用性，我们推荐：　　Intel 730 240GBIntel
730的性能表现并不突出，售价也不低，但是它是一款与企业级产品留着同样血脉的产品，虽然某些企业级功能应用被精简了，但是SSD的设计和用料并没有改变，比其他15款产品都要好得多，内置大容量电容可以保证SSD在掉电时不会轻易丢失数据，大量的保证了SSD性能的稳定并且增加了闪存的耐久度，优秀的售后也给消费者服下一颗定心丸。如果你是笔记本用户，那么推荐：　　东芝Q Pro 256GB　　影驰黑将 256GB　　创见370 256GB这里推荐的这三款产品考虑的出发点就不再是性能和价格了，而是低功耗（实际上这三款产品性能都不差），这三款产品的整体功耗都很低，对于比较重视续航能力的笔记本来说，节能是很重要的。可能有人会问三星850
Pro功耗表现也很好为啥不推荐，因为它太贵了，而且笔记本通常都不能发挥SSD最大的实力，所以没必要花这么多钱去购买850 Pro。
3.1 十六款SSD规格一览两年前我们做SSD横评时有十四款产品，当时采用的占了绝大多数，两年过去了，现在这十六款产品可以说是各家主控都有啊，使用三星、
Marvell、Intel、Indilinx、JMicron、SMI、LAMD、SandForce的方案的产品都有，主控厂家的发力让厂家与消费者都有了更多的选择。这16款参加横评的SSD为：三星850 Pro三星840 EVO浦科特 M6 Pro浦科特 M6SCrucial MX100Intel 730Intel 520海盗船Neutron GTXOCZ Vector 150OCZ Vertex 460 SanDisk Extreme Pro影驰黑将创见340创见370富士通极速版东芝 Q Pro这16款产品中三星850Pro与SanDisk Extreme
Pro提供了长达10年的质保，这是厂家对自己产品质量非常自信才会提供这么长的质保，浦科特M6 Pro、Intel 730、Intel
520、海盗船Neutron GTX、OCZ Vector 150都是提供5年质保，其他都是3年质保。参测SSD规格参数一览（一）参测SSD规格参数一览（二）参测SSD规格参数一览（三）参测SSD规格参数一览（四）创见这两个SSD在官网上都只是给出了该系列SSD的最大性能，并没有给出具体各个容量产品的实际性能是多少，规格表也只能这样写了，说真的这样非常的不好。参测SSD规格参数总览（请点击放大）由于各个地区间的售价可能有差异，因此这次产品售价取的是京东或天猫上的售价，表中价格可能与实际价格有差异，敬请谅解。这16款产品中只有三星的840EVO使用的是TLC闪存，其他的都是使用，制程方面主要是Intel/美光的20nm，东芝的19nm或者A19为主，三星的3D
NAND用的是40nm工艺所制作，Intel 520和富士通极速版用的则是旧的Intel 25nm闪存。
4 过去两年来SSD市场的变化品牌变化——大者恒大，上下游加速整合三星依然是SSD市场上的老大，其次是Intel和闪迪。除了这几家SSD巨头之外，这两年也涌现出了一批新玩家——影驰也进军SSD市场了，打响了一些知名度，而AMD推出了自己的。当然也有一些品牌已经变得物是人非——以往大出风头的OCZ在过去两年遭遇了危机，最终卖身给了东芝。从 OCZ的境遇也可以看出，整个SSD市场对小型厂商已经不那么美好了，三星、东芝、美光这样的大公司掌握有稳定的闪存供应，控制风险的能力要比小公司强得多。东芝收购了OCZ获得了主控，希捷收购了
SandForce也获得了主控，闪迪则收购Fusion-IO以获得企业级主控技术。容量变化——1TB不再罕见，256GB要称雄得益于技术的发展，SSD固态硬盘的每GB成本一直是下降的，带来的后果就是SSD容量更大，2年前的横评中我们选择的是128/120GB容量的，现在同样的价位下已经是256/250GB的天下。此外，更大容量的SSD也日益实用，随着128Gb核心的闪存增多，如今的1TB SSD的售价也不再高挺，三星840
Evo、美光M500系列、金士顿V310系列的1TB硬盘已经低至3500元左右，部分品牌甚至低至3000元。价格变化——2014年稳中有降，256GB全面破千2012年下半年SSD触底反弹，开始涨价。之后的2013年又遇到了全球的智能手机、平板大热，NAND需求大幅增加，价格又开始一路上涨，NAND厂商加大产能之后市场又开始降价，今年开始则是稳中有降。现在240-256GB的SSD实际上已经没这么贵了，以三星
128GB为例，去年底其价格还维持在899元，今年开始稳中有降，目前的价格大约是750元左右，而256GB的也从年初的1539元降低到了1359元。
除了旗舰型号，大部分型号都已经破千，主流价位在599-899元左右，与2年前120-128GB固态硬盘的价位何其相似。
4.1 ：20nm成主流，15nm露曙光直到今天的评测为止，依然是主角，这要比前面的25nm和34nm闪存都要长寿。NAND闪存本质上也是集成电路，也一样遵守电子电路的发展规律。从34nm到25nm再到现在的20nm，制程工艺的升级使得晶体管集成度更高，带来的好处就是NAND容量更大，成本更低。当然，20nm制程工艺带来的实际好处不是纸面这么简单，也不是没有负面效果，制程升级也使得NAND每一次升级换代都参杂了优点与不足，具体来说如下：20nm优点：64Gb核心起步，128Gb核心成真制程工艺升级最直接的好处是晶体管密度更高，核心面积更小，而NAND容量更大，34nm工艺节点NAND核心（die）容量尚且不能达到
64Gb(8GB)，需要2个核心才能实现这一目标，25nm工艺下倒是可以制造出64Gb的核心，但是核心面积高达167mm2，20nm下核心面积则会缩小到118mm2，面积缩小了30%，产量提升了40%，这对厂商来说大大降低了生产成本。20nm工艺使得NAND核心面积缩小，同样面积下可制造容量更大的闪存不只是64Gb核心更容易了，20nm工艺导致的核心面积缩减也让128Gb核心成为显示，这是制造超大容量的前提，目前三星、美光等公司的1TB容量的SSD都使用了128Gb核心。20nm缺点：寿命衰减不可避免不过在我们为技术感到欣喜的同时也不能忽视制程升级带来的负面影响，这一切还要“归功于”NAND特殊的工作原理——制程越先进，半导体之间的间隔就越小，栅极氧化层就越薄，P/E循环寿命就越短，擦除需要的时间也越长，性能也会降低，而距离缩短导致晶体管相互之间的干扰也越来越严重，这使得制程先进的NAND存在性能及可靠性上的双重问题。当然，20nm工艺带来的优点是巨大的，缺陷则是可以解决的。对于错误及干扰，也可以通过更先进的ECC纠错、容量更大的页面文件提升错误修正，还有WL磨损平衡算法、压缩数据以降低WAF、提升比例率等等手段可用。综合各方面的改进之后，20nm
NAND闪存的性能和可靠性依然能维持在比较高的水准，至少不会比25nm工艺差，换成我们最常见的P/E循环次数来看，25nm工艺的NAND通常是3000次，20nm
NAND初期不足1000次，但是后期也一样提升到了3000次P/E循环。20nm不是终点，15/16nm闪存已经来了虽然20nm还没有显露疲态，但是20nm工艺显然不可能是NAND发展的终点。今年以来，东芝与闪迪已经展示过了15nm
NAND，美光下一代NAND工艺进展更快，闪存，是15/16nm NAND工艺中量产最早、商业化进度最快的。
4.2 TLC闪存露头，拥抱还是谨慎？与NAND制程工艺相伴的还有闪存类型，例如大多数人都都知道的、和TLC这三种，SLC不论性能还是可靠性都是都是最好的，但成本也是最高的，MLC闪存性能、可靠性次之，TLC则是这两年才开始为人熟知，它在U盘以及其他不需要太高性能的场合使用很多，但在SSD市场首先是由三星的840开始的，目前为止也只有三星在大力推。SLC、MLC与TLC的简单区别SLC
数量太贵太少我们不去管它，MLC则要跟TLC有一番纠结，前者每个单元能储存2个数据，有四种电位变化，后者每个单元可以储存3个数据，有8种电位变化。这种区别带来的变化就是TLC闪存容量更大，成本更低，举例来说，同样的晶体管电路做成64Gb的SLC闪存，那么变成MLC、TLC闪存则可以得到
128Gb、192Gb的容量，这对厂商来说大大降低了成本。消费者最关心的问题——TLC的寿命TLC闪存在P/E寿命、读写速度上要比MLC、SLC差很多但是，TLC闪存也不是只有光鲜的一面，它带来的考验也更大。容纳的电位多了可以提升容量，但也使得整个过程更复杂，编程、擦除（也就是读写数据）的速度更慢了，最关键的是闪存寿命直线下降，MLC的P/E次数至少还有次，而TLC公认的P/E指标是1000次，好点的可能做到1500次，依然比MLC差很多。经过实际测试，TLC闪存的三星的840硬盘P/E寿命达到了2945次，是官方指标的三倍，每天写入10GB的话可以用198年，考虑到率（算作3）及更多的写入量（30GB/天），它也能支撑23年，远远超过了质保及多数硬盘的正常服役时间。
4.3 来看看TLC SSD的实例——三星840 EVO虽然三星的TLC闪存达到甚至超过了标称的P/E次数，但这不代表TLC闪存就万无一失了，有玩家测试发现它的840
Evo硬盘在读取长时间存放的旧文件时性能大幅降低到60MB/s左右，严重不正常。840 Evo硬盘的HD Tach v3测试首先发现这个问题的是Overclock论坛玩家，他的系统盘是256GB的840
Pro，此外还分别有1个500GB、1个1TB的840 EVO硬盘，在两个840
EVO硬盘上都发现了一个问题——读写新文件时性能还是正常的450MB/s速度，但在读取旧文件（存放时间超过数周或者数月）时速度低至60MB/s。重启之后速度有改善，但效果并不明显，还是不能恢复应有水平。三星官方解释称导致掉速问题的根源是读取-重试操作的算法，而这个操作主要是补偿Cell单元的电压变化，这说明这种情况下随时间变化的电压迁漂移（voltage
drift）是个关键因素，840 Evo的闪存管理显然没有对电压变化作出准确的响应。电压迁漂移与NAND内部Float Gate漏电有关，数据写入NAND后会成为一个电荷保持在Float
Gate里面，如果不重新擦除写入的话电荷就一直会留在那里并开始慢慢漏电，漏电与SSD是否通着电是无关的。过一段很长的时间后主控再去读取这些数据发现有漏电，就需要对这些数据进行纠错，读取速度自然受影响。目前三星已经在官网提供固件升级，三星对带来的不便表示歉意，使用840 Evo硬盘的玩家可以留意下官网的升级通知。对于TLC闪存，小编的态度一直是明确的：它确实对厂商降低成本非常有利，但是，除非TLC闪存的SSD在售价上相比有较大优势，否则根本没有选择TLC的必要。
4.4 3D闪存：平面不行了，向3D进发制程升级及TLC闪存的实质都是为了提升NAND储存容量、降低成本，但是这两种技术的副作用也是很大的——性能降低，可靠性下降，而且在制程低于
15/16nm之后，由于氧化层越来越薄，可供使用的电子也越来越少，实际上将会这种方式越来越难，最终变得不可行，人们需要另寻它法。这样的情况下，研究人员就从普通的2D闪存开始向3D堆栈闪存前进，原理说起来很简单——立体堆叠可以多合一，形象点说就是原来的2D内存是平房，增加面积就只能扩大宅基地，地产老板不喜欢，而现在的3D闪存则是摩天大楼，地面还是那么大，但是楼房多了，地产老板、房客都喜欢了，还会说高层光线好，空气好什么的。东芝、三星。海力士及美光各自研发过不同的3D闪存方案当然，3D封装技术分类太多了，就算是集中到我们今天讨论的3D
NAND上，不同厂商也有过不同的技术方案。在全球四大NAND厂商中，东芝/闪迪系主要研究p-BICS（Bit-Cost
Scalable），Hynxi继续搞浮栅极为基础的3D FG方案，美光/Intel系主要搞3D Flash，三星高过水平封装的TCAT（Terabit Cell
Array Transistor），但去年首先量产的则是垂直封装的V-NAND。作为全球NAND产业的老大，三星在NAND上的实力与投入也是最大的，四大豪门的3D闪存中也只有三星正式量产并上市了，而且，去年的是第一代，最多24层堆叠，今年850
Pro使用的第二代V-NAND了，堆叠层数从24提升到32层，存储密度提升了40%。在使用第二代V-的850
Pro硬盘上，Anandtech网站测试出的P/E次数是6000次，虽然还没有达到三星所说的10倍可靠性，不过相比20nm工艺闪存平均3000次的P/E寿命已经好太多了。目前各公司3D闪存的进展四大NAND公司的3D闪存进度3D闪存优点多多，厂商显然不可能放过这一波浪潮，目前三星的V-NAND进度是最快的，已经有850 Pro以及即将发布的850
EVO（TLC的V-NAND闪存）这样的产品，而且在国内西安投资70亿美元新建NAND工厂，生产的就是这种V-NAND闪存，未来还会继续领跑。美光、东芝/闪迪及SK
Hyix三家也不同程度地宣示要量产3D闪存，目前也是建厂、扩产的阶段，但是真正上市还早，这三家普遍是在15/16nm节点才开始量产3D闪存，最快今年底，产品上市则要等到明年了，预计未来两年才是他们的3D闪存爆发时间点。
4.5 主控：Marvell、SF两强争霸，台系主控崛起市场变化并不大——依然是由SandFore及Marvell传统两强把持，但是一些新迹象值得关注，比如寻求独立主控的OCZ最终被收购，而台系主控悄然间突围了，JMircon、SMI慧荣、群联已经不满足于廉价低端市场了，开始在技术与性能上寻求进一步突破。SF与两强争霸SSD主控市场依然是SF与Marvell两大厂商争霸，二者的地位暂时无可动摇。先说Marvell公司，2012年其主力产品还是88SS主控及衍生版，这一次的主力是88SS主控及衍生版，其中88S9187是Marvell第三代产品，支持SATA
6Gbps接口，8通道设计，另外还支持ECC、硬件AES加密等功能，而88SS9188则精简到了4通道，其他技术规格基本相同。面对未来的新制程及TLC闪存，Marvell也积极布局了未来的产品，从6月份的台北电脑展开始，Marvell陆续发布老支持、、等等。相比Marvell公司，SandForce公司这两年就有点折腾了，2011年底3.2亿卖身给LSI收购，去年底，当然这个66亿金额主要是LSI的企业级业务，并不是针对SF部分的，实际上安华高对SF的业务并无兴趣，，而摊到SF业务上也不过是8000万美元，几番折腾下来SF主控的价值并不高。具体的产品方面，上次横评时SF主控的主力是消费级的SF-2281，今年的横评中使用SF主控的SSD大多还是选择SF-2281主控（有vb1、vb2
两个版本，vb2应该是优化了功耗之类），你不得不承认SF-2281确实是一代经典，500MB/s的读写性能够高，支持8通道、AES-256硬件加密、RAISE、ECC纠错等技术，同时还有SF专利的DuaWrite写入压缩技术，这都是SF主控的识别码了。至于下一代新品，，而且SATA
6Gbps及PCI-E接口大一统，规格很强大，但是SF3700一直难产，最快也要到今年Q4季度了，相关产品可能要到明年早些时候了。SSD主控新力量——台系厂商归来，OCZ、LAMD被收编除了自有SSD主控的公司，在外包主控的市场中，Marvell与SF占据了90%的份额，留给其他厂商的空间并不多，但是SSD市场前景还是很诱人的，争相进入SSD主控市场的公司还是有的，前几年有过一席之地的台系SSD主控厂商这两年又回来了，而OCZ、LAMD这样寻求独立主控的公司最终则被大公司收编了。前几年台系厂商在SSD主控市场还是很活跃的，最具代表性的就是JMicron，只不过当时JMF612及JMF66X主控性能表现一般，随机性能差一些，只能在低端市场混混日子。但是这两年JMicron以及新进市场的SMI慧荣、群联等台系公司狠下苦功，在性能及技术上追上来了。在影驰的黑将系列SSD中，，CDM中甚至突破了42MB/s，表现跟之前的产品不可同日而语。而在影驰虎将系列中，其使用的慧荣SM2246EN主控性能表现也相当不错，相比以往的慧荣主控有着质的飞跃。还有群联的PS3108主控，8通道设计，在海盗船的Force LS系列中有过应用，随机性能表现中规中矩，不过连续读取速度强大，在入门级SSD中很有优势。这三家厂商改变了大家以往对台系主控的认识，它们的市场定位不高，不过性能及技术上已经达到了主流水准，而且依然有很高的性价比，适合厂商的入门级甚至主流级SSD选择。此外还有OCZ及LAMD这两家掌握SSD主控的公司，不过他们最终都是落入了豪门之手，并没有独立生存。OCZ先是收购Indilinx公司获得主控技术，并最终推出了自己开发的Barefoot
3主控，但是OCZ整个公司运营不力，。LAMD是韩国一家厂商，他们推出的LAM87800主控为海盗船的Neutron系列SSD采用，但是，只不过Hynix收购之后并没有大面积使用LAMD主控的消息，而且LAMD新一代主控也没什么动静了。
4.6——SATA 6Gbps已有瓶颈，PCI-E才是未来这次变化最不大的就是硬盘接口了——SATA 6Gbps两年前是主流，现在依然是绝对的主流，但是这次全面选择SATA
6Gbps接口的SSD是出于公平需要，而SATA 6Gbps接口实际上已经表现出瓶颈了，SATA接口的SSD基本上到550MB/s就是极限了，拥有GB/s级别带宽的PCI-E接口才是未来。在基于PCI-E技术的接口中，最优代表性的是M.2和SATA Express接口，前者主要取代mSATA、mini PCI-E接口，而后者则是基于SATA
3.2规范，取代的则是SATA 6Gbps接口，详细情况我们分别来看。SATA Express接口——取代SATA 6Gbps，10Gbps速度SATA Express标准基于SATA 3.2，其目标是在保持SATA接口兼容性的基础上进一步提高速度，内部使用的是PCI-E
x2通道，2.0标准的话速度就是10Gbps，3.0标准则可达到16Gbps，目前见得多的还是PCI-E 2.0 x2通道的，速度为10Gbps，比SATA
6Gbps快了67%。SATA Express接口有几种实现方式，一是Intel的9系芯片组支持弹性I/O，可以支持2个SATA
Express接口，二是使用第三方芯片，三则是从CPU整合的PCI-E通道中分出来x2通道，不过这种方式会影响显卡的PCI-E通道分配，并不是主流方式，最多的还是用9系芯片组原生提供的。SATA Express接口如上图所示，技嘉这款X99 Gaming G1主板上中中间灰色的部分就是2个SATA Express接口，每个SATA
Express接口实际上还可以当作2个SATA 6Gbps接口使用，这也是SATA Express接口向下兼容的原因所在。目前基于Intel的9系芯片组以及最新的X99芯片组的主板很多都支持10Gbps的SATA Express接口，不过现在最大的尴尬是SATA
Express设备太少了，除了华硕出过一个演示用的SATA Express硬盘之外，目前还没见到哪家厂商会推SATA
Express硬盘，所以目前主板上的SATA Express几乎没有用武之地，还好能向下兼容SATA 6Gbps接口，倒也不至于浪费。M.2接口——取代mSATA/mini PCI-E，速度10Gbps另一种基于PCI-E技术的接口就是M.2了，这是Intel联合厂商制定的一种新标准，之前叫做NGFF接口，原本主要用于笔记本市场的SSD，不过今年开始在桌面主板上也见到了更多M.2接口的身影，Intel也在大力推广这种标准。M.2接口有多种长度规格M.2接口的详细介绍可以参考之前的文章，，它不仅可以双面布置NAND颗粒，而且还具备30、42、60、80及110mm五种长度选择，厂商可根据自己的需求选择。而我们在Intel
9系及X99主板上也能见到多种螺丝安装位，通常都是支持42、60及80mm这三种长度的。主板上见到的M.2接口大多支持三种长度的M.2硬盘标准M.2接口的速度视PCI-E 2.0、的不同也是10-16Gbps之间，不过M.2接口扩展性很好，最多能支持PCI-E 3.0
x4通道，这时候的速度就达到了32Gbps了，是普通M.2接口的三倍多。市面上的主板中，华擎的Ultra M.2、华硕的MPICE Combo
IV都是支持PCI-E 3.0 x4的，速度32Gbps，而且华硕的X99 Deluxe主板上还创造性地支持2种M.2安装方式，而技嘉的X99 SOC
Force主板则支持20Gbps，应该是PCI-E 2.0 x4通道的。当然，上述支持PCI-E x4通道的M.2接口也有点副作用，那就是要从CPU内分配PCI-E通道，要抢显卡的部分带宽，怎么选择就看用户的需求了。
4.7 缓存加速模式广泛应用 Cache其实并不是什么新鲜事物，早在两年前OCZ Vertex 4就让我们见识到什么是全盘SLC
Cache模式，而到了现在，不管你是否接受了SLC Cache，依家有不少厂家接受了它，现在除了OCZ外，三星840
EVO/840、美光M600和SanDisk的部分产品都有在使用SLC模式。SanDisk nCache技术当然了SanDisk的nCache技术只是对随机写入进行缓存，这样可以把写入的随机数据整合起来当成，然后再一起写入到闪存上面，在提升随机写入性能的同时也可以一定程度减少增加SSD的寿命。840EVO划分出了较大容量的TurboWrite
Cache缓冲区，这个区域的大小根据SSD的容量不同而不同，写入数据会优先进入SLC
Cache，空闲时SSD就会把数据转移到TLC存储区中，缓冲区的大小其实对于一般家庭应用来说是足够了的，
但是如果你在短时间把超过缓冲区容量的数据写入SSD的话就会发现写入速度大幅度下降，速度大致会降低至同容量的840水平，估计在缓冲区用完后SSD的工作方式会变成与840差不多。就技术来说840EVO所用的TurboWrite是非常优秀的，让能用TLC闪存的SSD在短时间内表现出如此高的写入性能，而且缓冲区对于一般家庭应用来说也足够，用户大部分时间都可以享受得到。但是三星把SLC
Cache有效时的最大写入速度当做连续写入速度来宣传这就不对了，毕竟这个速度是不能长时间保持的，这个情况其实和那些用的SSD拿最大写入速度来宣传相类似。此外由于写入840EVO缓冲区的数据并不会立刻写入TLC存储区，所以如果在刚写入后立即读取的话就读取速度就会比平时在TLC存储区直接读取快很多，这主要表现在QD1的4K读取速度上，这个三星就有点为测试软件而优化的嫌疑，因为ASSSD与CDM之类的测试软件就是这样先写入测试数据包然后在进行测试的，网上有人说三星840EVO跑分作弊并不是没道理的。美光在最新的M600系列上也用到了Dynamic Write
Acceleration动态写入加速技术，从美光的PPT来看应该是全盘都开了SLC
Cache模式，这个和OCZ与东芝的做法差不多，这样可以保证SSD的写入速度在一个很长的时间内高速稳定，只要同一时间的写入量不超过SSD剩余可用空间的一半的话基本速度都不会下降，然后SSD会在闲时SLC
Cache中的数据转换到可用的MLC存储区中。PlexTurbo与RAPID都能跑出一个非常好看的成绩除了使用SLC
Cache进行加速外，三星和浦科特都推出了使用内存对SSD进行加的功能，三星的叫RAPID而浦科特的叫PlexTurbo，两个都整合在各自的
SSD工具箱里面，两者本质都差不多，利用可用内存空间来充当SSD的读写缓存，这样就可以让SSD的读写能力得到大幅度提升，理论上都有掉电丢数据的可能，不过浦科特说能在断电时防止数据流失，不太清楚它的实现方式。个人对与这类内存加速功能的实际应用时能起多大作用存在疑惑，其实个人还是建议动手能力强的朋友自行搭建RamDisk，然后把各种临时文件夹放到里面，这样对提升SSD的寿命有一定帮助。
4.8 消费级SSD断电保护依然不普及每次计算机把数据写入到SSD时会数据先写入到内部的缓存当中在写入到NAND里面，现在SSD的缓存基本都是DRAM，当遇到浪涌或者断电的话里面的数据会完全丢失，如果SSD支持掉电保护功能的话就可以有效保护这些数据。美光在M500时宣传它支持断电保护技术，但是在前段时间被Anandtech指出美光的消费级SSD其实并不是完全支持这一功能，只是静态数据是被保护了的，官方的宣传其实是对消费者的误导，美光称他们在SSD上使用了大量电容以防止意外断电导致数据丢失。（其实使用钽电容还是常见的电解电容也是厂商的一个宣传点，多数SSD上通常使用电容更大的电解电容，有些厂商则会宣传钽电容的好处，虽然钽电容电气性能更好，但是需要的数量比较多才行，这是另一个话题）左边的是M500DC，中间的是MX100，右边的是M600美光的企业级硬盘M500DC上使用的是大量钽电容，但消费级SSD使用的是陶瓷电容，并没有完整的断电保护功能，一旦出现意外断电情况，MX100实际上只能保证静态数据是正确的，运行中的的数据是会损失的，包括内存缓冲器中的数据。如果是在上页编程的过程中意外断电，cell单元中的下页电位信息就会丢失，因为下页、上页的的编程过程不是必须按顺序完成的，下页的数据可能写入的更早，并被认为是静态数据（已经保存的数据），因此意外的断电可能导致数据出错，而电容的功能就是确保下页数据正确
。任何进行中的上页编程都不会完成，而内存缓冲器中的数据也会丢失，但原有的数据是安全的。其实要真的做到在掉电时把缓存中的数据都写入到NAND中，M500这样的一排陶瓷电容是不够的，企业级SSD多数使用多颗钽电容增加电容量或者更直接的使用更大容量的电解电容，更甚者的直接内置小型电池以保障数据可以完成写入NAND中以不至于丢失。这次参与测试的16款SSD中其实只有Intel
730有提供完整的掉电保护功能，美光MX100有部分保护，而其他的产品基本都是没有掉电保护的，掉电保护技术其实在消费级SSD中并不普及，大多数都是没有这功能的，对大多数普通用户来说也没多大作用，有需要的用户可以考虑Intel
730或者直接去购买企业级产品。
5.1 测试方法：引入全新的回放测试测试平台测试平台使用Intel LGA
1150平台最新的Z97主板，选用的是华硕Z97-Deluxe，CPU则是架构的Xeon E3
1230v3，CPU保持默认频率，为了保证测试结果准确我们把节能选项全部关闭，操作系统也更新至.1 Professional
64位版，驱动程序全部使用Windows 8自带的。测试方法本次横评，我们引入了全新的Expreview Storage Benchmark 2014，这是我们自己录制的I/O轨迹回放测试，更加注重SSD在真实应用中的表现，具体介绍可见下文。每款SSD的具体测试流程如下：1、首先我们会在SSD完全空盘的情况下运行AS SSD Benchmark、Crystal Disk Mark与Anvil`s Storage Utilities三个测试软件，让大家对SSD在出厂状态下的基本性能有所了解。2、随后就开始GC与Trim测试，使用IOMeter对没有分区的SSD进行连续一小时的4K QD32随机息写入，以制造大量的碎片。3、然后放置一个小时让SSD自行进行操作，之后会把SSD重新分区并格式化让它进行全盘Trim，我们会在开始测试前、写入完成后、写入结束一小时后以及全盘Trim后用HDTune Pro测试SSD的写入性能。4、本次横评更为注重SSD在长期使用时会的性能表现，先进行GC测试就是为了让SSD进入稳定态，GC测试完成后就进行Expreview Storage Benchmark 2014，测试会生成59GB的文件，这些文件会保留作后面测试的预置文件，这样做的原因是为了让SSD更接近我们平常使用的状况。5、接下来我们会进行与的测试。6、最后还会再运行一次AS SSD Benchmark、Crystal Disk Mark与Anvil`s Storage Utilities，让大家看看SSD在稳定态时与出厂原始性能的差距。
5.2 Expreview Storage Benchmark 2014介绍到目前为止我们使用的SSD评测规则是两年前我们做横评时所定下来的，当时定下的测试标准比较注重SSD的基本性能，当时的测试标准中也有实际应用的测试，但是现在来看这类测试的比重还是偏低，有点偏离实际使用，在新的横评中我们会使用新的测试标准，新的测试标准会更为贴近实际应用情况。新的测试会比较注重硬盘真实情况的重现，增加回放类测试的比重，并在此隆重推出我们自己的I/O轨迹回放测试：Expreview Storage
Benchmark 2014。要反应日常的使用，CDM、ASSSD这类简单的测试软件是肯定不行的，IOMeter可以进行较为复杂的测试，但是要反应真实的读写情况脚本要设置得非常复杂，PCMark的硬盘测试则是采用真实的磁盘I/O轨迹回放，这种测试方法比较能反应硬盘的真实读写情况，不少外国媒体都有制作自己的回放测试来考验
SSD。测试使用我们自行录制的真实硬盘I/O轨迹脚本，整测试包括日常应用、办公应用和游戏应用三个部分，涉及多个软件的操作，这些脚本使用Intel NAS
Performance
Toolkit进行全速回放，运行完会生成一份详细的测试报告，我们取其中的平均传输速度，三个测试的传输速度加起来取平均值就是这项测试的结果，比如上图中就是用超极速S330
128GB跑出来的，它的测试成绩是432MB/s，各个测试的具体构成包括：日常应用测试1.同盘复制一个MKV电影文件，其实就是以前Fastcopy测试用的那个，文件大小2198MB。2.同盘复制一个有大量零碎文件的文件夹，也是以前Fastcopy测试所用的那个，文件夹大小2250MB，文件总数10980个。3.启动QQ，并对聊天记录进行搜索，随后关闭。4.用Internet Explorer 10流量本地网页文件，逐个进行人工翻阅。5.用Media player播放本地高清视频，并拖动进度条。整个日常应用测试涉及的数据吞吐量是12742MB，其中读取数据8005MB，写入数据4737MB，涉及的文件数量4319个。办公应用测试1.用Word 2013打开多个doc、docx文件，并逐个翻阅。2.用Excel 2013打开多个xls、xlsx文件，并逐个翻阅。3.用PowerPoint 2013打开多个pptx文件，并逐个翻阅。4.用自带的阅读器打开多个pdf文件，并逐个翻阅。5.用PhotoShop CS6打开一个4.04GB大小的psd文件，并将其另存为一个新的psd，其实就是以前的PhotoShop测试。整个办公应用测试涉及的数据吞吐量是34250MB，其中读取数据23579MB，写入数据10671MB，涉及的文件数量112个。游戏应用测试1.《Battlefield 4》游戏启动，开启新游戏进入第一关。2.《》游戏启动，开启新游戏进入第一关。整个游戏应用测试涉及的数据吞吐量是3865MB，其中读取数据3865MB，写入数据24KB，涉及的文件数量121个。
6.1 AS SSD Benchmark测试这次我们只列出AS SSD Benchmark的连续读写与4K
QD1随机读写的测试结果，这项测试的评分也是根据这四项的数据为依据，64线程的测试其实对日常应用的参考意义不大，这次会分别测试SSD在出厂状态与稳定态时的性能。出厂状态测试结果ASSSD连续读取测试创见370、SanDisk Extreme Pro、三星850Pro与Crucial
MX100组成了第一梯队，读取速度都超过了520MB/s，下面的一大堆都在510MB/s左右，浦科特M6S在AS表现不太正常，连续读取速度测试中都没过500MB/s。ASSSD连续写入测试连续写入测试，三星850Pro、OCZ Vertex 460、三星840EVO、OCZ Vector
150和SanDisk Extreme Pro写入速度都在490MB/s以上，Intel 730虽然是高端产品但是它的写入速度并不怎么的高。ASSSD 4K随机读取测试前面已经说过了，三星840EVO在跑这类测试时是直接从
Cache中进行读取的，所以测试结果非常的强，但实际用的时候是直接在TLC存储区读取的，这里水分很大。实际上4K
QD1性能最强的是用JMF667H主控的影驰黑将，其次是三星850Pro，使用LAMD和Indilinx主控的几款产品表现并不是很理想，没有外置缓存的三款产品在此测试中垫底。ASSSD 4K随机写入测试OCZ的两款产品的4K随机写入倒是非常不错，三星850Pro排名第三，下面一堆产品的差距并不算很大，浦科特的SSD在这方面的表现一直都比较糟糕。稳定态测试结果ASSSD连续读取测试，排位有一定变动，属于误差范围之内ASSSD连续写入测试稳定态时写入速度明显降低的是使用SF-2281主控的Intel 520和富士通极速版，Intel
520掉速特别厉害，之前在测试过会掉速的JMF667H主控产品由于现在更换了最新的主控所用都没有出现掉速的现象。ASSSD 4K随机读取测试，一般来说SSD的读取性能是不会随写入量而变化的ASSSD 4K随机写入测试，这个也没啥太大的变化，都属于误差范围之内
6.2 CrystalDiskMark测试与AS SSD Benchmark一样，这次我们只列出CrystalDiskMark的连续读写与4K
QD1随机读写的测试结果，也会分别测试SSD在出厂状态与稳定态时的性能。出厂状态测试结果连续读取测试CDM所测出来的数值通常要比ASSSD的要大，各个产品的排位有很大的变动，创见370的连续读取速度依旧非常不错，与三星850Pro并列帮手，其次是SanDisk
Extreme Pro、浦科特M6Pro，影驰黑将与创建340这两个只有四通道的产品连续读取速度不少八通道的产品都要强，Intel 730在这项测试中垫底。连续写入测试，与ASSSD有细微不同4K QD1随机读取测试CDM随机读取测试与AS的区别就是采用SF-2281主控的Intel
520与富士通极速版的随机读取速度高了非常多，特别是富士通极速版提升得特别多，出来的结果非常好，这主要是与两个软件的测试方法有关。4K QD1随机写入测试CDM
4K随机写入测试，OCZ的两款产品测试结果都在130MB/s以上，下面是三星850Pro、Intel 520/730、创见340、Crucial
MX100和SanDisk Extreme Pro四款速度在120MB/s，浦科特M6S在这项测试中垫底，没有超过100MB/s。稳定态测试结果连续读取测试，用JMF667H主控的影驰黑将和创见340速度都略微掉了点连续写入测试，Intel 520和富士通极速版有一定的性能下降4K QD1随机读取测试，Intel 520的速度有一定下降4K QD1随机写入测试，有细微变化
6.3 Anvil`s Storage Utilities测试Anvil`s Storage
Utilities的优点在于可以调节测试所用数据的可压缩比例，这是AS所没有的，CDM测试要不是全不可以压，要不就全都可以压，这样太极端了，Anvil`s
Utilities预设了几个数据可压缩比例，我们使用比较接近应用程序的46%这个比例来进行测试，这个测试程序会根据各项测试结果得出一个总分，我们直接使用这个分数来作为每个SSD的该项得分。出厂状态测试结果浦科特M6S在这项测试中性能表现并不正常，连续读取速度只有390MB/s导致它的读取测试得分相当的低。三星850Pro在这项测试中得分相当之高，其次是840EVO，两个的得分都在5000以上，SanDisk
Extreme Pro排名第三，具体的测试结果请看下图。稳定态测试结果在SSD的稳定态再一次进行测试，得分明显下降的只有Intel
520和富士通极速版，都是写入性能有所下降，都是大概下降了大概120分左右。
6.4 PCMark7测试存储测试，三星850Pro以5624分的成绩傲视群雄，东芝Q
Pro在前面的基准性能测试中表现并不怎么抢眼，但是在回放测试中表现相当优秀，以5610分排名第二名，第三名浦科特M6
Pro得分5562其实也并不低，第四名的同样是来自浦科特的M6S，得分5504，头四位的产品得分都高于5500分，接下来的产品大多数都在5400分这个区间内，海盗船Neutron
GTX的得分都比较低。
6.5 PCMark8测试的性能测试基本是拉不开分差的，不同产品间的得分差距非常少，东芝Q Pro在PCMark
8中表现相当出色，是唯一一款得分超过5000的产品，三星两款产品850Pro与840EVO分别位于第二和第三位，与下面的几款产品拉不开差距，分差叫明显的只有最后三位的海盗船Neutron
GTX、Intel 520和富士通极速版。
6.6 Expreview Storage Benchmark 2014测试每项测试会运行三次取其平均值来作为该项测试的成绩，最后的总成绩是三项测试的结果的平均值，要注意的是得出的结果是平均传输速度，回放测试的读取与写入操作是同时进行的，所以某些SSD在读写操作都繁重的办公应用测试中结果会超过SATA
6Gbps接口单向传输速度的上限。日常应用测试，OCZ两个盘在这项测试中表现相当不错，东芝Q Pro与Vector
150分别位于一二位，其次是Vertex 460，这项测试写入的比重占了三分之一，零碎文件也很多，SSD的综合读写性能对最终成绩影响非常大。游戏应用测试基本上是一个纯粹考验读取性能的测试，写入量非常少，三星850Pro在这个项目中位于首位，第二是三星840EVO，第三位是创见340，第二第三名的差距非常小。这项测试对SSD的读写性能要求都非常的高，而且是以大文件的连续读写为主，所以连续读写都非常好的SSD在这项测试中表现就会非常的优秀，头三位分别是东芝Q
Pro、OCZ Vertex 460和三星850Pro。综合三项测试的结果，东芝Q Pro在这项测试获得了第一，三星850Pro第二，OCZ Vertex
460位于第三，其他各个SSD的成绩如上表所示。
6.7 性能测试数据汇总及分析将前面测试的各项数据汇总成下表，这样更方便对比各SSD的差异：性能测试数据汇总（点击放大）在上表中，各个单项的最好与最差成绩分别以红色和绿色作了标记，大体上可以一眼看出最好与最差的。整个测试有六个大项一共24个数据，三星850Pro的表现是最抢眼的一共拿得了10项第一，性能上的优势无可匹敌，相比之下相对最为老旧的Intel
520在面对现在一系列新产品的挑战时就表现得力不从心了，性能在16款SSD中垫底。大家可以看见三星840EVO在多个测试中随机读取性能获得第一的位置，但是之前已经说过了，840EVO在运行小数据量的测试时基本上都是在TurboWrite缓冲区里进行的，这对写入性能和4K随机读取的测试结果都有很大影响。TurboWrite功能对SSD写入的性能这是可以在日常应用中体验得到的，但是一般情况下是无法帮读取加速的，因为数据多数都是直接在TLC存储区直接读取的，刚写入的数据立即就读取这情况非常的少，这可能是对测试软件的专门优化，再加上840EVO还有旧文件读取速度下降的问题，鉴于这款产品存在太多不确定因素所以这次就不给它打分了。这次横评更换了项目，超能指数的计算方式也有所不同，这次得分是按大项来同级的，新的超能指数是六个大项成绩的加权值之和，即：超能指数 = 系数 * ∑(权重 * 大项成绩 / 大项平均值)这里的系数=5，是让成绩变成百分制。重主要是考虑到各种数据的重要性，这次测试比较看重比较贴近实际应用的回放测试，所以和PCMark
8两款测试的权重是2，我们的Expreview Storage Benchmark回放测试权重是3。ASSSD、CDM和Anvil这三项快速测试的权重是1，它们的项目得分是出厂状态和稳定态两个测试结果的平均值，Anvil是直接取测试得分，而ASSSD与CDM的分数是按下面公式计算的：ASSSD/CDM的项目得分 = ∑(权重 * 单项成绩 / 单项平均值) / 4读取速度比写入速度重要，因为实际应用中读与写的比例至少在10倍以上，随机性能比连续性能重要，基于这样的考虑，制定的权重规则是：随机读取权重为5，连续读取权重为3，随机写入为2，连续写入为1。经过这样的计算，可以得到各SSD的超能指数：超能指数与性价比指数三星850 Pro的性能极其强悍，得分高达98.7，与其他产品拉开不少差距，其实三星840
EVO的得分也不低的，只不过那个成绩有一定水分，其实论实力的话三星确实比其他厂家强不少，SSD方案是完全实用自家的，这几年的新产品都把许多新的技术投入实用，软件和硬件上都有很强的实力。第二位是SanDisk Extreme
Pro，得分为94.4，影驰的黑将以93.2的得分排名第三，浦科特M6 Pro排名第四得分为92.8，用了新固件的黑将表现相当强悍。其他的大多数产品都在80分的区间内，Intel的旗舰产品730其实性能并不怎么样，这货毕竟与企业级产品同根，论稳定性绝对要比其他的产品要好得多。东芝的Q
Pro在回放测试中的表现相当优秀，但是前面的快速测试中表现较糟糕，受其拖累得分并不高。OCZ的两款产品得分非常相近，Vector 150是88.8，Vertex
460是88.1，两者其实只是主控的频率有差别，所以差距这么少很正常。创见使用SMI2246EN主控的370得分为85.7，而使用JMF667H主控的340得分为84.8，它们两个使用的闪存是完全一样的，都是美光的L85A，其实这个结果可以说明一样东西，就是SMI2246EN的性能比JMF667H要强一点。有了超能指数这个性能指标，就很容易计算出各SSD的性价比指数（超能指数/参考价*74.3），性价比方面影驰黑将以9.9分摇摇领先，其次是得分为9.3的Crucial
MX100，创见340以9.0分位于第三。三星850
Pro的超能指数是最高的，但是它的售价也相当之高，导致性价比指数直接垫底，1599元都差不多可以买得到512GB的产品了。
7 功耗测试我们测量了SSD的启动功耗、待机功耗、持续读/写功耗和随机读/写功耗一共六个值，考虑到数据过多的话影响阅读，因此选择列出三个比较有代表性的功耗值，即待机功耗、持续写入功耗和随机读取功耗。SSD最低功耗表现在待机时，而最高功耗表现在持续写入时，随机读功耗相对较低，可以看作是典型应用时的功耗值。其它的如持续读取功耗会比持续写入功耗稍低，随机写入功耗会比随机读取功耗稍高，大多数SSD的启动功耗接近于随机读写功耗。待机功耗大多数SSD在待机时功耗都在0.6W以下，平均待机功耗为0.54W非常之低，其中影驰黑将、三星840EVO和850Pro的待机功耗是最低的，只有0.3W，差不多只有平均值的一半，而Crucial
MX100与Intel 730的待机功耗明显要比其他产品高出不少，都在1.1W以上。4K随机读功耗随机读是SSD非常典型的应用，尤其是作系统盘使用时，也就是说这一个功耗会是实际应用中出现比重最高的一个参考值。参测的16款SSD平均4K随机读功耗为1.28W，影驰黑将在此时的功耗表现相当优秀，仅有0.7W，是所有产品中4K随机读功耗最低的，使用SMI2246EN主控的创见370功耗也仅为0.75W，Intel
520由于主控是所用闪存都是旧的，功耗在众多产品中是最高的。持续写入功耗持续写入功耗可以看作是SSD的最大工作功耗，对于很少当仓库盘使用的SSD来说，这样的工作机会并不多。16款SSD的平均持续写入功耗达到3.46W，几乎是平均随机读取功耗的三倍，东芝Q
Pro可能是少了一颗DRAM的原因吧，功耗表现最优秀，只有2.09W，与第二名的三星850Pro的2.72W差距还是挺大的，在之前两项测试中表现较为优秀的影驰黑将则位于纵多SSD的中间位置，海盗船Neutron
GTX的连续写入功耗则是最高的。综合来看在这16款SSD当中综合功耗表现最优秀的要数东芝Q
Pro了，虽然待机功耗略微大一些，不过读写功耗表现都很好，其次就到三星850 Pro、影驰黑将和创见370。
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实在看不下去，什么重载测试，哪那么多时间跑！快点可以出对比测试结果就好，难不成要模拟真实应用几年后才出个所谓真实性报告？！别人我不知道，至少我是1年换一次SSD，而且是做系统盘，所以对我来说性价比最重要，速度又快又便宜1~2年内不会坏就是我最需要的！呵呵没钱别学人家装逼，性价比不是说绝对便宜，对不同的人群有不同含义，对于存储产品而言，硬件有价，数据时间无价，一分钱一分货，有人愿意买dc3700装系统，有人认为淘宝200多的手选坏块的打磨me2就是好，没辙，还有花驰这种厂家不用黑，他的运作模式就这样，枪手糊弄小白，没有能力和资本做大，it界大者恒大，而且还可能一下倒闭，至于作坊骗骗就好。看来这里有不少影驰的竞争对手，不断地在黑影驰，有意思，你们继续，偶是看热闹的我就是花驰显卡的受害者，随便你们怎么忽悠，反正不会再买花驰的任何产品这种心态是很正常、很常见的说我黑影驰的SB 你知道影驰的JMF667H是什么东西么 淘宝里面清一色的山寨用的都是JMF667H
最近多了个慧荣主控。钱是你的，你爱买不买同意！ 你说这些国内的花驰类山寨产品，能自己生产NAND吗？会自己开发控制芯片的算法吗？
SDD最主要的，就是上面这两部分！
请给我一个理由，放过大厂600-800元的产品，买这些山寨，就为便宜几十块？
不过，曾经遇到一些小白，真的会一直掰，说什么数据不重要啊，买了就是游戏盘啊。。。 哈，真的很。天。真！！
当游戏和系统盘，这就叫天真？？？
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爱玩（坏）硬件，SSD专精，爱玩游戏，沉迷PSVita中，不作死就不舒服星人。
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