在如下所示的功率放大电路路中Vcc=12v,Rb=400, Rc=2,晶体锗管=80,则输出电阻为

在如下所示的放大电路中Vcc=12v,Rb=400, Rc=2,晶体锗管=80,则输出电阻为_百度知道
在如下所示的放大电路中Vcc=12v,Rb=400, Rc=2,晶体锗管=80,则输出电阻为
(这两种放大器都有集电极负载电阻Rc),输出电阻都等于Rc、没有图2、若是共射放大器或共基极放大器1
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电路与模拟电子技术基础(第2版)_习题解答_第6章习题解答.doc31页
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确定图中晶体管其它两个电流的值
IC βIB 200×0.125 25 mA
IE IB+IC 25.125 mA
IB IE/ 1+β
IC IE-IB 4.95 mA
IB IC/β 3/120 25 μA
IE IB+IC 3.025 mA
测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图6.1所示,试判断晶体管的类型(NPN或PNP),说明①、②、③中哪个是基极b、发射极e、集电极c,求出电流放大系数。
β 1.2/0.03 40
β 1.5/0.01 150
有两只工作于放大状态的晶体管,它们两个管脚的电流大小和实际流向如图6.3所示。求另一管脚的电流大小,判断管子是NPN型还是PNP型,三个管脚各是什么电极;并求它们的值。
IE IB+IC 4+0.1 4.1 mA
β 4/0.1 40
IC IE-IB 5.1-0.1 5 mA
β 5/0.1 50
试判断图6.4所示电路中开关S放在1、2、3哪个位置时的IB最大;放在哪个位置时的IB最小,为什么?
在①时,发射极相当于一个二级管导通,此时IB就等于此导通电流。
在②时,三极管相当于两个并联的二极管,此时IB等于两个二级管导通电流之和,所以此时的电流最大。
在③时,发射极导通,集电结反偏,集电结收集电子,所以IB电流下降,此时电流最小。
测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图6.5所示,判断晶体管三极管的类型(NPN或PNP)及三个电极,并分别说明它们是硅管还是锗管。
在工作正常的放大电路中,测得四个晶体管相对于电路公共端的电压如图6.6所示,是判断各晶体管的类型及各管脚对
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 第二章 晶体管及放大电路基础
2.1 &已知某半导体三极管的ICQ=1.02mA、IEQ=1.05mA、ICEO可以忽略。试估算该三极管的及值。
2.2 &若管子的集电极电流和发射极电流与题2.1相同,仍分别为1.02mA和1.05mA,但极间反向电流不能忽略,其ICBO=20μA,试求管子的及值。
2.3 &有两只半导体三极管,现测得它们两个电极的电流方向和大小如本题图a、b所示。
&&& (a)& 试求另一电极的电流大小,并标出该电流的实际流向;
&&& (b)& 判断这两个三极管的三个电极各是什么电极;
&&& (c)& 若ICBO均为零,试求各管的及值 。
2.4 在工作正常的放大电路中,测得四只半导体三极管各电极相对于“地”的电压如本题图所示。试判断各管的三个管脚X、Y、Z各是什么电极;各三极管分别是硅管还是锗管、是NPN 型还是PNP型。
2.5 &在本题图所示的电路中,当开关S放在1、2、3哪个位置时,IB的值最大;哪个位置时,IB的值最小,为什么?
2.6 &在本题图所示电路中, 当开关S放在1、2哪个位置时的IC值大;哪个位置时的管子耐压高,为什么?
2.7 &测得各半导体三极管静态时三个电极相对于“地”的电压如本题图所示。问哪个(或哪些)管子可以正常放大信号?哪个(或哪些)管子处于截止、饱和或倒置状态?
2.8在本题图所示的四个电路中,各晶体管均为硅管,试分析这四个电路中的管子各工作于放大、截止、饱和及倒置四种工作状态中的哪一种状态。
2.9 &电路如本题图所示。设晶体管的UBE = 0.7V。试求:
&&& (a)& 静态时晶体管的IBQ、ICQ、UCEQ及管子功耗PC(= ICQUCEQ)值 ;
&&& (b)& 当加入峰值为15mV的正弦波输入电压ui时的输出电压交流分量uo;
&&& (c) &输入上述信号时管子的平均功耗PC(av)()值,并与静态时管子的功耗比较;
&&& (d)&&若将电路中的晶体管换成另一只的管子,电路还能否正常放大信号,为什么?
2.10 &电路如本题图所示。其中VCC=15V、RB=1MΩ,要求 ICQ=1.5mA、UCEQ=7.5V,选用小功率高频硅管3DG4C,其、rbb'=60Ω。
&&& (a)& 选择集电极电阻RC的电阻值及其额定功率值;
&&& (b)& 计算电压放大倍数值;
&&& (c)& 当RB值为多大时,电路中管子的静态工作点将刚好进入饱和区。
2.11 本题图所示的电路中,晶体管的α=0.99、rbb'=200Ω、UBEQ=-0.3V,RB=560kΩ,RC=2kΩ,-VCC=-10V,电容器C1、C2的电容量均足够大。试求:
(a)&&& &动态范围Uopp值;
(b)& 电压放大倍数及输入电阻Ri值。
2.12 电路如本题图所示。其中-VCC=-12V、+VEE = +12V、RC=5.1kΩ、 RE=12kΩ,T为3CG21型硅管,。若要求|ICQ|=1mA,问RB值应取多大。
2.13& 电路如本题图所示。其中RB 1= 62 kΩ、RB2 = 15kΩ、RC = 3kΩ、RE = 3kΩ、负载电阻RL=3kΩ、C1=C2=10μF、Ce=47μF、 VCC= 24V,设T为硅管,其、rbb'=100Ω。试计算:
(a)&&& &ICQ、UCQ、UEQ的值;
(b)&&& &画出该电路的微变等效电路,并求出rbe值;
(c) &电路的电压放大倍数、输入电阻Ri及输出电阻Ro值。
2.14 &电路如本题图所示。其中VCC= 12V、RB 1= 50 kΩ、RB2 = 10kΩ、RC = 4.7kΩ、RE=,负载电阻RL=10kΩ,信号源的内阻RS=5kΩ,各电容器的电容量均足够大,晶体管T的、rbe=1.6kΩ。试求:
&&& (a)& 电压放大倍数及值;
&&& (b) &输入电阻Ri及输出电阻Ro值。
2.15 &电路如本题图所示。其中VCC= 24V、RB 1= 62 kΩ、RB2 = 15kΩ、RC = 3kΩ、RE1=、RE2 = 1kΩ,负载电阻RL=3kΩ,C1=C2=10μF,Ce=47μF,管子的、rbe=1kΩ。
&&& (a)& 画出该电路的微变等效电路;
(c)&&& 试求电路的电压放大倍数、输入电阻Ri及输出电阻Ro值。
2.16 一共集电极放大电路如本题图所示。其中-VCC= -6V、RB = 43kΩ、RC = 100Ω、RE=150Ω、负载电阻RL=2kΩ、信号源的内阻RS=1kΩ,各电容器的电容量均足够大。晶体管T为锗管,其、。
&& &(a)& 试估算静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ值;
&&& (b)& 画出该电路的微变等效电路;
&&& (c)& 计算、Ri及Ro值。
2.17& 有一共基极放大电路如本题图所示。其中VCC= 24V、RB1 = 90kΩ、RB2=48kΩ、RC =RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ,电容器C1、C2、C3 的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管,其rbb'=80Ω、。
&&& (a)& 试估算静态工作点ICQ、UCEQ值;
&&& (b)& 计算、Ri及Ro值。
2.18 电路如本题图所示。晶体管T为3DG4A型硅管,其、rbb'=80Ω。电路中的VCC=24V、RB = 96kΩ、RC =RE=2.4kΩ、电容器C1、C2、C3 的电容量均足够大、正弦波输入信号的电压有效值Ui=1V。试求:
&&& (a)& 输出电压Uo1、Uo2的有效值;
&&& (b)& 用内阻为10kΩ的交流电压表分别测量uo1、uo2时,表的读数各为多少?
2.19 电路如本题图所示。已知晶体管T1、T2、T3为特性相同的同型号硅管,它们的UBEQ均为0.7V,rbb'均为80Ω,均为50;电路中的VCC= 12V,R1 = 10kΩ、R2= 5.1kΩ、R3= 1kΩ、R4= 1.2kΩ、R5 = 3kΩ、R6= 12kΩ、R7 = 20kΩ、R8= 1.2kΩ、R9= 12kΩ、R10 = 5kΩ、R11 = 1.2kΩ、RL=10kΩ;各电容器的电容量均足够大。试求该多级放大电路的
&& (a)& 电压放大倍数;
(b)&&& 输入电阻Ri及输出电阻Ro值。
2.20& 电路如本题图所示。已知晶体管T的,rbe=1.4kΩ;RB= 68kΩ、RC=、RE= 1.8kΩ、C1=C2=10μF,Ce=47μF。试估算该电路的下限截止频率fL。
2.21& 一放大电路的等效电路如本题图所示。其中C2为耦合电容,RL 和CL 分别为负载电阻和负载电容。中频时,C2对交流信号可视作短路,CL可视作开路。设电路中频增益为。
&&& (a)& 写出该电路的(低频时的)及(高频时的)的表达式
&&& (b) &若RS=1kΩ、Ri = 10kΩ、RC=RL=10kΩ,为了使Aums=10,gm值应多大?
&&& (c)& 若要求电路的fL=6,电容器C2的电容量应多大?
&&& (d)& 若要求电路的fH=1M,电容器CL的电容量不应超过什么数值?
2.22&& 某一放大电路的等效电路如本题图(a)所示。其中Ri = 1kΩ、Ro= 0.5kΩ、RL=5kΩ、C1=C2=10μF,CL=20pF,虚框内电路的幅频特性曲线如本题图(b)所示,其中-20dB/dec,即-20dB/每十倍频。试求整个电路的fL和fH。在如下所示的放大电路中Vcc=12v,Rb=400, Rc=2,晶体锗管=80,则输出电阻为_百度知道
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