BJT中cb两级esd二极管的崩溃电压压为什么最大

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-09-28 03:02 标签： 额定电压和最大电压
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第4章习题选讲
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分离式半导体产品
晶体管(BJT) - 单路
Sullins Connector Solutions
CONN EDGECARD 44POS R/A .125 SLD
非指定 - 双边
Number of Positions/Bay/Row
0.062"（1.57mm）
0.125"（3.18mm）
通孔，直角
触点表面涂层
触点涂层厚度
30&in（0.76&m）
触点类型：
环形波纹管
齐平安装，顶开口，无螺纹，0.125"（3.18mm）直径
材料 - 绝缘体
聚酰胺（PA9T）
-65&C ~ 125&C
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晶体管(BJT) - 单路
NXP Semiconductors
DIODE ZENER 5.6V 300MW SOD523
电压 - 齐纳（标称）(Vz)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.1V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电
功率 - 最大
阻抗（最大）(Zzt)
SC-79，SOD-523
供应商设备封装
-65&C ~ 150&C
BZX585-C5V6 T/RBZX585-C5V6 T/R-ND
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CONN EDGECARD 14POS DIP .100 SLD
非指定 - 双边
Number of Positions/Bay/Row
0.062"（1.57mm）
0.100"（2.54mm）
触点表面涂层
触点涂层厚度
30&in（0.76&m）
触点类型：
顶部安装开口，浮动线轴，0.116"（2.95mm）直径
材料 - 绝缘体
聚对苯二甲酸丁二酯（PBT）
-65&C ~ 125&C
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0.062"（1.57mm）
0.125"（3.18mm）
通孔，直角
触点表面涂层
触点涂层厚度
30&in（0.76&m）
触点类型：
环形波纹管
材料 - 绝缘体
聚酰胺（PA9T）
-65&C ~ 125&C
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晶体管(BJT) - 单路
CAP ALUM 1000UF 250V 20% SNAP
产品目录绘图
LS,GU,GW,AR Series Bottom
LS, GU, GW, AR Series_35 x 40
105&C 时为 3000 小时
-40&C ~ 105&C
ESR（等效串联电阻）
径向，Can - 卡入式
1.378" 直径（35.00mm）
高度 - 座高（最大）
1.575"（40.00mm）
0.394"（10.00mm）
表面贴装占地面积
产品目录页面
1968 (CN2011-ZH PDF)
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Sullins Connector Solutions
CONN EDGECARD 48POS R/A .125 SLD
非指定 - 双边
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0.062"（1.57mm）
0.125"（3.18mm）
通孔，直角
触点表面涂层
触点涂层厚度
10&in（0.25&m）
触点类型：
环形波纹管
顶部安装开口，螺纹插件，4-40
材料 - 绝缘体
聚酰胺（PA9T）
-65&C ~ 125&C
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晶体管(BJT) - 单路
Cypress Semiconductor Corp
PSOC POD FEET FOR 28-SSOP
产品培训模块
Intro to PSoC
4 个仿真头
适用于相关产品
CY3215-DK，CY8C29466-24PVXI，CY8C21534-24PVXI，CY8C27443-24PVXI，CY8C24423A-24PVXI
CY8C24423A-24PVXIT-ND - IC MCU 4K FLASH 256B SRAM 28SSOPCY8C21534-24PVXIT-ND - IC MCU 8K FLASH 512B SRAM 28SSOPCY8C29466-24PVXIT-ND - IC MCU 32K FLASH 2K SRAM 28-SSOPCY8C27443-24PVXIT-ND - IC MCU 16K FLASH 256B 28-SSOP428-1614-ND - IC MCU 8K FLASH 512B SRAM 28SSOP428-1608-ND - IC MCU 4K FLASH 256B SRAM 28SSOP428-1597-ND - IC MCU 16K FLSH 256B SRAM 28SSOP428-1587-ND - IC MCU 32K FLASH 2K SRAM 28-SSOP428-1583-ND - KIT DEVELOPMENT FOR PSOC
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CONN EDGECARD 44POS R/A .125 SLD
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Number of Positions/Bay/Row
0.062"（1.57mm）
0.125"（3.18mm）
通孔，直角
触点表面涂层
触点涂层厚度
30&in（0.76&m）
触点类型：
环形波纹管
顶部安装开口，无螺纹，0.125"（3.18mm）直径
材料 - 绝缘体
聚酰胺（PA9T）
-65&C ~ 125&C
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晶体管(BJT) - 单路
Linear Technology
IC VREF SERIES PREC 3.3V 8-SOIC
产品培训模块
Voltage Reference Basics
串联，精度
3.8 V ~ 20 V
电流 - 阴极
电流 - 静态
电流 - 输出
-40&C ~ 85&C
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
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CONN EDGECARD 14POS .100 EYELET
非指定 - 双边
Number of Positions/Bay/Row
0.062"（1.57mm）
0.100"（2.54mm）
触点表面涂层
触点涂层厚度
10&in（0.25&m）
触点类型：
顶部安装开口，浮动线轴，0.116"（2.95mm）直径
材料 - 绝缘体
聚对苯二甲酸丁二酯（PBT）
-65&C ~ 125&C
(若只采购一条型号，填写一行即可)
添加更多采购双极型晶体三极管（BJT）
BJTNPNPNP2-12-2
PNVANPNPNP
§2.2& 习题解答
如果在电路中测得放大偏置的的三个电极的电位为下面四组数据：
（）2.16V,& 1.4V&&&&&&&&&& （）6.1V,&
（）8.87V,&
8.15V,& 2V&&&&&&&&& （）–9.6V,& –9.27V,& 0V
试判断各电位对应的电极以及三极管的类型（管或管）和材料（管或管）。
[解]将三电压按从高到低排列，列出如下表：
如果将的集电极与发射极对调使用，在放大偏置时，≈的关系是否仍然成立？为什么？
[解] 不成立。集电区较基区不是高掺杂，中有较大的成分是基区多子向集电区注入形成。这部分电流不能转化为，会比明显减小。
为管的截止状态
(6V)& (1.7V)& (1V)&&&&& &&&&&&&&&&&&&&&&&&&(2.3V)& (4.8V)&& (5V)
为放大偏置（）。为管的放大偏置
若一支管的基区自由电子浓度曲线分别如图（）﹑（）和（）所示，试判断晶体管的偏置状态，并说明理由。
（）放大区
，集电结反偏，假设成立，工作在放大区。
（），若假设工作在放大区，，则
不可能为负值，故假设不成立。该管已进入饱和区。
取饱和的，则。
即改变时，可能达到的最大电流。
，与此时同相。
在图示电路中改变集电极电阻的值时，可由毫安表和伏特表读出和的两组数据为：＝。据此估算该管的厄利电压。
根据高频的定义，用混合π模型推导高频和混合π模型参数的关系，再由此求出特征频率与混合π模型参数的关系，再由此求出与混合参数的关系。
（提示：，据此可以画出求高频的混合π模型电路如图所示。再利用条件，求的近似表达式。）
&&，由此式画出求的混合电路如图所示。
，二者并联，不计。
§2.3复习题解答
2NPN &PNP &
7.iE &iC iB
11BJT & & &
13| | =1 BJT
15BJTgm & &
16rbe &H rbe = &, = &
1BJT IB=50uAIC=2.5 mA ,IC/IB=50
3IC IB&&1, BJT
5PNPNPNBJT
1F2-1NPNVCIB
A. &&&&&&&& B.
&&&&&&&& C.
&&&&&&&& D.
A.&&&&&&&&&& &&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& B.
C.&&&&&&&&&&&&& &&&&&&&&&&&&& D.
A.. rbe&&& &&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& &B. rbb’ &&&&&&&&&&&&& C.
rce &&&&&&&&&&&&&& D. rb’c
A. BJT&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& B.
C. && &&&&&&&&&&&&& D.
5BJTVCBVBEBJTNPN
A. &&&&&&&&&&&& B.
&&&&&&&&&&&& C.
&&&&&&&&&&&& D.
F2-1& &&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& F2-2& &&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& F2-3

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