双喇叭双解码HiFi芯片 vivo Xplay再曝 - 手机中国
双喇叭双解码HiFi芯片 vivo Xplay再曝
作者：朱海龙
　　目前，同质化严重，各个厂商都想方设法推出一些差异化的产品，但似乎并没有太大成效。屏幕大、处理器核心多，这并不算差异化，毫无疑问这些都将在智能发展的浪潮中淹没。
　　不过在国产手机中，即将发布的Xplay倒是很值得我们关注，高清大屏、四核处理器这些最主流的配置它都有，并且它还将主打极致影音体验，这是目前智能手机市场上一块空白，虽然很多厂家都有标榜音乐播放的机型推出，来个大尺寸屏幕就是影音旗舰，不过但从本质上来讲，它们并没有什么特殊的。
vivo Xplay
　　从之前曝光的vivo Xplay机身背面照片来看，它配有双喇叭设计，并且配置清单中也标明了它将配备专业CD级功放芯片+顶级运放芯片，而现在又有曝光资料显示，vivo Xplay将支持dts+DOLBY双解码技术，由此一来Xplay也将成为第一部支持dts+DOLBY双解码的机型。“双解码”、“双喇叭”“1080p屏幕”的设计无疑与vivo宣称的1080p影音旗舰相符。
双喇叭双解码
　　众所周知，目前dts和DOLBY双解码只在一些专业功放和高清播放机上才具备，并且均支持5.1声道解码输出。从硬件上来支持影音的播放，并不像之前很多厂商那样加个音效、配个好耳机那么简单，它是真正从底层做起的，Hi-Fi级的音效货真价实。
　　关于外观设计方面，vivo Xplay目前在官网论坛中又有最新的消息曝光，疑似外观设计效果图已经正式亮相了，从外观上来看，vivo Xplay有着超窄的边框，虽然目前我们不能确定它具体的屏幕尺寸，不过5英寸以上是肯定的。
vivo Xplay的正面设计图
　　我们有理由相信，vivo凭借着独特的差异化配置，将在智能手机市场上寻求到自己的发展路线，而以其之前在播放器市场上的深厚积累，相信即将发布的Xplay还是很值得我们期待的。
vivo Xplay的正面设计图
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参考价：￥3298
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计算机组成原理
存储器是用来存放数据的集成电路或介质，常见的存储器有半导体存储器（ROM、RAM）、光存储器（如CD、VCD、MO、MD、DVD）、磁介质存储器（如磁带、磁盘、硬盘）等。存储器是计算机极为重要的组成部分，有了它计算机才具有存储信息的功能，使计算机可以脱离人的控制自动工作。单片机系统中主要使用的存储器是半导体存储器，从使用功能上，可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两类。RAM主要用于存放各种现场数据、中间计算结果，以及主机与外设交换信息等，它的存储单元的内容既可读出，又可写入。ROM中存储的信息只能读出，不能写入，如PC机主板上的存放BIOS程序的芯片就是ROM存储器。
2.3.1& RAM存储器
RAM存储器是指断电时信息会丢失的存储器，但是这种存储器可以现场快速地修改信息，所以RAM存储器是可读写存储器，一般都作为数据存储器使用，用来存放现场输入的数据或者存放可以更改的运行程序和数据。根据其工作原理不同，可分为以下两类：基于触发器原理的静态读写存储器（SRAM，StaticRAM）和基于分布电容电荷存储原理的动态读写存储器（DRAM，DynamicRAM）。
一般SRAM用于仅需要小于64KB数据存储器的小系统或作为大系统中高速缓冲存储器；而DRAM常用于需要大于64KB的大系统，这样刷新电路的附加成本会被大容量的DRAM低功耗、低成本等利益所补偿。
SRAM的基本结构如图所示。
RAM的结构大体由三部分组成：地址译码器，存储矩阵，输入/输出电路。
&SRAM的基本结构
1. 地址译码方式
地址译码有两种方式，一种是单译码方式，或称为字结构方式；另一种是双译码方式，或称为X-Y译码结构。
1）单译码方式
16字×4位的存储器共有64个存储单元，排列成16行×4列的矩阵，每个小方块表示一个存储单元。电路设有4根地址线，可寻址24＝16个地址逻辑单元，若把每个字的所有4位看成一个逻辑单元，使每个逻辑单元的4个存储单元具有相同的地址码，译码电路输出的这16根字线刚好可以选择16个逻辑单元。每选中一个地址，对应字线的4位存储单元同时被选中。选中的存储单元将与数据位线连通，即可按照要求实现读或写操作了。
& 16字×4位单译码存储器结构
2）双译码结构
下图是一个双译码结构的16字×1的地址译码存储器。视每个字的1位存储单元构成一个逻辑单元，图中每个小方块表示一个逻辑单元。16个可寻址逻辑单元排列成4×4的矩阵，为减少地址译码电路的输出数量，采用双重译码结构，每个地址译码的输出线数为22＝4根（单译码方式需16根地址输出线）。图中A0、A1是行地址码，A2、A3是列地址码。行、列地址经译码后分别输出4根字线X0～X3和Y0～Y3。X字线控制矩阵中的每一行是否与位线连通，一行中究竟哪个逻辑单元被选中则由Y字线控制。被选中的单元将与数据线连通，以交换信息。
图2.3.3&双译码结构地址译码存储器
2. 读写控制电路
在RAM结构中，读出和写入的数据线是公用的，为控制电路中数据的流向，设立了专门的读写控制电路。
读写控制电路
门G1、G2是控制信号为高电平有效的三态门，I/O线即为RAM的外接数据总线。在控制信号的作用下，它可以和存储单元的内部数据线D接通或断开。
当片选信号CS = 0有效时，读写控制信号WE可以控制信号的流向。若WE =1时，外电路向存储器读取数据，门G4导通，输出高电平，门G3截止，对应输出给三态门G1的控制信号无效，G1输出高阻状态，G2开启，D上的数据通过G2送到总线I/O上，实现读操作。当WE =0时，情况刚好和前面相反，这时G1开启，G2输出高阻状态，数据只能由I/O送给D，实现写操作。
2.3.2& ROM存储器
只读存储器（ROM）的特点是：其内容是预先写入的而且一旦写入，使用时就只能读出不能改变，掉电时也不会丢失。
1. ROM的结构与工作原理
ROM的结构与RAM十分相似，它由存储矩阵、地址译码器、读放与选择电路组成。地址译码器可以是单译码，也可以是双译码。
&ROM的结构框图
2. ROM的点阵结构表示法
如图所示，将存储器字线和位线画成相互垂直的一个阵列，每一个交叉点对应一个存储元，交叉点上有黑点表示该存储元存1，无黑点表示该存储元存0，这就是存储器的点阵图表示方法。ROM点阵结构表示法是一种新思路，它对后来其他可编程器件的发展起到了奠基作用。
&&ROM的点阵结构表示图
如果把ROM看作组合逻辑电路，则地址码A1A0是输入变量，数据码D3～D0是输出变量，由上图可得输出函数表达式：
逻辑函数是与或表达式，每一条字线对应输入变量的一个最小项。由此可列出逻辑函数真值表。
& 上图中ROM存储器的内容
地址（输入端）
数据（输出端）
3. 闪速存储器
闪速存储器（Flash EEPROM）可以用来存放程序，但由于其读写方便，也可以像RAM一样存放经常需要修改的数据，所以又称为FlashMemory。与其他类型半导体存储器相比较，Flash EEPROM具有大容量、读写方便、非易失性和低成本4个显著优点，在单片机控制系统和移动信息设备中得到广泛的应用。
1）低电压在线编程，使用方便，可多次擦写
现代的Flash EEPROM存储器都只使用5V或3V单电源供电，而编程时所需的高压及时序均由片内的编程电路自动产生，外围电路少，编程就像装载普通RAM一样简单， 而高压编程电流也只有几毫安，因此非常适合于在应用系统中（尤其在低电压系统中）进行在线编程和修改，在智能化的工业控制和家电产品等方面都得到了很广泛的应用。其可重复擦写寿命也都在105次以上，能够满足许多场合的需要。
2）按块/按扇区擦除，按字节编程
Flash EEPROM产品，可以以小扇区为单位进行擦除（几十字节到几百字节为一个扇 区），也可以全片快速擦除。而编程则是按字节进行。
3）完善的数据保护功能
Flash EEPROM具有以下5种软、硬件保护功能，保证片内数据不会意外丢失。
（1）噪声滤波器：所有的控制线都有过滤电路，以消除任何小于15ns噪声脉冲。
（2）Vcc感应器：一般Vcc跌至3.8V以下（对3V器件为1.8V以下）时，编程将被禁止。
（3）上电延迟：Vcc在上电后的5ms内，编程被禁。
（4）三线控制：OE、CE及WE三条控制线只要一条不处于正确电平，编程将被禁止。
（5）软件数据保护：所有对Flash EEPROM的数据的改写都需要通过编程算法完成。
在单片机系统中主要采用大容量的FlashEEPROM，对Flash EEPROM的访问通过分页面的方法来进行，详细的接线方法见第7章。
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第四章存储器习题
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