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手机内存出货量提升 华邦第二季转亏为盈
日10:41 　
　　作者： 吴玉成
　　【eNet硅谷动力消息】8月5日消息，根据华邦(Winbond)公布的2005年第二季财务报告，由于手机内存出货量提升，该公司第二季营收达新台币69亿5,500万元，较第一季55亿900万元增加26%；营业毛利率为16%；累计上半年营收为新台币124亿6,400万元，单季获利表现转亏为盈。
　　根据财务报告，第二季华邦的税后纯益为新台币3亿2,400万元，比第一季的16亿5,300万有明显改善；每股纯益为0.08元。税后纯损为新台币13亿2,900万元，每股纯损为0.32元。
　　华邦表示，其类静态随机存取内存(Pseudo SRAM)在历经前三季库存调整之后，自三月底起订单回流，并采用0.16及0.13微米制程技术进一步降低成本；利基型动态随机存取内存(Specialty DRAM)出货量亦向上攀升，使内存产品在第二季DRAM价格低迷情况下仍逆势成长，整体营收较第一季增加27%。
　　以产品分布来看，总计Pseudo SRAM及Specialty DRAM第二季占整体营收45%，标准型DRAM占17%，非DRAM的内存产品占4%，逻辑产品则占34%。
　　在逻辑产品方面，第二季营收表现与上季相较则上扬23%，业绩成长动力主要来自于消费性产品的语音IC在季节性需求带动下，销售状况增温，再者，在先进个人计算机产品中心方面，其笔记型计算机和服务器I/O已顺利出货，并陆续挹注营收。
　　华邦指出，随着全球手机出货量提升，预计Pseudo SRAM的需求将可延续至第三季，除继续维持一定比重之Pseudo SRAM生产外，第三季时序亦进入PC市场传统旺季，在顺利移转先进个人计算机产品中心之人员并整合其产品线之后，桌上型主机板相关输出输入IC将可较上季有明显成长。
　　薄膜晶体管液晶显示器驱动IC部份由于新增客户及市场需求增加，亦可望带动出货提升；在产品开发方面，具自动对焦及伸缩镜头1.3M至3M画素之数字相机后端IC已与客户共同合作进入制程验证(design-in)阶段，整体而言，预期第三季营运表现应属审慎乐观。
　　此外，华邦也于日前的董事会中通过了对WEC Investment Holding Ltd. (WIH)增资2,000万美元，主要目的基于充实华邦以色列子公司(Winbond Israel Ltd.)的营运所需。
　　华邦是在四月取得美国国家半导体(NS)先进个人计算机事业处(Advanced PC Division)后，成立华邦以色列子公司(Winbond Israel Ltd.)，据表示，目前已顺利移转且正式对华邦营运产生实质贡献。
[责任编辑：evil]
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TrendForce：价格涨势不停，第三季DRAM总营收大幅季成长15.8%
集微网消息，Nov. 17, 2016 ---- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）表示，受惠于全球智能手机出货成长，及内存搭载量不断攀升，第二季开始DRAM原厂逐步降低标准型内存的产出，转为行动式内存与服务器用内存。在供应逐渐吃紧下，第三季开始标准型内存价格呈上涨走势，同时带动其他类别内存的价格上扬。使得第三季全球DRAM总体营收较上季大幅成长约15.8%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第三季适逢苹果iPhone 7与三星Note7二大旗舰机备货潮，虽然Note 7后来于第四季停产，但第三季的备货仍有助内存消化量与价格的上扬，标准型内存也因出货比预期更佳，加上笔电搭载高容量8GB内存比重亦持续增加，更让第四季标准型内存合约价季涨幅逾30%。三大DRAM厂营收激增，美光转亏为盈三星依然稳坐DRAM产业龙头，营收季成长约22.4%，成长幅度远超过市占第二的SK海力士，两大韩厂的市占各为50.2%以及24.8%，合计二家韩厂已囊括DRAM 75%的市占率。美光集团仍位居第三，营收季增12.6%，市占18.5%。营业获利部分，三星仍是DRAM产业冠军，第三季营业获利率维持在37%，SK海力士由18%上升至25%，而美光则是转亏为盈，从-0.6%转为2.3%。吴雅婷表示，展望第四季，由于DRAM价格持续攀升，可以肯定各厂获利仍将进一步成长。力晶科技季营收大幅衰退31.1%由技术面观察，三星已在20纳米制程上取得领先，成本为三大DRAM厂中最低，新厂Line 17的18纳米制程也从下半年起开始生产。吴雅婷指出，由于三星目标以获利为重，对于18纳米是否继续大规模扩产仍在谨慎规划中。第三季SK海力士的21纳米制程产出不如预期，导致产业供给吃紧，目前SK海力士仍将着重于21纳米的良率提升，并规划2017下半年进入18纳米试产阶段，持续制程转进。美光在华亚科于今年九月正式100%转进20纳米制程下，20纳米制程也正式成为美光的主力制程技术，美光后续也计划明、后年陆续导入18／16纳米量产。台厂部分，南亚科受惠于第三季标准型内存价格持续上涨，加上客户陆续追加订单，第三季营收较第二季成长16.7%，但随着新工厂 3A North完工，明年上半年将导入20纳米制程，届时成本有望进一步降低。力晶科技DRAM营收大幅下滑31.1%，受到第二季价格不好影响，力晶减少第三季标准型内存的产出，导致营收大幅下滑，随着第四季DRAM价格大涨，力晶DRAM投片又开始恢复之前水平，可预期营收将回复成长。华邦电子第三季营收小幅成长7%，除46纳米比重持续提升外，38纳米制程预估最快于第四季正式少量投片生产，此外，由于利基型内存第四季起涨价，亦将反映在第四季的营收表现上。
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