多基极 集电极 发射极极三极管，这样的器件真正存在吗，有的电路里有多基极 集电极 发射极极三极管，而实物找不到？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-12-22 14:19 标签： 共发射极放大电路
　　1．用模拟检测　　　　(1)挡位：检测小功率管用Rx10k&O挡，测大功率管用Rx1&O挡，需&O调零。　　　　(2)方法：对于小功率硅管，用红、黑表笔接触除基极b以外的两个管脚，如果指针偏转，则黑表笔所接脚是发射极e，如果指针不动，则黑表笔所接脚是集电极c：对于小功率硅管，用红、黑表笔接触除基极b以外的两个管脚，如果指针偏转，则黑表笔所接脚是集电极c，如果指针不动，则黑表笔所接脚是发射极e。至于大功率管，都有金属散热片，与集电极c是直通的，用Rx1&O挡测量哪个管脚与散热器直通即是集电极c。　　　　(3)原理：小功率硅管（小功率锗管大概上个世纪九十年代前使用，目前已经绝迹）有一个基本特点，发射结的反向VEBO&8V，一般其有4V~5V;集电结的反向VCBO&20V。模拟万用表在用Rx10k&O挡时，内部是一节1.5V电池与9V(或15V)电池串联（其余&O挡都是用1.5V电池），电压等于10.5V(或16.5V)。见下图，用黑表笔接触NPN管的发射极e的瞬间，发射结反向击穿，集电结正向导通，所以指针偏转；反之，黑表笔接触NPN管的集电极c，集电结反向不击穿，则指针不动。　　　　对于检测PNP管的原理，相信读者根据图2自己可以分析清楚。发射结反向击穿会不会造成三极管损坏呢？电击穿不会，热击穿会。由于使用Rx10k&O挡时万用表内部串联了16.5k&O，将流过发射结的限制在&A级，虽然会电击穿，但短时间内不会造成热击穿（因为反向击穿很小，发热也小），而测试一下只要一秒钟时间足矣，所以注意不要长时间地测量，避免造成热击穿。　　　　2．用数字万用袁检测　　　　(l)挡位：hFE。　　　　(2)方法：将NPN或PNP管与万用表上所标示的管座相对应，将基极b插入相应管座，另外两个管脚任意插入e、c管座．数字表显示的数字就是第一个hFE：然后对调两个管脚再测一次，得到第二个hFE．比较两次读数，哪次数字大(差别明显)哪次就是正确插法，管座上对应的e、c就是三极管的发射极e与集电极c。
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共发射极三极管基本放大电路特点？
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共射极放大电路是放大电路中应用最广泛的三极管接法，信号由三极管基极和发射极输入，从集电极和发射极输出。因为发射极为共同接地端，故命名共射极放大电路。其特点如下： 　　1、输入信号和输出信号反相； 　　2、有较大的电流和电压增益； 　　3、一般用作放大电路的中间级。 　　4、共射极放大器的集电极跟零电位点之间是输出端,接负载电阻.
全球居士联合会秘书长
　　共射极放大电路是放大电路中应用最广泛的三极管接法，信号由三极管基极和发射极输入，从集电极和发射极输出。因为发射极为共同接地端，故命名共射极放大电路。其特点如下：　　1、输入信号和输出信号反相；　　2、有较大的电流和电压增益；　　3、一般用作放大电路的中间级。　　4、共射极放大器的集电极跟零电位点之间是输出端,接负载电阻.
电压和电流放大倍数大。输出和输入反相稳定性和频率特性差
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经典三极管放大电路，学电子的必须掌握！
共发射极NPN型三极管放大电路是模拟电路中非常重要的知识点，对于三极管的三个工作状态截止放大和饱和，放大电流的特性是三极管最重要的点。在学习三极管的输入输出特性和静态工作点确定之后，目的就是能够分析共发射极的三极管放大电路，在此基础上才能做其他类型的延伸。针对如图所示的共发射极放大电路，首先我们得明确一点，这个电路的最终目的是要对交流信号源放大得到我们需要的幅值，而三极管之所以能放大信号，是因为我们额外提供了能量来源VCC。也就是说我们在设计电路之前心中已经确定了一个目标值，VCC值就要根据信号目标幅值最大不超过0.95VCC，最小不小于0.05VCC这个经验值来确定是合适的。对于静态工作点的确定，把握静态工作点Q尽量在三极管DC负载直线的中点（结合三极管集电极电压VC=VCC/2以及集电极电阻RC为发射极电阻RE的10倍这两条经验公式来确定是合理的）。三极管的动态内阻对三极管直流分析确定静态工作点之后，开始分析三极管放大之前，需要了解三极管的动态内阻这个概念。我们知道三极管这种半导体性质的元器件，肯定是非线性的，也就是说这类元器件的参数是变化的。如下图所示，三极管的内阻比如基极和发射极之间的内阻rbe，定义为Δube/Δib，集电极和发射极直接的内阻rce，定义为Δuce/Δic。显然rce阻值很大，实际考虑时都忽略不计，而rbe就不能忽略了，影响三极管的放大倍数（增益），近似认为基极和发射极之间的内阻rbe=25mV/IE。现在有一个小信号正弦波交流源，其有效值为10mV，频率为50Hz，我们要将该信号放大35倍，得到有效值为350mV的信号，共发射极三极管放大电路如下：假设三极管集电极电阻RC=10K，负载电阻RL=47K。电压放大倍数Av=（RC//RL）/（rbe+RE1）。第一步：确定VCC值。VCC值就要根据信号目标幅值最大不超过0.95VCC，最小不小于0.05VCC这个经验值来确定是合适的，选择VCC=10V。第二步：对三极管进行直流分析确定静态工作点Q。根据经验公式VC=VCC/2，此时三极管集电极电压VC=10/2=5V。因为三极管集电极电阻RC=10K，那么集电极电流IC=(VCC-VC)/RC=5/10=0.5mA。由经验公式RC=10RE=10(RE1+RE2)得，RE1+RE2=1K，即三极管发射极电压VE=IE*RE=0.5*1=0.5V，因此三极管基极电压VB=VBE+VE=0.7+0.5=1.2V。VB=VCC*R2/(R1+R2)，假设R1=47K，则可以得到R2=6.2K。第三步：由三极管电压放大倍数Av（增益）确定RE1和RE2的具体值。因为三极管发射极电流IE几乎等于集电极电流IC=0.5mA，所以三极管基极和发射极之间的内阻rbe=25mV/IE=25/0.5=50Ω。由三极管电压放大倍数Av=（RC//RL）/（rbe+RE1）=（1）/（50+RE1）=35得到RE1=180Ω。因为RE1+RE2=1K，所以RE2=820Ω。最后在multisim中搭建原理图仿真，用示波器看看是否符合设计要求。示波器波形如下：其中通道A每格代表10mV，通道B每格代表200mV，可以看出幅值比=450/14=32，基本上符合我们的设计要求。
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喜欢该文的人也喜欢如图为三极管放大电路，图中发射极接地是起什么作用？_百度知道
如图为三极管放大电路，图中发射极接地是起什么作用？
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发射极接地是共发射极电路，那个极接地就是共那个极。至于作用，就是看电路的工作需求，具体需求，具体分析啦
采纳率：80%
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第9章 三极管的识别检测！半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有三个电极，能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
　　在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的pn结，组成一个pnp(或npn)结构。中间的n区(或p区)叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极b、发射极e和集电极c。
用户名：wfy00123
评论时间：日
怎么不能下载啊....
用户名：匿名
评论时间：日
我希望通过工控网学到更多的东西！
第9章 三极管的识别检测！半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有三个电极，能起放
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二极管的识别检测！在电脑硬件芯片级维修丛书的组稿过程中，我接触了很多芯片级维修爱好
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