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mlcc是什么电容
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MLCC是片式多层陶瓷电容器英文缩写.(Multi-layer ceramic capacitors) 按照温度特性、材质、生产工艺。MLCC可以分成如下几种：NPO、COG、Y5V、Z5U、X7R、X5R等。NPO、COG温度特性平稳、容值小、价格高；Y5V、Z5U温度特性大、容值大、价格低；X7R、X5R则介于以上两种之间。 　　按材料SIZE大小来分。大致可以分为 、、、0402 数值越大。SIZE就更宽更厚。目前常用的最多为3225最小为0402。 　　目前在便携产品中广泛应用的片式多层陶瓷电容器(MLCC)材料根据温度特性，主要可分为两大类：BME化的C0G产品和LOW ESR选材的X7R(X5R)产品。 　　C0G类MLCC的容量多在1000pF以下，该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tanδ(DF)。传统的贵金属电极(NME)的C0G产品DF值范围是(2.0～8.0)×10-4，而技术创新型贱金属电极(BME)的C0G产品DF值范围为(1.0～2.5)×10-4，约是前者的(31～50)%。该类产品在载有T/R模块电路的GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。 　　X7R(X5R)类MLCC的容量主要集中在1000pF以上，该类电容器低功耗主要涉及的性能指标是等效串联电阻(ESR)。
MLCC是英文Multi-Layer Ceramic Capacitor的首写字母，中文意思是多层陶瓷电容器，是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。MLCC除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。
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8 星 状焊接式——soldering star.11公司电容器分类-电解电容三电解电容分类 按照阳极分类: 有铝电解电容,钽电解电容,铌电解电容.铌电解电容很少 见. 按照阴极分类: 电解液,二氧化锰, TCNQ,PPY(聚吡咯)以及PEDT此类固体 聚合物. 1 电解液是最传统的电解质. 优点:最高能耐260度的高温，耐压性也比较强, 当介质被击穿的后，只 要击穿电流不持续，那么电容能够自愈。 不足:在高温环境下容易挥发、渗漏，对寿命和稳定 性影响很大，在高温高压下电解液还有可能瞬间汽化， 体积增大引起爆炸(就是常说的爆浆);另电解液所采用 的离子导电其导电率很低，只有0.01S/CM， 这造成电容的ESR值（等效串联电阻）特别高.12公司电容器分类-电解电容四2 二氧化锰。二氧化锰是钽电容所使用的阴极材料. 优点:二氧化锰传导方式为电子导电，导电率是电解液离子导电 的十倍(0.1S/CM),所以ESR比电解液低.耐高温特性也比较好. 不足: 在极性接反的情况下容易产生高温，在高温环境下释放出 氧气，同时五氧化二钽介质层发生晶质变化，变脆产生裂缝，氧 气沿着裂缝和钽粉混合发生爆炸。另外这种阴极材料的价格也比 较贵. 3 TCNQ是一种有机半导体，是一种络合盐。 优点: TCNQ的导电方式是电子导电，其导电率为1S/CM，是电解 液的100倍，二氧化锰的10倍.使用TCNQ作为阴极的有机半导体 电容，其性能非常稳定，也比较廉价. 缺点:热阻性能不好,其熔解温度只有230-240摄氏度.TCNQ是一种 氰化物,对环境有污染.在高温时容易挥发出剧毒的氰气,因此在生 产和使用中会有限制.13公司电容器分类-电解电容五4 PPY（聚吡咯）及PEDT这类固体聚合物导体. 使用PPY聚吡咯 和PEDT做为阴极材料的电容，叫做固体聚合物导体电容. 优点: 其电导率可以达到100S/CM(银和铜的水平)，这是TCNQ盐 的100倍，是电解液的10000倍,同时也没有污染。固体聚合物导 体电容的温度特性也比较好，可以忍耐300度以上的高温.当遇到 高温的时候，电解质只是熔化而不会产生爆炸. 缺点: 固体聚合物导体电容的缺陷在于其价格相对偏高，同时耐 电压性能不强.14公司电容器分类-电解电容六红线代表铝聚合物导体电容，绿色虚线表示普通铝电解液电容，蓝色虚线表 示钽二氧化锰电容，棕色虚线表示超大容量 （1000μF）、超大体积（后面的“Φ”符号代表了各自的体积）的铝电解液电 容。表格的X轴线表示频率，Y轴线表示阻抗，Y轴的阻抗数值越低，ESR值就 越低，性能就越好.15公司电容器分类-高压瓷片电容高压瓷片电容是用高介电常数并耐高压的的电容器陶瓷圆片或圆盘 作为介质，并将银层烧渗在陶瓷上作为电极制成. 一般工作电压超过250V就称为高压. 我们公司采购的产品电压为 250V-25KV, 现在一般用到的是250V-3KV. 因为工作电压较高,故而一般容量都较小. 主要特点： 1.容量损耗随温度频率具高稳定性 2.特殊的串联结构适合于高电压极 长期工作可靠性 3.高电流爬升速率并适用于大电流 回路无感型结构 应用：高频振荡，脉冲等要求较高的 高压瓷片电容 电路,消除高频干扰.16公司电容器分类-涤纶电容聚酯（涤纶）电容（CL） 电容量：40p--4u 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差但是损耗较大 （tgδ&0.01），且随频率变化. 应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路.涤纶电容17公司电容器分类-风机电容交流电机的旋转依靠电流产生的旋转磁场。三相电机流过的 是相位互差120度的三相电流，能产生旋转磁场。而单相电机流 过的单相电流不能产生旋转磁场，需要采取一定的方法使它产生 旋转磁场，就是用移相电容的方式(较少见的也有用铜环来裂相 的方式) .电容感应式电机有两个绕组，即启动绕组和运行绕组。 在启动绕组上串连了一个容量较大的电容器，当运行绕组和启动 绕组通过单项交流电时，由于电容器作用使启动绕组中的电流在 时间上比运行绕组的电流超前90度角，先到达最大值。使定子 与转子之间的气隙中产生了一个旋转磁场，在旋转磁场的作用下， 电机转子中产生感应电流，电流与旋转磁场相互作用产生电磁场 转矩，使电机启动及运行。此电容工作在交流电场合，是无极性 的，容量根据电机功率定. 220V电机中用的耐压一般选400V .18公司电容器分类-储能电容一储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变 换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为 40～450VDC、电 容值在 220～150 000uF 之间的铝电解电容器（如 EPCOS 公司 的 B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求， 器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过 10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。 超级电容器: 容量超大,通常为1-5000F,现在已经有130,000F的牵引型超级电 容器. 根据储能机理,可以将超级电容器分为双电层电容器和法拉 第准电容器两大类。双电层电容器是建立在双电层理论基础上。 充电时，电解质发生离解，阴阳离子分别向着正负极运动并吸附 在电极表面，形成双电层，电荷储存在双电层中。放电时，电子 通过外负载运动到正极，与正极的阳离子发生了电中和，同时电 极表面的阴阳离子发生了解吸，重新回到电解质主体中。法拉第 准电容在法拉第电荷转移的电化学变化过程中产生。H或一些碱 性金属 (Pb, Bi,Cu)在Pt或Au上发生单层欠电势沉积或多孔过渡金 属氧化物 (如RuO2、 IrO2)发生氧化还原反应时，电荷发生了迁 移和存储。19公司电容器分类-储能电容二优点: 1、超级电容器是绿色能源（绿色电池）,不污染环境；铅酸电池污 染环境，这个性能，为汽车行业解决了一大污染源。 2、超级电容器寿命长（1-50万次） ；铅酸电池寿命短（500次）， 易损坏，难管理，是铅酸电池的20~200倍，可以与设备同命运， 寿命成本低。 3、超级电容器充电速度快(0.3秒~15分钟);铅酸电池充电时间长 （5~8小时),很多电池就是充电时间长，续驶里程短。 4、超级电容器充放电效率高(98%);铅酸电池充放电效率低(70%); 5、超级电容器功率密度高（10.000W/kg） ；铅酸电池功率密度低 （300W/kg),差30多倍。 6、超级电容器彻底免维护，工作温度范围（-40~50） ；铅酸电池 电动车在-40℃续驶里程减少 90%，超级电容器只减少10%。 7、超级电容器电动大客车能量回收强，紧急制动能量回收高达 75%；铅酸电池能量回收仅为 5%，这点对公共大客车太重要了， 可以节约大量的燃料。 8、相对成本低。超级电容器价格比铅酸电池高三倍；但寿命，超 级电容器比铅酸电池高 20 倍，这点对公共大客车产业化非常重要。 20公司电容器分类-贴片电容凡是能进行SMT(Surface mounting technology)组装的电容都 叫贴片电容. SMT贴装工艺的好处主要在于生产方面，其自动化程度高，精度 也高，在运输途中不像插件式那样容易受损. 平时我们能见到的 多层陶瓷电容,以及部分电解电容(铝电容,钽电容,固体聚合物导体 电容)都是贴片组装电容. 电解电容SMT贴片工艺安装的电容，有黑色的橡胶底座. 在性能 方面，插件式电容对频率的适应性差一些，不过不到500MHz以 上的频率是很难体现出差异的.21公司电容器分类-钽电容钽电容也为电解电容. 它用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二 氧化锰. 钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽，它的介 电能力（通常用ε表示）比铝电容的三氧化二铝介质要高。因此 在同样容量的情况下，钽电容的体积能比铝电容做得更小. 温度特性、频率特性和可靠性均优于普通铝电解电容器，特别是 漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小， 单位体积下能得到最大的电容电压乘积. 对脉动电流的耐受能力 差，若损坏易呈短路状态.黄色小块为贴装钽电容22公司电容器分类-独石电容独石电容又名多层陶瓷电容(MLCC, Multilayer ceramic capacitor). 稳定性高,可靠性高. 对于电容器而言，小型化和高容量是永恒不 变的发展趋势。其中，要数多层陶瓷电容（MLCC）的发展最快. 小型化、高速度和高性能、耐高温条件、高可靠性已成为陶瓷电 容的关键特性. 下面我们简单介绍下MLCC.23MLCC 基本知识简介片式多层陶瓷电容器(MLCC)基本知识简介24MLCC简介主要内容1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11.MLCC概述及基本结构 瓷介的基本知识 电极材料的基本知识 生产工艺过程 MLCC型号规格说明 MLCC的一般电性能 电容器的性能测试 可靠性试验及失效的基本分析 电容器老化 MLCC的选用 MLCC的发展趋势25MLCC的基本结构及概述一独石电容器是由涂有电极的陶瓷膜素坯，以一定的方式叠层 起来最后经过一次焙烧成一整体，故称为“独石”也称多层陶瓷 电容器MLCC。独石电容器的特点是具有体积小、比容大、内电 感小、耐湿、寿命长、可靠性高的优点.26MLCC的基本结构及概述二普通MLCC馈通MLCC联排MLCC27MLCC的基本结构及概述三英制（通用） 公制（日本） 05 08
L(mm) 1.0 1.6 2.0 3.2 W(mm) 0.5 0.8 1.25 1.6 T(mm) 0.5 0.8 0.7～1.25 0.7～1.25121032253.22.50.9～1.770603产品280402产品MLCC的基本结构及概述四多层陶瓷电容器的起源可追逆到二战期间玻璃釉电容器的诞 生，由于性能优异的高频发射电容器对云母介质的需求巨大，而 云母矿产资源缺以及战争的影响，美国陆军通信部门资助陶瓷实 验室开展了喷涂下班釉介质和丝网刷银电极经叠层层共烧，再烧 附端电极的独石化工艺研究在战后得到进一步推广。并逐渐变为 今天的湿法工艺. 干法工艺要追溯到二战期间诞生的流延工艺技 术，在1943---1945后美国开始流延工艺技术的研究并组装一台 流延机为钢带流延机，并在1952年获得专利。二战后苏联与美 国电容器技术进入我国并形成一定的生产规模，为了改进性能， 扩大生产规模，60年代我国产业界开始尝试用陶瓷介质进行轧 膜 成型，印刷叠层工艺制造独石结构的瓷介电容器。29MLCC的基本结构及概述五在80年代随着SMT与MLC技术的发展，MLC的高比容介质薄 层化趋势突破专统厚度范围，干法流延方式被世界大多类MLC生 产厂家普遍使用. 80年代以来我国引进了干法流延和湿法印刷成 膜及相关生产技术，有效地改善了MLC制造工艺水平。 随后92--96年日本引入了SLOT-DIE流延头的新技术实现厚度为2— 25μm. 代表了流延技术的最高水平（先后有康井、平野、横山 生产的流延机）。 独石电容器是由涂有电极的陶瓷膜素坯，以一定的方式叠 层起来最后经过一次焙烧成一整体，故称为“独石电容器”,也 称多 层陶瓷电容器MLCC。30MLCC的基本结构及概述六独石电容器的特点是具有体积小、比容大、内电感小、耐湿、 寿命长、可靠性高的优点；独石电容器的发展取决于材料（包括 介质材料、电极浆料、粘合剂）和工艺技术的发展，其中陶瓷介 质有决定性作用。独石瓷介电容器有两种类型：一种为温度补偿 型（是MgTiO3、CaTiO3和TiO2或以这些为基础再加入稀土氧化物、 氧化铋、粘土等配制成的瓷料；而另一种是高介电系数型，以 BaTiO3主要成分高温烧成。31MLCC的基本结构及概述七为了降低成本，采用低温烧成温度（920度以下）的银电极、 钯、铂等贵金属匹配作电极浆料，电导率大、焊接方便、价格不 高、工艺性好，但银电极在高温、高湿、强直流电场作用下银离 子易迁移，是造成电容器失效的主要原因，故目前沿用低温烧结 用银钯结合（950---1100度）材料的用途由其性能所决定，而材 料的性能不是一成不变的，可以通过改变厚材料的纯度，粒度或 各种添加剂和各工艺因素等进行改性。 由于BaTiO3 （烧结温度一般在1300度以上烧成）制作独石 电容器需高熔点的贵金属，铂、钯、银作电极（内电极成本为 30%---80%）,其次是烧成时为避免内电极氧化，熔融、必需采 用贵金属。所以采用贱金属镍,镍在空气中会氧化，因而用镍电 极的MLC应在低氧分压下烧结，否则镍电极将氧化并向陶瓷内扩 散.32MLCC的基本结构及概述八独石电容器的可靠性: 在长期使用过程中，在高温和直流电 场作用下电性能逐渐变劣，表现损耗增加，绝缘下降甚至短路， （主要由于介质存在缺陷如微气孔、裂纹以陶瓷片薄的区域或由 内电极靠得较紧的部分其属增加导致发热从而降低了绝缘电阻。 MLCC沿着小型化、高频化、多功能化方向发展。广泛应用 于飞行仪器运载火箭、卫星定位、导航、雷达、电子对抗等微型 电子. MLCC结构特点： （片状、多层次结构、平行排列使印刷有效面积增大） 陶瓷本身为多孔性，而MLCC要求孔洞越少越好，故此每个工序 都能使MLCC产生致命的欠缺，严格控制每道工艺环节非常重要。33瓷介的基本知识一陶瓷是一个绝缘体。它在外加电场的作用下，正负电荷会偏 离原有的位置，从而表现出正负两个极性。绝缘体的极化特性 我们一般用介电常数ε来表示，即介质的K值。下面是不同材 料的介电常数： 真空： 1.0 空气： 1.004 纸： 4~6 玻璃： 3.7~19 三氧化二铝（Al2O3) : 9 钛酸钡（BaTiO3） ： 1500 功能陶瓷： 10~2000034瓷介的基本知识二电容器瓷根据国标按其温度特性分为两类:Ⅰ类电容器瓷(C0G) 和Ⅱ类电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）. 高频热补偿、热稳定电容器瓷属Ⅰ类瓷，? 瓷料主要成分是 其 MgTiO3、Ti9Ba2O20、BaTi4O9和Nd-Ba-Ti再加入适量的稀土类氧化 物等配制而成。其特点是介电常数较小（10～100） ，介质损耗小 （小于15×10-4） ，介电常数一般不随温度的变化而变化。高频热 补偿电容瓷常用来制造负温产品，此类产品用途最广的地方就是振 荡回路，? 彩电高频头. 像 低频高介电容器瓷属Ⅱ类瓷，是强介铁电陶瓷，? 般是指具有 一 自发极化特性的非线性陶瓷材料，其主要成份是钛酸钡(BaTiO3), 其特点是介电系数特别高，一般数千，甚至上万；? 电系数随温 介 度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场有非线性关系。35瓷介的基本知识三陶瓷介质的代号是按其陶瓷材料的温度特性来命名的。 ? 前 目 国际上通用美国EIA标准的叫法，用字母来表示。常用的几种陶 瓷材料的含义如下： Y5V：温度特性Y代表 －25℃； 5代表＋85℃； 温度系数V代表 －80％ ～ ＋30％ Z5U：温度特性Z代表 ＋10℃； 5代表＋85℃； 温度系数U代表 －56％ ～ ＋22％ X7R：温度特性X代表 －55℃； 7代表＋125℃ 温度系数R代表 ± 15％ NP0：温度系数是30ppm/℃（-55℃～＋125℃）36电极材料的基本知识一在MLCC中,内外电极是非常重要的组成部分,和产品质量和性 能有特别紧密的联系. 内 ? 电极主要是用来贮存电荷，其有效面积的大小和电极层的连 续性是影响电容质量的两大因素。 ? 电极主要是将相互平行的 外 各层内电极并联，? 使之与外围线路相连接的作用。片容的外电 并 极就是芯片端头。37电极材料的基本知识二片式电容的内电极是通过印刷而成。因此，内电极材料在 烧结前是以具有流动性的金属或金属合金的浆料的形式存在， ? 故叫内电极浆料，简称内浆。由于片式多层瓷介电容器采用 BaTiO3系列陶瓷作介质，此系列陶瓷材料一般都在 950℃～ 1300℃左右烧成；故内电极也一般选用高熔点的贵金属Pt、Pd、 Au等材料，要求能够大1400℃左右高温下烧结而不致发生氧化、 熔化、挥发、流失等现象。38电极材料的基本知识三目前，世界上常用的浆料有 Ni，Ag/Pd、纯 Pd 的浆料， Ag/Pd、纯 Pd均为贵重金属材料，价格昂贵。纯 Ag 的内电极因 烧结温度偏低，? 造的产品可靠性相对较差。因此，现在一般 制 很少使用。? 对银的低熔点和高温不稳定性，一般用金属 Pd 针 和 Ag 的合金来提高内电极的熔点和用 Pd? 抑致银的迁移性. 来 目前常用的内浆中Pd与 Ag的比例有3/7，6/4，7/3（分子为金 属 Pd，分母为金属Ag），而纯Pd 的内电极因价格昂贵也很少使用。39电极材料的基本知识四对于片式电容而言，其内电极成本占到电容器的 30%～ 80%，? 而采用廉价的金属作为内电极，是降低独石电容器成 从 本的有效措施。? 此，在日本和其他一些国家，早在 60 年代 因 开始研制开发以贱金属为内外电极的电子浆料。目前用 Ni 作内 电极，Cu 作外电极的工艺已十分成熟这样，高烧高可靠且用贱 金属可降低成本， 使得他们的片式电容目前在世界上具有很强 的竞争力. 非常值得一提的是,小日本很早就用铜做内电极使用在中温 烧结上, 铜具有良好的导电性, 价格也便宜.40电极材料的基本知识五金属镍作为内电极是一种较为理想的贱金属，而且具有较好 的高温性能，其作为电极的特点： (1) Ni原子或原子团的电子迁移速度较Ag? Pd-Ag都小。 和 (2) 机械强度高。 (3)电极的浸润性和耐焊接热性能好。? 但它在高温下易氧化成绿色的氧化亚镍，? 而不能保证内电 从 极层的质量。因此，它必须在还原气氛中烧成。 然而，恰恰相反, 含钛陶瓷如果在还原气氛中烧结，则Ti4+将 被还原成低价的离子而使陶瓷的绝缘下降。? 此，要使Ni电极 因 的质量和BaTiO3含钛陶瓷的介电性能同时得到保证的话，一般 采用保护性气氛状态烧结。41电极材料的基本知识六端电极起到连接瓷体多层内电极与外围线路的作用， 其对片 容最大的影响主要表现在芯片的可焊与耐焊性能方面。我们目前 有两种基本形式： (1)纯银端电极。因为银与锡的焊接时浸润性差，因此，此端电 极一般只适于手工烙铁焊。现在这种外电极已经非常少见. (2)三层电极，常用的有Ag-Ni-Sn、Ag-Ni-Au、Cu-Ni-Sn（BME）共 三层。42生产工艺过程独石电容的整个生产工艺过程是一个十分复杂的过程，? 对 其 生产环境，生产设备的精度，原材料的选取都有十分苛刻的要求， 通常流延成膜与丝网印刷工作间的洁净度一般控制在 左右，世界级水平。43生产工艺过程44生产工艺过程-配料配料(瓷浆制备)是MLCC生产工艺的第一道工序，关系产品成败. 原材料来料---------按工艺配方配制-------球磨----------成浆 配料术语 配料是将陶瓷粉和粘合剂及溶剂等按一定比例经过球磨一定 时间，形成陶瓷浆料。 粘合剂的作用是：通过分散过程，粘合剂均匀地包围着每一粒瓷 粉即每一粒瓷粉具有粘性，以便制作合格膜片。45生产工艺过程-配料配瓷浆所用的添加剂： 目前配制的瓷浆所用到的添加剂主要有：消泡剂、增塑剂、分散 剂 1、消泡剂作用是：消泡、抑泡. 2、增塑剂作用是：使膜片增加塑性和柔韧，不易断裂. 3、分散剂作用是：湿润及分散,可增强瓷粉和粘合剂亲和力，使 瓷粉容易分散在粘合剂中，并使体系稳定不易破坏。 通常添加剂对产品本身没有帮助,所以在质量保证的前提下,尽量 少使用或者不使用添加剂.46生产工艺过程-配料瓷浆所用的溶剂： 目前用于配制瓷浆所用的溶剂有甲苯、无水乙醇和其他一些 有机溶剂，其作用是：使瓷粉与粘合剂更好地均合均匀，使之具 有合适的粘度（即有调整瓷浆粘度的作用）。 我国现在鲜有水基瓷料,据说日本已经有水基瓷料. 水基瓷料 就是用水做溶剂取代有机溶剂. 这样可以节约成本,减少污染等.47生产工艺过程-配料瓷浆配方由瓷粉、粘合剂、溶剂、添加剂各组份按一比例组成. 瓷浆球磨（目的是使瓷浆分散好） 球磨工艺参数主要有球磨罐的转速（球磨机电机转速）、球磨 的时间。球磨原理及作用： 利用罐体转动，在重力作用下，球磨体间相互碰撞或相互摩擦而 过，提供撞击和剪切作用，使瓷粉颗粒解聚，同时，球间的浆料 处于高度湍流状态，使瓷粉得到分散。48生产工艺过程-配料球磨机 49生产工艺过程-流延流延术语：将陶瓷浆料通过流延机浇注口,使浆料涂布在绕行的 PET膜上，从而形成一层均匀的浆料薄膜层，再通过热风区干燥 后可得到陶瓷膜片。 工艺流程： 浆料处理 ----- 涂布---- 烘干--- 成膜 工艺过程： 1、浆料处理：流延前的浆料经过慢磨，过滤处理。 慢磨目的：防止浆料沉淀，对除泡有一定的作用。 过滤的目的：把浆料中残留的不良物去掉. 2、涂布：目的是涂成厚度均匀的膜片。 3、烘干：通过干燥区（通过抽风及温烘）使瓷浆溶剂挥发。50生产工艺过程-流延流延膜片要求： 1．瓷膜厚度：要一致性、均匀性，否则对产品容量集中程度带 来极大影响甚至造成产品不命中。 2．瓷膜外观：要求膜片分散性好，无(针孔、气泡、杂质、开裂、 线条、白点、)现象。 膜片外观不良会使产品耐压、损耗、容量、可靠性均受影响， 容易造成烧结后瓷体产生孔洞. 以上成膜为干法工艺. 成膜还有一种湿法工艺,我们在介绍压敏电阻器时再做介绍.51生产工艺过程-印刷印刷术语：按工艺要求，通过丝网版将内电极浆料印刷到陶瓷膜 片上。 印刷所需的工具及所用材料介绍： 1、丝网版：钢丝网（可按不同的规格分类各类规格有大错位网 与小错位网）,尼龙网等. 2、内电极浆料（内电极浆料有银钯浆和镍浆，银钯浆用于NME产 品的印刷，镍浆用于BME产品的印刷） 三．原理： 利用自动印刷机通过薄带走动，再利用丝网版和内电极浆料， 通过刮刀使内浆均匀印刷在陶瓷膜上，并使其形成一定规格的图 形，再经过烘箱烘干。52生产工艺过程-印刷MARK点切割线53生产工艺过程-印刷印刷工艺要求： 1．印刷厚度：印刷厚度要均匀，过厚易造成产品分层； 过薄易造成电极不连续、损耗高。 2．印刷重量：要稳定，否则对产品厚度及容量波动有一 定的影响。 3．印刷图形：要求平直、完整、清晰。 平直：印刷出来的图形四边要平直成线，而每个电极四边 也要平直，不能弯曲变形。 完整：电极图形要完整。不能存在锯齿状、毛刺（扫把形 状）、针孔、肥大、黑点的外观不良现象。 清晰：电极、切割线及停止点、MARK点要求印刷清晰。 印刷外观不良会使产品耐压、损耗、容量、可靠性均受影响，尤 其可靠性最受影响.54生产工艺过程-叠层叠层术语：把印刷有内电极的陶瓷膜片按设计的错位要求叠 压在一起，使之形成MLCC的巴块。55生产工艺过程-叠层工艺要求： 1.设计层数及错位数必须准确无误. 2.对位精度好（要求对位整齐准确、无移位）。 3.巴块厚度稳定（巴块厚度达到要求，力求保持相对一致）。 4.巴块外观无（污染、压痕、掉盖、露电极、起泡）。 此工序极易造成报废, 以及对位精度失准造成产品的可靠性及耐 压问题.56生产工艺过程-层压层压术语：将叠层好的巴块，用层压袋将巴块装好，抽真空包封 后用等静压方式加压使巴块中的层与层之间结合更加紧密、严实。 层压工艺要求： 1．工艺参数的设定（时间、温度、压力） 2．层压产品质量的检查（要求产品无开裂、无气泡）57生产工艺过程-切割切割术语：把层压后的巴块按产品所用的丝网规格利用切割机把 其分割成独立的芯片（电容器生坯）。58生产工艺过程-切割切割工艺要求： 1．工艺参数的选择（台温、刀温、刀深度、速度） 2、建网文档（即按工单丝网型号输入相关数据） 影响后果： （1）产品尺寸不一致影响封端时（掉板、卡板）编带时卡带或 翻片及给客户使用带来不便。 （2）外观质量缺陷导致后工序产品外观质量差（瓷损、露电 极）。 对产品可靠性及耐压产生不良影响.59生产工艺过程-排胶排胶术语: 将电容器生坯放置在承烧板上，按一定的温度曲线（最高 温度一般在400度℃左右），经高温烘烤 ，去除芯片中的粘合剂 等有机物质。 排胶作用： 1） 排除芯片中的粘合剂有机物质，以避免烧结时有机物质的快 速挥发造成产品分层与开裂，以保证烧出具有所需形状的完好的 瓷件。 2） 消除粘合剂在烧成时的还原作用。60生产工艺过程-排胶堆烧排片通常要用到介质粉末,以防止堆烧时产品粘在一起导 致报废.61生产工艺过程-烧结烧结术语: 将排胶完成的芯片进行高温处理，一般烧结温度在 1000℃~1340℃之间，使其成为具有高机械强度，优良的电气 性 能的陶瓷体的工艺过程。注意事项: 如果是有保护气氛烧结的产品,一定注意氢气含量,以及再氧化区 的氧气含量.62生产工艺过程-烧结烧结后产品63生产工艺过程-倒角倒角术语: 烧结成瓷的电容器与水和磨介装入倒角罐，通过球磨、行星 磨等方式运动，使之形成光洁的表面，并保证产品的内电极充分 暴露，以保证内外电极的连接。64生产工艺过程-倒角倒角后产品65生产工艺过程-封端封端术语: 将端浆涂覆在经 倒角处理的芯片外 露内部电极的两端 上，将同侧内部电 极连接起来，形成 外部电极 。66生产工艺过程-烧端烧端术语: 封端后的产品经过低温烧结后才能确保内外电极的连接，并 使端头与瓷体具有一定的结合强度 。67生产工艺过程-烧端封端后的产品随 着网带的运动经 过烧端炉的各个 温区，实现低温 烧结的过程。68生产工艺过程-端处端处(端头处理)术语: 烧端后的产品, 为了使之焊接良好, 需要在端头镀锡来保证产 品的可焊性. 通过电化学方式镀锡即端处.外电极 锡层 内电极陶瓷体Ni层端头结构69生产工艺过程-端处镀镍的作用: 1: 热阻挡层,其厚度对芯片耐焊接热有直接的影响, 厚度2～4um. 2: 阻碍锡丝的生长, 保证产品的可靠性. 因为在铜的表面镀锡,容易引起热冲击,可能会导致内电极和外电 极断开而造成产品部分失效. 而锡与铜极易形成合金Cu6Sn5,导致锡须形成, 可能导致短路. 通常镍层厚度2~5um.70生产工艺过程-端处镀镍的作用:71生产工艺过程-端处锡须生长过程:72生产工艺过程-端处Sn: 与外围线路有良好接触。直接影响芯片可焊性能, 厚度5～ 12um。镀锡完成产品73生产工艺过程-测试测试术语: 对电容产品电性能方面进行选别，对容量、损耗、绝缘、耐 压进行100%测量分档，把不良品剔除 。74生产工艺过程-编带编带术语: 将电容按照尺寸大小、容量规格及数量要求包装在纸带或凸 带内 。75生产工艺过程-包装包装术语: 按客户要求将编带好的产品按不同型号规格及数量装入包 装盒中，再将包装盒装入包装箱中 。76MLCC型号规格说明177MLCC型号规格说明178MLCC的一般电性能在交变电压的作用下，电容器并不是以单纯的电容形式出 现，它除了具有电容量以外，还存在一定和电感和电阻。在频率 较低时，? 们的影响很小可以不予考虑；随着工作频率的得 它 高，? 感和电阻的影响不能忽视，严重时可能会使电容器失去作 电 用。一般用四个主要的参数来衡量片式电容的一般电性能： 电容量（Capacitance） 、绝缘电阻(Insulation Resistance)、损 耗角正切（Dissipation Factor） ,耐电压(Dielectric Withstanding Voltage).79MLCC的一般电性能片式电容器的电容量除了由它本身的设计与材料特性所决 定外，在很大程度下同它的测试条件、温度、电压和频率有很大 的关系。对于Ⅰ类电容器 （COG） ，其电性能受上述因素的影 响相对较小， 但对于Ⅱ类电容器 （X7R、Z5U、Y5V） ，其电 性能受上述因素的影响相对较大。80MLCC的一般电性能温度特性: 温度是影响电容器电容量的一个重要因素, 电容量同温度的 这种关系特性叫做电容器的温度特性(Temperature Coefficient)。81MLCC的一般电性能直流偏压特性: 在电路的实际应用中，电容器两端可能要放加一个直流电 压，我们把电容器的这种情况下的特性叫做直流偏压特性。82MLCC的一般电性能交流特性: Ⅰ类电容器的交流特性比较好，基本不随施加电压的变化而变 化。但是，对于Ⅱ类电容器，其容量基本是随所加电压的升高而 加速递升的，特别X7R此特性比较明显。83MLCC的一般电性能电容量与工作频率的关系: 对于Ⅰ类电容器其应用频率的增加，它的容值不会有什么变 化，但对于Ⅱ类电容器，容值下降较为明显。84MLCC的一般电性能绝缘电阻（ＩＲ） ； 完全不导电的绝缘体是没有的。在电介质中通常或多或少存在 正、负离子，这些离子在电场作用下将定向迁移，形成离子电 流，我们称之为体内漏电流。 通常，在电容器的表面，也会或多或少地存在正负离子，? 这些离子在外电场的作用下，会发生定向迁移，形成表面漏电流。 因 ? 此，? 容器的漏电流是陶瓷介质中体内漏电流与芯片表面的 电 漏电流两部分组成。我们把加在介质两端的电压和漏电流之比称 之为介质的绝缘电阻。85MLCC的一般电性能Ｒ＝Ｕ／Ｉ 由上可知， ? 容器的绝缘电阻等于表面绝缘电阻与体内绝缘 电 电阻相并联而成。因此，电容器的绝缘电阻除了同其本身所固所 介质特性外，? 外界环境温度、湿度等有很大的关系。 同 温度对绝缘电阻的影响主要表现在温度升高时，? 介的自由 瓷 离子增多，漏电流急剧增加，介质绝缘电阻迅速降低。? 防潮 但 不好的小容量电容器表面漏电流较大，随着温度的升高，表面潮 气蒸发， ? 面绝缘电阻上升。 表 湿度对电容器电性能影响最大，? 因表面吸潮使表面绝缘电 会 阻下降。86MLCC的一般电性能损耗（ＤＦ）和品质因数（Q） ? 在外加电压作用下，单位时间内因发热而消耗的能量，叫 电容器的损耗。理想的电容器把从电源中得到的能量，全部贮 存在电容器有介质中，不发生任何形式的能量消耗， 事实上电 容器在外加电压的作用下是要消耗能量的，介质漏电流，缓慢 极化（电偶极矩在电场作用下发生偏转），内外电极金属部位 的等效电阻都会消耗一部分能量，形成电容器的损耗。过高的电 容器损耗会产生热量使电容器温度升高，造成电路工作状态不稳 定，加速电容器的老化。87MLCC的一般电性能电容器的好坏并不能单以电容器的消耗能量的多少来定论， 因此，一般用电容器的损耗角正切来表示。 电容器的损耗角正 切是指在一定频率的正弦电压作用下， 消耗在电阻上的有功功 率和贮存在电容器中的无功功率的比值。故而，其是一个无单位 的量。即：介质损耗同电容量一样，在实际使用中同温度、工作频率、电容 器两端所加的电压有很大的关系。88MLCC的一般电性能89MLCC的一般电性能电容器的品质因素（Q）和等效串联电阻 ESR： 在高频电路中，由于频率较高，电容器所测量出来的介质损耗已 经很小,不便于参考。为了更好地了解它的高频特性，我们更关 心的是它的品质因素Q值和在高频下所表现出来的等效串联电阻 ESR. Q值就是介质损耗DF的倒数。即：Q = 1/DF。随着目前信号 使用频率的增高、功率的增加，高 Q 和超高 Q 的产品需求越来 越多。同样，Q 值同ESR有着直接的关系，一般高Q具备低ESR的 特性。 在电容中所有损耗的总合叫做电容的等效串联电阻ESR，一般它 用毫欧姆来表示。ESR的损耗由介质损耗(Rsd)和金属损耗(Rsm) 两部分组成。 ESR = Rsd + Rsm 金属损耗（ Rsm）则取决于电容构造中所有金属性物质的传导特 性。这包括内电极，端电极等.90MLCC的一般电性能我们以一个容量值为22 pF的电容器所测得几组数据为例.由 下表可知，介质损耗在低频率下是主要的，而在高频时则很小， 金属损耗则与之相反。当频率越高时，金属损耗就表现出”趋肤 效应”。91MLCC的一般电性能下表是几个产品容量段的Q值因此,在设计时，高频下我们应考虑 ESR 和 Q 值对电路设计的影 响；低频下应考虑损耗(DF)对电路设计的影响。92MLCC的一般电性能耐电压（DWV） 电 ? 容器的耐电压性能就是指电容器的陶瓷介质在工作状态中 能够承受的最大电压，即击穿电压，也就是电容器的极限电压。 电 ? 容器的标称电压即电容器的工作电压，标称电压一般是相对 于直流来说的。? 电容器的耐电压常规也是相对直流来说的。? 而 一般来说，电容器的标称电压远远低于其瓷介的耐电压。因 为，在实际的工作过程中，电容器除了两端时时要承受的直流电 压外，? 外常有脉冲交流电压存在，而这个交流电压的峰值常 另 常远远高出工作过程中的直流电压。? ?93电容器的性能测试电容器性能参数的测试:94可靠性试验及失效的基本分析片式电容的 电性能测试之 后，? 有一项 还 十分重要的工 作就是片式电 容的可靠性试 验。95可靠性试验及失效的基本分析失效的基本分析 片容失效一般是由介质击穿、内电极银离子的迁移、端电极 中玻璃料对与之接触的相应部分的浸蚀造成的失效。 １、介质击穿 介质击穿主要是在较高的电流冲击下，使介质体内的漏电流 剧增，以使介质没办法承受而被击穿的过程。电击穿场强是反 映固体介质承受电场作用能力的一种度量，是材料的特性常数 之一，? 以通常又称之为介质的耐电强度（耐电性能）。 所 ２、银离子的迁移 在高温、高湿、强直流电场作用下，银离子容易迁移，? 时 间一长，易造成电容器失效。96可靠性试验及失效的基本分析3、端头失效 由于端电极材料在烧结的时候，部分渗入相应部位的陶 瓷介质中，使与之接触的那部分陶瓷体变得更脆，甚至改 性了。因此，在焊接的过程中或在线路板装卸的过程中， 端头部分易产生裂纹，使电容器失效。目前世界新研究开 发出一种新的端电极材料，环氧导电型的，对陶瓷浸蚀很 小，同时可以在一定的范围内发生弯曲形变。97电容器老化对于Ⅱ类陶瓷介质的电容器，? 容量和介质损耗会随时间 其 发生衰减，这种现象就是老化。其具体原理如下：因为Ⅱ类电容 器一般具有铁电特性，并呈现一个居里温度。介质在这个温度 以上具有高度对称的立方晶体结构，而低于居里温度时，立方晶 体结构的对称性降低。将电容器加热至高于居里温度的某一个温 度，则就会起到消除老化的作用，即通过老化而使电容量减小 的部分恢复，而在电容器冷却时，会重新开始老化。98电容器老化几种常见介质材料的老化情况：99电容器老化几种常见介质材料的老化情况：100MLCC的选用一、功能选用 在电路中常有功用主要有以下几个方面： 1、 储能交换 这是电容器最基本的功用，主要是通过它的充放电过程来产生和 施放一个电能。这主要是以大容量的Ⅱ类电容器为主，在某些情 况下甚至可以代替小型铝电解电容器和钽电解电容。101MLCC的选用2、 隔直通交（旁路与耦合） 由于电容器并非是一个导通体，它是通过交流的有规律的转 向而体现出两端带电的现象，因此，在电路中它可以同其它元件 并联，使交流通过，而直流被阻隔下来，起到旁路的作用。 在交流电路中，电容器跟随输入信号的极性变化而进行充放电， 从而使连接电容器两端的电路表现导通的状态，起到耦合的作用。 一般说来，与放大器或运放输入端相联电容器的为耦合电容器； 与放大器或运放发射极相联的电容器为旁路电容器。 两者均以Ⅱ类电容器为主，特别是0.1uF? 电容居多。 的102MLCC的选用3、 鉴频滤波 在交流电路中，对于一个多频率混合的信号，我们可以用电容器 将其部分分开，一般来说，我们可以使用一个合理电容量的电容 器将大部分的低频信号过滤掉。这主要以高频或超高频电容器为 主。103MLCC的选用4、 浪涌电压的抑制 由于电容器是一个储能元件，因此，在电路中，它可以去除 那些短暂的浪涌脉冲信号，也可以吸收电路中电压起伏不定所产 生的多余的能量。104MLCC的选用电容器选用及使用注意事项(综合类)： 1，一般在低频耦合或旁路，电气特性要求较低时，可选用纸 介、涤纶电容器；在高频高压电路中，应选用云母电容器或瓷介 电容器；在电源滤波和退耦电路中，可选用电解电容器。 2，在振荡电路、延时电路、音调电路中，电容器容量应尽可 能与计算值一致。在各种滤波及网（选频网络） ，电容器容量 要求精确；在退耦电路、低频耦合电路中，对同两级精度的要求 不太严格。 3，电容器额定电压应高于实际工作电压，并要有足够的余地， 一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器。 4，优先选用绝缘电阻高，损耗小的电容器，还要注意使用环 境。105MLCC的选用对于滤波, 在电路设计过程中，并不是电容越大，滤波效果越 好，这要看具体电路，在低频电路中，电容值越大，对纹波的滤 除效果就越好，但如果有高频信号，就不一定了。 在高频段要选择合适的电容值和电容类型，一般采用云母电容 和高频瓷片电容，电容值一般都比较小。106MLCC的发展趋势为了满足电子整机不断向小型化、大容量化、? 可靠性和 高 低成本的方向发展。多层片式电容器也随之迅速向前发展：种类 不断增加，? 积不断缩小，性能不断提高，技术不断进步，材 体 料不断更新，? 薄短小系列产品已经标准化和通用化。 ? 轻 其应用逐步由消费类设备向投资类设备渗透和发展。移动通信设 备更是大量采用片式元件。107MLCC的发展趋势片式电容具有容量大， 体积小， 容易片式化等特点，是 当今通讯器材、计算机板卡及家电遥控器及中使用最多的元件之 一。 随着SMT的迅速发展，其用量越来越大，仅每部流动电话 中的用量就达 200 个之多。片式多层瓷介电容器2002年 全球量达4000亿只，现在已经超过10000亿只. 最小尺寸为 0201 ，甚至01005(长度0.3mm,宽度0.1mm)。108MLCC的发展趋势随着世界电子信息产业的迅速发展，? 式电容的发展方向呈 片 现多元化。 (1)为了适应便携式通信工具的需求，片式多层电容器也正在向 低压大容量、超小超薄的方向发展。 (2)为了适应某些电子整机和电子设备向大功 率高耐压的方向发展（军用通信设备居多）,高耐压大电流、大 功率、超高Q值低ESR型的中高压片式电容器也是目前的一个重 要的发展方向。 (3)为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合片式电容器 （LTCC）正成为技术研究热点。109MLCC的发展趋势低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramic, LTCC） LTCC技术是于1982年休斯公司开发的新型材料技术，是将低 温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用 激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电 路图形，并将多个被动组件(如低容值电容、电阻、滤波器、阻 抗转换器、耦合器等)埋入多层陶瓷基板中，然后叠压在一起， 内外电极可分别使用银、铜、金等金属，在900℃下烧结，制成 三维空间互不干扰的高密度电路，也可制成内置无源元件的三维 电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集 成的功能模块，可进一步将电路小型化与高密度化，特别适合用 于高频通信用组件。采用LTCC工艺制作的基板具有可实现IC芯 片封装、内埋置无源元件及高密度电路组装的功能。110MLCC的发展趋势LTCC原理图LTCC产品111MLCC的发展趋势由LTCC制作的射频器件在国外和我国台湾省已有数年的历史， 日本的村田、东光、TDK、双信电机，我国台湾省的华信科技、 ACX，韩国的三星等都在批量生产和销售。我国内地在2003年才 从展览会和网页上看到，南玻电子公司和另一家公司着手开发类 似产品。 LTCC模块因其结构紧凑、耐机械冲击和热冲击性强，目前在 军工和航天设备上受到极大关注和广泛应用。今后其在汽车电子 上的应用将会非常广泛。 LTCC以其优异的电子、机械、热力特性已成为未来电子元件 集成化、模组化的首选方式，广泛用于基板、封装及微波器件等 领域。112