h2-tpd表征 英文时氢气在多少度吸附较好

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TPD技术在催化剂研究中的应用
(1)&& TPDTPD(TPD)
NH3-TPDZSM-5ZSM-5()ZSM-5NH3-YPD
3503502502250350k1/kdTPDO2-TPDH2-TPDNO-TPDTPDO2-TPDH2-TPD
O2-TPD -Sm2O3O2-TPDSm2O3Sm2O3ODESm2O3Sm2O3O2
NO-O2-TPDAg-ZSM-5
CH4NOxTPDNOO2Ag-ZSM-5CH4N2HeNOO2Ag-ZSM-5TPDNO60NOHe150NO350475550NONOO2350475DRIFTNOO2Ag-Al2O3NO3(s)NO-O2Ag-ZSM-5NO3(3)NO3sNOO2NO33(345475)NO3(s)Ag
H2&-TPDAmenomiyaCvetanovicPtTPDTm170K20K350K570K
CO2-TPD CO2-TPDNH3-TPD TPD
H2O2CO-TPD,Pt()
&&&&&& KatzerPt-SiO2COH2TPD
PtCOCO(H2)Pt-Al2O3Pt-H2PtTPDAl2O3
&&&&&& (HOCO)
ZagliN2&-&&&&&----Ni-SiO&2Ni-Al2O3TPDNi-SiO2CO750KNi-Al2O3750KCONi-Al2O3CO650KNi-SiO2Al2O3&
MoS2&COH2C1~C5cTPDDianioTPDTPD4H24H2SCOH2CO
TPDTPDSnPtPtPtCOSnPtPt-SnCOTPD
(TPD)TiO2TiO2Al2O3SiO2ZrO2TiO2
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电话:010-41
传真:010- E-mail:求问TPD测试过程?Raney Ni催化剂的表征?
RosE情义噐嶊°
单说TPD别人不知道你做什么吸脱附,如果是H2-TPD的话,一般惰性气氛中200度吹扫后降温,通H2吸附饱和然后程序升温脱附就行了
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求助:氢气在铜、银等金属表面的解离温度
各位路过的帮帮忙
氢气在铜、银等金属表面的解离温度 就是H-H键断裂温度
如果有表格就更好了 谢谢
或者综述类的文献也行啊
80K还是80度呢?谢谢啊
H-H的键能,约435kJ/mol 那没有催化剂时多少度可以解离
当然是80K了,没有催化剂就是靠纯热解离,大约在1800 K左右。
请问“H2不能再铜,银表面吸附”有相关文献吗?急求。解决自己试验中遇到的问题——用纯铜做了H2-TPD,没有出峰,但说其不吸附铜,又没有更多的数据和文献支持。
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负载贵金属沸石分子筛的H2-TPD的研究.pdf89页
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太原理工大学硕士研究生学位论文 负载贵金属沸石分子筛的H2.TPD研究 III UlII IIIIIIIIIIIIIIIIIIlUl I IIIII Y座机电话号码 摘要 负载贵金属的沸石分子筛是将金属或是金属氧化物封装在沸石分子
筛的孔穴里,可以负载和保护活性中心,利用沸石分子筛的择型催化性能,
选择反应物、反应产物或是过度状态,应用于特定反应中,起到择型催化
作用。被约束在微孔晶体里小而又规整的孔道和晶穴环境里的金属簇分散
性更好,而且能更有效的防止金属烧结和毒化。本课题对封装Pt的LTA
型沸石分子筛进行了I-12.TPD研究,探讨了其离子交换,金属的负载量, 自还原等性质现象,并用其它表征手段进行了佐证;又通过Pt/NaA沸石
分子筛转晶法合成了封装Pt的SOD沸石分子筛,用I-12.TPD进行了表征;
最后利用H2.TPD研究了氢溢流的影响因素及在苯加氢反应中的作用,得
到如下结论: 1 I-12.TPD可以用于经不同离子交换的沸石分子筛的研究,经过不 同离子交换的LTA沸石,具有相同的结构,但孔口的不同,会引起脱附 阻力的不同,脱附峰的位置和形状就会不同;H2.TPD可以作为封装贵金
属的沸石分子筛的一种表征手段,Pt/NaA沸石分子筛在高温处的脱附峰
位置和单纯NaA沸石分子筛的稍微靠前,峰强度变小,表明Pt确实分散
在了NaA沸石分子筛的孔道里,孔道被堵塞,脱附阻力减小;I-12.TPD可 以用于贵金属不同负载量沸石分子筛的研究,不同载Pt量的NaA沸石分
子筛的低温脱附峰随着负载Pt的量的增加,先增大后减小,说明Pt的加 T 太原理工大学硕士研究生学位论文
入量在一定范围内,活性中心Pt在孔笼内分散良好,但随Pt量的增加,
Pt在孔内开始堆积,堵塞孔道,就会起到相反的作用,
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求助:H2 N2 NH3-TPD时,如何顶物理吸附的温度
求助:我最近实验需要做H2-TPD 、N2-TPD、 NH3-TPD,可是我不是太清楚在什么温度下来吸附H2 N2 NH3呢,以及在什么温度下用He吹扫把催化剂表面吸附的H2 N2 NH3吹走呢,
目前我在做N2-TPD时,是在100度下吸附N2,然后在100度下吹扫半个小时,在开始程序升温脱附N2,记录N2的脱附峰,可是有的文献报道:在室温下吸附N2,然后在室温下用He吹扫,我也不知道针对这三种TPD各自对应的儿媳妇温度应该是多少?,请大家帮忙,谢谢啦
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