雷恩斯x射线平板探测器器性能怎样

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-04-25 02:46 标签： dr平板探测器
各种DR探测器各自的性能
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各种DR探测器各自的性能
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DR探测器有着非常多的分类，CCD探测器、一线扫描探测器、，其中X光平板探测器又可以分为非晶硒平板探测器和非晶硅平板探测器。这些探测器各有优劣，那么接下来我们来看一下这些DR探测器性能的比较。
【CCD探测器】
X射线通过荧光体或者是闪烁体所构成的可见光转化屏被变成可见光图像，然后可见光图像受到光导纤维和透镜被传送柱光学系统中，再由CCD系统采集转换成为图像电信号。这种技术已经非常落后了，所产生的图像质量差;失帧情况严重，无法匹敌TFT板技术，面临着淘汰的危机，但因为售价便宜，也还有这一些低端客户在使用。
【一线扫描探测器】
这种探测器采用狭缝式线扫描技术，所以灵敏度非常的高。平面X射线由球馆发出，在穿过人体之后到达探测器，形成一行信号数据，球馆和探测器在扫描机构的帮助下，自上而下匀速平行移动，逐行扫描，这些扫描得到的数据在通过计算机重建处理之后就可以得到一副完整的平年数字图像。这个技术的缺点是曝光时间太长，导致空间分辨率和矩阵等数值都不是很高。
【非晶硒平板探测器】
非晶硒平板探测器的缺点主要在于成像速度慢和温度适应性差。它对温度环境的要求特别严格，低温环境下容易被冻坏或者出现坏线坏点，设备损坏率高，而且成像的质量得不到稳定，再加上这种技术造价过高，使得这种技术逐渐地淡出DR国际市场中。
【非晶硅平板探测器】
这种技术采用的是Csl柱状晶体结构山或涂层这种特殊的工艺;它能减少可见光的反射，更好地吸收X射线，成像速度快，图像质量好、尺寸小、分辨率高;同时这项技术工艺复杂，无法生成大面积的平板，通常都是采用的是将四块17X17的小板拼接成大板，拼接处的图像都是由软件来弥补的，总的来说综合技术水平很高。虽然这项技术中硅+碘化铯是被公认的最高端最成熟的DR平板技术，但是这也就意味着这项技术的价格也是同类产品中最高的。
以上就是几种DR探测器性能的比较，通过以上的介绍可以看出虽然X光探测器有着很大的优势，但其他几种探测器也不是不能选择。本文旨在可以帮助选购者提高自己对DR探测器的选购辨别和判断能力了，希望此文对广大读者都有所帮助。
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(1) 辐射探测材料与器件
&&&&&&&&&&&&&&&&&&(1) 辐射探测材料与器件
研究方向：基于X射线的辐射探测与实时成像技术是近年来的研究热点，可极大推进影像医学、安检、放射物检查、工业探伤等领域的发展。本团队在掌握大面积辐射探测材料制备技术基础上，重点推进数字X射线平板探测器件与系统的研发，研究影响辐射探测成像质量的材料因素及信号采集与处理系统，实现具有自主知识产权的平板探测器的研制。
团队成员：本团队由5名专职教师构成，其中教授1名，副教授1名，讲师3名，年龄均在40岁以下，长期从事光电功能材料与器件的研究。团队负责人朱兴华教授作为光电技术学院院长，教授，四川省有突出贡献的优秀专家、四川省学术技术带头人后备人选，“信息材料及器件化应用”四川省高校重点实验室主任，在新材料设计和制备、现代分析测试、器件工艺方法、及系统设计制造领域取得了较为丰富的科研成果。团队成员的学科专业相互补充和交叉，部分成员还长期担任企业的技术顾问，具有较好的工程技术背景，具备较强的器件技术综合研发能力。
表1 &团队成员信息表
材料物理与化学
副教授/博士
材料物理与化学
凝聚态物理
电子科技大学
光电子材料
光电材料与器件
研究成果：
● 采用闭管升华沉积法制备了PbI2小尺寸厚膜片，结晶质量高，并制作成单通道辐射探测器，对59.5 keV的241Am伽马射线能量分辨率达16.8%，能谱半高宽为9.996 keV，展示了优异的探测灵敏度。
图1& 闭管升华沉积法生长的小尺寸PbI2厚膜片及单点探测器
● 在导电基片上实现了毫米级厚度碘化铅多晶厚膜的重复可控生长，制备厚膜具有高度择优取向特性，结晶质量高，为制造下一代高性能平板探测与成像系统提供了关键材料支持。
图2& ITO基片上制备PbI2厚膜形貌及光电性能曲线
● 通过改进与优化传统的近空间升华法工艺参数，在相对较低的基片温度下实现了高质量碘化铅厚膜的沉积。目前，已掌握TFT芯片基板上大面积毫米级PbI2厚膜的重复可控制备技术，并基于实验室开发的厚膜表面处理技术，改善制备厚膜的表面均匀性。&
● 研发的3&4阵列式碘化铅辐射探测器及其X光辐照响应测试系统。测试表明，各像素间的响应性能一致，能量分辨率高，探测灵敏度好，为实现阵列式辐射探测器的制作做出了关键突破。
图4 碘化铅阵列辐射探测器原型机（左）及辐射探测光电响应测试系统
● 实验室通过与天马微电子有限公司展开合作，将团队成熟的辐射探测材料制备技术与天马的高性能TFT制造技术相结合，有效加快了平板探测器的研发与产业化进展。目前，已试制成功数字化X射线平板探测器件原型机，相关的探测性能测试与系统优化工作正在稳步推进。
图5& 联合研制平板探测器TFT
● 近年来，研究团队承担和完成各类科研项目10项，其中国家自然科学基金项目1项，四川省战略性新兴产品计划项目1项，四川省科技支撑项目1项，四川省教育厅重点项目2项，成都市科技局和双流县科技局各1项、企业委托项目2项，校内课题2项，总经费达400余万元；发表论文19篇，其中SCI收录6篇，EI收录13篇；获国家发明专利2项。&
表1& 团队近期公开发表的科研论文
期刊名称及类型
Growth, surface treatment and characterization of polycrystalline lead iodide thick films prepared using close space deposition technique
Nuclear Instrument. Methods in Phys. Research A (SCI)
磁控溅射法制备CdS多晶薄膜工艺研究
真空科学与技术学报 (EI)
近空间升华法制备PbI2厚膜及其性质研究
功能材料 (EI)
Photoconductive properties of lead iodide films prepared by electron beam evaporation
Journal of Semiconductors &(EI)
Research on phase transition and crystal growth of lead iodide
Journal of Alloys and Compounds (SCI)
C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究
物理学报 (SCI)
电子束蒸发制备PbI2膜及其光学性能研究
人工晶体学报 (EI)
电子束蒸发制备PbI2薄膜的光电性质研究
真空科学与技术学报 (EI)
PbI2多晶膜的制备及其晶体结构
人工晶体学报 (EI)
电子束蒸发制备PbI2薄膜及其性能表征
半导体光电 (EI)
Pb-I系统的相变分析与PbI2晶体生长
人工晶体学报 (EI)
PbI2厚膜的结构、形貌与光谱性质研究
光谱学与光谱分析 (SCI)
Structural and optical properties of polycrystalline CdS thin films deposited by electron beam evaporation
Journal of Semiconductors (EI)
CdS多晶薄膜的制备与光学性质研究
人工晶体学报 (EI)
CdS多晶薄膜的制备及性质研究
功能材料 (EI)
电子束蒸发制备CdS多晶薄膜及性质研究
真空科学与技术学报 (EI)
近空间升华法制备CdS多晶薄膜的研究
光谱学与光谱分析 (SCI)
Electrical characteristics of lead iodide crystal devices on flexible substrate under mechanical tensile strain
Physica Status Solidi A (SCI)
Electrical and γ-ray energy spectrum response properties of PbI2&crystal grown by physical vapor transport
Journal of Semiconductors (EI)
表2& 团队近期申请的专利
大面积碘化铅厚膜的制备方法及其实施设备
碘化铅光电导层基数字X射线平板探测器
站内搜索：
: gdjsxy@ : (028)

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