我想把一台手机路由器改4g信号屏蔽器器改成其他屏蔽频率的,真的只要换晶振就行?有什么需要同时做的步骤?求教高手!

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高手的心得:单片机晶振问题小结
遇到单片机晶振不起振是常见现象,那么引起晶振不起振的原因有哪些呢?
(1)PCB板布线错误;
(2)单片机质量有问题;
(3)晶振质量有问题;
(4)负载电容或匹配电容与晶振不匹配或者电容质量有问题;
(5)PCB板受潮,导致阻抗失配而不能起振;
(6)晶振电路的走线过长;
(7)晶振两脚之间有走线;
(8)外围电路的影响。
解决方案,建议按如下方法逐个排除故障:(值得收藏)
(1)排除电路错误的可能性,因此你可以用相应型号单片机的推荐电路进行比较。
(2)排除外围元件不良的可能性,因为外围零件无非为电阻,电容,你很容易鉴别是否为良品。
(3)排除晶振为停振品的可能性,因为你不会只试了一二个晶振。
(4)试着改换晶体两端的电容,也许晶振就能起振了,电容的大小请参考晶振的使用说明。
(5)在PCB布线时晶振电路的走线应尽量短且尽可能靠近IC,杜绝在晶振两脚间走线。
2、单片机晶振电路中两个微调电容不对称会怎样?相差多少会使频率怎样变化?我在检测无线鼠标的接受模块时,发现其频率总是慢慢变化(就是一直不松探头的手,发现频率慢慢变小)晶振是新的!
答:电容不对称也不会引起频率的漂移,你说的频率漂移可能是因为晶振的电容的容量很不稳定引起的,你可以换了试,换两电容不难,要不就是你的晶振的稳定性太差了,或者你测量的方法有问题.
3、51单片机时钟电路用12MHZ的晶振时那电容的值是怎样得出来的?拿内部时钟电路来说明吧!
答:其实这两个电容没人能够解释清楚到底怎么选值,因为22pF实在是太小了。
这个要说只能说和内部的振荡电路自身特性有关系,搭配使用,用来校正波形,没有人去深究它到底为什么就是这么大的值。
4、晶振为何被要求紧挨着IC,单片机晶振不起振?
答:原因如下:
晶振是通过电激励来产生固定频率的机械振动,而振动又会产生电流反馈给电路,电路接到反馈
后进行信号放大,再次用放大的电信号来激励晶振机械振动,晶振再将振动产生的电流反馈给电路,如此这般。当电路中的激励电信号和晶振的标称频率相同时,电
路就能输出信号强大,频率稳定的正弦波。整形电路再将正弦波变成方波送到数字电路中供其使用。
问题在于晶振的输出能力有限,它仅仅输出以毫瓦为单位的电能量。在
IC(集成电路)内部,通过放大器将这个信号放大几百倍甚至上千倍才能正常使用。
IC间一般是通过铜走线相连的,这根走线可以看成一段导线或数段导线,导线在切割磁力线的时候会产生电流,导线越长,产生的电流越强。
现实中,磁力线不常见,电磁波却到处都是,例如:无线广播发射、电视塔发射、手机通讯等等。晶振和IC之间的连线就变成了接收天线,它越长,接收的信号就
越强,产生的电能量就越强,直到接收到的电信号强度超过或接近晶振产生的信号强度时,IC内的放大电路输出的将不再是固定频率的方波了,而是乱七八糟的信
号,导致数字电路无法同步工作而出错。
所以,画PCB(电路板)的时候,晶振离它的放大电路(IC管脚)越近越好。
5、单片机晶振与速度的疑问,执行一条指令的周期不是由晶振决定的吗。那么比如51单片机和MSP430,给51接高速晶振,430接低速的,是不是51跑的要快?是不是速度单片机速度仅仅与晶振有关,关键是单片机能不能支持那么大的晶振?我的理解对吗?
答:每个单片机的速度是受到内部逻辑门电平跳变速度的**的。
你说的没错,对于一个51,给他用更高的晶振,速度会快些。
但是对于高级的单片机就不一样了。高级单片机内部,一般都是有频率控制寄存器的,所以,简单的增加晶振,可能达到单片机的极限,导致跑飞。
6、单片机的运行速度和晶振大小的关系,若单片机的最高工作频率是40M,晶振是否可以选择24M或更高,但不超过40M,这样单片机的运行速度是否大增?长期在此工作频率下对单片机是否有不良影响?单片机对晶振的选择的原则是怎样的?谢谢!
答:当然是有影响的,单片机的工作速度越快,功耗也越大,受干扰也会越厉害,总之最高能跑40M的,跑不超过40M的是没有问题的,只是对相关的技术(如PCB的设计元件的选取等)会高去很多.
7、请问:有什么方法可以确定某一款单片机在某一大小的晶振下是否能正常工作?
答:晶振好比单片机的心脏
晶振选择太高不太合适,具体晶振上限是多少,恐怕测不出来,只能按照人家单片机的要求,一般STC系列单片机上限是35M或40M,stc单凭上写的有,如STC11F16XE
35I-LQFP44G其中35I就是晶振最高35M的工业级芯片。
超过上限会出现什么样的问题,没有测试过,一般晶振选择12M的比较多,如果选择STC
1T指令的,就相当于12*12=144M的晶振。如果用于串口通信,建议选用11.0592M的或22.184M,选择晶振最主要还是参照人家的说明书。
8、4个AT89C51单片机能否用一个12M的晶振使其都正常工作?一个采用内部时钟方式,其余三个用外部方式...那我四个都用内部方式可以不(将4个单片机都并联在一个晶振上)?
答:可以,其中一个正常接晶振,他的XTAL2输出接到另外三个的XTAL1输入上。
9、AT89C51单片机4兆的晶振能不能启动?
答:当然可以,看看datasheet吧,我估计1M的都可以
还有的单片机如2051可能还可以低
台系日系有的可以到32.768kHz
10、89c51单片机的复位电路中常采用12MHZ的晶振,实际上市场上稍小于12MHZ,为什么呢?急求
答:需要串口通讯时一般是用11.0582MHZ的,这样波特率才好算。
用12MHZ的工作周期就容易计算。
11、单片机晶振上电不起振,但是手碰一下晶振就起振了,为什么?
:看看晶振配的电容焊了没有,值有没有错误?
12、怎么判断单片机晶振是否起振呀?急急!!
答:最简单是用示波器,另外你可以看一下电源是否正常
13、怎样判断单片机外部晶振有没有起振?我的STC89C52单片机本来是好好的后来不行了,我换了个晶振就好了。但是过了几个小时后又不行了,是怎么回事。还有就是怎样判断晶振是否起振?
第一点:先换一块单片机试试,问题还在则排除单片机;
第二点:可能是虚焊造成的,这点要注意;
第三点:我用STC89C52也碰到过类似的问题,换了块晶振就OK了,好像STC起振不橡AT89S52那么顺。
其实对于STC89C52可以直接看30脚(ALE),接个灯,起振一下子就能看出来了。
14、我用msp430的单片机,可是外部的两个晶振总是无法起振,没用。请问是什么原因?线路连接是对的,32768HZ没有接外接电容。8M的晶振接56PF的电容。
答:32.768K的晶振接两个30P的电容试试,还有8M的晶振的电容也换成30P的。
15、MSP430单片机8MHz的晶振,计数器TAR增加一次
需要多少时间?
答:MSP430单片机的晶振频率可以自己设置的,是使用外部晶振还是内部振荡器做始终源,还有MCLK,SMCLK,ACLK的选择,分不分频等都有影响
我现在有点忘了,不过你可以看看文档,计数器是使用mclk,smclk,ACLK的哪一个,在判断是否分频设置,一般在1Mhz
TAR加一次是1us,那么8M是1/8us自己算吧。
16、如果MSP430单片机不初始化晶振,那么单片机用什么作为时钟?DCO的频率大概是多少呢?
答:内部DCO,不同系列的DCO默认频率不同,要参看手册。4系列的好像是1M。
17、没有程序的空白单片机,外部晶振能起振么?
答:没有内部晶振的单片机,外部晶振可以起振,如传统类MS51系列单片机有内部晶振的单片机,外部晶振不会起振,需要对外部晶振进行配置后才会起振,如果不对外部晶振进行配置仍使用内部晶振,如silicon
lab系列c8051f**单片机
18、dspic30f6014单片机能够烧写程序,却不能运行。晶振没有起振(换过了也没用),复位电压测量为5v,电源正常,(是成熟产品,只是偶尔会出现这种情况)
答:01、重新检讨振荡电路所用零件(晶振与电容)及晶振附近的pcb布局
02、检查配置位是否正确
03、还可找FAE谘询
19、为什么at89c52
P1.0输出2.5v电压,单片机好像未工作,晶振波形是不规则的正弦波可不可以?线路板没有达到预想效果,发光二极管一直亮,感觉还是单片机的问题,P1.0输出2.5v电压,看门狗用的X5045,不知何原因找了好几天了。
答:将看门狗拿掉,暂时做成最小系统,既只有电源、8952、晶振和两只30P左右的电容。
将P1.0口置1,测试该口的电压是否在2.5V以上;
将P1.0口置0,测试改口电压是否约为0V。
是的话就是OK的,否则就要看看电源电压、晶振、8952了。电源电压是5+、-0.25V,且纹波一定要小
20、单片机测试晶振电压时会对工作状态有影响吗?
我的51单片机从P2口连了两个发光二极管,正常时是只有一个亮。我插上电源后,结果两个都亮了。于是我就测量晶振电压,但是我黑表笔接地,红表笔一碰晶振引脚时,两个发光二极管中,就有一个会熄灭,一放开就两个都亮。
每次刚插电源的时候,两个晶振引脚分别时1.9V,1.5v,但是稍微过了一会儿,两个引脚就分别成了5.4V和0.02V了。
答:会有一点影响,对频率会有影响,严重的会导致晶振停振。因为你万用表一加上去相当于在振荡电路上又并上或串上了分部电容电阻电感等,就影响到了原来电路的状态。
21、制作max232下载单片机,工作电压都正常,要外加晶振嘛?c
答:当然要加,如果没有外加晶振,那么单片机的时钟电路就没有了,导致单片机串口就不能进行数据传输了,最终你这个下载器具就不能下载程序了。
22、静态工作点对晶振振荡有什么影响?
具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感,但在过驱动时很容易产生频率漂移(甚至可能损坏)。影响振荡器工作的环境因素有:电磁干扰(EMI)、机械震动与冲击
23、我用的是外置4M晶振加两个30pf瓷片电容,用示波器测频率正常,但峰峰值有的板子是6V左右,有的是3V左右,板子功能正常但我怕电压低的不稳定,不知道
晶振测试有没有依据可查或相关资料,多谢大家啦!!!
没关系的.峰峰值不同是电容和晶振的参数离散导致的.只要正常工作,就可以.单片机里面都有放大处理的,它们都是放大展成方波来使用的.峰峰值多高都没用.
你那电压高的倒应该看看,pic一般工作电压是5V,怎么振荡器会进来这么高电压?
我一般都是在CPU晶振输入端串联一个电阻使用的.
24、我用的是外置4M晶振加两个30pf瓷片电容,用示波器测频率正常,但峰峰值有的板子是6V左右,有的是3V左右,板子功能正常但我怕电压低的不稳定,不知道
晶振测试有没有依据可查或相关资料,多谢大家啦!!!
没关系的.峰峰值不同是电容和晶振的参数离散导致的.只要正常工作,就可以.单片机里面都有放大处理的,它们都是放大展成方波来使用的.峰峰值多高都没用.
你那电压高的倒应该看看,pic一般工作电压是5V,怎么振荡器会进来这么高电压?
我一般都是在CPU晶振输入端串联一个电阻使用的.
25、pic单片机
AD采样程序有源晶振应该如何选择?
如果使用片内振荡器,是不是必须要外接谐振器?
我如果外接有源晶振,选用那种频率较好?我听说4MHz的并不理想。外接20MHz的可以吗?这个是怎样选择的啊。
答:用片内振荡器不需要外接谐振器。
如果你的单片机只做AD采集转换,那就不需要太高的频率,内部4Mhz振荡器即可。
但如果还要做其他对时序要求较严的工作比如说总线通信,那就要考虑使用外部振荡器,因为内部振荡器的误差太大(即使校准了还有1%的误差)
,而用多大的晶振要看工作要求,频率越高单片机功耗越大。但只做AD的话,4M够了。
26、大家好。我想问个pic单片机的问题:晶振频率不一样。编译器自己带的库延时函数延时一样吗?比如晶振20MHZ
delayus(1)和5MHZ delayus(1)是同是1us吗?
因为频率不一样,编译时候你的设置不一样,编译时候自然计算需要的倍数,参数就不一样了.
但可能因为频率除不尽的缘故,有一点点差异(本文来自凯越翔电子)
分析的不错,上海唐辉-专业晶振供应,EPSON、NDK、KDS等都有。
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谁能研制出屏蔽脑电波的屏蔽器
& 12:11:47
&&&&&&& 我在网上看到一篇论文:可佩戴式无线脑电监护仪,谁能研制出屏蔽的这个产品无线采集脑电波屏蔽器,无线采集脑电波对每个人都很危险,每人都会在不知情中被坏人采集了脑波,因为这种相似产品已被坏人利用来获取她人的脑内思维和个人隐私。如果您能制作出屏蔽这个产品的屏蔽器,那会使众生获利,免除危险,是利益众生也是利益您个人的事情。
&&& & 如果您能制作请与我联系,我愿先付给您研制成本,在我确定能把无线脑波信号屏蔽后,我愿以成本价十倍的价格购买这个产品,不尽之处望商确。
下面是可佩戴式无线脑电监护仪的论文:
可佩戴式无线脑电监护仪
殷罡 1 吴平东1 彭军强1 黄漫玲 1 汪东1(1.北京理工大学机械与车辆工程学院,100081)摘 要:为了对患者脑电信号便捷地进行监护,采用精密生物放大器和无线传感器网络技术,设计实现了一种可佩戴式无线脑电监护仪。经测试共模抑制比可以达到113dB,等效输入噪声电压为1.62 μ Vp-p. 可佩戴式无线脑电监护仪可以用来对患者EEG 信号进行远程监护,也可以应用在脑机接口系统中作为信号采集装置。关键词:脑电;可佩戴;无线;监护中图分类号: R318 文献标识码: AWearable, wireless EEG montiorYIN Gang1, WU Ping-dong1, PENG Jun-qiang1 HUANG Man-ling1 WANG Dong1(1.School of Mechanical and Vehicular Engineering, Beijng Institute of Technology, Beijing100081)Abstract: For monitor the EEG signal of disorders ,wireless EEG monitor isdesigned by using bio-amplifier and wireless censor network. After testing, thecommon-mode rejection ratio is 113dB, and the equivalent input noise is 1.62uVp-p.Using this EEG monitor, EEG signal of disorders could be monitoring from faraway.It could also be used in Brain Computer Interface as signal collecting device.Key words:EEG; wireless;monitor1 前言脑电图一直是临床神经疾病诊断和认知生理心理学研究的一种重要手段,近年来,脑机接口(BCI)的研究引起了越来越多的国内外学者的关注。但现在的脑机接口研究都是在实验阶段,脑电采集和处理系统大都属于有线方式,而且体积较大,不适合人的自由行动,因此,脑机接口要走向实用的一个重要部分就是要有方便的可佩戴的无线传输的脑电采集装置。本文介绍了一种体积小,可方便安放在头上的无线脑电放大器。2 设计思想脑电信号属于微弱的生物信号,幅值范围在5-100uv,而且人体是一个高内阻(阻抗一般在2-500k 之间)信号源,所以要求脑电放大器具有高输入阻抗,高共模抑制比,低噪时要有高低通滤波电路和50HZ 陷波电路。现在脑电放大电路是比较成熟的电路,但体积一般都比较大,缩小体积的方法一是优化精简电路:用最少的器件达到相应的功能。二是采用贴片元器件,合理安排电路板空间。三是使用主动电极,也就是在电极中加入放大电路,提高脑电信号的抗干扰能力。3 系统结构无线脑电放大器佩戴部分包括放大滤波、模/数转换、无线收发。由电极采集得到的脑电信号通过放大滤波放大到A/D 输入电压范围,放大后的脑电信号通过A/D 转换为数字信号,通过无线收发模块发送到监控端。监控端通过无线收发模块接收脑电信号,并通过基金颁发部门:国家自然科学基金委;项目名称:基于因特网的共享控制子课题远程医疗;编号: 基金申请人:吴平东作者简介:殷罡(1978-)男,在读博士 Email:;吴平东(1940-)男,教授,博士串口传送给个人电脑,实时显示脑电信号。无线脑电放大器的核心模块主要有放大滤波模块和无线收发模块,系统结构如图1 所示。图 1 可佩戴式脑电监护仪系统结构4 脑电放大滤波模块[1-7]虽然电子技术发展迅速,但脑电放大器的主要原理结构还是不变的,根据对国内外脑电放大器设计资料的查阅结合本文的具体情况,本文设计的脑电放大器原理框图如2 图所示。具体电路图如图3 所示。图3 中给出的脑电放大器的结构也是现在脑电放大器的基本结构,大多数脑电放大器是根据实际情况,在其结构的基础上增加个别电路结构,如为了有更好的抗干扰性能而增加的右腿驱动电路,为了增加阻抗检测的功能增加的阻抗检测电路,后级放大有的进一步分为中间级放大和后级放大。本文设计的脑电放大器的目标是在满足脑电采集指标的前提下,尽可能的减少电路的体积,因为此放大电路要安装在驾驶员的头戴装置中,同时,这种脑电放大器设计的一个最好的特点是脑电的采集和放大可以直接在电路板上连接起来,没有了信号传输线,这样可以大大减少共模干扰的引入,因此,本文设计的脑电放大器没有再增加额外的抗干扰电路,而是在前置放大器的选择上选择了目前性能最好的芯片。前置放大高通滤波 工频陷波低通滤波放大 后级放大图 2 脑电放大器框图图 3 脑电放大器电路原理图(1) 脑电放大器放大倍数的确定放大器的放大倍数和后面的AD 转换电路相关,因为后级AD 的输入电压范围为0~3.6v,预定可以放大的脑电信号幅值范围为0~180μv,可以得到放大器的整体放大倍数应该为3.6v/180μv =20000。由于极化电压的存在,设计了3 级放大结构,为50×100×4。(2)脑电放大电路设计前置放大课题选用了BB 公司的INA128。该放大器是一种专门用于生物电信号采集的军工产品级别的集成仪表放大器,具有很高的精度。(高通滤波采用了传统的阻容滤波,截止频率0 f 定为0.5Hz,低通滤波选择有源低通滤波方式,集成放大器选用通用的OP07。选择截止频率为40Hz,同时根据电阻和电容的标称结合计算,得到同于低通滤波的电阻和电容分别为100 KΩ和0.039μF。50Hz 陷波电路采用的是双T 型阻容网络。电阻为13KΩ和27KΩ,电容为0.12μF 和0.22μF。后级放大电路由通用OP07 组成的放大结构,两个电阻为1KΩ和4KΩ。5 无线收发模块[8-9]无线收发模块的硬件设计主要包括天线设计、电源设计、晶振的选择。设计的无线收发模块原理图为图4。图4 脑电无线收发模块原理框图(1) 天线设计天线设计是无线模块设计中一个重要方面,尤其是在低功率和高密度的电路要求下,天线的好坏直接影响到传感器节点的通信质量和通讯距离。F 天线由于它的结构紧凑性、全向性、高效性和简单性得到了广泛的应用,因此,本文选用印刷F 天线,天线的具体结构和尺寸如图5 所示。23.84.050.852.57.8接地层3图5 天线的结构和尺寸(2) 电源电路设计电源采用纽扣电池供电,为了电源的供电质量更高,消除噪声干扰,电路中加入了0R(零欧姆)电阻,0R 电阻相当于很窄的电流通路,能有效的限制环路电流,消除噪声干扰。电源电路如图6 所示。MC13213 发射接收转换电路电源电路晶振电路程序接口电路天线图6 电源电路图6 脑电信号无线传输实验测试由于集成脑电放大电路和无线发送模块的电路板还没有最后调试完毕,实验采用脑电放大模块直接连接无线模块的开发板的方式进行。测试系统如图7 所示。图 7 脑电信号无线传输测试图从实验者头部前额叶区同时接出两个电极导线分别连接到设计脑电放大器和EEG1100的输入端。参考电极都采用右耳电极。图8 的(a)、(b)分别给出了实验者睁眼静坐时两种装置的输出脑电波形。(a) 本文设计的无线脑电装置输出的脑电波形(a) EEG outputted by our wireless amplifier(b) 脑波仪EEG1100 输出的脑电波形(b)EEG outputted by EEG1100图 8 实验者睁眼静坐时两种装置的输出脑电波形对比7 结论(1)本文设计的无线脑电装置的输出波形整体上和EEG1100 的输出波形是一致的,基本上脑电放大器 无线发送板无线接收板计算机显示脑波仪EEG1100计算机显示可以满足使用要求。(2)本文设计的无线脑电装置输出脑电波的低频波动比EEG1100 的要小,原因在于设计脑电放大器的低频截止频率设置为0.5Hz,而且为了尽量减小放大器元器件,采用的是简单的无源RC 滤波,所以对于低频的衰减要大些。(3)本文设计的无线脑电装置输出脑电波的噪声较EEG1100 要大[10],需要进一步的改进。从本文设计的脑电放大器的性能测试指标来看,和商用的脑波仪EEG1100 的性能指标差不多,有的还要高,但是实际采集的脑电信号效果要差一些,其中的原因还需要进一步研究。参 考 文 献[1] 陈永华,朱林剑,包海涛,孙守林.一种新型脑电信号的采集方法和应用[J].传感器与微系统,):81-83.[2] 孙友明,黄秉, 罗晓曙.新型脑电信号放大检测电路的设计[J].国外电子元器件,2006,9:58-62.[3] 王三强,何为,石坚.新型脑电信号前置级放大电路设计[J].重庆大学学报,2006,29(6):51-53.[4] 杨士元.电磁屏蔽理论与实践[M].北京:国防工业出版社,2006.[5] 陈瑞林.脑电仪器的抗干扰技术[J].暨南大学学报,):43-47.[6] 杨春燕.新特电子元器件应用手册[M].福州:福建科学技术出版社,2004.[7](美)赛尔吉欧?佛朗哥[M].基于运算放大器和模拟集成电路的电路设计。西安:西安交通大学出版社,2004.[8] 吴慧敏,张毅.基于ZigBee 的无线传感网[J].电子元器件应用,-99.[9] 夏益民,梅顺良,江亿.基于ZigBee 的无线传感器网络[J].微计算机应用,2007,23(2-1):129-130.[10] 彭军强,汽车驾驶时脑电干扰的去除方法研究[J]微机算计信息,:248-249作者简介:殷罡(1978-),男(汉族),北京理工大学机械与车辆工程学院博士研究生,主要研究方向:脑电信号处理和脑机接口. 吴平东(1940-),男(汉族),博导,主要研究方向:网络控制系统,共享控制系统.Biography: YinGang (1978-), Male(Han), School of Mechanic and Vehicle Engineering, BeijingInstitute of Technology, Doctor, Major Research Area: EEG signal procession, Brain computerinterface. Wu Pingdong, (1940-), Male(Han), PHD supervisor, Major Research Area: NetworkedControl System, Shared control system.手机信号屏蔽器解决方案-消费类电子-电子产品世界
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手机信号屏蔽器解决方案
Innotion YP3236W DatasheetINNOTION
VCC1 VCC2 15 VCCD 14
0.2GHz to 1GHz 4W Power Amplifier
RoHS & Pb-Free Product
■ 200~1000MHz Frequency Range ■ 3.3V~5.0V Operation
RF OUT/ VCC3
■ 32dB Gain ■ 36dBm P1dB @VCC=5V ■ 250mA Quiescent Current ■ >20dB Input Return Loss
NC 4 RF IN 2 11 RF OUT/ VCC3 RF OUT/ VCC3
Active Bias 9
■ Integrated Output Power Detector
5 6 VCTR 7 VCCB 8 VR3 VR1&2
RF OUT/ VCC3
Applications
■ Wireless data communication ■ CDMA ■ GSM ■ RFID ■ CMMB ■ TETRA
Functional Block Diagram
Product Description
The YP3236W is a three-stage high-gain power amplifier optimized for the applications in bands from 200MHz to 1000MHz. The device is manufactured on an advanced InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process. This amplifier provides a typ……
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