那种金属会导致硅棒硅电阻率率低至0.05

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金属材料的电阻率有以下特点:一般而言,纯金属的电阻率小,合金的电阻率大;金属的电阻率随温度的升高而增大,有的金属电阻率随温度变化而显著变化,有的合金的电阻率几乎不受温度的影响.根据以上的信息,判断下列的说法中正确的是(  )A.连接电路用的导线一般用合金来制作B.电炉、电阻器的电阻丝一般用合金来制作C.电阻温度计一般用电阻率几乎不受温度影响的合金来制作D.标准电阻一般用电阻率随温度变化而显著变化的金属材料制作
题型:单选题难度:中档来源:不详
A、纯金属的电阻率小,故连接电路用的导线一般用纯金属来制作,故A错误;B、合金的电阻率大,故电炉、电阻器的电阻丝一般用合金来制作,故B正确;C、有的金属电阻率随温度变化而显著变化,故电阻温度计一般用纯金属来制作,故C错误;D、有的合金的电阻率几乎不受温度的影响,故标准电阻一般用合金材料制作,故D错误;故选B.
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据魔方格专家权威分析,试题“金属材料的电阻率有以下特点:一般而言,纯金属的电阻率小,合金的..”主要考查你对&&电阻定律、电阻率&&等考点的理解。关于这些考点的“档案”如下:
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电阻定律、电阻率
电阻:1、定义:导体两端的电压和通过它的电流的比值叫做电阻,符号为R2、定义式:,3、单位:简称欧,符号Ω。1Ω=1V/A 4、意义:描述导体对电流阻碍作用大小的物理量.电阻越大,同样电压下形成的电流越小电阻定律:1、电阻的定义:导体两端的电压与通过导体中的电流的比值叫导体的电阻。 ①定义式:R=U/I,单位:Ω。 ②电阻是导体本身的属性,跟导体两端的电压及通过电流无关。 2、电阻定律的内容:在温度不变时,导体的电阻R与它的长度L成正比,与它的横截面积S成反比。即R=ρL/S。 电阻率:1、定义:ρ是反映材料导电性能的物理量,称为电阻率,和物体的材料、温度有关。 2、计算公式:3、决定因素:4、与温度的关系:由材料的种类和温度决定,与材料的长短、粗细无关。一般常用合金的电阻率大于组成它的纯金属的电阻率各种材料的电阻率都随温度的变化而变化:①金属的电阻率随温度的升高而增大(可用于制造电阻温度计);②半导体和电介质的电阻率随温度的升高而减小(半导体的电阻率随温度的变化较大,可用于制造热敏电阻);③有些合金如锰铜、镍铜的电阻率几乎不随温度的变化而变化(可用来制作标准电阻);④当温度降低到绝对零度附近时,某些材料的电阻率突然减小为零,成为超导体5、单位:欧·米,符号Ω·m的比较:
导体折叠、截取或拉伸后电阻的计算方法:
某导体形状改变后,因总体积不变,电阻率不变,当长度和面积变化时,应用来确定S和l在形变前后的关系,分别应用电阻定律即可求出l和S变化前后的电阻关系。在导体被折叠成n段时,导体的长度变成原来的,横截面积变成原来的n倍。截取时横截面积不变。几拉伸时若长度变为原来的n倍,则横截面积变为原来的;若横截面半径变为原来的时,截面面积变为原来的,长度是原来的n2倍:&
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大直径硅片微区电阻率的表征Characteristics for Resistivity in Micro-Areas on Large-Scale Silicon Slices
DOI: , PP. 5-11
Keywords: 方形四探针;微区电阻率测试;范德堡和鲁美采夫斯基法;数据的处理Square Four-Point Probe,,,
介绍了改进的范德堡法和鲁美采夫斯基法,即此时用方形四探针分别替代边缘的触点和直线四探针,在大直径硅片上进行微区电阻率的测量。我们采用灰度法和模糊数学分类测得数据,并将它们分别在硅片上绘制出电阻率分布图。所得大型硅片上电阻率分布图已用于指导工程技术人员的集成电路生产和单晶锭生长,取得了较好的效果。
The improved Van der Pauw method and Rymazewski method, i.e., the contacts at the edge and the linear four-point probe in the original methods are replaced by square four-point probes, are introduced to measure the resis- tivity in micro-areas of silicon slices with large diameters. The charts for resistivity distribution on the silicon slices are plotted by classifying the measured data with the grey-level method and fuzzy mathematics. The plotted charts have been used to give engineers an instruction to make IC and to grow mono-crystal ingots with good achievements.
References
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