IXFN36N100场效应MOS的替换型号是？_百度知道
IXFN36N100场效应MOS的替换型号是？
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这种N通道的36A
1000V的MOS管很多。只是SOT-227封装。可能需要好好找找。IR,FAIRCHILD,ST/TI的品牌应该都有！
可以用海飞乐技术的HMD38N100A型号来替换啊。1000V/38A的MOS模块。海飞乐技术来自台湾工研院的支持。以下是产品规格书，点击放大。专业SOT-227封装MOS模块。IXFN44N50、IXFN44N50Q、IXFN50N50、IXFN64N50P、IXFN55N50、IXFN80N50Q3、IXFN66N50Q2、IXFN80N50P
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MOSFET模块有哪些封装？可以哪些可替换的型号？
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MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。缺点：抗干扰能力弱，承载能力和工作电压较低。海飞乐技术先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，让MOSFET模块实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；特点与优势：低FOM，高雪崩耐量，低反向恢复电荷，低反向恢复峰值电流，抗静电能力ESD，海飞乐技术封装替换以下型号:IXFN100N10S1IXFN100N10S3IXFN100N10S2IXFN44N50U2IXFN44N50U3IXFN48N50U3IXFN48N50U2IXFN64N50PD3IXFN64N50PD2IXFE44N50QD2IXFE48N50QD2IXFE44N50QD3IXFE48N50QD3IXFN260N17TIXFN230N20TIXFN180N25TIXFN160N30TFA40SA50LCFA72SA50LCFC220SA20FB190SA10FC420SA10FC80NA20HFA120FA60IXFN38N100PIXFN38N100Q2FA38SA50LCFC40SA50FKFA57SA50LCFB180SA10STE53NC50STE40NC60STE48NM50STE53NC50STE70NM50STE70NM60STE88N65M5STE139N65M5STE140NF20DSTE145N65M5HFA120FA60VMK165-007TVMK90-02T2VMO550-01F VMO650-01F VMO1200-01FVMO580-02F VMO1600-02PVMMVMM650-01FVMM45-02FVMM85-02FVMM300-03FVMM90-09F
半导体器件设计，封装
主营：快恢复二极管/模块
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DWM100X2-12N停产的模块哪里有SOT-227封装的？
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这是韩国大卫的模块，早就停产了，现在是海飞乐技术在封装这个模块。
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48小时发货VS-FB190SA10威世半导体功率MOSFET ， 190特点o完全隔离包装o极低的导通电阻o全额定雪崩o动态的dv / dt额定值o低漏电容的情况下，SOT-227o低内部电感o优化SMPS应用o易于使用和并行o行业标准大纲o符合RoHS指令2002/95 / ECo设计和工业级合格产品概述VDSSIDDCRDS （ ON）TYPE包100 V190 A0.0065?模块 - MOSFETSOT-227描述高电流密度的功率MOSFET并联成紧凑，高功率模块提供最佳组合开关，坚固耐用的设计，非常低导通电阻和成本效益。分离的SOT- 227包被，优选为所有商业工业应用的功率耗散级别大于500 W的低热约更高性，易连接SOT- 227封装有助于其在整个普遍接受业。绝对最大额定值参数连续漏电流VGS10 V漏电流脉冲功耗线性降额因子栅极至源极电压单脉冲雪崩能量雪崩电流重复性雪崩能量峰值二极管恢复的dv / dt工作结存储温度范围绝缘耐压（ AC- RMS）安装力矩VGSEAS （2）IAR（1）EAR（1）dv / dt的(3)TJ, T英镑VISOM4螺钉符号IDIDMPDTC= 25 °C测试条件TC= 40 °CTC= 100 °C马克斯。1901307205682.7± 20700180485.7-
55至+ 1502.51.3WW / ℃，VmJAmJV / ns的°CkVNmA单位笔记(1)重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。(2)启动T = 25 ° C，L = 43 μH ， R = 25?,IJgAS= 180 A.(3)ISD?180 A ， di / dt的?83 A / μs的，VDD?V（ BR ） DSS, TJ?150 °C.文档编号： 93459修订： 12 -APR- 11如有技术问题，请联系：www.vishay.com1本文如有更改，恕不另行通知。本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述www.vishay.com/doc?91000VS-FB190SA10威世半导体功率MOSFET ， 190热阻参数结到外壳案件散热器，平，脂面符号RthJCR乡镇卫生院分钟。--典型值。-0.05马克斯。0.22-单位° C / W电气特性(TJ= 25 ° C除非另有说明）参数漏源击穿电压击穿电压温度系数静态漏极至源极导通电阻栅极阈值电压正向跨导漏极至源极漏电流符号V（ BR ） DSS?V（ BR ） DSS/?TJRDS （ ON）VGS （ TH）gfsIDSSIGSSQgQgsQgdtD（上）trtD（关闭）tfLSC国际空间站COSSCRSS测试条件VGS= 0 V，ID= 250 μA参考至25℃ ，我D= 1毫安VGS= 10 V，ID= 180 AVDS= VGS, ID= 250 μAVDS= 25 V，ID= 180 AVDS= 100 V, VGS= 0 VVDS= 80 V, VGS= 0 V ，TJ= 125 °CVGS= 20 VVGS= - 20 VID= 180 AVDS= 80 VVGS= 10 VVDD= 50 VID= 180 ARg= 2.0??? （内部）RD= 0.27??铅，模具联络中心之间VGS= 0 VVDS= 25 VF = 1.0 MHz的分钟。100--2.093---------------典型值。-0.0930.00543.3-----25040110453511813355.010 70028001300马克斯。--0.00654.35-50500200- 200-----------pFnHnsnC单位VV /°C的?VSμA门源正向漏总栅极电荷门源费栅漏（ &Miller& ）充电导通延迟时间上升时间打开-O FF延迟时间下降时间内部源极电感输入电容输出电容反向传输电容nA源极 - 漏极额定值和特性参数连续源电流（体二极管）脉冲源电流（体二极管）二极管的正向电压反向恢复时间反向恢复电荷向前开启时间符号ISISMVSDtrrQrrton测试条件D分钟。--S典型值。--1.03002.6马克斯。190单位MOSFET符号显示积分反向p-n结二极管。AG7401.3--VnsμCTJ= 25 ° C，IS= 180 A，VGS= 0 VTJ= 25 ° C，IF= 180 A， di / dt的= 100 A / μs的---固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主S+ LD)www.vishay.com2如有技术问题，请联系：文档编号： 93459修订： 12 -APR- 11本文如有更改，恕不另行通知。本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述www.vishay.com/doc?91000VS-FB190SA10功率MOSFET ， 190威世半导体2.51000顶部RDS （ ON），漏极 - 源极导通电阻（归一化）ID，漏极 - 源极电流（A ）VGS15V10V8.0V7.0V6.0V5.5V5.0VBOTTOM 4.5VID= 180A2.01001.54.5V101.00.510.120μs的脉冲宽度TJ= 25°C1101000.0-60 -40 -20VGS= 10V020406080 100 120 140 160VDS，漏极至源极电压（ V）TJ，结温（°C)图。 1 - 典型的输出特性图。 4 - 归通电阻与温度的关系100020000VGS顶部15V10V8.0V7.0V6.0V5.5V5.0VBOTTOM 4.5VID，漏极 - 源极电流（A ）VGS=C国际空间站=CRSS=COSS=0V,F = 1MHz的Cgs+ CGD ，Cds短CgdCds+ CgdC，电容（pF ）15000100C国际空间站100004.5VCOSS500010CRSS10.120μs的脉冲宽度TJ= 150°C1101000110100VDS，漏极至源极电压（ V）VDS，漏极至源极电压（ V）图。 2 - 典型的输出特性图。 5 - 典型的电容与漏源极电压201000ID= 180 AVDS= 80VVDS= 50VVDS= 20VID，漏极 - 源极电流（A ）TJ= 150°CVGS，栅 - 源极电压（ V）V DS = 25V20μs的脉冲宽度15100TJ= 25°C1010514567010050100150200测试电路见图1325030035040089VGS，栅 - 源极电压（ V）QG，总栅极电荷（ NC）图。 3 - 典型的传输特性图。 6 - 典型栅极电荷主场迎战栅极至源极电压文档编号： 93459修订： 12 -APR- 11如有技术问题，请联系：www.vishay.com3本文如有更改，恕不另行通知。本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述www.vishay.com/doc?91000VS-FB190SA10威世半导体1000功率MOSFET ， 190175允许外壳温度（ ℃）ISD，反向漏电流（ A）100TJ= 150°C150125DC10010TJ= 25°C175500.10.2VGS= 0 V0.61.01.41.8250255075100125150175200VSD，源极到漏极电压（V ）ID，漏极电流DC （A ）图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度10000在这一领域有限由RDS （ ON）100010usID，漏电流（ A）VDSVGS100us1msRDD.U.T.+-VDD100RG1010ms10 V脉冲宽度≤1 us占空比≤0.1 %11TC= 25 ° CTJ= 150 ° C单脉冲101001000VDS，漏极至源极电压（ V）图。 8 - 最高安全工作区图。 10A - 开关时间测试电路VDS90%10%VGStD（上）trtD（关闭）tf图。 10B - 开关时间波形www.vishay.com4如有技术问题，请联系：文档编号： 93459修订： 12 -APR- 11本文如有更改，恕不另行通知。本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述www.vishay.com/doc?91000VS-FB190SA10功率MOSFET ， 190威世半导体1ZthJC- 热阻（ ° C / W）0.750.50.10.30.20.1单脉冲（热电阻）DC0.010.00010.0010.010.1110t1，矩形脉冲持续时间（ S）图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结到外壳EAS，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）15001200ID71A100ABOTTOM 160A顶部15 V900VDSRG20 VL司机600D.U.TIAStp0.01Ω+-VDDA3000255075100125150开始T，结温（°C)J图。 12A - 非钳位感应测试电路图。 12C - 最大雪崩能量与漏电流V（ B R ）D S S小tpQG10 VQGSVGIASQGD收费图。 12B - 松开电感的波形图。 13A - 基本栅极电荷波形文档编号： 93459修订： 12 -APR- 11如有技术问题，请联系：www.vishay.com5本文如有更改，恕不另行通知。本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述www.vishay.com/doc?91000
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