正在初始化报价器怎么扩大ipad内存3个回答yinjun学生您好，ipad本机内存是无法增大的，但是可以外接设备，有苹果官方的外接线，可以插U盘，但只能识别图片和视频，也可以上买外接设备，不过要越狱才行。也可以用网盘这样也不会丢失。希望我的回答可以帮助到您。
罗大头Sundy不能装，苹果并不支持SD卡拓展。
不支持拓展的原因：
1、随着科技高速发展，闪存的价格变得越来越便宜。但苹果却始终将设备的存储空间作为用户选择的一大标准。要知道，iPhone的16G版本与32G版本，在行货价格上相差很多，价差要远远高于闪存本身的价值。
2、其次，苹果在工业设计上的严格要求也起到了重要的影响。已故的苹果联合创始人乔布斯极其推崇简约之美，在硬件上配置多余的接口也成为了他不能容忍的一件事之一。这也就是为什么iPhone只有一个充电接口一个耳机插孔，也就是为什么MacBook取消外置光驱、取消以太网接口的重要原因。
3、除了外部设计，闪存的封闭式嵌入式设计也可以令设计师们对机身的内部结构做出更好的规划。在移动设备电池发展陷入瓶颈的今天，每个硬件制造商都希望可以在保证性能的同时，为用户带来更强悍的待机时间，而这更长的待机时间，也就意味着更大的电池。而嵌入封闭的硬件则可以在最大程度上节省空间。
4、另外，SD卡本身的糟糕表现也是一个影响因素。相比内置的闪存，SD卡的读取速度往往过于缓慢，同时容易崩溃，经常增加不必要的电量消耗。而取消SD卡的设置可以保证系统对文件的绝对控制，这在某种程度上解决了诸多文件隐患，保证了系统运行的稳定性。而且，在使用SD卡后，文件管理也会更加复杂，经常会出现多个存储器。
kntrwecipad扩大内存的方法： 1. ipad mini2 是不支持扩展的，16g不够用的话，将你mini2 的数据保存到电脑上，然后删掉暂时不用的东西； 2. 双击 “Home主屏键”，手动关闭系统的后台应用程序，这个方法可以在不重启系统的情况下快速关闭一些进程释放内存。
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2个回答复归玷计把F盘和他前一个区合并，然后再分，把F盘分大点就可以了！??步骤:我的电脑&右击&管理&磁盘管理&右击F盘删除(自动合并前个区)&在分区就可以了，希望...1个回答love蜗牛556可以不用改的，没有问题 建议使用ADD11H_trial_en-US进行容量调整，比较安全，序列号问百度吧1个回答yuergr71可以不用改的，没有问题 建议使用ADD11H_trial_en-US进行容量调整，比较安全，序列号问百度吧1个回答美丽人生SAj巴苹果手机内存不可以自行扩大，是固定的，不能通过使用SD开来扩展内存，这点和安卓手机有区别。 虽然苹果手机不能扩展内存，却可以间接增大内存，方法如下： 1. 关闭短信永久储存。 点击...3个回答MrFain1、双击Home键——手动清理缓存，这个方法可以在不重启系统的情况下快速关闭一些进程释放内存；
2、重启设备——iOS设备一旦重启，缓存将全部清空，重启后也无需双击H...4个回答查令十字街84号_5扩大内存不行，只能优化内存3个回答想像更快没办法 但是可以通过刷机精简系统释放RAM 或者设置虚拟内存 百度搜索运存扩展器下载试试1个回答小可万岁咃看阁楼土建结构，现浇的可以，预制板的话扩大后需加固，主要可能受力情况。 Q:二七o四九五三四八张家界胡一筒怀孕34天hcg14800，孕酮60，36天hcg28700，孕酮52，帮忙看下hcg是不是太高了，孕酮降了，是不是不正常啊_百度宝宝知道人的正常体温是多少，36.7是正常吗_百度拇指医生
&&&普通咨询
?人的正常体温是多少，36.7是正常吗
cc******男26岁其他
阳西县溪头镇医院
正常人体温为36℃-37℃，36.7℃属于正常体温。
发热分度：
低热：37.3℃-38℃；
中度发热：38.1-39℃；
高热：39.1-41℃；
超高热：41℃以上。
拇指医生提醒您：医生回答仅供参考。
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完善患者资料：*性别：
要在36.2-37.5都是正常的温度。这个温度是正常的，但是咽喉痛需要注意是咽喉炎的可能，...
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向医生提问运行内存标称1G的手机实际可用内存是多少？_百度知道
运行内存标称1G的手机实际可用内存是多少？
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狗屁的大品牌，国产小牌子安卓机1g运存的手机有953m可见空间，别管他开机用了多少，一张1g的内存卡什么都不装也不过如此，两g内存的安卓设备国产平板品铂m8 pro开机内存显示就是2048m.而华为a199就显示1700多m，这也能一样，摆明了厂大欺客，三星盖世3一g版开机总内存显示770m，这也叫1g运存，在少两M可以称是768的运存了
采纳率：62%
一般是700多M我的三星正品的手机才给我768M可用的，唉真够坑的。
看你用的什么rom 系统占的内存都不一样
大概只有3分之2软件越多内存越小
60%左右，因为系统要占用
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希望能回答的详细,谢谢.
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朋友：内存序列号 (ZT) 从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。 内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。 1、PC66/100 SDRAM内存标注格式 （1）1.0---1.2版本 这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。 （2）1.2b+版本 其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。 2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式 威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。 PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。 3、PC DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式 其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。 4、RDRAM 内存标注格式 其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。 5、各厂商内存芯片编号 内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。 由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，先来看看它们的内存芯片编号。 （1）HYUNDAI（现代） 现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代 表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。 市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改 换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。 （2）LGS〔LG Semicon〕 LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。 LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi 其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕 ，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。 例如GM72VK，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。 LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。 （3）Kingmax(胜创) Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。 Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的 Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。 KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAXPC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。 （4）Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金 条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。 金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 =128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针，2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标 识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。 （5）SEC（Samsung Electronics，三星） 三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] =256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 =16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。 三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三 星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 =x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 =7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100MHz @ CAS值为2、L=100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是 10ns(100 MHz)。 三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4=4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 =128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针 TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns,166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns,133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。 （6）Micron（美光） Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j 其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型 FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类： （A）、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5，-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz （B）、Rambus（时钟率） -4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含义-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）、DDR SDRAM -8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz （7）其它内存芯片编号 NEC的内存芯片编号例如μPD-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16 位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。 HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。 TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。 IBM的内存芯片编号例如IBMD-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。
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