三极管只有两只脚走路单向导通,其他均不通,是什么三极管

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&&&& 东莞市润之电子有限公司是一家专业生产电解电容的生产厂家,同时代理各大品牌的贴片元件,及批发零售电解电容、CBB电容、校正电容、安规电容、独石电容、涤纶电容,热敏电阻、压敏电阻、光敏电阻、二三极管、LED、光耦桥堆、电感磁珠等电子元件。在消费者当中享有较高的地位。公司经销的品种齐全、价格合理。实力雄厚,重信用、守合同、保证产品质量,交货准快捷,以多品种经营特色和薄利多销为原则,赢得了广大客户的信任。欢迎广大新老客户携手合作,共创美好未来!&温馨提示:实物拍摄供参考,详情请来电或者旺旺咨询!&&& 1.编带三极管是将散装的三极管用机器加工成编带样式,以方便机器插件,请根据PCB电路板上面的元件脚位选择合适的编带产品(常用脚距2.5mm)。&2.编带三极管TO-92,1000个(1K)起做。&3.只想购买样品的客户请自行承担快递费,常用样品(10个)免费,非常用料酌情收取样品费!&4.对于本产品不是很了解的客户请参阅规格书&&&&1&基本介绍  双极性晶体管(英语:bipolar transistor),全称双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管,是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明,其发明者威廉&肖克利、约翰&巴丁和沃尔特&布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。  这种晶体管的工作,同时涉及电子和空穴两种载流子的流动,因此它被称为双极性的,所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同,后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。  双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN晶体管为例,按照设计,高掺杂的发射极区域的电子,通过扩散作用运动到基极。在基极区域,空穴为多数载流子,而电子少数载流子。由于基极区域很薄,这些电子又通过漂移运动到达集电极,从而形成集电极电流,因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。  双极性晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。2&工作原理  晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。  NPN管它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。  在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于由于发射结正偏,,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(控穴)很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得:Ie=Ib+Ic这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即:&1=Ic/Ib式中:&--称为直流放大倍数,集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为:&=△Ic/△Ib式中&--称为交流电流放大倍数,由于低频时&1和&的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,&值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。3&功能作用  三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数&(&=&DIC/&DIB, &D表示变化量。),三极管的放大倍数&一般在几十到几百倍。  三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫建立偏置 ,否则会放大失真。  在三极管的集电极与电源之间接一个电阻,可将电流放大转换成电压放大:当基极电压UB升高时,IB变大,IC也变大,IC 在集电极电阻RC的压降也越大,所以三极管集电极电压UC会降低,且UB越高,UC就越低,&DUC=&DUB。4&主要参数  1、直流参数  (1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级。  (2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的&倍即Iceo=(1+&)IcbooIcbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大。  (3)发射极---基极反向电流Iebo集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流。  (4)直流电流放大系数&1(或hEF)这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即:&1=Ic/Ib  2、交流参数  (1)交流电流放大系数&(或hfe)这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即:&=△Ic/△Ib一般晶体管的&大约在10-200之间,如果&太小,电流放大作用差,如果&太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定。  (2)共基极交流放大系数&(或hfb)这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即:&=△Ic/△Ie因为△Ic<△Ie,故&<1。高频三极管的&>0.90就可以使用&与&之间的关系:&=&/(1+&)&=&/(1-&)&1/(1-&)  (3)截止频率f&、f&当&下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率f&;当&下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率f&of&、f&是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为:f&&(1-&)f&  (4)特征频率fT因为频率f上升时,&就下降,当&下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。  3、极限参数  (1)集电极最大允许电流ICM当集电极电流Ic增加到某一数值,引起&值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但&值显著下降,影响放大质量。  (2)集电极----基极击穿电压BVCBO当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO。  (3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO。  (4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿。  (5)集电极最大允许耗散功率PCM集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce&Ic.使用时庆使Pc<PCM。PCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM。5&特性曲线  1、输入特性其特点是:  1)当Uce在0-2伏范围内,曲线位置和形状与Uce有关,但当Uce高于2伏后,曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线(Ⅰ和Ⅱ)表示即可。  2)当Ube<UbeR时,Ib&O称(0~UbeR)的区段为&死区&当Ube>UbeR时,Ib随Ube增加而增加,放大时,三极管工作在较直线的区段。  3)三极管输入电阻,定义为:rbe=(△Ube/△Ib)Q点,其估算公式为:rbe=rb+(&+1)(26毫伏/Ie毫伏)rb为三极管的基区电阻,对低频小功率管,rb约为300欧。  2、输出特性  输出特性表示Ic随Uce的变化关系(以Ib为参数),它分为三个区域:截止区、放大区和饱和区。截止区当Ube<0时,则Ib&0,发射区没有电子注入基区,但由于分子的热运动,集电集仍有小量电流通过,即Ic=Iceo称为穿透电流,常温时Iceo约为几微安,锗管约为几十微安至几百微安,它与集电极反向电流Icbo的关系是:Icbo=(1+&)Icbo常温时硅管的Icbo小于1微安,锗管的Icbo约为10微安,对于锗管,温度每升高12℃,Icbo数值增加一倍,而对于硅管温度每升高8℃,Icbo数值增大一倍,虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈,但由于锗管的Icbo值本身比硅管大,所以锗管仍然受温度影响较严重的管,放大区,当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时,Ic随Ib近似作线性变化,放大区是三极管工作在放大状态的区域。饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时,Ic基本上不随Ib而变化,失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况,可能判别其工作状态。  截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域,三极管和导通时,工作点落在饱和区,三极管截止时,工作点落在截止区。6&产品检测  大功率晶体三极管的检测  利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法,对检测大功率三极管来说基本上适用。但是,由于大功率三极管的工作电流比较大,因而其PN结的面积也较大。PN结较大,其反向饱和电流也必然增大。所以,若像测量中、小功率三极管极间电阻那样,使用万用表的R&1k挡测量,必然测得的电阻值很小,好像极间短路一样,所以通常使用R&10或R&1挡检测大功率三极管。  普通达林顿管的检测  用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。因为达林顿管的E-B极之间包含多个发射结,所以应该使用万用表能提供较高电压的R&10K挡进行测量。  大功率达林顿管的检测  检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件,所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分,以免造成误判。具体可按下述几  步骤进行  晶体三极管  A用万用表R&10K挡测量B、C之间PN结电阻值,应明显测出具有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差异。  B在大功率达林顿管B-E之间有两个PN结,并且接有电阻R1和R2。用万用表电阻挡检测时,当正向测量时,测到的阻值是B-E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果;当反向测量时,发射结截止,测出的则是(R1+R2)电阻之和,大约为几百欧,且阻值固定,不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是,有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管,此时所测得的则不是(R1+R2)之和,而是(R1+R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。  带阻尼行输出三极管的检测  将万用表置于R&1挡,通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值,即可判断其是否正常。具体测试原理,方法及步骤如下:  A将红表笔接E,黑表笔接B,此时相当于测量大功率管B-E结的等效二极管与保护电阻R并联后的阻值,由于等效二极管的正向电阻较小,而保护电阻R的阻值一般也仅有20~50,所以,二者并联后的阻值也较小;反之,将表笔对调,即红表笔接B,黑表笔接E,则测得的是大功率管B-E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值,由于等效二极管反向电阻值较大,所以,此时测得的阻值即是保护电阻R的值,此值仍然较小。  B将红表笔接C,黑表笔接B,此时相当于测量管内大功率管B-C结等效二极管的正向电阻,一般测得的阻值也较小;将红、黑表笔对调,即将红表笔接B,黑表笔接C,则相当于测量管内大功率管B-C结等效二极管的反向电阻,测得的阻值通常为无穷大。  C将红表笔接E,黑表笔接C,相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻,测得的阻值一般都较大,约300~&;将红、黑表笔对调,即红表笔接C,黑表笔接E,则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻,测得的阻值一般都较小,约几欧至几十欧。7&产品分类  按生产工艺分:合金型、扩散型、抬面和平面型三极管。  按内部结构分:点接触型和面接触型三极管。  按工作频率分:低频三极管、高频三极管、开关三极管。  按功率分:小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管  按外形结构分:小功率封装、大功率封装、塑料封装等8&主要类别  三极管只有两种类型,即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还是N型材料即可。当用万用电表R&1k档时,黑表笔代表电源正极,如果黑表笔接基极时导通,则说明三极管的基极为P型材料,三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通,则说明三极管基极为N型材料,三极管即为PNP型。9&注意事项  锗三极管的增益大,频率响应好,尤其适用于低压线路。硅三极管的反向漏电流小,耐压高,温度漂移小,且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。  (1)加到管上的电压极性应正确。PNP管的发射极对其他两电极是正电位,而NPN管则是负电位。  (2)不论是静态、动态或不稳定态(如电路开启、关闭时),均须防止电流、电压超出最大极限值,也不得有两项或两项以上多数同时达到极限值。  (3)选用三极管主要应注意极性和下述参数:PCM、ICM、BUCEO、BUEBO、ICBO、&、fT和f&。因有BUCBO&BUCES&BUCER&BUCEO,因此,只要BUCEO满足要求就可以了。一般高频工作时要求fT=(5~10)f,f为工作频率。开关电路工作时应考虑三极管的开关参数。  (4)三极管的替换。只要管子的基本参数相同,就能替换,性能高的可替换性能低的。低频小功率管,任何型号的高、低频小功率管都可替换它,但fT不能太高。只要fT符合要求,一般就可以代替高频小功率管,但应选内反馈小的管子,hFE&20即可。对低频大功率管,一般只要PCM、ICM、BUCEO符合要求即可,但应考虑hFE、UCES的影响。应满足电路中有特殊要求的参数(如NF、开关参数)。此外,通常锗、硅管不能互换。  (5)工作于开关状态的三极管,因BUEBO一般较低,所以应考虑是否要在基极回路加保护线路,以防止发射结击穿;若集电极负载为感性(如继电器的工作线圈),则必须加保护线路(如线圈两端并联续流二极管),以防线圈反电动势损坏三极管。  (6)管子应避免靠近热元件,减小温度变化和保证管壳散热良好。功率放大管在耗散功率较大时,应加散热板(磨光的紫铜板或铝板)。管壳与散热板应紧密贴牢。散热装置应垂直安装,以利于空气自然对流。&&编带三极管S8050&&& TO-92&编带三极管S9014&&&& TO-92&编带三极管78L05&&&& TO-92&编带三极管TL431&&& TO-92&编带三极管S9015&&& TO-92&编带三极管A1015&&&& TO-92&&关于产品&&&1.由于产品型号众多,库存无法一一上传。购货前请与客服确认是否有现货再下订单。&& 2.特殊订做加工产品(如剪脚,编带,成型等)需要提前预订。且此类产品量大须付订金。订做加工类产品需要提供样品和规格书参数,(由于客户提供的样品和规格书参数错误引起的成品报废情况本公司不承担责任。且订金不予退回,恶意购退和差评等不正当行为本公司有权追究其法律责任。)订做产品一般三到五天内发货。售后非质量问题不予退货。请慎重选购!&&3.由于客户自己的原因订错货需要退换货时,(且未上机不影响二次销售)退换来回邮费由客户自行承担。不是我司销售货物,拒绝退货&&关于邮资&&&1.本店默认广东省内小件发&信丰快递&。广东省外小件发&中通快递&。指定发&顺丰&的,请联系客服补差价。&& 2.大货数量时,由天地华宇或者百世物流承运。&& 3.货款金额满1000元包邮。&& 4.偏远地区不参与包邮。温馨提示:1.如果您是第一次购物,或者您购物的物品种类繁多,请直接联系客服(告诉客服付款用的旺旺号)。由客服发起订单,您在后台生成的订单直接支付即可,不用再拍宝贝了!     2.如果您还有其它的问题,欢迎来电24小时服务热线: 小刘  &&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&         商务QQ:
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按字母分类 :三极管怎样判断管型
三极管怎样判断管型
(C)2017 列表网&琼ICP备号-12&增值电信业务经营许可证B2-&三极管导通,即ec两极间导通的条件是什么?导通后是否有压降?
另外从光耦的情况看,三极管的基极实际上只是产生了电流,整个管子就导通了,这怎么理解?
  当e、ce两个P-N结都是正偏时,三极管饱和导通。导通后c、e极间的电压Uce比P-N结的导通电压低。硅管约0.3V,锗管约0.1V左右。
  在光耦中,三极管只要有基极电流,就有可能导通。看三极管
集电极所接的电阻大小,在电阻比较大时,只要比较小的基极电流就可能使三极管导通。
其他答案(共3个回答)
作为开关,集电极输入直流正压,发射极接负载,基极输入的电压越高发射极输出越高,基极输入越低发射极输出越低,基极无电压就关掉输出。
饱和状态的定义是集电极电流不能随着基极电流的增大而增大了,就是三极管进入饱和状态。
饱和导通的条件:Ib足够大;C极不能开路,并有负载(电阻);
在电路中测ce...
1.三极管结构
X0202NN5BPH
(1) NPN型三极管结构。图6-6所示是NPN型三极管结构示意图。三极管由三块半导体构成,对于NPN型三极管而言,...
  所谓放大作用,就是看三极管的集电极电流的变化,与基极电流的变化之间的关系。在开关状态下,显然集电极电流不随基极电流的变化而变化,此时没有放大作用。但三极管能...
三极管是电流控制器件,饱和时流过的电流越大、如果驱动电流不够、压降就会上升,有足够的驱动电流、饱和压降都很小的,开关频率效果不好、速度较慢(因结电容大)。
首先判断是NPN或PNP,正极分别接触集电机和发射极,负极接基极,测阻值大则NPN\小则PNP.所谓小即数千欧至数百欧,所谓大即数十千欧至数百千欧。切记机械式万...
答: 在环保工程中,各种养殖场安全妥善处理动物粪便,无疑是一件大问题。现在有一种好办法,就是建大型沼气池来安全处理动物粪便,无疑是一种好方法。以前建沼气池密封是个大问...
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答: 1. 保持地板干燥清洁,避免与大量的水接触,若遇漏水于地面,必须及时擦干净,用风扇吹干,不能直接太阳暴晒或用电炉烘烤,以免干燥过快,地板干裂。
2. 不允许用碱...
答: 电机工程学学科教育编辑电机工程师通常会经过“电机工程学”、“电子工程”或“电力电子工程”等名目的学位教育
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