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chapter1常用半导体器件
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半导体的特性
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相比于其他物质,半导体具有哪三种特殊的导电性质
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半导体因掺杂不同使得导电原理不同,半导体的导电是通过掺杂实现的.如Si 是目前集成电路中常用的材料,最外层电子是4个.1、通过掺杂B（最外层3个电子）,可以形成受主能级,让价带产生大量空穴,从而实现导电,这是第一种：P型半导体.根据电中性原理（Nd ≈ n ,其中Nd为受主能级的电离杂质浓度）.2、通过掺杂P（最外层4个电子）,可以形成施主能级,让导带产生大量电子,从而实现导电,这是第二种：N型半导体.根据电中性原理（Na ≈ p ,其中Na为施主能级的电离杂质浓度）.3、不掺杂,既为本征半导体,自由移动的电子与空穴成对出现ni^2=n * p ； n = p,所以n、p的量均较小.所以本征半导体不导电或者说电导率很低.
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第一章 电子技术教案 教 案 纸 1 开发区职业技术学院 引言 ? 课程介绍 一、什么是电子技术 电子技术是把电子元器件组成的电子电路应用到科学、技术、生产、生 活各项领域的应用技术，电子电路是信息社会产生、传送、处理信号的（硬 件）载体。 注：常用的电子元器件 元件：电阻、电容、电感 器件：半导体二极管和三极管、电子管、集成电路、传感器、变压器、 滤波器、继电器等。 二、课程的性质、特点、要求以及学习方法 课程性质：技术基础课 课程特点： 1．实践性、工程性强，多采用近似方法分析计算2．小信号下非线性电路按线性电路处理3．内容复杂、不断更新4．入门难 学习要求：理解基本原理 掌握基本方法 熟悉基本电路 理论联系实 际 学习方法 1．从外特性上认识理解基本元器件，淡化对其物理机理的追究 2．从系统角度认识电路，理解不同电路耦合时，它们之间作为信号源与 负载的相对关系，以及输入、输出电阻的相互影响 3．归纳分析计算不同电路参数的基本方法，不死记硬背公式 4．把非线性电路作为线性电路对待教 案 纸 2 开发区职业技术学院 5．重视实践，注重理性认识和感性认识的相辅相成 6．坚持预习，及时复习，认真听课，独立并及时完成作业和实验作业 ? 课堂教学内容模拟部分： 1．基本器件 半导体管：二极管、三极管（双极性，晶体三极管。单极性，场效应管） 集成器件：集成运算放大器、集成功率放大器、集成模拟乘法器、线性集成 稳压器） 教学内容：工作原理、性能参数、外特性 2．基本电路基本应用电路：运算电路教学内容：电路的工作原理和分析方法 数字部分： 数字逻辑基础、集成逻辑门电路、组合逻辑电路的分析和设计、集成 触发器、时序逻辑电路的分析和设计、半导体存储器及数-模和模-数转换等 电子技术 模拟电子技术－电路工作在连续信号下（1—3章）数字电子技术－电路工作在离散信号下（6—9章） 基本放大电路形式 差分放大电路 互补对称功率放大电路 共集电极放大电路 共发射极放大电路 共基极放大电路 晶体三极管构成教 案 纸 3 开发区职业技术学院 第一章 半导体基础及常用器件 引言 半导体器件是在 20世纪 50年代初发展起来的电子器件，它具有体积小、 质量小、使用寿命长、输入功率小等优点。本章主要介绍本征半导体、P 型 和 N 型半导体的特征及 PN 结的形成过程；二极管的伏安特性及其分类、用 途；三极管的电流放大原理，其输入和输出特性的分析方法；双极型和单极 型三极管在控制原理上的区别。 讲授新课 1.1 半导体的基本知识 1. 导体、绝缘体和半导体 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。物质的导电特性取决于 原子结构。 （1） 导体 导体一般为低价元素, 如铜、铁、铝等金属, 其最外层电子受原子核 的束缚力很小, 因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此在外电场作 用下, 这些电子产生定向运动(称为漂移运动)形成电流, 呈现出较好的导电 特性。 （2） 绝缘体 高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶, 塑料)最外层电子受原 子核的束缚力很强, 极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子, 所以其导电性 极差, 可作为绝缘材料。 （3） 半导体 半导体的最外层电子数一般为4个，既不像导体那样极易摆脱原子核教 案 纸 4 开发区职业技术学院 的束缚, 成为自由电子, 也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧, 因此, 半导体的导电特性介于二者之间。常用的半导体材料有硅、锗、硒等。 2. 半导体的独特性能 金属导体的电导率一般在 105s/cm 量级；塑料、云母等绝缘体的电导率 通常是10-22~10-14s/cm量级；半导体的电导率则在10-9~102s/cm量级。 半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导体的应用却极其 广泛，这是由半导体的独特性能决定的： 光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强 热敏性——受温度的影响，半导体导电能力变化很大； 掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电能力极大地增强； 半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理所决定的。 3. 本征半导体纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。常用的半导体材料是硅和 锗, 它们都是四价元素, 在原子结构中最外层轨道上有四个价电子。如图 1.1.1所示 为便于讨论, 采用图 1.1.2 所示的 简化原子结构模型。 把硅或锗材料拉制成单晶体时, 相邻两个原子的一对最外层电子(价电子) Si 2 8 4 Ge 2 8 18 4 图 1.1.1 Si 和 Ge 的原子结构 ?<<4 图 1.1.2 Si 和 Ge 的原子结构的简化模型 ?<<4 共 价 键 价 电 子 ?<<4 ?<<4 ?<<4 ?<<4 ?<<4 ?<<4 ?<<4 ?<<4教 案 纸 5 开发区职业技术学院 成为共有电子, 它们一方面围绕自身的原子核运动, 另一方面又出现在相邻 原子所属的轨道上。即价电子不仅受到自身原子核的作用, 同时还受到相邻 原子核的吸引。于是, 两个相邻的原子共有一对价电子, 组成共价键结构。 故晶体中, 每个原子都和周围的４个原子用共价键的形式互相紧密地联系起 来,如图 1.1.3所示。 ? 从共价键晶格结构来看，每个原子外层都具有 8个价电子。但价电子是 相邻原子共用，所以稳定性并不能象绝缘体那样好。 受光照或温度上升影响，共价键中价电子的热运动加剧，一些价电子会 挣脱原子核的束缚游离到空间成为自由电子。 游离走的价电子原位上留下一个不能移动的空位，叫空穴。 由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发。 本征激发的结果，造成了半导体内部自由电子载流子运动的产生，由此 本征半导体的电中性被破坏，使失掉电子的原子变成带正电荷的离子。 由于共价键是定域的，这些带正电的离子不会移动，即不能参与导电， 成为晶体中固定不动的带正电离子。 受光照或温度上升影响，共价键中其它一些价电子直接跳进空穴，使 失电子的原子重新恢复电中性。 价电子填补空穴的现象称为复合。 参与复合的价电子又会留下一个新的空位，而这个新的空穴仍会被邻近共价 ?<<4 共 价 键 价 电 子 ?<<4 ?<<4 ?<<4 ?<<4 ?<<4 ?<<4 ?<<4 ?<<4 图 1.1.3 单晶硅和锗的共价键结构示意图 教 案 纸 6 开发区职业技术学院 键中跳出来的价电子填补上，这种价电子填补空穴的复合运动使本征半导体 中又形成一种不同于本征激发下的电荷迁移，为区别于本征激发下自由电子 载流子的运动，我们把价电子填补空穴的复合运动称为空穴载流子运动。 自由电子载流子运动可以形容为没有座位人的移动；空穴载流子运动 则可形容为有座位的人依次向前挪动座位的运动。半导体内部的这两种运动 总是共存的，且在一定温度下达到动态平衡。 半导体的导电机理： 半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别： 金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中则是本征激发
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电子技术(上册)全书林国生(10[1].25)
导读：第周课题半导体基础及常用器件了解半导体的历史认识半导体元件和学习它的特性半导体元，（1）导体导体一般为低价元素,如铜、铁、铝等金属,其最外层电子受原子核的束缚力很，因此在外电场作用下,这些电子产生定向运动(称为漂移运动)形成电流,呈现出较好的导，（2）绝缘体高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶,塑料)最外层电子受原子核，（3）半导体半导体的最外层电子数一般为4个，既不像导体那样极易摆脱原 备 课 教 案 第
题 半导体基础及常用器件 了解半导体的历史 认识半导体元件和学习它的特性 半导体元件的图标 所需课时 2 教学目的 重
点 半导体的特性 教学过程：
新课引入： 半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的电子器件，它具有体积小、质量小、使用寿命长、输入功率小等优点。本章主要介绍本征半导体、P型和N型半导体的特征及PN结的形成过程；二极管的伏安特性及其分类、用途；三极管的电流放大原理，其输入和输出特性的分析方法；双极型和单极型三极管在控制原理上的区别。 讲授新课： 一、半导体的基本知识 1、导体、绝缘体和半导体 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。物质的导电特性取决于原子结构。 （1） 导体 导体一般为低价元素, 如铜、铁、铝等金属, 其最外层电子受原子核的束缚力很小, 因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此在外电场作用下, 这些电子产生定向运动(称为漂移运动)形成电流, 呈现出较好的导电特性。 （2） 绝缘体 高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶, 塑料)最外层电子受原子核的束缚力很强, 极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子, 所以其导电性极差, 可作为绝缘材料。 （3） 半导体 半导体的最外层电子数一般为4个，既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚, 成为自由电子, 也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧, 因此, 半导体的导电特性介于二者之间。常用的半导体
材料有硅、锗、硒等。
2. 半导体的独特性能 金属导体的电导率一般在105s/cm量级；塑料、云母等绝缘体的电导率通常是10-22~10-14s/cm量级；半导体的电导率则在10-9~102s/cm量级。 半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导体的应用却极其广泛，这是由半导体的独特性能决定的： 光敏性――半导体受光照后，其导电能力大大增强 热敏性――受温度的影响，半导体导电能力变化很大； 掺杂性――在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电能力极大地增强； 半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理所决定的。 3. 本征半导体
纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。常用的半导体材料是硅和锗, 它们都是四价元素, 在原子结构中最外层轨道上有四个价电子。如图1.1.1所示
Si和Ge的原子结构的简化模型 图1.1.1
Si和Ge的原子结构 Si
＋4把硅或锗材料拉制成单晶体时, 相邻两个原子的一对最外层电子(价电子)成为共有电子, 它们一方面围绕自身的原子核运动, 另一方面又出现在相邻原子所属的轨道上。即价电子不仅受到自身原子核的作用, 同时还受到相邻原子核的吸引。于是, 两个相邻的原子共有一对价电子, 组成共价键结构。故晶体中, 每个原子都和周围的４个原子用共价键的形式互相紧密地联系起来,如图1.1.3所示。
单晶硅和锗的共价键结构示意图
从共价键晶格结构来看，每个原子外层都具有8个价电子。但价电子是相邻原子共用，所以稳定性并不能象绝缘体那样好。 受光照或温度上升影响，共价键中价电子的热运动加剧，一些价电子会挣脱原子核的束缚游离到空间成为自由电子。 游离走的价电子原位上留下一个不能移动的空位，叫空穴。 由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发。 本征激发的结果，造成了半导体内部自由电子载流子运动的产生，由此本征半导体的电中性被破坏，使失掉电子的原子变成带正电荷的离子。 由于共价键是定域的，这些带正电的离子不会移动，即不能参与导电，成为晶体中固定不动的带正电离子。
受光照或温度上升影响，共价键中其它一些价电子直接跳进空穴，使失电子的原子重新恢复电中性。 价电子填补空穴的现象称为复合。 参与复合的价电子又会留下一个新的空位，而这个新的空穴仍会被邻近共价键中跳出来的价电子填补上，这种价电子填补空穴的复合运动使本征半导体中又形成一种不同于本征激发下的电荷迁移，为区别于本征激发下自由电子载流子的运动，我们把价电子填补空穴的复合运动称为空穴载流子运动。 自由电子载流子运动可以形容为没有座位人的移动；空穴载流子运动则可形容为有座位的人依次向前挪动座位的运动。半导体内部的这两种运动总是共存的，且在一定温度下达到动态平衡。
- 27 - ＋4＋4＋4共价键＋4＋4＋4＋4＋4＋4价电子 半导体的导电机理： 半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别： 金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中则是本征激发下的自由电子和复合运动形成的空穴两种载流子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，即自由电子载流子和空穴载流子的运动方向相反。
小结： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 课后作业：
P24 一、1、2 反 思 录：
备 课 教 案 第
题 杂质半导体 了解半导体的历史 认识杂质半导体的分类和学习它的特性 所需课时 2 教学目的 重
点 半导体元件的图标 难
点 杂质半导体的特性 教学过程：
复习旧课： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 讲授新课： 一、 杂质半导体
在本征半导体中，有选择地掺入少量其它元素，会使其导电性能发生显著变化。这些少量元素统称为杂质。掺入杂质的半导体称为杂质半导体。根据掺入的杂质不同，有N型半导体和P型半导体两种。
在本征半导体中, 掺入微量５价元素, 如磷、锑、砷等, 则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质原子代替。由于杂质原子的最外层有５个价电子, 因此它与周围４个硅(锗)原子组成共价键时, 还多余 1 个价电子。 它不受共价键的束缚, 而只受自身原子核的束缚, 因此, 它只要得到较少的能量就能成为自由电子, 并留下带正电的杂质离子, 它不能参与导电,
如图１.1.４所示。显然, 这种杂质半导体中电子浓度远远大于空穴的浓度, 即nn>>pn(下标ｎ表示是Ｎ型半导体), 主要靠电子导电, 所以称为Ｎ型半导体。由于５价杂质原子可提供自由电子, 故称为施主杂质。Ｎ型半导体中, 自由电子称为多数载流子；空穴称为少数载流子。
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