光电二极管 光谱光谱范围为什么有上限

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-10-28 02:36 标签： 光谱波长范围
PIN-SPOT-9DMI | OSI Optoelectronics SPOT 系列 970nm 硅 光电二极管 PIN-SPOT-9DMI, 薄型 封装 | OSI Optoelectronics
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PIN-SPOT-9DMI
OSI Optoelectronics SPOT 系列共用基片光电二极管，被分段为独立有效面积，邻近元件之间有精确的 0.127mm 间隙。 SPOT 系列光电二极管光谱响应范围为 350-1100nm；添加凹口或带通滤波器可实现特定频谱响应。当光点直径大于电池之间的间距时，可获得位置信息。
高精度超过 0.1μm 的位置分辨率快速响应时间，适用于高速或脉冲操作超低暗电流出色响应匹配长时间运行和高温下的高稳定性应用包括：机器工具校准、位置测量、光束定心、表面绘制和瞄准引导系统
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峰值灵敏度的波长970nm
封装类型薄型
安装类型通孔安装
二极管材料Si
检测到的最小波长350nm
检测到的最大波长1100nm
直径25.4mm
峰值光灵敏度0.65A/W
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OSI Optoelectronics SPOT 系列 970nm 硅 光电二极管 PIN-SPOT-9DMI, 薄型 封装
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OSI Optoelectronics SPOT 系列 970nm 硅 光电二极管 PIN-SPOT-9DMI, 薄型 封装
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OSI Optoelectronics
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欧时电子元件（上海）有限公司
Oct 28, 2017
欧时电子元件(上海）有限公司, 上海市黄浦区延安东路618号东海商业中心二期23楼 200001
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(C) RS Components Ltd 中国上海市延安东路618号东海商业中心第二期23楼; 邮编：200001 | 沪ICP备号集电极形成的PIN光电二极管
集电极形成的PIN光电二极管
在不对工艺做任何修改的情况下，n＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，n型外延集电区可用做pin光电二极管中的i层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征层的光电二极管［37～38］。　　图1 基极－集电极形成的pin光电二极管　　高速双极工艺中n型外延层厚度大约在1 gm左右，这样小的厚度会使得探测器在黄色到红外光谱范围（580～1100 nm
在不对工艺做任何修改的情况下，n＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，n型外延集电区可用做pin光电二极管中的i层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征层的光电二极管［37～38］。　　图1 基极－集电极形成的pin光电二极管　　高速双极工艺中n型外延层厚度大约在1 gm左右，这样小的厚度会使得探测器在黄色到红外光谱范围（580～1100 nm）内量子效率较低。而光脉冲信号引起的光生电流的上升时间和下降时间同样会由于薄外延层的原因变得非常短，从而有利于改善响应速度。这种光电二极管的数据传输能力可达到10 gb/s，但是其在肛850 nm下的响应度仅有r＝48 ma/w［37］。780～850 nm波长范围在最长几千米的短程光数据传输中被广泛应用，在此波长范围下较低的响应度是标准双极工艺0eic的主要缺陷。另有一种类似结构采用0.8 gm硅双极工艺制作的光电集成电路在入射光λ＝850 nm时，速率达到5 gb/s，但响应度只有r＝45 ma/w［38］。总的来说，这些单片集成的硅0eic可以达到的工作速率已经超过了采用ⅲ－ⅴ族化合物光电探测器与硅基放大电路混合集成的方式卩叨，这充分显示了光电探测器单片集成的优越性。　　当采用注入发射极时，发射区－基区光电二极管可以用于蓝色和绿色光谱范围的探测。但是当采用了在双极工艺中广泛使用多晶硅发射极技术后，这种光电二极管的性能并没有什么改善。可能是由于在这种工艺中，多晶硅淀积在n+发射区之上，也就是几乎全部的光电探测器感应区被多晶硅覆盖。在多晶硅中注入光子被部分吸收，从而导致光电探测器量子效率降低，特别是对于蓝光和紫外光谱段的量子效率尤其低。　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（）
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来源：　　作者：张学骜;吴昊;张海良;王飞;贾红辉;
硅光电二极管光谱响应度的分析　 光电二极管是一种典型的光电效应探测器,具有量子噪声低、响应快、使用方便等优点,广泛应用于多种光电器件[1]。光电二极管的基本特性包括灵敏度、光谱响应度、响应时间、噪声等。其中光谱响应度,又称光谱响应率,表征的是光电二极管对不同波长入射辐射的响应,在一定程度上决定了光电二极管的光谱使用范围。根据所采用的物理量不一样,光谱响应度可以分为电压光谱响应度RV(λ)和电流光谱响应度RI(λ)[2-3]。电压光谱响应度RV(λ)定义为在波长为λ的单位入射辐射功率P(λ)的照射下,光电二极管输出的信号电压V(λ),用公式表示,则为RV()λ=V(λ)P(λ),同理可得到电流光谱响应度RI(λ)的表达式RI()λ=I(λ)P(λ)。由于光电二极管结构、组成的不同,其光谱响应度各不相同,响应范围和峰值波长都有所差异,从而应用的范围也不尽相同。因此,在基础物理实验阶段让学生了解光电二极管结构及原理、熟悉光电二极管的光谱响应度等基本性能很有必要。目前,国内许多高校的《大学物理实验》和《近代物理实验》课程都设计和安排了光电二极管的光谱响应度的测量。实验中一般采用热探测器作为基准探测器,利用比较法来测量硅光电二(本文共计3页)　　　　　　　　　　
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　　　　　　反向工作电压指在无光照，光敏小于0.2～0.3&A时，允许的，一般在10V左右，最高可达几十伏。　　　　(4)峰值波长入p
& & & 峰值波号指光电二极管光谱响应最灵敏的波长范围，一般为0.88～0.94&m。　　　　常用2CU系列光电二极管的主要参数见下表所示。
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