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vasp计算能带
vasp计算半导体能带时，原本是直接带隙，那么导带底和价带顶都应精确集中在Gamma点，但为什么能带图看起来在Gamma点能带比较分散呢？
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【答案】应助回帖
didadida321: 金币+100, ★★★很有帮助
10:34:23ben_ladeng: 请认真阅读此帖，http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=3711903。
并与两日内解释您和ID didadida321 之间的关系。
12:28:05ben_ladeng: 金币-80, 收回转移金币
15:15:27ben_ladeng: 金币-20, 处罚金 20 BB
15:16:09ben_ladeng: 若有异议 请去此帖 http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=6520683 申诉
估计是计算方法的问题，看看文献对比一下了.............
(初入文坛)
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虫号: 1547871
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【答案】应助回帖
★ ★ 感谢参与，应助指数 +1liliangfang: 金币+2, 谢谢交流
具体体系，XC泛函？
没有低级计算错误的话，就是这个XC描述这个体系就算不对
(正式写手)
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虫号: 1702537
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能带如图，在价带顶为什么比较平坦呢？
(正式写手)
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虫号: 1406244
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★ ★ franch: 金币+2, 谢谢回帖交流
我估计你是算的纳米线之类的东西。具体的数值你还是要看数据，不能只看图，跟文献比较哈，直接带隙也不一定都在伽马点。
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vasp5.2计算半导体Si光学性质的总结
前一段时间计算了Si的光学性质，现在整理下帖出来，希望对光学方面的虫友有帮助，当然有不当的地方请大家指教。由于DFT方法计算出的半导体带隙不太准确，所以这里在用HSE杂化计算能带后直接计算光学性质
就顺水提出的问题，做下面说明，标志红色
1.建模结构优化这里就不说了
2..优化后DFT计算（HSE杂化需要DFT的支持）这里需要说明的是后面计算要用到这步的波函数
System = diamond Si
ENCUT = 400
ISTART = 0
ICHARG = 2
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.1
PREC = Accurate
EDIFF = 1.0E-05
EDIFFG = -0.001
IBRION = -1
GGA = PS（此处如果用GGA = PS请在POTCAR中修改LEXCH&&= PS）
Automatic mesh
Si-Diamond:& && && && && && && && && &&&
& &5.00& &&&
& &&&0.0000& & 0.0000& & 0.0000
& &&&0.0000& & 0.0000& & 0.0000
& &&&0.0000& & 0.0000& & 0.0000
Selective dynamics
&&0.0&&0.0000& &T& &T& &T
&&0.0&&0.0000& &T& &T& &T
&&0.&&0.&&0.
&&0.&&0.&&0.
3.HSE06计算（此步在DFT基础上）这步用到上步的波函数
SYSTEM = Si-Diamond
ISTART = 1
ICHARG = 2
EDIFF = 0.00001
EDIFFG = -0.001
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.1
ENCUT = 400
ENAUG = 800
LREAL = .FALSE.
LWAVE = .TRUE.
LCHARG = .TRUE.
NELM = 200
IBRION = -1
LMAXMIX = 4
LHFCALC = .TRUE.
HFSCREEN = 0.2
ALGO = Damped
TIME = 0.4
ENCUTFOCK = 0
AEXX = 0.25
NBANDS = 24（此处为DFT计算是的2—3倍）根据说明要有足够的空带
其他文件从DFT文件夹拷贝过来，运行vasp计算
4.optic计算（这步用到上面的波函数）
SYSTEM = Si-Diamond
ISTART = 1
ICHARG = 2
EDIFF = 0.00001
EDIFFG = -0.01
ENCUT = 400
ENAUG = 800
NELM = 200
IBRION = 1
LMAXMIX = 4
ISMEAR = -5
LHFCALC = .TRUE.
HFSCREEN = 0.2
TIME = 0.4
ENCUTFOCK = 0
AEXX = 0.25
NELMIN = 5
LOPTICS = TRUE
CSHIFT = 0.1
NBANDS = 24
NEDOS = 2000
LRPA = .FALSE.& && && && &&&
LREAL = .FALSE.
LWAVE = .FALSE.& &
LCHARG = .FALSE.
KPOINTS：（此处为HSE计算时的2-3倍，关于这一点加密K点是为保证介电谱收敛）
Automatic mesh
其他全部文件从HSE06计算文件夹中拷贝
主要此处NPAR = 1，vasp运行时不可并行运行这里要说的是NPAR = 1按能带依次处理。如果此处还用并行那么vasp会要求你设置NPAR = number ，与NPAR = 1不合
5.结果（与实验值做比较）
介电函数实部：
介电函数虚部：
介电函数：
还有差别，欢迎大家指正
这里感谢顺水提出的问题，如大家还有问题，请指出并指出问题的关键及解决方法，不要让大家都感到很迷惑谢谢
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引用回帖:: Originally posted by liliangfang at
前一段时间计算了Si的光学性质，现在整理下帖出来，希望对光学方面的虫友有帮助，当然有不当的地方请大家指教。由于DFT方法计算出的半导体带隙不太准确，所以这里在用HSE杂化计算能带后直接计算光学性质
就顺水提出 ... 非常感谢楼主的好帖，极力推荐！
有两点小疑问，能否解疑一下？
一：在HSE06计算和光学的计算中都出现了ISYM = 0，请问加它和不加它结果会有什么区别吗？（计算时间上应该是有较大区别，对结果我不清楚，所说问一下。可以不加吗？我看到您的更早一点的贴子上是没有加它的）
二：光学计算中，NPAR = 1， 看到您和别人的讨论中提到，这时只能用一个node计算，这个node,是指一个节点吧？不是指一个核吧？（因为我们的机群是一个节点有8个核）
(正式写手)
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引用回帖:: Originally posted by liliangfang at
前一段时间计算了Si的光学性质，现在整理下帖出来，希望对光学方面的虫友有帮助，当然有不当的地方请大家指教。由于DFT方法计算出的半导体带隙不太准确，所以这里在用HSE杂化计算能带后直接计算光学性质
就顺水提出 ... 您好！如果体系较大，如30－40个原子，而我这里的机群是1个核1G内存，1个节点8核。您提到“主要此处NPAR = 1，vasp运行时不可并行运行”，这样的话我只能用1核（1G内存），似乎内存不足（用makeparam测试需约1.3G内存）。
& && &请问您有办法解决吗？
2.您提到DFT+HSE+OPTIC, 请问可不可省掉中间那步？（即直接DFT+OPTI(HSE）)
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虫号: 1124850
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vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
各位大仙，本人在计算半导体结构的时候，为何bands里面的带隙比dos里面的大一些？感觉明显的对应不上。
在计算SCF的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，bands的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，DOS计算时候ISMEAR=0，SIGMA=0.01.计算结束，scf里面的费米能级是-2.1285，bands里面的费米能级是-2.2053，dos里面的费米能级是-2.1273。
计算scf的时候K点选取为：4x4x2，dos计算时候K点选取为12x12x2。
下面是对应不上的图片：
希望大家多多帮忙。
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虫号: 305478
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【答案】应助回帖
★ uuv2010(金币+1): 多谢提示
引用回帖:: Originally posted by haowenping at
非常感谢热心的帮助，我觉得如果用ISMEAR=0，SIGMA=0.01的话，这个展宽已经很小了吧！ 我对VASP不熟，不过一般这里涉及两个smearing相关的参数，一个是计算电子结构的时候电子占据的展宽，可能会影响到scf的收敛性有关；另一个是绘制dos图的时候把DOS的峰展宽，它和scf的过程完全无关，只是用来调整绘制出DOS图的连续性。我建议的是调低后者，使你的DOS峰更分立，进而看出各个峰与能带能否对应上。只不过我不知道在VASP中具体的参数是哪个。
(知名作家)
老和山猥琐派九段
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虫号: 537452
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★ uuv2010(金币+1): 欢迎参加交流
差别在0.1eV以下是正常的。
你的结果很好~
但是图左右对不上，不知道怎么回事~
[ Last edited by cenwanglai on
at 11:10 ]
(小有名气)
在线: 658.9小时
虫号: 1087212
注册: 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
【答案】应助回帖
★ haowenping(金币+3): 谢谢~
18:49:27贺仪(金币+1): 多谢指教！
是不是ISMEAR的原因？ 体系不大的话算DOS用ISMEAR = -5比较合适吧，请指教~
(正式写手)
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虫号: 582657
注册: 性别: GG专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
引用回帖:: Originally posted by haowenping at
各位大仙，本人在计算半导体结构的时候，为何bands里面的带隙比dos里面的大一些？感觉明显的对应不上。
在计算SCF的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，bands的时候，ISMEAR=0，SIGMA=0.01，DOS计算时候ISMEAR=0，SIGM ... 借问楼主这个band和dos画在一起是怎么弄的?&&我以前用p4v现在貌似弄不成了
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1.建模结构优化这里就不说了
2..优化后DFT计算（HSE杂化需要DFT的支持）这里需要说明的是后面计算要用到这步的波函数
System = diamond Si
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ICHARG = 2
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.1
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IBRION = -1
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Si-Diamond:& && && && && && && && && &&&
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&&0.0&&0.0000& &T& &T& &T
&&0.0&&0.0000& &T& &T& &T
&&0.&&0.&&0.
&&0.&&0.&&0.
3.HSE06计算（此步在DFT基础上）这步用到上步的波函数
SYSTEM = Si-Diamond
ISTART = 1
ICHARG = 2
EDIFF = 0.00001
EDIFFG = -0.001
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.1
ENCUT = 400
ENAUG = 800
LREAL = .FALSE.
LWAVE = .TRUE.
LCHARG = .TRUE.
NELM = 200
IBRION = -1
LMAXMIX = 4
LHFCALC = .TRUE.
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LMAXMIX = 4
ISMEAR = -5
LHFCALC = .TRUE.
HFSCREEN = 0.2
TIME = 0.4
ENCUTFOCK = 0
AEXX = 0.25
NELMIN = 5
LOPTICS = TRUE
CSHIFT = 0.1
NBANDS = 24
NEDOS = 2000
LRPA = .FALSE.& && && && &&&
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这是我经过N多次计算总结出的比较可行的方案，错误应该是有的，希望你具体指出，并作出相应解释，大家一起学习，非常感谢... 楼主，你好，我用您的这个帖子，进行到HSE06这一步，就挑出来了，我想知道GGA是不是不想用GGA =PS?还是ENCUTFOCK要改为PRECFOCK来算？
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