飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRF5S4125N第0版， 1/2007射频功率场效应晶体管N
- 沟道增强 - 模式横向的MOSFET专为宽带商业和工业应用频率高达500兆赫。高增益和宽带性能这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器应用28伏基站设备。o典型的单 - 载波N
- CDMA性能@ 465 MHz的： VDD= 28伏，IDQ= 1100毫安，POUT。 = 25瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，交通守则8 ?13 ） 。信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。功率增益 - 23分贝漏极效率 - 30.2 ％ACPR @ 750 kHz偏置 -
- 47.6 dBc的30 kHz带宽o能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 465兆赫， 125瓦CW输出功率特点o特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数o内部匹配的易用性o资格高达32 V ，最大DD手术o集成ESD保护o200℃有能力塑料包装o符合RoHSo在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。MRF5S4125NR1MRF5S4125NBR1450 - 480兆赫， 25 W的AVG ， 28 V 。单N
- CDMA横向N
- CHANNELRF功率MOSFETCASE 年，风格1TO - 270 WB - 4MRF5S4125NR1CASE 年，风格1TO - 272 WB - 4MRF5S4125NBR1表1.最大额定值等级漏 - 源极电压栅 - 源电压存储温度范围工作结温(1,2)符号VDSSVGST英镑TJ价值- 0.5, +65- 0.5, +15- 65 ?+ 150200单位VDCVDC°C°C表2.热特性特征热阻，结到外壳外壳温度90 ° C， 125瓦CW外壳温度90 ° C， 25瓦CW符号RθJC价值(2,3)0.330.43单位° C / W在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问MTTF计算器按照产品。3.请参阅AN1955 ，射频功率放大器的热测量方法。去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1955 。(C)飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR11RF设备数据飞思卡尔半导体公司表3. ESD保护特性测试方法人体模型（每JESD22 - A114 ）机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）充电器型号（每JESD22 - C101 ）类1B （最低）A（最小）IV （最低）表4.湿度敏感度等级测试方法每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020等级3封装峰值温度260单位°C表5.电气特性(TC= 25 ° C除非另有说明）特征开关特性零栅极电压漏极漏电流(VDS= 65伏，VGS= 0伏）零栅极电压漏极漏电流(VDS= 28伏，VGS= 0伏）门 - 源极漏电流(VGS= 5伏，VDS= 0伏）基本特征栅极阈值电压(VDS= 10 VDC ，我D= 400μAdc ）门静态电压(VDS= 28伏直流，我D= 1100 MADC ，测量功能测试）漏极 - 源极导 - 电压(VGS= 10 VDC ，我D= 1.5 ADC）动态特性(1)反向传输电容(VDS= 28伏直流±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输出电容(VDS= 28伏直流±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）CRSSCOSS——2.4174.61——pFpFVGS （ TH）VGS （ Q）VDS （ ON）23.50.0534.250.175450.3VDCVDCVDCIDSSIDSSIGSS——————10110μAdcμAdcμAdc符号民典型值最大单位功能测试（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 28伏直流，我DQ= 1100毫安，POUT= 25瓦的魅力。 N
- CDMA ， F = 465 MHz时，单 - 载波N
- CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@±750kHz偏置。PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。功率增益漏EF网络效率相邻通道功率比输入回波损耗1.部分内部输入匹配。GpsηDACPRIRL2228——2330.2- 47.6- 1525—- 45-9dB%dBc的dBMRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR12RF设备数据飞思卡尔半导体公司VBIASC5R1B1V供应+R2C6B2L3C13C14C15C16Z19RF输入R3Z1C1C2Z3Z4Z5C3C4Z2L1Z6Z7L2Z8Z9Z10Z11Z12Z13Z14Z18C11C9C10Z16Z17Z20RF产量DUTC7C8Z21C12Z22Z15Z1Z2Z3Z4Z5Z6, Z7Z8Z9Z10Z11Z120.186″0.206″1.171″0.275″0.985″0.130″0.131″0.675″0.397″0.071″0.008″x 0.084″x 0.084″x 0.084″x 0.084″x 0.084″x 0.084″x 0.084″x 0.504″x 0.656″x 0.084″x 0.084″微带微带微带微带微带微带微带微带微带微带微带Z13Z14Z15Z16Z17Z18Z19Z20Z21Z22PCB0.063 “× 0.084 ”微带0.315 “× 0.084 ”微带0.473 “× 0.084 ”微带0.522 “× 0.084 ”微带0.448 “× 0.084 ”微带0.628 “× 0.084 ”微带0.291 “× 0.084 ”微带0.318 “× 0.084 ”微带0.202 “× 0.084 ”微带0.190 “× 0.084 ”微带阿尔隆AD250 ， 0.030 “ ，εr= 2.5图1. MRF5S4125NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图表6. MRF5S4125NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值部分B1, B2C1, C6, C12, C13C2, C10C3, C9C4C5, C14, C15C7C8C11C16L1, L2L3R1R2R3描述铁氧体磁珠，短120 pF的贴片电容0.8 - 8.0 pF的，可变电容器， Gigatrim20 pF的贴片电容8.2 pF的电容芯片10μF,50 V贴片电容27 pF的贴片电容47 pF的贴片电容3.3 pF的贴片电容22μF,35 V钽电容器1.6 nH的电感器27 nH的电感器1000Ω,1/4 W??贴片电阻为10kΩ ， 1/4 W码片电阻100Ω,1/4 W??贴片电阻产品型号ATC600B121BT250XT27291SLATC600B200BT250XTATC600B8R2BT250XTGRM55DR61H106KA88LATC600B270BT250XTATC600B470BT250XTATC600B3R3BT250XTT491X226K035A50906 - 21812SMS - 27N_LCRCWFKTACRCWFKTACRCW1206100RFKTA生产厂家博览会 - 爱色丽ATC约翰森ATCATC村田ATCATCATC基美Coilcraft公司Coilcraft公司日前，Vishay日前，Vishay日前，VishayMRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1RF设备数据飞思卡尔半导体公司3C6B1C14R1C15B2R2C13C16C5切出区L3R3C1C2L1L2C3C4C8C7C9C11C10C12MRF5S4125N第1版图2. MRF5S4125NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR14RF设备数据飞思卡尔半导体公司典型特征ηD，沥干效率（％）ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）0-5-10-15-20ηD，沥干效率（％）ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）0-5-10-15-20IDQ= 550毫安562.5毫安825毫安-401375毫安1100毫安-50110POUT，输出功率（瓦）人教版100200 300110100200 300POUT，输出功率（瓦）人教版2524Gps，功率增益（分贝）232221ACPR2019IRL18-60ALT1430440450460470480490-65500174201.2288 MHz的信道带宽PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）ηDGpsVDD= 28伏直流电，POUT= 25瓦（平均）。IDQ= 1100毫安，单载波n -CDMA36322824-45-50-55男，频率（MHz）图3.单 - 载波N
- CDMA的宽带性能@ POUT= 25瓦的魅力。2524Gps，功率增益（分贝）232221201918ACPRIRLGpsVDD= 28伏直流电，POUT= 58 W（平均）。IDQ= 1100毫安，单载波n -CDMA1.2288兆赫，信道带宽PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）ηD52484440-20-30-40-50-60500ALT117420430440450460470480490男，频率（MHz）图4.单 - 载波N
- CDMA的宽带性能@ POUT= 58瓦的魅力。2524Gps，功率增益（分贝）232221201918VDD= 28伏直流F1 = 465兆赫， F2 = 467.5兆赫两个-Tone测量， 2.5 MHz的音调间隔1375毫安1100毫安825毫安IMD ，三阶互调失真（ DBC）IDQ= 1650毫安-10VDD= 28伏直流F1 = 465兆赫， F2 = 467.5兆赫两个-Tone测量， 2.5 MHz的音调间隔-20-30550毫安图5.两个 - 音频功率增益与输出功率图6.三阶互调失真与输出功率MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1RF设备数据飞思卡尔半导体公司5IRL ，输入回波损耗（分贝）IRL ，输入回波损耗（分贝）飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： AFT05MS031N第0版， 6/2012RF功率LDMOS晶体管高耐用性N
- 通道增强 - 模式横向的MOSFET专为移动2 - 双向无线电应用与频率136至520兆赫。高增益，耐用性和宽带性能这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，共源放大器应用在移动无线电设备。典型特性：（ 13.6伏，TA= 25 ° C， CW）频率（兆赫）380--450(1,3)450--520(2,3)520(4)Gps（ dB）的18.317.717.7ηD(%)64.162.071.4P1dB(W)313133TO
--270--2塑料AFT05MS031NR1AFT05MS031NR1AFT05MS031GNR1136--520兆赫， 31 W， 13.6 V宽带RF功率LDMOS晶体管负载失配/耐用性频率（兆赫）520(4)信号TYPECWVSWR&65 ： 1 ，在所有相位角POUT(W)47（ 3分贝高速）TEST电压17结果没有设备降解1.测量380--450 MHz的超高频宽带的参考电路。2.测量450--520 MHz的超高频宽带的参考电路。3.显示的值是在整个的最低测得的性能数据指定的频率范围。4.测量520 MHz的窄带测试电路。TO
--270- GULL-2塑料AFT05MS031GNR1特点o特点是操作从136到520兆赫o无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用率o集成ESD保护o综合稳定性增强o宽带 - 整个波段全功率：-136--174兆赫-380--450兆赫-450--520兆赫o225℃有能力塑料包装o卓越的热性能o高线性度为： TETRA ， SSB ， LTEo成本 - 效益超过 - 模压塑料封装o在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，有24毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。典型应用o输出级VHF频段移动通信o输出级的UHF频段移动通信门漏（ TOP VIEW ）注意：该包的背面是源极端子的晶体管。图1.引脚连接(C)飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR11RF设备数据飞思卡尔半导体公司表1.最大额定值等级漏 - 源极电压栅 - 源电压工作电压存储温度范围器件总功耗@ TC= 25°C减免上述25℃工作结温(1,2)符号VDSSVGSVDDT英镑PDTJ价值--0.5, +40--6.0, +1217, +0--65到1502941.47225单位VDCVDCVDC°CWW / ℃，°C表2.热特性特征热阻，结到外壳外壳温度79 ° C， 31 W?? CW ， 13.6伏，我DQ= 10毫安， 520兆赫符号RθJC价值(2,3)0.67单位° C / W表3. ESD保护特性测试方法人体模型（每JESD22 - A114 ）机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）充电器型号（每JESD22 - C101 ）类2 ，通过2500 VA，通过100伏四，通过2000伏表4.湿度敏感度等级测试方法每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020等级3封装峰值温度260单位°C表5.电气特性(TA= 25 ° C除非另有说明）特征开关特性零栅极电压漏极漏电流(VDS= 40 VDC ，VGS= 0伏）零栅极电压漏极漏电流(VDS= 13.6伏，VGS= 0伏）门 - 源极漏电流(VGS= 5伏，VDS= 0伏）基本特征栅极阈值电压(VDS= 10 VDC ，我D= 115μAdc ）漏极 - 源极导 - 电压(VGS= 10 VDC ，我D= 1.2 ADC）正向跨导(VGS= 10 VDC ，我D= 7.5 ADC）VGS （ TH）VDS （ ON）gfs1.6——2.10.135.82.6——VDCVDCSIDSSIDSSIGSS——————21600μAdcμAdcNADC符号民典型值最大单位在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF计算器按照产品。3.请参阅AN1955 ，射频功率放大器的热测量方法。去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1955 。（续）AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR12RF设备数据飞思卡尔半导体公司表5.电气特性(TA= 25 ° C除非另有说明）（续）特征动态特性反向传输电容(VDS= 13.6伏±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输出电容(VDS= 13.6伏±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输入电容(VDS= 13.6伏，VGS= 0伏±30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）通用 - 源放大器功率增益漏EF网络效率频率（兆赫）520信号TYPECWPOUT(W)47（ 3分贝高速）CRSSCOSSC国际空间站———1.649.5109———pFpFpF符号民典型值最大单位功能测试(1)（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 13.6伏，我DQ= 10毫安， POUT= 31 W， F = 520兆赫GpsηD16.570.017.771.419.0—dB%负载失配/耐用性（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆的系统，我DQ= 10 mA）的VSWR&65 ： 1 ，在所有相位角测试电压VDD17结果没有设备退化1.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。导致形成用于鸥翼（GN）的部件。AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1RF设备数据飞思卡尔半导体公司3典型特征1000测量±30MV（ RMS） AC @ 1兆赫，VGS= 0伏C，电容（pF ）C国际空间站COSSIDS，漏极电流（ AMPS ）76543212.75伏0048121620048121620VDS，漏 - 源极电压（伏）VDS，漏 - 源极电压（伏）注意：测定用绑在一起的晶体管的两侧。3.25伏3 VDCTA= 25°CVGS= 4.25伏4 VDC3.75伏3.5 VDC10010CRSS1图2.电容与漏极 -- 源电压图3.漏电流与漏极 -- 源电压109108ID- 2.5安培平均无故障时间（小时）1071063.9 AMPS10510490110130150170190210230250TJ，结温（ ° C）注意：平均无故障时间的值表示总累计时间下所示的试验条件。3.2安培VDD= 13.6伏图4. MTTF与结温 - CW-AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR14RF设备数据飞思卡尔半导体公司520 MHz的窄带生产测试夹具C1C7B1C4L1C16C13 C14B3C3C2C5B2C8C9切出区C18L2C15C11C6C10C12AFT05MS031N第1版C17图5. AFT05MS031NR1窄带测试电路元件布局 - 520兆赫表6. AFT05MS031NR1窄带测试电路组件标识和价值观 - 520兆赫部分B1, B2, B3C1C2, C14C3, C13C4C5C6C7, C16C8C9, C10, C11, C12C15C17C18L1L2PCB描述RF珠，龙22μF,35 V钽电容器0.01μF贴片电容0.1μF贴片电容200 pF的贴片电容6.2 pF的贴片电容3.9 pF的贴片电容180 pF的贴片电容10 pF的贴片电容36 pF的贴片电容27 pF的贴片电容7.5 pF的贴片电容470μF,63 V电解电容43 nH的，10转电感56 nH的电感器0.030″,εr= 2.55产品型号T491X226K035ATCRACCDR33BX104AKWSATC100B201JT300XTATC100B6R2JT500XTATC100B3R9JT500XTATC100B181JT200XTATC100B100JT500XTATC100B360JT500XTATC100B270JT500XTATC100B7R5JT500XTSME63V471M12X25LLB10TJLC1812SMS--56NJLCAD255A生产厂家博览会 - 爱色丽基美基美基美ATCATCATCATCATCATCATCATC美贵弥功 - 精读Coilcraft公司Coilcraft公司阿尔隆AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1RF设备数据飞思卡尔半导体公司5飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： AFT09MS031N第0版， 5/2012RF功率LDMOS晶体管高耐用性N
- 通道增强 - 模式横向的MOSFET专为移动2 - 双向无线电应用与频率764到941兆赫。高增益，耐用性和宽带性能这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，共源放大器应用在移动无线电设备。窄带性能（ 13.6伏，我DQ= 500毫安，TA= 25 ° C， CW）频率（兆赫）764870941Gps（ dB）的18.017.215.7ηD(%)74.171.068.1P1dB(W)323131TO
--270--2塑料AFT09MS031NR1AFT09MS031NR1AFT09MS031GNR1764--941兆赫， 31 W， 13.6 V宽带RF功率LDMOS晶体管800 MHz的宽带性能（ 13.6伏，我DQ= 100毫安，吨A= 25 ° C， CW）频率（兆赫）760820870Gps（ dB）的15.715.715.5ηD(%)62.063.061.0P1dB(W)443736负载失配/耐用性频率（兆赫）870信号TYPECWVSWR&65 ： 1 ，在所有相位角POUT(W)54（ 3分贝高速）TEST电压17结果没有设备降解TO
--270- GULL-2塑料AFT09MS031GNR1特点o特点是操作从764到941兆赫o无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用率o集成ESD保护o综合稳定性增强o宽带 - 整个波段全功率（ 764-870兆赫）o225℃有能力塑料包装o卓越的热性能o高线性度为： TETRA ， SSB ， LTEo成本 - 效益超过 - 模压塑料封装o在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，有24毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。典型应用o输出级的800兆赫频段中继移动通信o输出级的900兆赫频段集群移动通信门漏（ TOP VIEW ）注意：该包的背面是源极端子的晶体管。图1.引脚连接(C)飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。AFT09MS031NR1 AFT09MS031GNR11RF设备数据飞思卡尔半导体公司表1.最大额定值等级漏 - 源极电压栅 - 源电压工作电压存储温度范围情况下的工作温度工作结温(1,2)器件总功耗@ TC= 25°C减免上述25℃符号VDSSVGSVDDT英镑TCTJPD价值--0.5, +40--6.0, +1217, +0--65到150--40到150--40到2253171.59单位VDCVDCVDC°C°C°CWW / ℃，表2.热特性特征热阻，结到外壳外壳温度81 ° C， 31 W?? CW ， 13.6伏，我DQ= 500毫安， 870兆赫符号RθJC价值(2,3)0.63单位° C / W表3. ESD保护特性测试方法人体模型（每JESD22 - A114 ）机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）充电器型号（每JESD22 - C101 ）类2 ，通过2500 VA，通过100伏四，通过1200 V表4.湿度敏感度等级测试方法每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020等级3封装峰值温度260单位°C表5.电气特性(TA= 25 ° C除非另有说明）特征开关特性零栅极电压漏极漏电流(VDS= 40 VDC ，VGS= 0伏）零栅极电压漏极漏电流(VDS= 13.6伏，VGS= 0伏）门 - 源极漏电流(VGS= 5伏，VDS= 0伏）基本特征栅极阈值电压(VDS= 10 VDC ，我D= 115μAdc ）漏极 - 源极导 - 电压(VGS= 10 VDC ，我D= 1.2 ADC）正向跨导(VGS= 10 VDC ，我D= 10 ADC）VGS （ TH）VDS （ ON）gfs1.6——2.10.17.82.6——VDCVDCSIDSSIDSSIGSS——————21600μAdcμAdcNADC符号民典型值最大单位在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF计算器按照产品。3.请参阅AN1955 ，射频功率放大器的热测量方法。去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1955 。（续）AFT09MS031NR1 AFT09MS031GNR12RF设备数据飞思卡尔半导体公司表5.电气特性(TA= 25 ° C除非另有说明）（续）特征动态特性反向传输电容(VDS= 13.6伏±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输出电容(VDS= 13.6伏±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输入电容(VDS= 13.6伏，VGS= 0伏±30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）通用 - 源放大器功率增益漏EF网络效率频率（兆赫）870信号TYPECWPOUT(W)54（ 3分贝高速）CRSSCOSSC国际空间站———2.163140———pFpFpF符号民典型值最大单位功能测试(1)（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 13.6伏，我DQ= 500毫安， POUT= 31 W， F = 870 MHz的GpsηD16.068.017.271.018.5—dB%负载失配/耐用性（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆的系统，我DQ= 500 mA）的VSWR&65 ： 1 ，在所有相位角测试电压VDD17结果没有设备退化1.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。导致形成用于鸥翼（GN）的部件。AFT09MS031NR1 AFT09MS031GNR1RF设备数据飞思卡尔半导体公司3典型特征300C国际空间站IDS，漏极电流（ AMPS ）100C，电容（pF ）COSS98765432100510152002468101214161820VDS，漏 - 源极电压（伏）VDS，漏 - 源极电压（伏）注意：测定用绑在一起的晶体管的两侧。2.5 VDC3.5 VDC3.25伏3.0伏TA= 25°CVGS= 4.0伏测量±30MV（ RMS） AC @ 1兆赫VGS= 0伏10CRSS1图2.电容与漏极 -- 源电压图3.漏电流与漏极 -- 源电压109108平均无故障时间（小时）1071063.9 AMPS10510490110130150170190210230250TJ，结温（ ° C）注意：平均无故障时间的值表示总累计时间下所示的试验条件。VDD= 13.6伏ID= 2.6安培3.2安培图4. MTTF与结温 - CW-AFT09MS031NR1 AFT09MS031GNR14RF设备数据飞思卡尔半导体公司870 MHz的窄带生产测试夹具C9C10C13VGGB1C14AFT09MS031N第0版C15C16VDDB2C11C12C7L1C3切出区C5L2L3C4C6C8C2C1图5. AFT09MS031NR1窄带测试电路元件布局 - 870兆赫表6. AFT09MS031NR1窄带测试电路组件标识和价值观 - 870兆赫部分B1, B2C1C2, C14, C15C3, C4, C5, C6C7, C8C9C10, C11C12C13C16L1L2L3PCB描述RF珠，龙3.9 pF的贴片电容56 pF的贴片电容10 pF的贴片电容3.6 pF的贴片电容2.5μF贴片电容0.1μF贴片电容万pF的贴片电容22μF,25 V钽电容器330μF,35 V电解电容8.0 NH， 3匝电感器，18.5 NH， 5匝电感器，5.0 NH， 2匝电感器，0.030″,εr= 3.5产品型号ATC100B3R9CT500XTATC100B560CT500XTATC100B100JT500XTATC100B3R6CT500XTGRM31CR71H225KA88LCRAC--TUATC200B103KT50XTTPSD226M025R0200MCGPR35V337M10X16--RHA03TKLCA05TKLCA02TKLCRO4350B生产厂家博览会 - 爱色丽ATCATCATCATC村田基美ATCAVXMULTICOMPCoilcraft公司Coilcraft公司Coilcraft公司罗杰斯AFT09MS031NR1 AFT09MS031GNR1RF设备数据飞思卡尔半导体公司5公平的爱色丽公司的产品目录HTTP ： //www.fair-rite.com/cgibin/catalog.pgm THEONEPART = 27430 ...制品目录的搜索工具：技术关于我们联系我们部件号：频率范围：描述：应用：应用领域：部件类型：首选的部分：宽带频率25-300兆赫（ 43 & 44资料）BDS2.9/3.1/9.1-43-143 SM珠抑制元件板组件SM珠（差模）部分类型信息机械的特定网络阳离子重量： 0.30 （ G）查看图表图例暗淡ABCDEFGHJKmm2.853.059.601.50______mm托尔±0.20±0.10-0.95±0.50______公称寸0.1120.1200.3590.059______寸杂项。__________焊盘布局V4.5000.177缠绕信息Y3.0000.118W（ REF ）7.5000.295X1.8000.071Z_圈经过测试_线SIZE第一线长_第二线盘信息胶带宽度mm16PKG大小零件13&REEL2800沥青mm8零件7&REEL_零件14&REEL__连接板＃洞_＃行_电缆信息最大直径_最大维_固当量_扁平电缆磁芯_电气规格典型阻抗（ ）10兆赫25兆赫+100兆赫+250兆赫375695100最大RDC （米）电动性能1.201 122/01/飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRF6V2300N启5 ， 4/2010射频功率场效应晶体管N
- 沟道增强 - 模式横向的MOSFET信号输出和驱动器应用 - 主要用于CW大设计频率高达600 MHz 。设备是无与伦比的，并适用于在使用中工业，医疗和科学应用。o典型CW性能： VDD= 50伏，我DQ= 900毫安，POUT= 300瓦， F = 220 MHz的功率增益 - 25.5分贝漏极效率 - 68 ％o能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 220兆赫， 300瓦CW输出功率特点o特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数o合格高达50伏的最大DD手术o集成ESD保护o225℃有能力塑料包装o符合RoHSo在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。MRF6V2300NR1MRF6V2300NBR110--600兆赫， 300 W， 50 V横向N-声道单-ENDED宽带RF功率MOSFETCASE 1486--03 ，风格1TO
-WB- -270-4塑料MRF6V2300NR1CASE 1484--04 ，风格1TO
-WB- -272-4塑料MRF6V2300NBR1部分单-ENDED表1.最大额定值等级漏 - 源极电压栅 - 源电压存储温度范围情况下的工作温度工作结温(1,2)符号VDSSVGST英镑TCTJ价值--0.5, +110--0.5, +10- 65 ?+ 150150225单位VDCVDC°C°C°C（ TOP VIEW ）符号RθJC价值(2,3)0.24单位° C / W注：包的背面裸露的是源极端子的晶体管。RFin/VGSRFOUT/VDSRFin/VGSRFOUT/VDS表2.热特性特征热阻，结到外壳外壳温度83 ° C， 300瓦CW图1.引脚连接表3. ESD保护特性测试方法人体模型（每JESD22 - A114 ）机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）充电器型号（每JESD22 - C101 ）类2 （最小）A（最小）IV （最低）在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF计算器副产品。3.请参阅AN1955 ，射频功率放大器的热测量方法。去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1955 。(C)飞思卡尔半导体公司，
， 2010。保留所有权利。MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR11RF设备数据飞思卡尔半导体公司表4.湿度敏感度等级测试方法每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020等级3封装峰值温度260单位°C表5.电气特性(TA= 25 ° C除非另有说明）特征开关特性零栅极电压漏极漏电流(VDS= 100伏，VGS= 0伏）零栅极电压漏极漏电流(VDS= 50伏，VGS= 0伏）漏极 - 源极击穿电压(ID= 150毫安， VGS= 0伏）门 - 源极漏电流(VGS= 5伏，VDS= 0伏）基本特征栅极阈值电压(VDS= 10 VDC ，我D= 800μAdc ）门静态电压(VDD= 50伏直流，我D= 900 MADC ，测量功能测试）漏极 - 源极导 - 电压(VGS= 10 VDC ，我D= 2 ADC）动态特性反向传输电容(VDS= 50伏直流±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输出电容(VDS= 50伏直流±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输入电容(VDS= 50伏，VGS= 0伏±30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）功率增益漏EF网络效率输入回波损耗功率增益漏EF网络效率输入回波损耗F = 27MHz的F = 450 MHz的F = 27MHz的F = 450 MHz的F = 27MHz的F = 450 MHz的CRSSCOSSC国际空间站———2.88120268———pFpFpFVGS （ TH）VGS （ Q）VDS （ ON）11.5—1.632.60.2833.5—VDCVDCVDCIDSSIDSSV（ BR ） DSSIGSS——110—————2.550—10mAμAdcVDCμAdc符号民典型值最大单位功能测试（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 50伏直流，我DQ= 900毫安， POUT= 300 W， F = 220 MHz的CWGpsηDIRLGpsηDIRL2466———————25.568--1631.421.761.559.1--17.4--24.427—--9——————dB%dBdB%dB典型的表演（飞思卡尔在27 MHz和450 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 50伏直流，我DQ= 900毫安， POUT= 300瓦CW注意： MRF6V2300N和MRF6V2300NB高功率器件和特殊注意事项必须遵循的电路板设计和安装。不正确的安装可能导致内部温度，这超过允许的最大工作结温。请参阅飞思卡尔应用笔记AN3263（螺栓向下安装）或AN1907 （回流焊接安装）启动前系统设计to确保这些设备的正确安装。MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR12RF设备数据飞思卡尔半导体公司B3B1VBIAS+C1+C2+C3C4C5C6C7R1B2L2C17C18C19+C20V供应L1C8RF输入C9C10 C11 R2Z3Z4Z5R3Z6Z7Z8Z9C14C15C16RF产量Z10C23C21C22Z11Z1C12Z2C13DUTZ1Z2Z3Z4Z5Z6, Z70.352 “× 0.082 ”微带1.567 “× 0.082 ”微带0.857 “× 0.082 ”微带0.276 “× 0.220 ”微带0.434 “× 0.220 ”微带0.298 “× 0.630 ”微带Z8Z9Z10Z11PCB0.085 “× 0.170 ”微带2.275 “× 0.170 ”微带0.945 “× 0.170 ”微带0.443 “× 0.082 ”微带阿尔隆CuClad 250GX -
， 0.030 “ ，εr= 2.55图2. MRF6V2300NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图 - 220兆赫表6. MRF6V2300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值 - 220兆赫部分B1, B2B3C1C2C3C4, C19C5, C18C6, C11, C17C7, C8, C15, C16C10C9, C12, C14, C23C13C20C21C22L1L2R1R2, R3描述95Ohm,100 MHz的龙铁氧体磁珠，表面贴装47Ohm,100 MHz的短铁氧体磁珠，表面贴装47μF,50 V电解电容22μF,35 V钽电容器10μF,35 V钽电容器10 K时pF的贴片电容20K的pF的贴片电容0.1μF,50 V贴片电容2.2μF,50 V贴片电容220 nF的贴片电容1000 pF的贴片电容82 pF的贴片电容470μF,63 V电解电容24 pF的贴片电容39 pF的贴片电容4将＃ 18 AWG ， 0.18 “ ID82 nH的电感器270Ohm,1/4 W??贴片电阻4.75Ohm,1/4 W??贴片电阻产品型号476KXM063MT494X226K035ATT491D106K035ATATC200B103KT50XTATC200B203KT50XTCDR33BX104AKYSCRACCVACATC100B102JT50XTATC100B820JT500XT477KXM063MATC100B240JT500XTATC100B390JT500XT无1812SMS--82NJCRCWFKTACRCW12064R75FKTA生产厂家博览会 - 爱色丽博览会 - 爱色丽伊利诺电容基美基美ATCATCAVX基美基美ATCATC伊利诺电容ATCATC无Coilcraft公司日前，Vishay日前，VishayMRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1RF设备数据飞思卡尔半导体公司3C1C2C3+B1C4C5C6B2R1C8C15*C16*L2C19C18C17B3+C20C7C10C11C9R2 R3C12C14L1C23切出区C13C22C21MRF6V2300N/NB第3版*叠放图3. MRF6V2300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局 - 220兆赫MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR14RF设备数据飞思卡尔半导体公司典型特征1000C国际空间站100COSS测量±30MV（ RMS） AC @ 1兆赫VGS= 0伏CRSSID，漏极电流（ AMPS ）C，电容（pF ）1001010101020304050VDS，漏 - 源极电压（伏）11TC= 25°C10VDS，漏 - 源极电压（伏）100图4.电容与漏极 -- 源电压109ID，漏极电流（ AMPS ）8765432100204060801002.25 V12022102.5 V2.63 V2.75 VGps，功率增益（分贝）VGS= 3 V282726252423图5.直流安全工作区IDQ= 1350毫安1125毫安900毫安650毫安450毫安VDD= 50伏直流F1 = 220 MHz的100POUT，输出功率（瓦） CW600漏极电压（伏）图6.直流漏电流与漏极电压--15IMD ，三阶互调失真（ DBC）60图7. CW功率增益与输出功率VDD= 50伏直流电， F1 = 220兆赫， F2 = 220.1兆赫--20两个 - 音频测量， 100 kHz音调间距--25--30--35--40--45IDQ= 450毫安900毫安650毫安1125毫安POUT，输出功率（dBm ）P3dB = 55.76 dBm的（ 377 W）58的P1dB = 55.04 dBm的（ 319 W）5654525024理想实际--50--551101350毫安100600VDD= 50伏直流，我DQ= 900毫安F = 220 MHz的2628303234POUT，输出功率（瓦）人教版Pin输入功率（dBm ）图8.三阶互调失真与输出功率图9. CW输出功率与输入功率MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1RF设备数据飞思卡尔半导体公司5飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRF6VP11KH启7 ， 4/2010射频功率场效应晶体管N
- 沟道增强 - 模式横向MOSFET主要用于脉冲宽带应用频率高达设计150兆赫。设备是无与伦比的，并适用于工业，医疗用和科学应用。o在130 MHz的典型脉冲性能： VDD= 50伏，我DQ= 150毫安，POUT= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ，脉冲宽度= 100微秒，占空比= 20 ％功率增益 - 26分贝漏极效率 - 71 ％o能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 130兆赫， 1000瓦峰值动力特点o特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数oCW作战能力具有足够的冷却o合格高达50伏的最大DD手术o集成ESD保护o专为推 - 拉运o更大的负栅 - 源电压范围为改良C级手术o符合RoHSo在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。MRF6VP11KHR61.8--150兆赫， 1000 W， 50 V横向N-声道宽带RF功率MOSFETCASE 375D--05 ，风格1NI--1230部分是推挽-PULLRFINA/VGSA31 RFOUTA/VDSARFINB/VGSB42 RFOUTB/VDSB（ TOP VIEW ）图1.引脚连接表1.最大额定值等级漏 - 源极电压栅 - 源电压存储温度范围情况下的工作温度工作结温(1,2)符号VDSSVGST英镑TCTJ价值--0.5, +110--6.0, +10- 65 ?+ 150150225单位VDCVDC°C°C°C表2.热特性特征热阻，结到外壳外壳温度80 ° C， 1000瓦脉冲， 100微秒脉冲宽度， 20 ％占空比外壳温度67 ° C， 1000瓦CW ， 100兆赫符号ZθJCRθJC价值(2,3)0.030.13单位° C / W在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF计算器按照产品。3.请参阅AN1955 ，射频功率放大器的热测量方法。去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1955 。(C)飞思卡尔半导体公司，
。版权所有。MRF6VP11KHR61RF设备数据飞思卡尔半导体公司表3. ESD保护特性测试方法人体模型（每JESD22 - A114 ）机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）充电器型号（每JESD22 - C101 ）类2 （最小）A（最小）IV （最低）表4.电气特性(TA= 25 ° C除非另有说明）特征开关特性(1)门 - 源极漏电流(VGS= 5伏，VDS= 0伏）漏极 - 源极击穿电压(ID= 300毫安， VGS= 0伏）零栅极电压漏极漏电流(VDS= 50伏，VGS= 0伏）零栅极电压漏极漏电流(VDS= 100伏，VGS= 0伏）基本特征栅极阈值电压(1)(VDS= 10 VDC ，我D= 1600μAdc ）门静态电压(2)(VDD= 50伏直流，我D= 150 MADC ，测量功能测试）漏极 - 源极导 - 电压(1)(VGS= 10 VDC ，我D= 4 ADC）动态特性(1)反向传输电容(VDS= 50伏直流±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输出电容(VDS= 50伏直流±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输入电容(VDS= 50伏，VGS= 0伏±30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）CRSSCOSSC国际空间站———3.3147506———pFpFpFVGS （ TH）VGS （ Q）VDS （ ON）11.5—1.632.20.2833.5—VDCVDCVDCIGSSV（ BR ） DSSIDSSIDSS—110——————10—1005μAdcVDCμAdcmA符号民典型值最大单位功能测试(2)（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 50伏直流，我DQ= 150毫安， POUT= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ， F = 130 MHz时，100微秒脉冲宽度， 20 ％占空比功率增益漏EF网络效率输入回波损耗1.装置的每一侧分别测得。2.测量取得与设备推 - 拉配置。GpsηDIRL2469—2671--1628—--9dB%dBMRF6VP11KHR62RF设备数据飞思卡尔半导体公司VBIAS+C1+C2+B1L1R1R2L3+C15+V供应+C20C3C4C5C6C7C8C9C10C11C21Z10C13C14C16 C17 C18 C19Z8Z4RF输入Z1Z2L2Z3J1C12T1Z5Z7Z9Z6Z12Z14Z16RF产量DUTZ11Z18C23Z13C24Z15C25Z17T2C22J2Z19C26Z1Z2*Z3*Z4, Z5Z6, Z7, Z8, Z9Z10, Z11Z12, Z130.175 “× 0.082 ”微带1.461 “× 0.082 ”微带0.080 “× 0.082 ”微带0.133 “× 0.193 ”微带0.500 “× 0.518 ”微带0.102 “× 0.253 ”微带0.206 “× 0.253 ”微带Z14, Z15Z16*, Z17*Z18Z19PCB0.116 “× 0.253 ”微带0.035 “× 0.253 ”微带0.275 “× 0.082 ”微带0.845 “× 0.082 ”微带阿尔隆CuClad 250GX -
， 0.030 “ ，εr= 2.55*线路长度包括微带弯曲。图2. MRF6VP11KHR6测试电路原理图表5. MRF6VP11KHR6测试电路元件牌号和值部分B1C1C2C3C4, C9, C17C5, C16C6, C15C7C8C10, C11, C13, C14C12C18, C19, C20C21, C22C23C24, C25C26J1, J2L1L2L3*R1R2T1T2* L3被缠R2。描述95Ohm,100 MHz的龙铁氧体磁珠47μF,50 V电解电容22μF,35 V钽电容器10μF,35 V钽电容器10K pF的贴片电容20K pF的贴片电容0.1μF,50 V贴片电容2.2μF,50 V贴片电容0.22μF,100 V贴片电容1000 pF的贴片电容18 pF的贴片电容470μF,63 V电解电容器47 pF的贴片电容75 pF的贴片电容100 pF的贴片电容33 pF的贴片电容跳线从印刷电路板到T1和T282 nH的电感器47 nH的电感器10启动， 18＃AWG电感，手上有伤口1 KΩ ， 1/4 W??碳引线电阻20Ohm,3 W贴片电阻平衡不平衡转换器平衡不平衡转换器产品型号476KXM050MT491X226K035ATT491D106K035ATATC200B103KT50XTATC200B203KT50XTCDR33BX104AKYSCRACCGACATC100B102JT50XTATC100B180JT500XTMCGPR63V477M13X26--RHATC100B470JT500XTATC100B750JT500XTATC100B101JT500XTATC100B330JT500XT铜箔1812SMS--82NJLC1812SMS--47NJLC铜线MCCFR0W4J0102A50CPF320R000FKE14TUI--9TUO--4MULTICOMP日前，Vishay通讯概念通讯概念Coilcraft公司Coilcraft公司生产厂家博览会 - 爱色丽伊利诺伊帽基美基美ATCATC基美基美基美ATCATCMULTICOMPATCATCATCATCMRF6VP11KHR6RF设备数据飞思卡尔半导体公司3C1C4C5C6C17C16C15C19B1C2 C3C7C8C9C11J1L2C12R1L1C18C20C14C21T1C24C25切出区C23C22C26J2C13T2L3 ， R2 *C10MRF6VP11KH第3版*L3被缠R2。图3. MRF6VP11KHR6测试电路元件布局MRF6VP11KHR64RF设备数据飞思卡尔半导体公司典型特征1000C国际空间站COSS100测量±30MV（ RMS） AC @ 1兆赫VGS= 0伏ID，漏极电流（ AMPS ）100C，电容（pF ）TJ= 200°CTJ= 150°CTJ= 175°C1010CRSS101020304050VDS，漏 - 源极电压（伏）11TC= 25°C10VDS，漏 - 源极电压（伏）100注意：设备的每一侧分别测得。图4.电容与漏极 -- 源电压2726Gps，功率增益（分贝）252423ηD22212010VDD= 50伏直流，我DQ= 150 mA时， F = 130 MHz的脉冲宽度= 100微秒，占空比= 20 ％100POUT，输出功率（瓦）脉冲10003020Gps8070ηD,排水? FFI效率（ ％ ）POUT，输出功率（dBm ）6050406564636261605958575630注意：设备的每一侧分别测得。图5.直流安全工作区P3dB = 61.23 dBm的（ 1327.39 W）的P1dB = 60.57 dBm的（ 1140.24 W）理想实际VDD= 50伏直流，我DQ= 150 mA时， F = 130 MHz的脉冲宽度= 100微秒，占空比= 20 ％313233343536373839102000Pin输入功率（dBm ）脉冲图6.脉冲功率增益和漏极效率与输出功率32IDQ= 6000毫安Gps，功率增益（分贝）Gps，功率增益（分贝）283600毫安1500毫安750毫安24150毫安20VDD= 50伏， F = 130 MHz的脉冲宽度= 100微秒，占空比= 20 ％10100POUT，输出功率（瓦）脉冲10002000120375毫安2428图7.脉冲输出功率与输入功率20VDD= 30 V1635 V40 V45 V50 V16IDQ= 150 mA时， F = 130 MHz的脉冲宽度= 100微秒占空比= 20 ％2004006008001000120014001600POUT，输出功率（瓦）脉冲图8.脉冲功率增益与输出功率图9.脉冲功率增益与输出功率MRF6VP11KHR6RF设备数据飞思卡尔半导体公司5公平的爱色丽产品的目录部分数据手册， 印刷： 公平的爱色丽产品公司邮政信箱? ，一个商业行， Wallkill ，NY 电话： （ 888 ） 324-7748 www.fair-rite.com部件号：频率范围：宽带频率25-300兆赫（ 43 & 44资料）描述：应用：应用领域：部件类型：首选的部分：43 SM珠抑制元件板组件SM珠（差模）机械的特定网络阳离子重量：.300(g)部分类型信息表面贴装珠可从商Fair-Rite几种材料和尺寸。其坚固的结构降低了直流电阻和增大电流承载能力相比镀珠。12毫米磁带宽度-SM珠子供货录音和每EIA 481-1和IEC 60286-3标准，举步为艰。 SM珠在16和24毫米磁带宽度供货录音和每EIA 481-2和IEC 60286-3标准，举步为艰。录音和跌跌撞撞部分提供一个13 ''卷轴。-SM珠也可以不提供卷带封装，然后将它们批量打包。这种包装方法将改变零件号的最后一位数字为“6” 。-The铜导体具有无铅的锡涂层。-SM珠满足焊接规范时，符合MIL -STD- 202方法208测试后，浸渍胎圈的安装现场，焊料表面应为至少95％覆盖有光滑的焊料涂层。的铜条带的边缘没有被指定为可焊接的表面。-after预热珠在100摄氏度的焊接温度，满足部分焊接电阻EIA- 186-10E的要求，温度为260 ± 5℃和时间为10 ±1秒。-Suggested土地的模式是符合IPC - 7351的最新版本。-SM珠被控制的只有阻抗的限制。列出的阻抗为典型值。最小阻抗值被指定为+标记的频率。最低保证阻抗上市值少20 ％ 。SM的小珠在73 ， 43和44的材料被测量为在4193矢量阻抗分析仪阻抗。 52和61 SM珠进行测试，以便对4191A RF阻抗分析仪阻抗。- 推荐的存储和操作温度为-55°C至125°C 。-The实际最大额定电流为这些SM珠为5安培。- 对于任何SM珠要求没有列出，请联系我们的客户服务团队的可用性和定价。- 我们的“表面贴装珠包”可用于原型评估。-Explanation零件号： 1&2位数=产品类别， 3&4 =材料等级，最后一个数字6 =散装包装， 7 =录音而举步为艰。公平的爱色丽产品的目录部分数据手册， 印刷： 公平的爱色丽产品公司邮政信箱? ，一个商业行， Wallkill ，NY 电话： （ 888 ） 324-7748 www.fair-rite.com机械的特定网络阳离子暗淡mmmm托尔ABCDEFGHJK2.853.059.601.50------±0.20±0.10-0.95±0.50------标称英寸寸0.1120.1200.3590.059------杂项。----------焊盘布局VWREF4.5000.1777.5000.2951.8000.0713.0000.118--XYZ缠绕信息圈经过测试--线SIZE-第一线长-第二线长盘信息胶带宽度间距mm16mm8部分7''REEL-部分13 ''零件14 ''REEL2800REEL-电气规格典型阻抗（ ）10兆赫25兆赫+100兆赫+250兆赫375695100包装尺寸PKG大小-(-)连接板＃洞＃行--电性能最大RDC （米）1.20传说+测试频率首选配件，新设计建议的选择，有更短的交货时间和更容易获得。在H列（OE ）给出了每个珠子计算的直流偏置场奥斯特为1回合和1安培直流电。在实际的直流H场该应用程序是H倍实际的NI （安匝）产物的此值。对于直流偏置的上胎圈材料的阻抗的影响，参见图18-23中的应用指南如何选择铁氧体元件的EMI抑制。A＆ frac12 ;又被定义为通过一个孔的单次通过。L / A - 恒芯AE ：有效截面积LAL - 电感因子(__ 2)NN / AWG - 打开数/线径规格的测试卷L E ：有效路径长度Ve的：有效容积核心NL - 直流安匝值公平的爱色丽产品的目录部分数据手册， 印刷： 公平的爱色丽产品公司邮政信箱? ，一个商业行， Wallkill ，NY 电话： （ 888 ） 324-7748 www.fair-rite.com进一步的材料规格，请参见下页。公平的爱色丽产品的目录部分数据手册， 印刷： 公平的爱色丽产品公司邮政信箱? ，一个商业行， Wallkill ，NY 电话： （ 888 ） 324-7748 www.fair-rite.com公平的爱色丽产品的目录部分数据手册， 印刷： 公平的爱色丽产品公司邮政信箱? ，一个商业行， Wallkill ，NY 电话： （ 888 ） 324-7748 www.fair-rite.com飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRFE6VP61K25H第4版，二千零一十三分之三RF功率LDMOS晶体管高耐用性N
- 通道增强 - 模式横向的MOSFET这些高耐用性设备被设计用于高电压驻波比工业用（包括激光和等离子体激励器） ，广播（模拟和数字） ，航空航天和无线电/陆地移动应用程序。他们是无与伦比的输入和输出设计允许较宽的频率范围内使用， 1.8至600兆赫。?典型性能： VDD= 50伏，我DQ= 100毫安信号类型脉冲(100微秒，20 ％占空比）CWPOUT(W)1250峰值1250 CWf（兆赫）230230Gps（ dB）的24.022.9?D(%)74.074.6MRFE6VP61K25HR6MRFE6VP61K25HSR5MRFE6VP61K25GSR51.8--600兆赫， 1250 W?? CW ， 50 V宽带RF功率LDMOS晶体管应用电路(1)- 典型性能频率（兆赫）274081.3687.5--108144--148170--230352信号类型CWCWCWCWCWDVB -
T的脉冲(200微秒，20 ％占空比）CWCWPOUT(W)130013001250110012502251250Gps（ dB）的27262724262521.5?D(%)81858480783066NI--1230--4SMRFE6VP61K25HSR5NI--1230--4HMRFE6VP61K25HR63525001150100020.51868581.请联系您当地的飞思卡尔销售办事处的具体信息，电路设计。负载失配/耐用性频率（兆赫）230信号类型脉冲(100微秒，20%占空比）VSWR&65 ： 1 ，在所有相位角POUT(W)1500峰值（ 3分贝OVERDRIVE ）TEST电压50结果没有设备降解NI--1230--4S GULLMRFE6VP61K25GSR5特点?无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用率?设备可用于单 - 端或在一个推 - 拉配置合格高达50伏的最大DD手术从30 V特点，以50 V的扩展功率范围适用于线性与适当的偏置应用集成ESD保护与较大的负面栅 - 源电压范围为提高C类操作?特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数?????在磁带和卷轴。 R6后缀= 150个单位，56个毫米磁带宽度， 13 - 英寸的卷轴。R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13 - 英寸的卷轴。门A 31漏极的B门42漏B（ TOP VIEW ）注意：该包的背面是源极端子的晶体管。图1.引脚连接?飞思卡尔半导体公司，
。版权所有。MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR51RF设备数据飞思卡尔半导体公司表1.最大额定值等级漏 - 源极电压栅 - 源电压存储温度范围情况下的工作温度器件总功耗@ TC= 25?C减免上述25℃工作结温(1,2)符号VDSSVGST英镑TCPDTJ特征热阻，结到外壳CW ：外壳温度63?C 1250 W?? CW ，我DQ= 100毫安， 230兆赫热阻，结到外壳脉冲：外壳温度66?C ， 1250 W脉冲， 100微秒脉冲宽度， 20 ％占空比，IDQ= 100毫安， 230兆赫符号RθJCZθJC价值--0.5, +133--6.0, +10- 65 ?+ 15015013336.67225价值(2,3)0.150.03单位VDCVDC?C?CWW / ℃，?C表2.热特性单位° C / W° C / W表3. ESD保护特性测试方法人体模型（每JESD22 - A114 ）机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）充电器型号（每JESD22 - C101 ）类2 ，通过3500 VB，通过250 V四，通过4000 V表4.电气特性(TA= 25 ° C除非另有说明）特征开关特性(4)门 - 源极漏电流(VGS= 5伏，VDS= 0伏）漏极 - 源极击穿电压(VGS= 0伏，我D= 100 mA时）零栅极电压漏极漏电流(VDS= 50伏，VGS= 0伏）零栅极电压漏极漏电流(VDS= 100伏，VGS= 0伏）基本特征栅极阈值电压(4)(VDS= 10 VDC ，我D= 1776μAdc ）门静态电压(VDD= 50伏直流，我D= 100 MADC ，测量功能测试）漏极 - 源极导 - 电压(4)(VGS= 10 VDC ，我D= 2 ADC）正向跨导(VDS= 10 VDC ，我D= 30 ADC）动态特性(4)反向传输电容(VDS= 50伏直流?30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输出电容(VDS= 50伏直流?30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输入电容(VDS= 50伏，VGS= 0伏?30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）CRSSCOSSC国际空间站———2.8185562———pFpFpFVGS （ TH）VGS （ Q）VDS （ ON）gfs1.71.9——2.22.20.1528.02.72.9——VDCVDCVDCSIGSSV（ BR ） DSSIDSSIDSS—133——————1—1020μAdcVDCμAdcμAdc符号民典型值最大单位在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF计算器按照产品。3.请参阅AN1955 ，射频功率放大器的热测量方法。去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1955 。4.设备的每一侧分别测得。（续）MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR52RF设备数据飞思卡尔半导体公司表4.电气特性(TA= 25 ° C除非另有说明）（续）特征符号民典型值最大单位功能测试(1)（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 50伏直流，我DQ= 100毫安， POUT= 1250 W峰值（ 250W的魅力。 ）F = 230兆赫， 100微秒脉冲宽度， 20 ％占空比功率增益漏EF网络效率输入回波损耗Gps?DIRL23.072.5—24.074.0--1426.0—--10dB%dB表5.负载失配/耐用性（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）IDQ= 100毫安频率（兆赫）230信号类型脉冲(100微秒，20 ％占空比）VSWR&65 ： 1 ，在所有相位角POUT(W)1500峰值（ 3分贝高速）测试电压VDD50结果没有设备退化1.测量任何铅形成操作之前与设备直导线配置应用。导致形成用于鸥翼（ GS ）的部件。MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5RF设备数据飞思卡尔半导体公司3C10C11 C12C13C22C23C21COAX1R1COAX3L3C16C2 C4L1C5L2C14C15C17切出区C1C3C18C19COAX2R2L4COAX4C25C6C7 C8C9MRFE6VP61K25H第3版C26--C27图2. MRFE6VP61K25HR6 （ HSR6 ） 230 MHz的生产测试电路元件布局 - 脉冲表6. MRFE6VP61K25HR6 （ HSR6 ） 230 MHz的生产测试电路元件牌号和值 - 脉冲部分C1C2, C3, C5C4C6, C10C7, C11C8, C12C9, C13, C21, C25C14C15C16, C17, C18, C19C20C22, C23, C24, C26, C27, C28COAX1 ， 2，3， 4L1, L2L3, L4R1, R2PCB描述20 pF的贴片电容27 pF的贴片电容0.8--8.0 pF的可变电容， Gigatrim22?F,35 V钽电容器0.1?F贴片电容220 nF的贴片电容1000 pF的贴片电容43 pF的贴片电容75 pF的金属云母240 pF的贴片电容6.2 pF的贴片电容470?F,63 V电解电容器25?半刚性同轴电缆， 2.2?盾长度5 nH的电感器6.6 nH的电感器10?贴片电阻0.030?,?r= 2.55产品型号ATC100B200JT500XTATC100B270JT500XT27291SLT491X226K035ATCDR33BX104AKYSCRACTUATC100B102JT50XTATC100B430JT500XTMIN02--002EC750J--FATC100B241JT200XTATC100B6R2BT500XTMCGPR63V477M13X26--RHUT--141C--25A02TKLCGA3093--ALCCRCWJNEAAD255A生产厂家ATCATC约翰森基美AVX基美ATCATCCDEATCATCMULTICOMP微 - 同轴电缆Coilcraft公司Coilcraft公司日前，Vishay阿尔隆MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR54RF设备数据飞思卡尔半导体公司------C24C20C28VBIASL3C21C22C23C24C10Z19COAX1Z17Z15C17Z29DUTC14C15C20Z16Z22Z18COAX2Z20L4C7C8C9+++C25C26C27C28V供应VBIAS+C6R2Z24Z26C18C19COAX4Z28Z14L2Z12Z21Z23Z25C16Z27COAX3Z11Z3Z5Z7C4Z6C3Z8Z10C5Z9C2Z4L1Z2C1Z13R1C11C12C13RF设备数据飞思卡尔半导体公司V供应+++RF产量Z30RF输入Z1图3. MRFE6VP61K25HR6 （ HSR6 ） 230 MHz的生产测试电路原理图 - 脉冲表7. MRFE6VP61K25HR6 （ HSR6 ） 230 MHz的生产测试电路微带 - 脉冲描述0.192??0.082?微带0.175??0.082?微带0.170??0.100?微带0.116??0.285?微带0.116??0.285?微带0.108??0.285?微带微带Z11*, Z12*Z13, Z14Z15, Z16Z17*, Z18*Z19*, Z20*Z21, Z22描述0.872??0.058?微带0.412??0.726?微带0.371??0.507?微带0.466??0.363?微带0.187??0.154?微带0.104??0.507?微带微带Z23, Z24Z25, Z26Z27, Z28Z29Z30描述1.251??0.300?微带0.127??0.300?微带0.116??0.300?微带0.186??0.082?微带0.179??0.082?微带*线路长度包括微带弯曲微带Z1Z2Z3, Z4Z5, Z6Z7, Z8Z9, Z10MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR55飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRF6VP2600H修订版5.1 ， 7/2010射频功率场效应晶体管N
- 沟道增强 - 模式横向MOSFET主要用于宽带应用与频率高达500 MHz的设计。设备是无法比拟的，适合于广播应用。o典型的DVB -
T的OFDM性能： VDD= 50伏，我DQ= 2600毫安，POUT= 125瓦的魅力。 ， F = 225 MHz的信道带宽= 7.61 MHz时，输入信号PAR =上CCDF 9.3分贝@ 0.01 ％的概率。功率增益 - 25分贝漏极效率 - 28.5 ％ACPR @ 4 MHz偏移 - --61 dBc的@ 4 kHz带宽o典型的脉冲性能： VDD= 50伏，我DQ= 2600毫安，POUT= 600瓦峰值， F = 225兆赫，脉冲宽度= 100微秒，税周期= 20％功率增益 - 25.3分贝漏极效率 - 59 ％o能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 225兆赫， 600瓦峰值功率，脉冲宽度= 100微秒，占空比= 20 ％特点o特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数oCW作战能力具有足够的冷却o合格高达50伏的最大DD手术o集成ESD保护o专为推 - 拉运o更大的负栅 - 源电压范围为改良C级手术o符合RoHSo在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。MRF6VP2600HR62--500兆赫， 600 W， 50 V横向N-声道宽带RF功率MOSFETCASE 375D--05 ，风格1NI--1230部分是推挽-PULLRFINA/VGSA31 RFOUTA/VDSARFINB/VGSB42 RFOUTB/VDSB（ TOP VIEW ）图1.引脚连接表1.最大额定值等级漏 - 源极电压栅 - 源电压存储温度范围情况下的工作温度工作结温(1,2)符号VDSSVGST英镑TCTJ价值--0.5, +110--6.0, +10- 65 ?+ 150150225单位VDCVDC°C°C°C表2.热特性特征热阻，结到外壳外壳温度99 ° C， 125瓦CW ， 225兆赫， 50伏直流电，我DQ= 2600毫安外壳温度64 ° C， 610 W?? CW ， 352.2兆赫， 50伏直流电，我DQ= 150毫安外壳温度81 ° C， 610 W?? CW ， 88--108兆赫， 50伏直流电，我DQ= 150毫安符号RθJC价值(2,3)0.200.140.16单位° C / W在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF计算器按照产品。3.请参阅AN1955 ，射频功率放大器的热测量方法。去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1955 。(C)飞思卡尔半导体公司，
。版权所有。MRF6VP2600HR61RF设备数据飞思卡尔半导体公司表3. ESD保护特性测试方法人体模型（每JESD22 - A114 ）机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）充电器型号（每JESD22 - C101 ）类2 （最小）A（最小）IV （最低）表4.电气特性(TA= 25 ° C除非另有说明）特征开关特性(1)门 - 源极漏电流(VGS= 5伏，VDS= 0伏）漏极 - 源极击穿电压(ID= 150毫安， VGS= 0伏）零栅极电压漏极漏电流(VDS= 50伏，VGS= 0伏）零栅极电压漏极漏电流(VDS= 100伏，VGS= 0伏）基本特征栅极阈值电压(1)(VDS= 10 VDC ，我D= 800μAdc ）门静态电压(2)(VDD= 50伏直流，我D= 2600 MADC ，测量功能测试）漏极 - 源极导 - 电压(1)(VGS= 10 VDC ，我D= 2 ADC）动态特性(1)反向传输电容(VDS= 50伏直流±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输出电容(VDS= 50伏直流±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输入电容(VDS= 50伏，VGS= 0伏±30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）CRSSCOSSC国际空间站———1.7101287———pFpFpFVGS （ TH）VGS （ Q）VDS （ ON）11.5—1.652.70.2533.5—VDCVDCVDCIGSSV（ BR ） DSSIDSSIDSS—110——————10—502.5μAdcVDCμAdcmA符号民典型值最大单位功能测试(2)（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 50伏直流，我DQ= 2600毫安，POUT。 = 125瓦的魅力， F = 225兆赫， DVB -
T的OFDM单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@±4MHz偏移。功率增益漏EF网络效率相邻通道功率比输入回波损耗功率增益漏EF网络效率输入回波损耗GpsηDACPRIRLGpsηDIRL2427—————2528.5--61--182268--1527—--59--9———dB%dBc的dBdB%dB典型表现 - 352.2兆赫（飞思卡尔352.2 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 50伏直流，我DQ= 150毫安， POUT= 600瓦CW典型性能 - 88--108兆赫（飞思卡尔88--108 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 50伏直流，我DQ= 150毫安， POUT= 600 WCW功率增益漏EF网络效率输入回波损耗1.装置的每一侧分别测得。2.测量取得与设备推 - 拉配置。GpsηDIRL———24.574--5———dB%dBMRF6VP2600HR62RF设备数据飞思卡尔半导体公司VBIAS+C16+C15+B1L3L2R1L4+C20C21C22C23+V供应+C14C13C12C11C9C8C7C10C6C19C17C18C24 C25Z9Z5RF输入Z1Z2L1Z3Z4J1C1C2T1Z1Z2*Z3*Z4Z5, Z6Z7, Z8Z9, Z10Z11, Z121.049 “× 0.080 ”微带0.143 “× 0.080 ”微带0.188 “× 0.080 ”微带0.192 “× 0.133 ”微带0.418 “× 0.193 ”微带0.217 “× 0.518 ”微带0.200 “× 0.518 ”微带0.375 “× 0.214 ”微带Z13, Z14Z15*, Z16*Z17, Z18Z19Z20PCBZ6Z8Z7Z11 Z13Z15Z17RF产量DUTZ10 Z12 Z14Z19C3Z16C4Z18T2J2Z20C50.224 “× 0.253 ”微带0.095 “× 0.253 ”微带0.052 “× 0.253 ”微带0.053 “× 0.080 ”微带1.062 “× 0.080 ”微带阿尔隆CuClad 250GX -
， 0.030 “ ，εr= 2.55*线路长度包括微带弯曲图2. MRF6VP2600HR6测试电路原理图表5. MRF6VP2600HR6测试电路元件牌号和值部分B1C1C2, C4C3C5C6, C9C7, C13, C20C8C10, C17, C18C11, C22C12, C21C14C15C16C19C23, C24, C25J1, J2L1L2L3L4*R1T1T2描述95Ohm,100 MHz的龙铁氧体磁珠47 pF的贴片电容43 pF的贴片电容100 pF的电容芯片10 pF的贴片电容2.2μF,50 V贴片电容10K pF的贴片电容220 nF的， 50 V贴片电容1000 pF的贴片电容0.1μF,50 V贴片电容20K pF的贴片电容10μF,35 V钽电容器22μF,35 V钽电容器47μF,50 V电解电容2.2μF,贴片电容470μF63V电解电容器从PCB跳线T1 T2 &17.5 NH， 6匝电感器，8打开， ＃ 20 AWG ID = 0.125 “电感，手上有伤口82 NH，电感器9打开， ＃ 18 AWG电感，手上有伤口20Ohm,3 W轴向引线电阻器平衡不平衡转换器平衡不平衡转换器产品型号ATC100B470JT500XTATC100B430JT500XTATC100B101JT500XTATC100B7R5CT500XTCRACATC200B103KT50XTCRACATC100B102JT50XTCDR33BX104AKYSATC200B203KT50XTT491D106K035ATT491X226K035AT476KXM050MKT3ABMCGPR63V477M13X26--RH铜箔B06T铜线1812SMS--82NJ铜线JTUI--9TUO--4日前，Vishay通讯概念通讯概念Coilcraft公司Coilcraft公司生产厂家博览会 - 爱色丽ATCATCATCATC基美ATC基美ATC基美ATC基美基美伊利诺伊帽ATCMULTICOMP* L4缠绕在R1中。MRF6VP2600HR6RF设备数据飞思卡尔半导体公司3B1C16+C13C12C11C15L3L4，R1 *C22C21C20C14C9C8C7C6J1切出区L2C10T1C18C17T2C4J2C19C1L1C2C3 （侧面）MRF6VP2600H225兆赫第3版*L4缠绕在R1中。图3. MRF6VP2600HR6测试电路元件布局MRF6VP2600HR64RF设备数据飞思卡尔半导体公司--C23C24--C25--C5典型特征1000C国际空间站C，电容（pF ）COSS100测量±30MV（ RMS） AC @ 1兆赫VGS= 0伏ID，漏极电流（ AMPS ）TJ= 200_CTJ= 150_C10TJ= 175_C10010CRSS101020304050VDS，漏 - 源极电压（伏）11TC= 25_C10VDS，漏 - 源极电压（伏）100注意：设备的每一侧分别测得。图4.电容与漏极 -- 源电压26.526Gps，功率增益（分贝）25.52524.52423.52322.510100POUT，输出功率（瓦）脉冲VDD= 50伏直流，我DQ= 2600毫安F = 225 MHz的脉冲宽度= 100微秒占空比= 20 ％Gps8070ηD,排水? FFI效率（ ％ ）POUT，输出功率（dBm ）6050ηD403020100100064注意：设备的每一侧分别测得。图5.直流安全工作区P3dB = 59.7 dBm的（ 938 W）62P2DB = 59.1 dBm的（ 827 W）605856545227的P1dB = 53.3 dBm的（ 670 W）理想实际VDD= 50伏直流，我DQ= 2600毫安， F = 225 MHz的脉冲宽度= 12微秒，占空比= 1 ％2829303132333435363738Pin输入功率（dBm ）图6.脉冲功率增益和漏极效率与输出功率2625Gps，功率增益（分贝）50 V24232221040 VVDD= 50伏直流IDQ= 2600毫安F = 225 MHz的脉冲宽度= 100微秒占空比= 20 ％10020030035 VVDD= 30 V40050060070045 VGps，功率增益（分贝）282726252423222110图7.脉冲CW输出功率与输入功率80TC= --30_C25_C85_CVDD= 50伏直流，我DQ= 2600毫安F = 225 MHz的脉冲宽度= 100微秒占空比= 20 ％ηDGps706050403020101000ηD,排水? FFI效率（ ％ ）100POUT，输出功率（瓦）脉冲POUT，输出功率（瓦）脉冲图8.脉冲功率增益与输出功率图9.脉冲功率增益和漏极效率与输出功率MRF6VP2600HR6RF设备数据飞思卡尔半导体公司5飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRF6V2150N第4版， 4/2010射频功率现场-Effect晶体管N
- 沟道增强 - 模式横向的MOSFET信号输出和驱动器应用 - 主要用于CW大设计频率高达450 MHz 。设备是无与伦比的，并适用于在使用中工业，医疗和科学应用。o在220 MHz的典型CW性能： VDD= 50伏，我DQ= 450毫安，POUT= 150瓦功率增益 - 25分贝漏极效率 - 68.3 ％o能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 220兆赫， 150瓦CW输出功率特点o特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数o合格高达50伏的最大DD手术o集成ESD保护o225℃有能力塑料包装o符合RoHSo在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。MRF6V2150NR1MRF6V2150NBR110--450兆赫， 150 W， 50 V横向N-声道单-ENDED宽带RF功率MOSFETCASE 1486--03 ，风格1TO
-WB- -270-4塑料MRF6V2150NR1CASE 1484--04 ，风格1TO
-WB- -272-4塑料MRF6V2150NBR1部分单-ENDED表1.最大额定值等级漏 - 源极电压栅 - 源电压存储温度范围情况下的工作温度工作结温(1,2)符号VDSSVGST英镑TCTJ价值-- 0.5, +110-- 0.5, + 12- 65 ?+ 150150225单位VDCVDC°C°C°C（ TOP VIEW ）符号RθJC价值(2,3)0.24单位° C / W注：包的背面裸露的是源极端子的晶体管。RFin/VGSRFOUT/VDSRFin/VGSRFOUT/VDS表2.热特性特征热阻，结到外壳外壳温度80 ° C， 150瓦CW图1.引脚连接表3. ESD保护特性测试方法人体模型（每JESD22 - A114 ）机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）充电器型号（每JESD22 - C101 ）类2 （最小）A（最小）IV （最低）在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF计算器副产品。3.请参阅AN1955 ，射频功率放大器的热测量方法。去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1955 。(C)飞思卡尔半导体公司，
， 2010。保留所有权利。MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR11RF设备数据飞思卡尔半导体公司表4.湿度敏感度等级测试方法每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020等级3封装峰值温度260单位°C表5.电气特性(TA= 25 ° C除非另有说明）特征开关特性零栅极电压漏极漏电流(VDS= 100伏，VGS= 0伏）零栅极电压漏极漏电流(VDS= 50伏，VGS= 0伏）漏极 - 源极击穿电压(ID= 75 mA时， VGS= 0伏）门 - 源极漏电流(VGS= 5伏，VDS= 0伏）基本特征栅极阈值电压(VDS= 10 VDC ，我D= 400μAdc ）门静态电压(VDD= 50伏直流，我D= 450 MADC ，测量功能测试）漏极 - 源极导 - 电压(VGS= 10 VDC ，我D= 1 ADC）动态特性反向传输电容(VDS= 50伏直流±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输出电容(VDS= 50伏直流±30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，VGS= 0伏）输入电容(VDS= 50伏，VGS= 0伏±30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）功率增益漏EF网络效率输入回波损耗功率增益漏EF网络效率输入回波损耗F = 27MHz的F = 450 MHz的F = 27MHz的F = 450 MHz的F = 27MHz的F = 450 MHz的CRSSCOSSC国际空间站———1.693163———pFpFpFVGS （ TH）VGS （ Q）VDS （ ON）11.5—1.622.60.2633.5—VDCVDCVDCIDSSIDSSV（ BR ） DSSIGSS——110—————2.550—10mAμAdcVDCμAdc符号民典型值最大单位功能测试（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 50伏直流，我DQ= 450毫安，POUT= 150 W， F = 220 MHz的CWGpsηDIRLGpsηDIRL23.566———————2568.3--1732.322.978.757.6--10.6--17.626.5—--9——————dB%dBdB%dB典型的表演（飞思卡尔在27 MHz和450 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）VDD= 50伏直流，我DQ= 450毫安，POUT= 150瓦CW注意： MRF6V2150N和MRF6V2150NB高功率器件和特殊注意事项必须遵循的电路板设计和安装。不正确的安装可能导致内部温度，这超过允许的最大工作结温。请参阅飞思卡尔应用笔记AN3263（螺栓向下安装）或AN1907 （回流焊接安装）启动前系统设计to确保这些设备的正确安装。MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR12RF设备数据飞思卡尔半导体公司B3B1VBIAS+C1+C2+C3C4C5C6C7R1B2L2+C17C18C19C20V供应L1C8RF输入C9C10 C11 R2Z3Z4Z5L3Z6Z7Z8Z9C14C15C16RF产量Z10C23C21C22Z11Z1C12Z2C13DUTZ1Z2Z3Z4Z5Z6, Z70.352 “× 0.082 ”微带0.944 “× 0.082 ”微带1.480 “× 0.082 ”微带0.276 “× 0.220 ”微带0.434 “× 0.220 ”微带0.298 “× 0.630 ”微带Z8Z9Z10Z11PCB0.443 “× 0.170 ”微带2.360 “× 0.170 ”微带0.502 “× 0.170 ”微带0.443 “× 0.082 ”微带阿尔隆CuClad 250GX -
， 0.030 “ ，εr= 2.55图2. MRF6V2150NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图 - 220兆赫表6. MRF6V2150NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值 - 220兆赫部分B1, B2B3C1C2C3C4, C17C5, C18C6, C11, C19C7, C8, C15, C16C9, C12, C14, C23C10C13C20C21C22L1L2L3R1R2描述95Ohm,100 MHz的龙铁氧体磁珠，表面贴装47Ohm,100 MHz的短铁氧体磁珠，表面贴装47μF,50 V电解电容22μF,35 V钽贴片电容器10μF,35 V钽贴片电容器39 ? pF的贴片电容22 ? pF的贴片电容0.1μF,50 V贴片电容2.2μF,50 V贴片电容1000 pF的贴片电容220 nF的贴片电容75 pF的贴片电容470μF,63 V电解电容30 pF的贴片电容33 pF的贴片电容4将＃ 18 AWG ， 0.18 “ ID82 nH的电感器17.5 nH的电感器270Ohm,1/4 W??贴片电阻27Ohm,1/4 W??贴片电阻产品型号476KXM063MT494X226K035ATT491D106K035ATATC200B393KT50XTATC200B203KT50XTCDR33BX104AKYSCRACATC100B102JT50XTCRACATC100B750JT500XTESME630ELL471MK25SATC100B300JT500XTATC100B330JT500XT无1812SMS--82NJLB06TJLCRCWFKEACRCW12064R75FKEA生产厂家博览会 - 爱色丽博览会 - 爱色丽伊利诺电容基美基美ATCATC基美基美ATC基美ATC美贵弥功 - 精读ATCATC无Coilcraft公司Coilcraft公司日前，Vishay日前，VishayMRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR1RF设备数据飞思卡尔半导体公司3C1C2C3+B1C4C5C6B2R1C8C15*C16*L2C19C18C17B3+C20C7C10C11C9R2C12L3C14L1切出区C21C22C23C13MRF6V2150N/NB第3版*叠放图3. MRF6V2150NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局 - 220兆赫MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR14RF设备数据飞思卡尔半导体公司典型特征1000100100COSS测量±30MV（ RMS） AC @ 1兆赫VGS= 0伏CRSSID，漏极电流（ AMPS ）C国际空间站C，电容（pF ）1010101020304050VDS，漏 - 源极电压（伏）11TC= 25°C10VDS，漏 - 源极电压（伏）100200图4.电容与漏极 -- 源电压54Gps，功率增益（分贝）VGS= 3 V32.75 V22.5 V12.25 V00204060801001202112.63 V27262524337毫安2322225毫安图5.直流安全工作区IDQ= 675毫安563毫安450毫安ID，漏极电流（ AMPS ）VDD= 50伏直流F = 220 MHz的10POUT，输出功率（瓦） CW100200漏极电压（伏）图6.直流漏电流与漏极电压--10IMD ，三阶互调失真（ DBC）--15--20--25--30--35--40--45--50--55--60510100POUT，输出功率（瓦）人教版30058565452504822图7. CW功率增益与输出功率VDD= 50伏直流电， F1 = 220兆赫， F2 = 220.1兆赫两个 - 音频测量， 100 kHz音调间距IDQ= 225毫安336毫安450毫安563毫安685毫安900毫安POUT，输出功率（dBm ）P3dB = 52.61 dBm的（ 182.39 W）的P1dB = 52.27 dBm的（ 168.66 W）理想实际VDD= 50伏直流，我DQ= 450毫安F = 220 MHz的2426283032Pin输入功率（dBm ）图8.三阶互调失真与输出功率图9. CW输出功率与输入功率MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR1RF设备数据飞思卡尔半导体公司5
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