双扩散动态阈值晶体管的概念念是什么，双扩散晶体管是什么意思

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-04-18 03:10 标签： 异质结双极性晶体管
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晶体管这个词仅是对所有以半导体材料为基础的元件的统称，那么问题来了，晶体管有哪些类型，其工作原理又是什么呢?一、晶体管工作原理晶体管，英文名称为transistor，泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，如二极管、三极管、场效应管等等。晶体管具有整流、检波、放大、稳压、开关等多种功能，具有响应速度快、精度高等特点，是规范化操作手机、平板等现代电子电路的基本构建模块，目前已有着广泛的应用。二、晶体管分类及其工作原理晶体管泛指所有半导体器件，包含N多种类，因此其也具有多种不同的分类方式。晶体管根据使用材料的不同可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管;根据极性的不同可分为NPN型晶体管和PNP型晶体管;根据结构和制造工艺的不同可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管;其还可根据电流容量的不同、工作频率的不同、封装结构的不同等分类方式分为不同的种类。但晶体管多指晶体三极管，主要分为双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)，接下来我们就以BJT和FET为例来讲述晶体管的工作原理。1.双极性晶体管双极性晶体管，英语名称为Bipolar Transistor，是双极性结型晶体管的简称，由于其具有三个终端，因此我们通常将其称为三极管。三极管由两个PN结构成，两个PN结将其分为发射区、基区和集电区，相应的产生三个电极：发射极、基极和集电极。三极管的工作原理是这样子的，首先，电源作用于发射结上使得发射结正向偏置，发射区的自由电子不断的流向基区，形成发射极电流;其次，自由电子由发射区流向基区后，首先聚集在发射结附近，但随着此处自由电子的增多，在基区内部形成了电子浓度差，使得自由电子在基区中由发射结逐渐流向集电结，形成集电极电流;最后，由于集电结处存在较大的反向电压，阻止了集电区的自由电子向基区进行扩散，并将聚集在集电结附近的自由电子吸引至集电区，形成集电极电流。硬之城(),2.场效应晶体管场效应晶体管，英语名称为Field Effect Transistor，简称为场效应管，是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道，接下来我们就以N沟道结型场效应管为例来对场效应管的工作原理进行说明。对应于三极管的基极、集电极和发射极，场效应管分别是栅极、漏极和源极。在其栅-源间加负向电压、漏-源间加正向电压以保证场效应管可以正常工作。所加负向电压越大，在PN结处所形成的耗尽区越厚，导电沟道越窄，沟道电阻越大，漏极电流越小;反之，所加负向电压越小，在PN结处所形成的耗尽区越薄，导电沟道越厚，沟道电阻越小，漏极电流越大。由此通过控制栅-源间所加负向电压完成了对沟道电流的控制。
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什么叫双极性晶体管与单极性晶体管有什么区别?
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双极性晶体管（又称双极性三极管，Bipolar Junction Transistor）根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个P-N结。可分成PNP Image:BJT symbol PNP.png和 NPN Image:BJT symbol NPN.svg 两大类。
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BJT symbol NPN.svg 两大类。
如下所示：1，双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区，是一种具有三个终端的电子器件。 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极。以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。2，单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管。只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件,两端做成欧姆接触的两个基极这两种管的结构和作用都不相同
双极是指导电性由两种载流子决定，即电子和空穴。场效应管是单极性元件，其导电性只是电子（N型）或者只是空穴（P型）。而三极管是一种双极性元件。
晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载子晶体管。单极性当然只有一种载流子了~
说真的，我没听过单极性晶体管，真不好意思。我只知道晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流的器件可以分为两类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。 晶体管有三个极，双极性晶体管的三个极分别是发射极、基极和集电极，场效应晶体管的三个极分别是源极、栅极和漏极。 你的单极性晶体管是不是指的二极管？
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按字母分类 ：横向双扩散MOS晶体管（Lateral Double-diffused MOSFET，LDMOS）： 这是着眼于减短沟道长度的一种横向导电MOSFET，通过两次扩散而制作的器件称为LDMOS；也可以通过两次离子注入来制作——得到所谓双注入MOSFET(简称为DIMOS)。这是功率（电力）MOSFET和功率IC的基本结构。 这种横向导电MOSFET的优点就在于：沟长L与光刻精度无关 (主要决定于杂质扩散精度或多晶硅栅掩蔽注入的精度), 则可控制L到1μm以下；较高掺杂的p区把源区和漏区隔开来了, 使得S-D之间不容易穿通, 则耐压提高；轻掺杂n区的表面导电很好, 电子容易达到饱和速度；n区可承受较高的电压, 则提高了击穿电压；在漏结附近, 击穿电压提高，而电离倍增和热电子注入效应降低；电极均在同一表面上, 容易集成。 缺点是：阈值电压的控制比较困难 (阈值电压主要决定于p区表面的掺杂浓度)；沟道区是高掺杂区，表面电容较大, 则器件的亚阈特性较差；管芯占用面积较大, 频率特性也受到一定的影响。
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