怎么测试内存条内存超频稳定性测试

 & 超频其实并非某些人想的那么难,只是过程繁琐和枯燥,而且并不是这样就能成功,所以心理上总是会受到打击。当你成功后,高兴与喜悦是比失败的感觉大很多的。因此,不要把简单的事情复杂化!
  之基础篇:
  1:什么是超频
  超频可以说很广义,CPU、内存、显卡,甚至机械硬盘都可以。而且许多半导体领域都可以用这一词。超频的英文是OverClock,简写OC,翻译过来就是"超越标准的时钟频率",简单地说就是让它工作的更快。不管怎样你的最终目的还是让你的电脑更快,性能更强。
  2:超频有哪些好处跟害处
  上面讲到就是让CPU处理能力更快,从而达到电脑加速这一特点。但凡是都有两面性,有好的一面当然也有坏的一面。CPU厂商出场时设定好的CPU频率是在同型号相同的电压中工作的。你强行拉高了它的频率,并会带来更高的热量和电压。要说明的是,在一定温度内的高热并不会直接让你的CPUOver!但因高热会导致"电子迁移现象"长期的话会破坏CPU内部芯片;而过高的电压会将一些逻辑门和PN结电路击穿造成CPU永久性的损坏。
  3:CPU超频的途径
  1.用跳线设置2.在BIOS设置3.在Windows中用实现。但现在基本都在2者中操作,因为跳线是早期的主板才有的,软件超频在显卡中较为常用,BIOS超频对参数更为直观,所以无论是玩家还是国际顶尖高手都在BIOS操作。
  4:超频的种类
  许多人或许会问:方式不都差不多吗?还分什么?其实,超频分两类。
  1.在相对安全的电压跟超频幅度不大的情况下长期使用。(我就是这一类)
  2.为冲破世界纪录而不惜一切代价的疯狂形式,意思就是短期的高频使用。
  超频的过程:1.CPU频率设置(外频*倍频)、2.CPU电压调节、3.内存时序设置、4.内存及内存控制器电压设置,最后进系统跑分看你的成果。--这是看似巨复杂的超频过程,下面我将一步步图文解说。
  IvyBridge(IVB)的超频思路大体和SandyBridge(SNB)类似,但是无论你是否用过SNB,本文都将从头开始说起,手把手教你IvyBridgeCorei5-3570K与Corei7-3770K怎么超频。
  首先,IvyBridge是基于SandyBridge的半代更新,制程换到22nm,架构上没怎么改变,接口也继续采用LGA1155,老的6系主板(P67、Z68等)也可以通过更新BIOS之后支持IVB的处理器。因此在超频手法上面,两者基本上通用。
  在SandyBridge之后,超频CPU不再像之前的平台一样以超外频为主,而是改为以超倍频为主。因为SandyBridge集成了几乎所有北桥的功能,包括时钟发生器也内置在CPU之内,因此BIOS就没法控制超外频的同时锁定PCIE、DMI频率了,这样外频可以超的幅度就十分有限,并且超外频会联动PCIE频率,对周边设备的稳定、正常工作造成影响。因此大家传统的超频思路要有所转变,把侧重点放在倍频上。IVBK系CPU最大倍频有63x,完全够风冷使用;非K系CPU一般可在最大睿频的基础上提高4倍频,也就是在单核心与双核心占用的时候,最多可比默认频率提升至少8个倍频(依据睿频高度而定)。
  SNB的外频超频幅度大约只能从100超到104-108,而IVB稍好点,大约能到108-112,最好的情况可以到115-116。只有一个情况下建议超外频--那就是冲击内存的极限频率的时候。
  除了外频的限制之外,Intel在芯片组市场定位上也做了明确的划分,其中有一部分芯片组就是限制超频的,这点大家必须要注意。
  首先是定位于高端的Z77、Z75芯片组,它们在超频的功能上与上代Z68一样,都是可以超倍频、超内存与超核显的,之前网上盛传Z68可以超SNB的外频同时不影响PCIE频率,我明确的告诉大家想都不用想,Z77/Z75也一样。但是,使用Z75芯片组的主板非常少见,因为它跟Z77相比少去了PCIE带宽三路拆分和SRT加速功能,这些东西对大部分用户来说都无关紧要。
&&&& 如果你依然留着上一代的P67主板,或者在市面上通过一些渠道购买到便宜的库存P67主板,它也还可以派上用场,P67主板除了不能使用核显之外,其它超频功能与Z77没区别。当然要注意的是,BIOS得支持IVB正常点亮、正常超频才行,目前在IVB刚上市的时候,华硕和技嘉都有碰到P67虽然能支持IVB点亮,但不能超频的问题,他们正在积极解决。
  然而大部分低端的、便宜的芯片组和主板都是不能超频CPU和内存的,但是它们可以使用核显。包括H77、B75以及上代H67、H61这些芯片组,这点一定要清楚,千万不要配出H77+3770K这样雷人的配置了
  接下来要说的是IVB的内存分频变化。SNB时代以后,由于外频不用更改,内存频率也不会随外频联动,内存便不再是辅助CPU超频的要求了。但是玩家们并没有停止对高频内存的追求,在SNB时代我们最多可以跑到DDR3-2133的内存频率,结合小超外频甚至可把内存频率极限推到DDR3-2300以上。
  到了IVB时代,内存依旧不是辅助CPU超频的工具,我们可以像拉CPU倍频似的拉内存频率,并且我们可选的内存分频更多了,支持的频率也更高了。依据主板的能力,最多可达DDR3-2933甚至更高的内存分频。
&&&& 这些内存分频是怎么来的呢?在IVB的评测中介绍内存控制器的部分,我有提到过:在SNB中内存的参考频率是133MHz,然后乘以"内存倍频"得到各内存分频。在IVB中,除了133MHz参考频率之外,还有100MHz的参考频率,这样一来可选的内存频率就多了很多。
  以100MHz为参考频率的内存分频,从DDR3-1400起,每次以200MHz为一步进,直到DDR3-2800。有些主板甚至有的分频。
  以133MHz为参考频率的内存分频,从DDR3-800起,每次以266MHz为一步进,直到DDR3-2933。有些主板支持得更高甚至可到DDR3-3200。
  因此,超频IvyBridge处理器我们可简单概括为超倍频和超内存两大部分。
  可能制约超频能力的因素
  除了处理器本身体质之外,你的配置的各个部分也制约着处理器的超频能力。
  主板:主板制约CPU的超频能力主要表现为两方面,一是供电,二是BIOS。供电方面,从IVB的测试中我们得知4.5GHz满载功耗还不到100W,因此基本上4+1相(CPU核心加VTT,不算核显供电)都可以满足需求,但是为了不让供电负载过大,建议选择6+1相供电以上的主板。一般来说,千元出头的一线Z77主板都可以满足供电需求,例如华硕P8Z77-V、技嘉Z77X-UD3H、微星Z77A-GD55等。在BIOS方面,同样道理,一线主板的BIOS研发能力要比二三线更强,他们能更快的发现并解决一些超频中可能碰到的问题,但是也要注意,一线主板厂商在高端主板上投入的精力比在低端主板上大许多,因此越是高端的主板,得到的技术支持就越多,BIOS功能也就越完善,但是为了购买它,你也要付出更多的价钱。
  电源:无论什么时候电源都是整机中不可忽视的一大因素,因为它提供整个电脑稳定运行的后备力量。结合IVB并不大的功耗来看,电源的CPU专用供电12V2有15A以上即可,更多的瓦数请考虑你的显卡吧。
  散热器:在IVB的评测中我们见识到了它的恐怖发热,虽然制程进步到22nm,并且功耗下降,但是由于发热更集中,温度不减反增,并且瓶颈出现在核心与顶盖的接触热传导上,而不是出现在散热器与顶盖的接触上,因此顶级散热器未必能发挥它的真实效能。但这也是聊胜于无的一个因素,温度低1度是1度,要超频IVB,散热器的要求比SNB更加高,一个顶级散热也就300-400元,并且可以支持多平台、将来升级继续使用,值得投资。
  室温与机箱风道:IVB的核心温度达到80度以上的时候,就开始制约主频继续提升的能力,达到105度的时候就会强制降频。通过我们的测试,在室温28度、裸机、1.2V超频到4.5GHz的时候,即使是用Megahalems这样的顶级散热器镇压,满载温度依然高达77度,所以在夏天装进机箱内的温度会轻而易举突破80度,如果室温继续提高、机箱风道不好的情况下,原本可以稳定的电压可能就会变得十分不稳定,这样你就得继续加压来稳定当前频率,然后温度又会更高,形成恶性循环。因此,设法优化机箱风道、降低环境温度也是对超频有较大影响的。
  制定超频方案
  好了,要注意的问题已经说完了,下面开始制定超频方案。再来重复一下刚才我所说的超频基本思路:超倍频,超内存。
  建议大家把超倍频和超内存分开两步走,先把CPU主频超上去并测好稳定性,再来超内存,再重新测稳定性。这样就可以依次摸出CPU的体质与内存的超频能力,避免一起超频出现不稳定现象无法判断是哪个地方出了问题。
  测试CPU稳定性的软件:Prime95、LinX、IntelBurnTest、Orthos、OCCT等;
  测试内存稳定性的软件:Memtest、Memtest86+、Prime95(Blend模式)、HyperPi32M等。
  前边我们把超频CPU主频的目标定位4.5GHz,那就是直接拉倍频到100x45,电压在1.2V左右。内存方面我在IVB的评测中说过,虽然IVB能上高频,但是上高频需要加许多电压,有些划不来,因此在内存允许的条件下,和SNB一样跑的内存频率是比较好的选择。我以芝奇F3-1GBSR(HynixCFR)为例,超频到DDR3--10-28-1T。
  BIOS超频设置介绍:微星Z77系列
  以下我以微星Z77A-GD65为例说明微星Z77系列主板超频到4.5GHz与DDR3-2133的BIOS设置。微星的BIOS中把超频相关的设置全部做在OC的子菜单中,要改的选项我已经在红框中圈出。不过还是那句话,仅供参考,切勿照搬。
  这里多提一句,有些时候主板BIOS里的电压会以不同颜色表示,这是厂商建议的电压值,红色就是他们认为的危险电压了。这些标注颜色有一定的道理,不过在散热允许、短时间超频的前提下,红色的电压也是可以用的。
AdjustCPURatio:CPU倍频设置为45x。
  AdjustCPURatioinOS:这项K系处理器请关闭,所有核心都会跑在45倍频;非K系处理器请打开,并同时开启EIST与TurboBoost,这样可以在单核心与双核心负载时达到最大睿频性能。
  DRAMFrequency:内存分频设为DDR3-2133。
  VdroopControl:经过主板提供的电压测量点测试,Z77A-GD65在1.2V左右防掉压开到Level1可让待机和满载电压偏差在0.005V之内。虽然CPU-Z检测到的电压会有0.02-0.04V的偏差,但那只是软件读数而已,与实际电压还是会有差别的。
&&& CPUCoreVoltage:CPU电压设为1.2V,可根据自身CPU体质做调整,不建议超过1.3V。
  CPUI/OVoltage:CPUI/O电压又叫VCCIO、VTT电压,设为默认值1.05V即可。
  DRAMVoltage:内存电压设为1.6V,可根据内存体质做调整,不建议超过1.75V长期使用。
  SystemAgentVoltage:系统助手电压,又叫VCCSA,设为默认值0.925V即可。
  CPUPLLVoltage:设为默认值1.8V即可。
  对于不知道自己内存能超多高的用户,建议先设置到这里,进系统测试稳定性,之后再往下看。
  HynixCFR颗粒超频到DDR3-2133的时序参考,一般用户只需要更改前边六项,其它留Auto也可。
  在微星的主板上,第三时序tRRSR在能稳定的前提下请手动设为4T以防止内存读取性能打折扣。
  超频到DDR3-2667的参考时序:11-13-13-30-2T
&&&& 第三时序依然把tRRSR设为4T。
  稳定性测试
  这时候进入系统使用CPU-Z查看频率,这颗i7-3770K已经把4.5G和2133达成了,如果你开了节能,频率可能会显示1.6G,不过满载也会自动升上去的。接下来就是稳定性测试。
  稳定性测试我使用Prime95Blend模式,这样可以兼顾CPU与内存的测试,建议至少跑15分钟以保证初步稳定。由于我知道我的内存能跑多少,所以基本上只用测试CPU的稳定性即可。如果不知道自己内存能超多高的情况下,建议先跑稳CPU,再超内存。
  稳定性测试途中,CPU12V输入电流8.1A,输入功率97.2W。这就是i7-3770K超频到4.5G加上供电损耗的满载功耗,如果是i5-3570K,则应该还要再低一些。
  1.2V4.5GHz通过Prime9515分钟测试,在室温28度,裸机条件下,最高温度77度。
  最终跑DDR3-2667可以以11-14-13的时序通过Memtest,电压1.724V。
  以同样的时序稍微小超外频到DDR3-2746,可以通过SuperPi32M,然后到达这张主板的极限,2750以上无法开机了。
  超频心得
  超频一颗IVB的CPU是很简单的,只分为超主频和超内存两个独立的步骤,你根本不用考虑各种制约因素,一般来说也不用为了超内存去加IMC(VCCIO)的电压。因此,基本上故障只会出现在两个节点上:一是CPU电压不够造成主频不稳,二是内存时序或者体质不行造成开不了机或者不稳定。别的基本没什么了,跟SNB感觉一样,就是温度高一点,一定要做好散热。
  下面还是来看一些可能遇到的蓝屏代码:
  无限断电重启:大多数情况是内存问题,检查是否插好或者内存设置不合理
  点亮后死机:内存非常不稳,差一点就点不亮
  蓝屏:0x,主频不稳,加核心电压
  蓝屏:0x,主频/IMC不稳,大多数情况下需要加核心电压(在IVB上没遇到过)
  蓝屏:0x,主频或内存不稳都有可能
  蓝屏:0x0000003B,内存不稳
  Prime95自动关闭或报错:主频不稳或内存不稳都有可能
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看内存狂超2400Mhz!IVB内存超频经验谈
  随着7系列平台的到货及其性价比,受到市面上人们的高度关注。我们都知道7系列平台最明显的提升就是原生支持USB3.0传输接口,相比USB2.0拥有理论上10倍速度的传输效能,同时随着IVB处理器采用全新的22nm工艺,在论坛上有部分玩家反应其超频性,主要为内存超频方面拥有较大的提升,恰逢近日笔者就在DIY论坛看到,某玩家竟使用IVB平台把默认内存频率1333Mhz超频狂飙至2400Mhz,超频幅度达到80%!如何实现的?下面我们一起看看。
测试平台实拍  测试平台:
  处理器: I7 3770K
  主板:梅捷SY-I7HU3+节能版
  内存:海力士DDR3 1333 X2
  电源:ANTEC 400W
默认1333MZH情况  我们首先看没有超频内存的情况,通过AIDA64内存测试软件可以看到,其读取:16318MB/s;写入:18960MB/s;复制:18574MB/s,虽然在默认情况下,性能上完全没有问题,但如果通过一个简单的设置,性能可以免费提升30%呢?下面我们一起看是如何操作的呢?
实战狂超2400Mhz内存频率!  内存的超频,当然我们找到内存的BIOS相关设置界面,首先找到“Turbo”项目,然后看到“Performance Memory Profiles”选项,我们需要超频,因此将设置为“Manual”即手动默认,然后进行相关的调试,继续看。
内存分频调整  设置为手动之后,我们看到其内存相关的细节选项宜弹出,然后我们找到“Memory Multiplier”即为内存分频选项,我们可以看到,其内存超频频率选项较为丰富,有1067Mhz到2667Mhz均在内,总体来说我们针对内存的体制及其主板的超频进行调试出一个理想的超频值。
时序设置  然后还有影响稳定性的一个重要内存细节就是内存时序了,经过一系列的调试,超至2400Mhz频率,想对应时序为CAS延迟(CL:12);RAS(RRCD:13);RAS(TRP:12);循环周期(TRAS:28)
超频2400MHz,性能提升30%  经过多次的调试,最终该内存频率超至2400Mhz,我们通过CPU-z可以看到,其内存频率为1200Mhz,即等效2400Mhz,相比默认1333Mhz内存频率,拥有80%的提升,通过专业AIDA64的内存可以数据可以看到,其读取:21043MB/s;写入:20278MB/s;复制:24241MB/s,通过对比默认数据,均拥有30%左右的性能提升,具有较强的效能。
  作为全新一代的7系列平台,对于一般消费者而言,其最大的提升就是支持USB3.0接口,这对于目前USB3.0相关设备的普及,具有较强的实用性,同时我们不难发现,目前市面上的7系列中低端平台,包括一线在内的品牌,均采用商用B75芯片主板作为销售主力,原因是因为B75芯片规格,相比H77、Z75差别不大所致的。
  另外,但我们拥有具备一定体质的内存条及主板时,我们不妨可通过上述的设置,进行内存的频率超频,可实现零元成本实现性能提升。
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  内存超频就是让内存外频运行在比它被设定运行的更高的速度下。我们知道,在一般情况下,CPU外频与内存外频是一致的,所以在提升CPU外频进行超频时,也必须相应提升内存外频使之与CPU同频工作。
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前言:提高外频很重要 内存体质必须好
&&& 谈到超频,许多玩家都有这样的疑问:一样的主板、CPU和电源,同样的倍频、外频设置,为什么人家超的上去,我就不行呢?同样的CPU频率,为什么别人的运算速度就比我的快呢?其实这些问题的答案很简单,就是内存问题。
&&& 自从Intel和AMD限制了CPU倍频之后,超频就只能从外频下手了。提高外频,除去有良好的主板支持,内存也变得尤为重要。众所周知,如果内存频率采用分频设置,不但会影响系统整体性能,还会导致CPU的潜力无处发挥,这种现象在AMD平台上尤其明显。所以,选择好超频的内存就变成超频玩家不可忽略的一件大事。
&沧者极限站长coolaler正在调校超频平台
&&& 在国际超频高手冲击记录的过程中,大部分调校时间都花在了内存上,内存的参数直接影响着SuperPI的速度,频率带宽关系着CPU主频的提升和3D测试成绩的提高。我们可以这么说:内存的好坏直接关系着超频的成败,内存是超频过程中的幕后英雄!
&&& 本文分为内存参数简析,四种超频颗粒介绍和内存原理浅谈三大部分。很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存,所以在颗粒介绍部分,我们只选取了部分在国际玩家中拥有不错口碑的单条512MB和1GB内存。
技术解析:延时、频率合理搭配
&&& 超频过程中,为什么调校内存所花时间最长呢?原因就内存参数优化。参数优化的历史可以追溯到SDRAM时代。在那个年代,大家追求的只有CL值,CL=2就是当时的参数优化目标。到了DDR年代,对于参数的描述变成了4个值,例如:2-2-2-5。但这4个数字所代表的含义到底是什么?简单来说就是CL-tRCD-tRP-tRAS,这个缩写的全程和中文名称如下:
&&& 1、CL(CAS Latency)
&&& 中文名称为“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”,在BIOS中的选项可能为:2、2.5和3。随着DFI NF4主板的出现,还增加了1.5这个极限选项。这个参数很重要,内存条铭牌上一般都有推荐参数。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统,我们应当尽量把CAS参数调低。反过来,如果内存运行不稳定,可以将此参数设大,以提高稳定性。
&&& 2、tRCD(RAS-to-CAS Delay)
&&& 中文为“行寻址至列寻址延迟时间”,一般选项有2、3、4、5,别名有Active to CMD等。对于延迟时间,当然是数值越小,性能越好。  &&& 3、tRP(RAS Precharge Time)
&&& “内存行地址控制器预充电时间”一般只有2、3、4三个选项。这个参数的名称也比较多,一般有RAS Precharge、Precharge to active几种。tRP值越低,预充电参数越小,则内存读写速度就越快。
&&& 4、tRAS(RAS Active Time)
&&& “内存行有效至预充电的最短周期”nForce系列主板对它的调节幅度最大,从1到15都可选择。别名也是最多的: Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。调整这个参数需要结合具体情况而定,推荐参数选项有5,6或者7这3个。大多数情况还要结合主板和CPU情况,并不是说越大或越小就越好。
&&& 进入了64位时代,内存参数调节又多了一个选项――Command Rate。这个选项就是K8平台超频时所称的“1T、2T”,全名“首命令延迟”,一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于DDR内存在寻址时,先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行),然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令,单位是时钟周期。显然,也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间,才需要将此参数调长。目前的大部分K8主板默认参数都比较保守,采用2T。
&&& 如果您觉得单纯的文字叙述不能说明参数优化和延迟的问题,那我们就来看一张理论模型图。从图中,我们能够直观的看到CL值变化,对延迟的影响。虽说在单周期内的影响并不大,但在实际使用时,每秒要400次以上的周期循环,这种延迟就很明显了。
&&& 提高内存频率就是使每秒内循环周期完成的次数增多,加大数据的吞吐量,也就是常说的增加内存带宽。对内存进行超频不像CPU那样简单,最主要的问题是内存颗粒选择问题。不同厂家的颗粒带有不同的超频特性,下面我们就来具体的了解一下。
&&& 现在内存已经变成了一种廉价硬件,拥有1GB以上的内存已经不再是件奢侈的事情,下面我们就开始介绍单条512MB和1GB的DDR内存颗粒。
单条512MB精品颗粒:华邦BH-5
&&& 说到单条512MB DDR内存,其颗粒制造商可谓数量众多,其中最著名的当属华邦(Winbond)和三星(SAMSUNG)。
&&& 华邦(Winbond)的内存颗粒是DDR时代初期的神话,以低延迟和高电压敏感性这两大特性著称于世,其中的最强者就是已经停产的BH-5。
&&& BH-5颗粒最早是以普通DDR400颗粒身份上市的,并不是什么特制超频颗粒。图中的几条内存就是2003年时在市场销售的DDR400产品。可惜BH-5的在世时间并不长,2004年就被停产。
&&& 但在今年,市场又出现了“新BH-5”颗粒。其实这种颗粒并不是当年的BH-5,而是内存厂商在清理库存时廉价抛出的未经检测颗粒。国际上对这种未检测颗粒统称“UTT”。UTT是一种内存颗粒制造中不负责任的产物,当然采购价格也很低廉,32M单颗粒的价格只有2美金左右。
图中的内存半成品就是采用的华邦处理的UTT颗粒,颗粒上没有任何字符编号。这种颗粒并不是传说的极品,而是鱼龙混杂的拼盘。但各内存品牌是要对用户负责的,他们会将采购来的UTT进行检测分类,这就出现了下面的产品。
&&& 这种内存也有着不错的超频和优化效果,若想要得到最佳效果,就必须要3.2v以上的高压伺候。
&&& 这就是世界知名华邦颗粒大师――狂少,在4V内存电压时的超频记录,实时频率已经接近DDR600。
单条512MB精品颗粒:三星TCCD
&&& 三星(SAMSUNG)能够成为DIYer心中的内存王者,完全是因为其超频专用颗粒TCCD。TCCD是现在唯一能在2.6v电压下稳定运行的DDR600的内存颗粒,其丰功伟绩数不胜数,K8超频记录的每一次突破,都有着它的身影。在它如日中天的今天,三星公布了一个令人震惊的消息――停产TCCD!这无疑给全世界超频玩家泼了一盆冷水。
&&& 没有了TCCD,我们还有别的选择吗?当然,那就是三星后续发布的廉价颗粒TCC5。
&&& 有的玩家会感觉TCC5的超频性能不如TCCD,其实不然。TCC5由于制程改进,其高频激发电压也有了变化。在电压超过3v时,同样能以不错的参数稳定运行在DDR600,可以说兼具BH-5和TCCD的双重“性格”。
&&& 上面介绍的颗粒虽说有着极强的超频性能,但单颗粒容量最大仅为32MB,对于追求海量内存的高端发烧玩家,显然是不够用的。下面,我们就来看看单条1GB内存有什么极品。
单条1GB精品颗粒:镁光MT-5B
&&& 单条1GB的DDR内存大都采用双面设计,由于单颗粒容量较大,内部线路密集,所以超频性能平平,要想制造高频颗粒,就必须在制造工艺上有所突破。
&&& 镁光(Micron)身为世界第二大内存颗粒制造商,其产品却在国内极少现身。这是因为镁光很少将自己的优质颗粒卖给其他内存品牌,其极品颗粒一直是专供自家DIY品牌Crucial使用。
&&& Crucial最新推出的单条1GB内存选用MT -5B新版颗粒,在欧美玩家的心目中,超频性能绝不亚于三星的TCCD。MT -5B新版颗粒抛弃了传统的66pin-TSOPII封装,转用DDR2的推荐封装60ball-FBGA。
&&& 传统的TSOPII封装形式可以使内存很好的工作在200MHz以上。但频率更高,容量更大时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这就会影响内存的稳定性和频率提升。这也就是普通单条1GB内存频率很难突破250MHZ的原因。而DDR2推荐的FBGA封装形式,提供了更为良好的电气性能与散热性,为大容量内存的稳定工作与极限超频提供了坚强的硬件保障。
&&& 使用了FBGA封装的MT -5B,在2.9v时达到了TCCD的300MHz 1T参数。如果内存电压能到3v以上,一定还会有更为出色的表现。
&&& 就算不采用最新的封装形式,在原有TSOPII上下功夫,优化内部架构,也会对大容量颗粒的超频性能有所提高的,三星就做到了这一点。
单条1GB精品颗粒:三星UCCC
  三星(SAMSUNG)不愧为DDR时代的终结者,在512MB容量有TCCD和TCC5称雄,到了海量1GB的今天,又力推UCCC新君登基。
&&& UCCC颗粒首现于2004年4月,早期专供服务器高端ECC内存使用;几经调整,最终于2005年1月进入民用领域。前期产品依旧保持着服务器内存的特点,只以稳定性见长,超频性能一般。但三星为了重夺高频内存之王的宝座,于今年6月对UCCC做了进一步制程优化。
&&& 优化过的UCCC不仅保持了原有的稳定性,超频性也是可比TCCD。沧者极限测试的创见内存,使用了最新525周期的UCCC颗粒的创见。两条1GB组成双通道,仅用2.8v电压就实现了1T DDR600。高频与海量兼得,稳定性绝佳,这就是DDR时代的最终王者――三星UCCC。
写在最后:选择超频内存小窍门
&&& 超频内存的选择,主要是从颗粒入手,具体品牌和型号不必看的很重;大品牌的东西未必就好超,新品牌的未必就不能超。在选定颗粒后,一些细节和生产周期也是要注意的:&&& 带有两个“大眼睛”的华邦(Winbond)颗粒首选非打磨的(基本都为二手),要不挑到了杂烩“UTT”可就不爽了。&&& 三星(SAMSUNG)UCCC颗粒一定要选520周期以后的,只有这些周期生产的才是优化颗粒,之前的则“服务器”风格较重。&&& 非Crucial品牌的镁光(Micron)颗粒内存尽量不要选择,那些往往是使用次批颗粒拼装的,品质不保呀。&&& 注意了上述三点,基本上就可以挑选到一款“极品”超频内存了。当然,理论出于实践,多了解多询问,防止JS忽悠,掌握了相关颗粒和品牌的真实,才能助您淘到适合自己爱机的超频DDR内存。
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