测试ingaas半导体参数测试仪有哪些手段

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-03-16 09:21 标签： 半导体封装测试
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InGaAsSb半导体激光器欧姆接触的研究
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内容提示：InGaAsSb半导体激光器欧姆接触的研究
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InGaAsSb半导体激光器欧姆接触的研究
关注微信公众号C10633-34 制冷型InGaAs相机
C10633-34是一款近红外相机，使用640&512像素的InGaAs传感器。其-70 ℃的半导体制冷效果可显著降低暗电流，达到提高像质和长时曝光成像的目的。此外，非破坏性读出提高了信噪比，对弱光成像提供了很高的灵敏度。其独特的真空密封头确保在无需周期性保养的情况下，经过多年也可以具有很好的制冷效果。
--900 nm到1520 nm近红外波段高灵敏度
--高分辨率：640&512像素
--半导体制冷-70℃，暗电流低
--真空密封头，无需保养
--非破坏性读出特性
--使用EL或PL进行太阳能电池和面板的检测
--通信器件研发
--半导体检测
--热成像仪
InGaAs传感器
有效像素数
640 (H)&512 (V)
20 &m (H)&20 &m (V)
12.8 mm (H)&10.24 mm (V)
1.6 帧/秒，0.88帧/秒（使用HCImage*1校正）
自由运行模式和外部控制模式边沿触发下1.305 ms（855 &s步长），外部控制模式电平触发下750 &s
半导体+水制冷
-70 ℃（水温+20 ℃）
132electron/pixel/s（典型值）
外部触发模式
边沿触发（破坏性读出模式）、电平触发（破坏性读出模式）
AC100 V 到 AC240 V, 50 Hz/60 Hz
0 ℃到+40 ℃
-10 ℃到+50 ℃
最大70 % （无凝结情况下）
*1该值为在33 ms曝光时读出噪声和暗电流的总和
外形尺寸图
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