为什么电子的电子迁移率 计算比空穴的电子迁移率 计算

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-05-09 03:19 标签： 高电子迁移率晶体管
请问如何测量材料的空穴迁移率和电子迁移率?怎么区别它们?_百度知道
请问如何测量材料的空穴迁移率和电子迁移率?怎么区别它们?
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果断测霍尔，可以得到霍尔系数，正值表示p型，负值表示n型，还可以得到载流子浓度和迁移率，多划算啊，一个实验，三个数据
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硅基不同晶面上的空穴迁移率研究
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硅基不同晶面上的空穴迁移率研究
关注微信公众号模拟结果显示：无论是单轴压应力还是双轴张应力，都使得空穴迁移率增大。
The simulation results show that both uniaxial compression and biaxial tension can enhance the hole mobility.
首先分析了应变硅形成机理、能带结构变化、空穴态密度有效质量，进而分析了空穴迁移率增强机理。
The formation mechanism, energy band, hole density-of-state effective mass of strained Si have been analyzed first. , then hole mobility enhancement mechanism is analyzed.
例如，通过在沟道中引入适当的压应力和张应力能分别提高PMOS的空穴迁移率和NMOS的电子迁移率。
For example, the hole mobility in PMOS and the electron mobility in NMOS can be significantly enhanced by introducing appropriate compressive and tensile channel stresses, respectively.
研究发现载流子迁移率同时影响光生电子-空穴对的解离和载流子的输运过程，电子和空穴的迁移率都有一个最佳值。
It is found that the mobility influences the carrier generation and transport simultaneously. There is an optimal value both for electron mobility and hole mobility.
增强的空穴沟道迁移率导致导通电阻的沟道部分减小，因此，有利地减少了装置的全“导通”电阻。
The enhanced channel mobility of holes leads to a reduction of the channel portion of the on-state resistance, thereby advantageously reducing total 'on' resistance of the device.
而霍耳系数取决于半导体材料中电子浓度和空穴浓度的相对大小及其迁移率之比。
Hall coefficient depends on electronic concentration and the relative values of empty hole concentrations and their migration rate in the semiconductor.
非计量掺杂碘时，空穴浓度大于电子浓度，载流子浓度和迁移率同时影响导电率。
In the calculated doped state, the concentration of the holes is larger than that of the electrons, the conductive ratio is influenced by both the carrier concentration and transferring.
本文主要研究应变硅空穴各机制散射几率及空穴迁移率与晶向、应力的理论关系。
The main work is focused on models of hole scattering mechanisms and hole mobility which is related to the crystal orientations and stress of strained Si.
研究表明：NPB分子的空穴传输能力最为优越；3种分子的N原子部位均具有高的空穴迁移率。
It is shown that, of the three molecules, NPB has the most excellent hole-transmission capability, and, all the three molecules have high hole-transmission rate in the locations of their N-atoms.
研究表明：NPB分子的空穴传输能力最为优越；3种分子的N原子部位均具有高的空穴迁移率。
It is shown that, of the three molecules, NPB has the most excellent hole-transmission capability, and, all the three molecules have high hole-transmission rate in the locations of their N-atoms.
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为什么电子迁移率比空穴快？
作者：overcomeyu　栏目：
为什么电子迁移率比空穴快？为什么电子迁移率比空穴快？导带的电子和价带的空穴所处的固体内部势场有什么不同，向高手细细讨教！！！！！！！！！！如果没有别的原因，我怎么觉得它们的地位是等价的啊。对于本征半导体导带中电子是从价带激发上去的自由电子，价带中的空穴？？？confuse!!!!!!!
作者： code631 于
0:18:00 发布：
1为什么电子迁移率比空穴快？载流子在一定电场下获得的动能为：-qEt=mv其中：q为电子量，E为外加电场，t为平均自由程，m为电子质量，v为平均迁移速度，v=-qEt/m,正比于迁移率，由于电子的质量小雨空穴，因此迁移率绝对值大于空穴。
作者： code631 于
0:20:00 发布：
2导带的电子和价带的空穴所处的固体内部势场有什么不同？导带电子所处能级要比价带的空穴能级高至少一个禁带宽度。
作者： code631 于
0:27:00 发布：
3如果没有别的原因，我怎么觉得它们的地位是等价的啊。对于本征半导体导带中电子是从价带激发上去的自由电子，价带中的空穴？？？在热平衡下，本征半导体中，介带顶端电子在绝对温度大于0度时受热震动和光照能因素激发获得足够能量到达导带，称为本征激发。留下等量空穴在介带中，此时费米能级接近禁带中央。
作者： waver411 于
19:33:00 发布：
哦对半导体确实头疼啊ls的太厉害了
作者： terrylo 于
14:18:00 发布：
我也弄不明白没有去问老师?
作者： overcomeyu 于
22:21:00 发布：
简单的说说可以定量计算电子的有效质量和空穴的有效质量，迁移率和有效质量之间有直接的关系。也可以从场的情况定性的解释。
作者： glchun 于
16:16:00 发布：
linchun.我回复一下吧-qEt=mv这个公式可以说明一部分问题另外：E=1/2mv^2.当绝对温度超过0度时，晶格热振动从外界获得能量。激发载流子从价带顶跃迁到导带底，从而变成可动的载流子而能够导电。但导电性能也取决于载流子的迁移率也就是速度。从上面的公式：获得相等的能量的同时，质量大的速度当然就小了。
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