stm 8stm32单片机项目大全芯片锁死是什么原因造成的

STM8L芯片很容易损坏???==
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STM8L芯片很容易损坏???
用户名:cqcqhifu
注册时间: 22:21:00
STM8L芯片很容易损坏???
本帖最后由 cqcqhifu 于
14:16 编辑 以前一直用别的厂家的(430、PIC、NXP),最近有个低功耗和成本要求都高的项目想改用,看上的是STM8L152R8芯片丰富的片上外设和比较高的性价比。但是通过一段时间的使用,发现STM8L152R8很容易在实验中被损坏(在实验板上用了不到十个芯片坏了三四个,以前用别的厂家单片机从来没有碰到过这么高的事故率!)。故障状态很奇怪,程序的部分功能还能正常跑(比如IO操作),但是运行时电流非常大(故障前几个mA,故障后一两百个mA),而且再也无法连接。基本可以排除掉实验板短路、供电电压不正确等这些低级原因(玩单片机也不是一天两天了),难道是STM8L系列单片机的EMC、ESD太差??好歹ST也是有头有脸的MCU国际大公司,不至于芯片质量如此吧?有没有同仁碰到过类似问题?
用户名:IJK
注册时间: 9:47:00
STM8LR8是什么?
用户名:ZRL700424
注册时间: 9:53:00
应该说的是STM8L 152R8或者STM8L 151R8吧
用户名:ZRL700424
注册时间: 10:01:00
1,有没有问题我不知道,因为没用过;
2,千万不要迷信ST是国际大公司。
我们的产品都是带高压放电的,对MCU要求较高,别人推芯片时一般都是我们给原理图让他们自己先做板写程序,我们测试,测试通过了,才开始使用的。因为N年前听说ST的抗干扰很好,所以当ST向我们推荐STM8S时,我们是直接拿来做项目,结果耽误了很多时间,无法按时交货,不得不改用其他芯片。(STM8S应该是我接触过的芯片中抗干扰最差的)
用户名:mcuisp
注册时间: 10:05:00
由于stm8s是唯一的一款130nm工艺8位单片机,抗干扰设计必须考虑的比以前的8位机更多一些。
再过2年,90nm的8位机出来,那个更要注意抗干扰设计。
用户名:ZRL700424
注册时间: 10:10:00
补充一点:这里所说的抗干扰是针对同一个工程师用不同的芯片比较的(由于PCB布线好坏在抗干扰中的起很大的作用,一个硬件高手可能用全世界最差的MCU都能通过抗干扰测试,一个菜鸟即使用全世界最好的MCU也可能无法通过抗干扰测试)
用户名:cqcqhifu
注册时间: 14:11:00
STM8LR8是什么?
IJK 发表于
用户名:cqcqhifu
注册时间: 14:14:00
由于stm8s是唯一的一款130nm工艺8位单片机,抗干扰设计必须考虑的比以前的8位机更多一些。
再过2年,90nm的8位机出来,那个更要注意抗干扰设计。
mcuisp 发表于
用户名:ZRL700424
注册时间: 14:26:00
请问多少nm的工艺跟芯片的抗干扰有什么必然联系吗?
cqcqhifu 发表于
用户名:cqcqhifu
注册时间: 18:03:00
由于stm8s是唯一的一款130nm工艺8位单片机,抗干扰设计必须考虑的比以前的8位机更多一些。
再过2年,90nm的8位机出来,那个更要注意抗干扰设计。
mcuisp 发表于
用户名:lost1421
注册时间: 9:20:00
楼主怎么不出现了?到底是不是STM8L有问题啊!
严重关注啊!
用户名:videre
注册时间: 10:12:00
确实如此,我也弄坏了好几片stm8l152,原因是把引脚上碰到了9v电压(电流很小,只是用电阻上拉到9v),引脚就对地短路了。
不过这不能怪ST,也不能算产品的问题,毕竟超出许可的范围了。
相对的,STM8S就皮实的多,可能和制造工艺有关
用户名:nikita-fuck
注册时间: 11:15:00
ST目前主流是130nm& &低功耗这块是90nm
用户名:cggcgg
注册时间: 13:43:00
具体不太清楚&&跟怎么用 有关系
用户名:奔牛滚滚
注册时间: 15:27:00
目前发现有时stms的电流上电时随机增大,有百分之十左右的几率,原因不明.
用户名:thinkingpadcui
注册时间: 16:14:00
我用STM8L151K6U6做产品一年多了 都没有出现问题&&但是之前用得8S确实是存在问题的
用户名:清风致影
注册时间: 12:09:00
jlink带电拔插也很容易搞坏芯片
用户名:nikita-fuck
注册时间: 15:13:00
STM8L152R8&&是90nm吧
这个型号不容易坏啊
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STM8系列是意法半导体公司生产的8位的单片机。该型号单片机分为STM8A、STM8S、STM8L三个系列。STM8A:汽车级应用STM8S:标准系列STM8L:超低功耗MCU
STM8芯片特点
高级STM8内核,具有3级流水线的
:8K字节Flash;10K 次擦写后在55°C环境下数据可保存20年
数据存储器:640 字节真正的数据
EEPROM;可达30万次擦写
RAM:1K字节
STM8时钟、复位和电源管理
2.95到5.5V工作电压
灵活的时钟控制,4个主
– 低功率晶体振荡器
– 外部时钟输入
– 用户可调整的内部16MHz RC
– 内部低功耗128kHz RC
带有时钟监控的时钟安全保障系统
电源管理:
– 低功耗模式( 等待、活跃停机、停机)
– 外设的时钟可单独关闭
永远打开的低功耗上电和掉电复位
STM8中断管理
带有32个中断的嵌套中断控制器
6个外部,最多27个外部中断
STM8定时器
高级控制定时器:16位,4个捕获/ 比较通道,3个互补输出,死区控制和灵活的同步
16位通用定时器,带有3个捕获/ 比较通道(IC、OC 或 PWM)
带有8位预分频器的8位基本定时器
自动唤醒定时器
2个:窗口看门狗和独立看门狗
STM8通信接口
带有同步时钟输出的UART ,智能卡,红外IrDA ,LIN主模式接口
SPI接口最高到10Mbit/s
I2C接口最高到400Kbit/s
10位,±1LSB 的ADC,最多有5路通道,扫描模式和模拟功能
STM8I/O 端口
32脚封装芯片上最多有28个I/O ,包括21个高吸收电流输出
非常强健的I/O 设计,对倒灌电流有非常强的承受能力
STM8开发支持
单线接口模块() 和调试模块(DM),可以方便地进行在线编程和非侵入式调试AVR单片机搞错熔丝位导致芯片死锁的恢复办法
> AVR单片机搞错熔丝位导致芯片死锁的恢复办法
AVR单片机搞错熔丝位导致芯片死锁的恢复办法
当你改动了AVR的熔丝位配置,重新加电后,想再用ISP下载,提示:“进入编程模式失败”等,极有可能是你搞错了熔丝位,导致芯片不知道使用何种主频而无法正常工作(仅限于内部RC振荡的情况)。解决方法为:1。寄回给芯片服务商,让他们帮忙将芯片恢复这是最省事,但是最费时间,最无可奈何的方法。2。使用编程器将芯片恢复到出厂状态这个方法,需要你有编程器。编程器的具体制作资料,可参考本网站技术论坛红日的帖子:用89S51制作简易并行编程器ATmega16(救活ATmega16) 。补充: 本网站会员彩虹数码提供了在炜煌系列编程器改熔丝位恢复芯片的办法。详情请到本文最后的后记与补充。3。通过外加有源晶振的办法,让其恢复。这个方法最可行。它可以恢复大部分熔丝位搞错的芯片。接法如下: 恢复方法:接上上图的有源晶振,重新通电,就能用ISP下载线修改错误的熔丝位了。修改完成后,断电,将有源晶振拆走,看看是否已经恢复正常。还有一个办法,如果没有有源晶振的话可以用其他工作正常的的时钟作为外部晶振,只要将工作正常的的XTAL2脚连接熔丝设置错误的的XTAL1引脚即可。像我使用AVR910下载线的可直接把AT90S2313的时钟输出连到被设置错的芯片就可恢复了,很方便。(此方法由彩虹数码提供)。--------------------------------------------------------------------------------后记与补充 () :本网站会员彩虹数码提供了在炜煌系列编程器改熔丝位恢复芯片的办法。这几天随着被锁定的芯片越来越多,手头已经没有可以用的芯片了,实在没办法就又把以前购买的炜煌500A并行编程器拿出来研究。因为以前一直没有发现该编程器有改AVR配置熔丝的选项(如下图),所以原本不太抱希望的。
在500A烧片程序中选择了M16芯片之后,弹出来了这样一个对话框,以前我都是看AVR-2适配器如何接线的,重来没有关注过下图红框框住的这几个字眼。
经过仔细研读,忽然想起SLISP中的配置熔丝界面也有高低字节位,于是赶紧打开来看看,果然如此,且高低位和扩展位分别对应不同功能的熔丝,如下图:
终于理解了所谓的熔丝原来就是3个字节的存储器,不同的数值代表了不同的功能设置,所以炜煌系列编程器只要在数据缓冲区把熔丝地址(不同芯片的熔丝地址会不同)的数据手工修改,然后写入即可,如下图:
详细讨论,可以参考本网站论坛帖子:新发现:熔丝的真面目以及炜煌系列编程器改熔丝的办法 --------------------------------------------------------------------------------附录一:小资料:晶体、晶振和有源晶振晶体(crystal)就是以特定方式(AT或BT等)切割的水晶(天然或人造石英),利用水晶具有的压电效应来做频率基准。加上振荡电路(如克莱拍,考皮兹等)完成一个完整的电路功能,封装好,我们称之为有源晶震(Oscillator)。 相对而言,没有电路的晶体,我们叫无源晶体或无源晶振。 附录二:Mega8 芯片使用 SL_ISP 1.3 下的熔丝位参考图8M 内部RC振荡 1M 内部RC振荡
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ST公司的全新8位通用控制器产品系列位
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&STM8S将成为覆盖市场上现有流行的ST62, ST72 的新产品
&采用0.13微米技术工艺,高性价比
&高性能的8位通用控制器平台位
&芯片设计特点:强抗干扰能力
&品质保证:高可靠性
&采用理由:低系统成本
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&新算术指令(8x 8, 16/ 8 , 16/ 16)
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ST 采用全球领先突破性的130纳米嵌入式非易失性存储器技术工艺平台。
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ST72C104G1M,ST72C104G2B,ST72C104G2M,ST72C124J2B,ST72C124J2T,ST72C215G1B,ST72C215G1M,ST72C215G2B,ST72C215G2M,
ST95021,ST95022,ST95041,ST95080,ST95128,ST95160,ST95320,ST95640,ST95P02,ST95P04,ST95P08,STM32F100C4xxA,
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