slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒哪个好?有什么区别?
作者：佚名
字体：[ ] 来源：互联网 时间：11-16 14:16:47
颗粒是固态硬盘负责容量和传输的介质，在这一方面上与优盘产品是相同的，从外观上看，颗粒占据了整个固态硬盘内部70%左右的空间，其同样做为成本技术，根据厂商的用料不同，成为了固态硬盘内部核心材料。那么slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒哪个好?有什么区别
在选购U盘、SSD固态硬盘甚至是智能手机中，我们经常会提及SLC、MLC、TLC三种闪存芯片，不同闪存芯片的产品，在读取速度、寿命、价格上有所不同。那么slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒哪个好?有什么区别？下面小编为大家通俗易懂的介绍下。
在U盘、SSD等固态存储产品中，闪存芯片颗粒是核心，其关乎产品成本、寿命以及速度。闪存芯片颗粒主要有三种类型，分别为SLC、MLC、TLC，三者之间的区别，如下。
slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒区别介绍&SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；&&&&& MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命&&&&& TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。
MLC和TLC特性比较
结论：SLC & MLC & TLC
目前大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。
而SSD固态硬盘中，目前MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TCL芯片颗粒，大家在购买固态硬盘的时候，可以在产品参数中去了解，如下图所示。
SLC颗粒固态目前主要在一些高端固态硬盘中出现，售价多数上千元，甚至更贵。
智能手机方面，目前多数智能手机存储也是采用TCL芯片存储，而苹果iPhone6部分产品采用的TCL芯片，另外还有部分采用的是MCL芯片颗粒，感兴趣的朋友，可以阅读下【】。总的来说，MCL闪存芯片颗粒是时下主流，产品在速度、寿命以及价格上适中，比较适合推荐。
以上就是关于slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒的区别介绍，现在大家是不是有所了解了，希望这篇文章对大家有所帮助，谢谢阅读！
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最近更新的内容请问闪存技术是不是UFS2.0，还是eMMC5.1？
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荣耀8为什么不上ufs2.0的闪存
&登堂入室&
来自：荣耀畅玩4X Che2-TL00
荣耀8用的闪存是emmc5.1的，而小米5用的是ufs2.0的，感觉差别很大呀，拍了订金，要不等华为上了ufs2.0再买吧！
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&花粉帮帮堂&
来自：浏览器
没什么区别吧& && && && &
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&独步江湖&
来自：浏览器
只说处理器或都摄像头，其他就偷工减料了
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&略有小成&
来自：浏览器
目前的麒麟兼容不了ufs
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&登堂入室&
来自：荣耀畅玩4X Che2-TL00
魔咒君 发表于
没什么区别吧
差别不小，自己百度查，我还是很在意闪存速度的，自从台式电脑换了固态硬盘直接飞跃呀
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&略有小成&
来自：浏览器
只说处理器或都摄像头，其他就偷工减料了
摄像头是谁家的
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&炉火纯青&
来自：荣耀畅玩5X KIW-AL10
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&炉火纯青&
来自：浏览器
区别嘛肯定是有的，但是小米的口号是为发烧而生，不发烧的人应该不会对这些性能太苛刻吧，慢了几秒你们就受不了了吗？
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&登堂入室&
来自：荣耀6 H60-L11
sanleye 发表于
区别嘛肯定是有的，但是小米的口号是为发烧而生，不发烧的人应该不会对这些性能太苛刻吧，慢了几秒你们就受 ...
当然了，本来打开软件就只需要几秒，你慢个1秒还是慢了很多。
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&登堂入室&
来自：荣耀6 H60-L11
huafans 发表于
差别不小，自己百度查，我还是很在意闪存速度的，自从台式电脑换了固态硬盘直接飞跃呀 ...
电脑从机械到固态，的确是飞跃，可是emmc到ufs，远没有机械到固态差别那么大。
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全面认识Flash闪存——SLC，MLC，TLC，QLC收藏
吧友对TLC闪存似乎颇有偏见，此帖要为其正名此帖会对SLC、MLC、TLC、QLC闪存寿命、价格、储存期限、价格等方面做较为详细的介绍。SLC和MLC相信都比较熟悉，这里不做过多介绍，重点讨论逐渐应用在SSD上的TLC闪存和新生的QLC闪存。数据来自网络收集，测试数据来自数码之家论坛。---------------------------------------------------先简单介绍一下SLC、MLC、TLC、QLC闪存。SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格昂贵（约MLC 3倍以上的价格）MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜QLC = Quad-Level Cell？即4bit/cell，速度最慢寿命最短QLC FLASH说明文档截图，一个简单介绍，不过TLC部分数据有误，500P/E是第一代TLC产品，工艺不成熟。现在Hynix官方PDF介绍TLC闪存大约是P/E，东芝的更高(tcbgs)。慢更，楼下轻X，谢谢
挂机一个月得百万，你还蓝瘦香菇么？
个人水平有限，欢迎高手指正
QLC没有量产可以先不做讨论。TLC还有什么名好正840不降到120G 400一下有毛竞争力。
？mlc不过5000
tlc有？25nm的MLC真心哭了——要我何用？
期待512GB的SLC固态硬盘，估计速度会飞快
“健康随e保(长青版)”老人防癌险,线上免体检。
见到过速度是15m/s的tlc优盘，还是2.0接口的
以下数据来自ubao收集。注意：1、数据都是典型值，不要拿些特例来闲扯，欢迎有根据的探讨；2、以下只讨论正片，白片不好说，黑片太神秘，不予讨论。----------------------------------【闪存寿命(P/E)】SLC闪存：5Xnm 10W、3Xnm 10W、2Xnm 无数据MLC闪存：5Xnm 1W、3Xnm 5k、2Xnm 3k、工业级 3wTLC闪存：5Xnm 2.5k、3Xnm 1.25k、2Xnm 750QLC闪存：约50~100。根据cl17726的测试，第133次就挂了(未进行漏电测试)，制程未知----------------------------------【储存期限】SLC闪存：5Xnm 十年、3Xnm 无数据、2Xnm 无数据MLC闪存：5Xnm 无数据、3Xnm 1年、2Xnm 1年、工业级 0.25 (厂商标的，实际远超该值)TLC闪存：没厂家敢说----------------------------------【功耗(mA)】SLC闪存：1.8V 100mAMLC闪存：3.3V 200mATLC闪存：3.3V 500mA
数据太多...........不看了
好东西，收藏了
啊咧，刚刚似乎忘记说读写速度了注：此处为单通道，单CE条件下测试数据----------------------------------SLC闪存：5Xnm 写25M/S 读35M/S、3Xnm 无数据、2Xnm 无数据MLC闪存：5Xnm 无数据、3Xnm 写15M/S 读30M/S、2Xnm 写8M/S 读15M/S、工业级 无数据TLC闪存：5Xnm 无数据、3Xnm 写4M/S 读12M/S、2Xnm 写1.5M/S 读10M/SQLC闪存：无数据
FLASH闪存颗粒价格报价()国际报价，仅供参考，估计是每千颗单价颗粒型号(单位:Gb) 注意！！8Gb=1GB报价（美元）1 USD ≈ 6.3 RMB
Samsung 256G MLC (PFG)
Micron 256G MLC
Intel 256G MLC
Samsung 128G MLC (HDG)
Micron 128G MLC
Intel 128G MLC
Samsung 64G MLC (LCG)
Hynix 64G MLC (UCG)
Micron 64G MLC
Intel 64G MLC
Samsung 32G SLC (WBG)
Samsung 32G MLC (LBG)
Samsung 32G MLC (GBG)
Hynix 32G MLC (UBG)
Micron 32G MLC
Intel 32G MLC
Samsung 16G SLC (WAG)
Samsung 16G MLC (GAG)
Hynix 16G MLC (UAG)
Micron 16G MLC
Intel 16G MLC
Samsung 8G SLC (K8G)
Samsung 4G SLC (F4G)
Hynix 4G SLC (UF)
Samsung 2G SLC
Hynix 2G SLC
Samsung 1G SLC
Hynix 1G SLC
Samsung 128G TLC (BDG)
Samsung 64G TLC (ACG/BCG)
Samsung 32G TLC (ABG)
用qlc代替光盘还是不错的
现在更骗不到分，晚上再更先打打草稿~~
买了镁光M4，不纠结840了。。
SLC这么好，为什么大家还要黑840
等我有钱一定要弄个超大slc玩玩
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eMMC 5.0看不见车尾灯，三星宣布量产128GB UFS 2.0闪存
eMMC 5.0看不见车尾灯，三星宣布量产128GB UFS 2.0闪存
11:43&&|&&作者：
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UFS 2.0闪存采用串行界面，支持全双工运行、同时读写操作以及指令队列，理论速度高达1.2GB/s，随机读写 IOPS，完秒eMMC 5.0，功耗还降低了50%，Galaxy S6可能就会用上。
智能手机、平板电脑的板载闪存进入eMMC 5.0时代没多久，下一代闪存产品又要来了。今天三星宣布率先量产最高128GB容量的UFS
2.0标准闪存，性能完秒eMMC全系列几条街。先介绍一下UFS 2.0，其全称为Universal Flash
Storage通用闪存，UFS标准最早是高通和东芝合作在2011年发布，采用串行界面，支持全双工运行、同时读写、指令队列等，不过早期版本速度只有300MB/s，更新换代比较快的eMMC一下子就把它超越了。而去年年初升级到现在的UFS 2.0，性能有了质的飞跃，理论传输速度高达1.2GB/s，随机读取性能为19000IOPS，相比eMMC
5.0快2.7倍，更接近SSD级别，另外随机写入14000IOPS，是TF卡的28倍，而功耗更是降低了50%，4K视频什么的都不是问题。三星量产的首批产品容量有32GB/64GB/128GB三种容量，采用新的ePoP封装方案，同样可以封装在处理器SoC上。UFS 2.0将会是接下来旗舰手机的首选存储介质，去年就有说三星下代旗舰手机会采用UFS 2.0闪存，既然现在已经要量产了，接下来的Galaxy
S6可能真会用上，估计国内某发烧手机品牌应该也会迅速跟进。
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