求助关于可控硅,可控硅触发电流计算的理解

可控硅触发的电流怎么计算例如电源是380v,假设可控硅的门极触发电流是10毫安,求多大的一个电阻?用欧欧定律算吗?u=i*r380v除以0.01a=38000k 欧母不对啊那有这么大的电阻?求解。
萌俊余萌萌7fs
你好:——★1、你的计算方法是对的,但是单位用错了:电压是 “V” 、电流为 “A” ,那么电阻应该是 “Ω” ,而不应该是 “K” 欧姆 !——★2、实际应用中,为了可靠地工作,可控硅的(电路设计时)触发电流都是大于10mA的。
楼上说的很对,你的计算单位不对,在380V触发时候,10mA的话,就是38K电阻。触发电流的计算要根据电路形式进行计算,不同的触发方式和电路结构,对触发极限流电阻的选择是不同的。
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扫描下载二维码可控硅的导通角和通过的电流什么关系比如说导通角是39度的时候电流 - 爱问知识人
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可控硅的导通角和通过的电流什么关系
导通角的理解上有两种意见:
1.可控硅从过零关断后,到触发导通前,之间的角度叫做导通角,这样的话,导通角越小,电流越大。导通角越大,电流越小。
2.可控硅从触发导通,到过零关断之间的角度叫做导通角,这样的话,导通角越大,电流越大。导通角越小,电流越小。
所以,就看你怎么理解了。
1/180)度到π度时的平均值,也就是单位电压的平均值。再由输入电压及负载,求出平均电流。
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导通角的理解上有两种意见:
1.可控硅从过零关断后,到触发导通前,之间的角度叫做导通角,这样的话,导通角越小,电流越大。导通角越大,电流越小。
仪器测定的接触角应该是一个范围的,跟你的材质表面有很大关系。
水和普通玻璃片的接触角,有的文献说是87度,也有其他值。
石英的还没有查到过。
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求助关于可控硅,触发电流的理解
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wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 11:20:59
最近做了一个线路
双向可控硅的固态开关,负载是工频220V,500mA
实验用了一个0.6A/600V的双向可控硅
但不知道是我对触发电流的理解有问题,还是别的什么原因,造成了下面的实验现象,请大师们指教
线路图如下
按照DATASHEET的说明,触发电流只需要几个mA
下面是线路图
变压器输出5V的脉冲
下面分别是R1=10 Ohm 60Ohm 70Ohm时的输出波形
如图,当R1=10 Ohm时,输出完整的正弦波,但是当R1为60 Ohm时,有一段时间可控硅是关断的
当R1=70 Ohm时,在刚加电时,只导通半个周期
事实上,70Ohm时的触发电流也远远大于了手册上给定的值
另外还有一个现象就是,这个波形会随着时间恢复,比如开始只导通半个周期,慢慢的会导通多一些,然后台阶逐渐变小,最后变成连续的完整正弦波
注:波形测试采用差分探头测试电阻负载两端
10Ohm时的实际触发电流已经达到 500mA了,比手册上给的值大了几十倍
编辑:上传了可控硅手册
编辑2:突然想起来,实验的时候还使用过另外一个型号的可控硅,型号记不清了,也是NXP的,6A/600V,发现,需要的触发电流更大,R1=10 Ohm的时候依然有一定的台阶
似乎触发电流与电流能力成正比
|wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 11:22:59&PS1.
触发电平5V换成10V,同样电流下
波形没有变化
它只和电流有关 ||
lahoward离线LV10总工程师积分:10485|主题:40|帖子:3621积分:10485LV10总工程师 12:11:11&没有过零检测电路? ||
wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 12:29:44&肯定有撒,在前面,没po出来。
你可以理解成过零检测和外接开关信号,一起使能253,用的是d触发器
过零信号是时钟
d是外接的开关信号 ||
lahoward离线LV10总工程师积分:10485|主题:40|帖子:3621积分:10485LV10总工程师 13:48:29&可以考虑采用MOC、3063,如图,自带过零检测,控制及其方便。
附上规格书供参考
wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 14:59:47&非常感谢
但是因为电路回用在200℃
光耦之类的器件不能用
150℃多一点的时候,高温产生的红外线已经能把发光管产生的红外线淹没了,再往上红外线器件全都要失效
谢谢你提供的资料
我会在常温版本中试试
另外请教一下我那个实验现象的原因,触发电流是怎么定义的呢 ||
lahoward离线LV10总工程师积分:10485|主题:40|帖子:3621积分:10485LV10总工程师 05:29:03&你可能有所误解,MOC306X是密封不透明的双向可控硅驱动器,用以驱动双向可控硅,并取代了电路中从过零检测到驱动可控硅的所有器件和电路,外界的光线对其毫无影响,和普通光耦一样,不存在外界红外线致其失效的问题。其工作温度和你电路中所有其他器件的工作温度一致,比如MAX253等。1N4148等。因此你的担心似乎是多余的。
触发电流即是流过控制极的电流。
你的电路中不知过零检测是否可靠,有没有测试过?触发脉冲宽度是多少?触发脉冲波形?另外你的电路中应该在可控硅上加上RC吸收电路。 ||gaohq离线LV8副总工程师积分:7087|主题:207|帖子:2812积分:7087LV8副总工程师 13:35:01&把那个400欧姆电阻放到上面去看看。 ||
wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 15:06:53&放上去过,结果是一样的
那个400欧电阻是等效负载
实际使用时,应该也只能挂在下面,挂火线上怕是不合适吧,这个纯感觉哈,第一次玩这种工频交流,不太懂哈哈 ||
gaohq离线LV8副总工程师积分:7087|主题:207|帖子:2812积分:7087LV8副总工程师 15:35:14&触发电流5mA那是有条件的,把这个可控硅的Datasheet上上来看看。 ||
wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 16:02:09&手册已上传
手册上的测试条件是IT=100mA,VG=12V
但是手册中曲线图并没有提到IGT随IT的关系
常规使用的时候其他型号的可控硅有这个问题吗? ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分:8955|主题:51|帖子:3933积分:8955LV8副总工程师 16:21:46&请问楼主:示波器测试通道CH2电压档是500V吗?测试220V以下的电流波形,用10:1的探头足够了。为什么你测试的时候还出现信号溢出的问题呢? ||
wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 17:12:14&10比1,一格50v
那个显示的500V一格是我调示波器的倍数调的,实际上10x往上再调示波器,显示变了,波形都没变,探头只有10x ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分:8955|主题:51|帖子:3933积分:8955LV8副总工程师 17:47:20&
这样的话就把倍数调到1X, 这样看的人容易明白一些,你示波器采样的两端(用万用表测试是多少伏?)。测试的时候波形最好不要有信号溢出的现象,波形最好显示两个周期。 ||
wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 22:51:26&我那个探头这样已经调到极限了,无论如何都不能完整的显示出波开的上下
只能通过上下移动来显示上顶和下顶
万用表测负载两端AC电压是223V左右,直接测电源电压也是这么多,值是对的
shiyunping离线LV8副总工程师积分:8955|主题:51|帖子:3933积分:8955LV8副总工程师 10:40:00倒数10&
示波器应该配了两个探头,另一个情况怎么样?如果也是一样的话,证明你在测试波形的时候,方法有问题,因为测试点的电压太高,把探头都搞坏了。 ||lahoward离线LV10总工程师积分:10485|主题:40|帖子:3621积分:10485LV10总工程师 11:52:35倒数9&史厂长,你用过泰克的示波器吗? ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分:8955|主题:51|帖子:3933积分:8955LV8副总工程师 12:33:21倒数8&用过泰克3种型号示波器进行测试。发现泰克示波器的分辨率特别高,并且知道数字示波器的垂直线都应该显示虚线(实际不存在)。你注意看看我用泰克示波器测试晶闸管控制白炽灯照明的输入电流。打圈地方的虚线。如果用优利德示波器测试看起来就是垂直实线。同时也发现用的3款泰克示波器测试开关电源的开关频率却是不行。显示的是连成一片的高频杂波。
wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 20:37:53倒数7&波形是一样的,探头只有10倍,显示不出来这么高的电压
但是波形肯定是对的
因为负载上串的电流表显示的数值与波形的变化是同步的,半波的时候电流就只有满全波的一半,有平台的时候电流就小于满全波的时候的电流 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分:8955|主题:51|帖子:3933积分:8955LV8副总工程师 12:10:41倒数5&为什么你认为测试的波形是对的呢?希望你把示波器扫描时间再延长一些,显示出波形时间规律性出来。 ||
wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 11:39:47倒数6&大家讨论的焦点都集中在波形显示不完全上.......
我觉得这不是该问题的主要矛盾吧?
wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 21:28:17倒数4&说说我最近的理解
如图的线路
当T1大于T2的时候
触发会使可控硅工作在四象限
工作在四象限有两个缺点
1.最小灵敏度,需要最大的IGT
2.接通门极电流至双向可控硅导通间的时间滞后,在四象限中最长,因此门极电流维持时间应该更长才能保证触发
因此我分析第一是四象限工作需要大电流,所以70 Ohm的限流电阻时,直接无法触发
第二是200kHz导致电流维持时间太短
wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师 14:24:04倒数3&今天实验把二极管反接,工作在2,3象限
把r1增加到200Ω也没出现原来的现象了
以上推论应该是正确的
条件有限我还是用的我那半截示波器 ||
gaohq离线LV8副总工程师积分:7087|主题:207|帖子:2812积分:7087LV8副总工程师 15:09:08倒数2&D2反接吗 ? 怎么改变了它就改变了可控硅的工作象限呢?对可控硅不熟,各个极的电流究竟是怎么流的?是这样吗?
wowfarwell离线LV6高级工程师积分:1813|主题:62|帖子:396积分:1813LV6高级工程师最新回复 22:17:31倒数1&不是
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