请部就给了个电路图你怎么写初三电学电路图专利?

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近几年来,受国内互联网行业发展,再加上物联网、智能手机等行业发展,集成电路行业迎来发展高潮,国家也相继发布了多个支持国产集成电路发展的政策。那么该如何取得集成电路布图设计的专利权呢?我们一起看下文!
  近几年来,受国内互联网行业发展,再加上物联网、智能手机等行业发展,集成电路行业迎来发展高潮,国家也相继发布了多个支持国产集成电路发展的政策。
  集成电路是一种产品,集成电路图,即集成电路的拓扑图中至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路的三维配置,或者为制造集成电路而准备的上述三维配置。
  一、取得保护的条件是什么?
  集成电路布图设计受到法律保护,必须具有独创性。对于电子信息行业而言,集成电路图设计是产品的关键,同时由于不吐的特点,很容易出现盗版侵权。与不同,集成电路布图设计专有权必须经国家知识产权局申请登记后生效。企事业单位或者个人可以自行申请,也可以委托代理机构申请。
  布图设计专有权与著作权相比更具有工业实用性,这是一般著作权作品不具有的;同时其独创性又是一般专利产品不具有的,而且又允许反向工程,具有其自身特征。
  二、布图设计专用权的取得方式是什么?
  布图设计专有权的取得方式通常有以下三种:登记制;有限的使用取得与登记制相结合的方式;自然取得制。关于布图设计权的保护期,各国法律一般都规定为10年。根据《关于集成电路的知识产权条约》的要求,布图设计权的保护期至少为8年。《知识产权协议》所规定的保护期则为10年。我国《集成电路布图设计保护条例》第十二条规定,布图设计专有权的保护期为10年,自布图设计登记申请之日或者在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算,以较前日期为准。但是,无论是否登记或者投入商业利用,布图设计自创作完成之日起15年后,不再受该条例保护。
  三、申请集成电路布图设计登记时,应提交哪些文件?
  (1)布图设计登记申请表;
  (2)布图设计的复制件或图样;
  (3)布图设计已投入商业使用的,应提交含有该布图设计的集成电路样品;
  (4)国家知识产权局规定的其他材料。
A可以要求企业出具相关承诺。特别是不能违反安全方面的要求。
A没有,对方行为违反劳动法,可依法提起仲裁
A你只要证明是自己创作设计的就可以
A双方协商,协商不成可以起诉
A根据学校规定。。。。。。。。
A刚签了装修合同能换设计师
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集成电路是在一片很小一片(诸如指甲大小的)半导体材料上有效、紧凑地排列大量有源、无源元件构成的微型电子电路,也称微型芯片。其尺寸小、重量轻、经久耐用。1947年贝尔实验室发明了晶体管,但是由其组装的电子电路设备仍显笨重。业内人士千方百计使其小型化,设想和实施过各种方式方法,真正经世致用的解决方案产生于美国德克萨斯仪器公司(下文称德州仪器公司)日向美国专利局申请,名称为《微电子电路》的专利申请,并于日被授予专利权,专利号US3138743,发明人是杰克.基尔比(Jack Kilby)。
杰克.基尔比1958年5月作为电气工程师进入德州仪器公司,任务是使已有电子器件小型化。当年夏天,他由于是新员工而不享有休假资格,就充分利用同事们长假期间,对公司生产的器件小型化进行系统分析、研究和探索,经过缜密思考,认为把不同半导体材料生产的元件再小型化,然后手工组装成电路,这种思路很难在小型化上有质的变化;他反复琢磨怎样才能将晶体管、电阻、电容等电路元件集成在一块半导体材料基片上,然后互连成一个完整电路,实现微型化突破;基于现代电子学知识,很快形成了可行构思,并用心撰写了解决方案草案。当他的上司威利斯.阿德科克(Willis Adcock)休完假上班后,他就把草案交给了阿德科克。后者很欣喜,但仍存怀疑,要求通过具体电路示范证明这样的集成是可行的。1958年8月,他把一些电路元件临时搭建在一个改进的半导体基片上进行了演示。然后,基尔比致力于在硅半导体晶片上生成元件、接点、接点互联,成功形成移相振荡器电路。在一系列试验基础上,产生了本文前面所述的专利。
该专利揭示了在单晶半导体材料晶片上含有多个电路元件,例如至少一个有源电路元件和至少一个无源电路元件的集成电路。多个结型晶体管在该晶片中,每个包含有相反导电率型的半导体材料不同薄层的晶体管邻接在作为基片的晶体的主面上,形成一个基极和一个叠在一个集电极区域上的发射极区域,每个所述的晶体管的发射极和集电极全部伸展到所述的表面,多个分开的晶片细长区域形成半导体电阻作为电阻,该细长区域上也使晶体管在所述的表面上相互隔离,并且用导电手段互联选定细长区域、晶体管区域之间。如有必要也可在上述集成电路中含有P-N结电容。
下面结合附图介绍一个实施例。图6a展示了已将含有扩散P-N结的单晶半导体的晶片加工成了集成的多谐振荡器。晶体的不同区域已用相应电路元件功能符号标出。图6b是在图6a的晶片中各种不同电路元件之间关系的线路图。优选的半导体晶片是硅或锗的,其具有合适的导电率,如3欧姆-厘米P型锗,并抛光晶体的一侧;然后,对晶片在其表面约0.7密耳深形成n型层的锑扩散处理;再后,将晶片块刻成合适的尺寸0.2英寸×0.08英寸,并研磨未抛光一面,使晶体厚度为0.0025英寸。
将镀金的铁镍钴合金导线(50)熔入晶片图示相应位置,通过掩膜将相应的金蒸发使得(51-54)区域与诸如晶体管的基极接点和电容触点的n区域形成电阻连接。通过合适形状的掩膜将铝蒸发实现晶体管发射极区域(56),形成其与n层的纯净接触。然后,用感光胶或漆覆盖晶片,并通过曝光、显影保留漆的图形用作抗蚀剂,使晶片成一定形状。具体地讲,这样的蚀刻形成在晶片的槽实现R1和R2和电路其他元件之间绝缘,也形成以预先计算好的配置成型所有的电阻区域。尽管优先使用电解蚀刻,但是或者化学蚀刻或者电解蚀刻等都行。下一步,用溶剂将光刻胶洗去,并用同样的照相术处理,掩膜形成台面(60)。再次将晶片浸入蚀刻剂中,在曝光区域将n层去除。再去除光刻胶。将金线(70)用热的方法焊接到相应的区域使他们之间完全连接,最后清洗干净已有的蚀刻。上述金线(70)也可用其他方法代替,例如通过掩膜,将诸如氧化硅绝缘材料蒸发到连接点以外的半导体线路晶片上,然后用诸如金、银等导电材料在绝缘材料上设置必要的互连电路。如需要可将整个微芯片密封起来。
该发明曾引发纠纷。在1959年基尔比的集成电路成果发布会前,另一发明人罗伯特.诺伊斯(Robert Noyce)在仙童半导体公司(Fairchild Semiconductors)也独立做出了类似发明,该公司于日申请了专利,并于1961年制造出了微芯片。经过长达10年的官司,最后判决,德州仪器公司发明了集成电路而仙童公司拥有其互联技术专利权。两家公司非常理智地采纳了交互授权,使集成电路技术得以在全球迅速发展。集成电路的发明掀起了微电子革命,人类进入了数字时代。尽管该发明与现在集成电路相比显得太简单了,但迄今为止,人们日常使用的电脑、互联网、手机、电视、相机等所有电子产品的集成电路都源于该发明的构思。
发明人杰克.基尔比(日-日),美国物理学家。1947年获伊利诺伊大学理科硕士学位。年任全球联公司设计负责人,任德州仪器公司助理副经理,1978年后任德克萨斯A&M大学教授。他一生获得过60项专利,其中50项专利与集成电路有关;1966年研制出第一台微型电子计算机;1967年被选为国家工程院院士,获得过巴伦坦奖章、萨尔诺夫奖章、国家科学奖章、兹沃雷金奖章;被授予耶鲁大学、伊利诺伊大学、罗彻斯特理工学院等九所大学荣誉博士学位,2000年获得了诺贝尔物理学奖。(陈仲华)
参考材料:1.《INVENTING THE 20TH CENTURY》 P136-P137
2. Wikipedia/Jack Kilby
发明人: 杰克.基尔比
Jack Kilby(日-日),美国物理学家,诺贝尔物理学奖获得者。他一生获得过60项专利,其中50项专利与集成电路有关。1966年研制出第一台微型电子计算机。被授予耶鲁大学、伊利诺伊大学、罗彻斯特理工学院等九所大学荣誉博士学位,获得过巴伦坦奖章、萨尔诺夫奖章、国家科学奖章、兹沃雷金奖章。
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人 民 网 版 权 所 有 ,未 经 书 面 授 权 禁 止 使 用
Copyright &
by www.people.com.cn. all rights reserved专利申请的基本知识,你知道几个?
问:如何避免明显不具备单一性的问题?
  答:虽然单一性可以通过修改和/或分案申请来克服,但是为了节约审查程序,对于明显缺乏单一性的情况,申请人在撰写申请文件时只要稍加注意就可以避免。
  需要注意的是,对于明显不具备单一性的情况,申请人结合自身掌握的现有技术情况很容易判断,因此在提交专利申请文件时应尽量避免这种缺陷,以免延长审查程序。
 问:摘要的撰写要求有哪些?
  答:摘要的内容一般应包括发明或者实用新型的名称和所属技术领域,并清楚地反映所要解决的技术问题、采用的技术方案的要点及主要用途。有附图的专利申请,一般应制定一幅最能反映该发明或者实用新型技术方案的主要技术特征的附图作为摘要附图,摘要附图应当是说明书附图中的一幅。除此之外,为了简化摘要的撰写,字数一般不超过300字。
 问:如何解决电路结构类发明专利申请的功能性概括问题?
  答:为了满足充分公开的要求,专利申请的说明书记载实现一项发明的全部技术细节,而权利要求书记载的技术方案是用来限定专利申请人最终获得专利权的范围大小。说明书和权利要求书因作用不同,在撰写时,对这两部分的详略、粗细也应加以区分。在撰写权利要求书的过程中,有时若照搬说明书具体实施方式部分记载的技术细节,如此撰写的权利要求书势必会造成专利权人的权利过小;反之,如果盲目追求范围最大化而将方案概括得过于宽泛,那么很可能会违反专利法及其实施细则中的相关规定。因此,撰写一份表述清楚、完整,范围概括合理的权利要求书是非常重要的。
  对于涉及具体电路结构的发明创造,在撰写权利要求书时,可以从该电路结构各组成元件的功能入手,结合本领域的技术常识和常用技术手段,去发现可以实现相同功能的且适用于该发明的其他替代元件,对实现方案进行合理的概括,从而使权利要求的保护范围更加合理。
  在撰写独立权利要求时,应该记载必要技术特征。此外,利用功能性的限定来撰写权利要求时,对电路各组成部分的功能的概括要合理、适度。因为,当采用功能性的限定来撰写权利要求时,意味着权利要求中该功能性限定的特征覆盖了所有能够实现所述功能的实施方式。
问:如何解决电路结构类发明专利申请的连接关系?
  答:权利要求记载的技术方案的保护范围是否清楚,直接影响专利权人能否获得范围界定清晰的权利,特别是在电学领域,因电路元器件之间的连接关系复杂,所以,在撰写电学领域的专利申请文件时,需对电路间的连接关系格外注意。
  在撰写权利要求时,应该用技术特征对方案进行描述,写明请求保护的技术方案,而不应当采用引用专利文献的方式撰写或作为具体技术特征的替代。对于产品权利要求而言,“本发明采用……原理”这类表述亦非产品的结构特征。
  顺便提及,申请人在撰写说明书时,有时会通过引用其他文献的方式阐述现有技术状况或说明某些技术手段的具体实现方式。但是在引证文件时需注意,引证文件还应当满足以下要求:
  (1)引证文件应当是公开出版物,除纸件形式外,还包括电子出版物等形式;
  (2)所引证的非专利文件和外国专利文件的公开日应当在本申请的申请日之前;所引证的中国专利文件的公开日不能晚于本申请的公开日;
  (3)引证外国专利或非专利文件的,应当以所引证文件公布或发表时的原文所使用的文字写明引证文件的出处以及相关信息,必要时给出中文译文,并将译文放置在括号内。
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