> 问题详情
电路如下图所示，设运放是理想的，三极管T的VBE=VB－VE=0.7V。（1)求三极管的c、b、e各极的电位值；（2)若电压表读数
悬赏：0&答案豆
提问人：匿名网友
发布时间：
电路如下图所示，设运放是理想的，三极管T的VBE=VB-VE=0.7V。(1)求三极管的c、b、e各极的电位值；(2)若电压表读数为200mV，求三极管电流放大系数β=IC/IB的值。
为您推荐的考试题库
您可能感兴趣的试题
1在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运算放大器作放大电路的原因是其上限截止频率太低，难以产生高频振荡信号。
)2当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
)3一般情况下，电压比较器的集成运算放大器工作在开环状态，或者引入了正反馈。
我有更好的答案
请先输入下方的验证码查看最佳答案
图形验证：
验证码提交中……
找答案会员
享三项特权
找答案会员
享三项特权
找答案会员
享三项特权
选择支付方式：
支付宝付款
郑重提醒：支付后，系统自动为您完成注册
请使用微信扫码支付(元)
支付后，系统自动为您完成注册
遇到问题请联系在线客服QQ：
恭喜你被选中为
扫一扫-免费查看答案！
请您不要关闭此页面,支付完成后点击支付完成按钮
遇到问题请联系在线客服QQ：
恭喜您！升级VIP会员成功
提示：请截图保存您的账号信息，以方便日后登录使用。
常用邮箱：
用于找回密码
确认密码：三极管的模电题，三极管导通时，VBE=0.7V,饱和时，VBES=0V,其它参数如图，试分别计算V1_百度知道
三极管的模电题，三极管导通时，VBE=0.7V,饱和时，VBES=0V,其它参数如图，试分别计算V1
VBE=0...放大电路的IB.7V,饱和时，VBES=0V,其它参数如图，试分别计算V1接地或悬空时三极管的模电题，三极管导通时
我有更好的答案
29mA等于14.5mA 电流 太大，，Ic为50倍0;3V 矛盾，如果三极管截止Vb为5&#47。v1悬空时，Ic都为0 ，Vce为5V，Ib为0.29mA.2V.Ic=4，，
如果三极管导通，由题Vbe为0.7V，所以，三极管工作在 饱和导通状态，由题Vbes为 0，所以 Ib=0.5mA,Vces=0v1接地三极管截止状态工作，Ib
采纳率：33%
为您推荐：
其他类似问题
换一换
回答问题，赢新手礼包
个人、企业类
违法有害信息,请在下方选择后提交
色情、暴力
我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。三极管是一种半导体电子器件，有3个引脚，晶体三极管分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e），电子三极管分别为屏极、栅极、阴极。能够把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也称双极型晶体管,晶体三极管。
1&&2&&3&&4&&
1三极管的原理
　　三极管是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
　　当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
　　在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
　　由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10[%]）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：
　　Ie=Ib+Ic
　　这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
　　β1=Ic/Ib
　　式中：β--称为直流放大倍数，
　　集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
　　β= △Ic/△Ib
　　式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
　　三极管作为电流件，在实际使用中常常利用其电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。2三极管的种类与结构
　　三极管分很多种，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C），发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结。其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。在电路中，晶体管用字符T表示。具有电流放大作用的三极管，在内部结构上具有其特殊性，这就是：其一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度；其二是基区很薄，一般只有几微米。这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据。3三极管的特性曲线
　　三极管的特性曲线是用来表示各个电极间电压和电流之间的相互关系的，它反映出三极管的性能，是分析放大电路的重要依据。特性曲线可由实验测得，也可在晶体管图示仪上直观地显示出来。
　　1．输入特性曲线
　　晶体管的输入特性曲线表示了VCE为参考变量时，IB和VBE的关系。
　　图1是三极管的输入特性曲线，由图可见，输入特性有以下几个特点：
　　(1) 输入特性也有一个“死区”。在“死区”内，VBE虽已大于零，但IB几乎仍为零。当VBE大于某一值后，IB才随VBE增加而明显增大。和二极管一样，硅晶体管的死区电压VT（或称为门槛电压）约为0.5V，发射结导通电压VBE =（0.6~0.7）V；锗晶体管的死区电压VT约为0.2V，导通电压约（0.2~0.3）V。若为PNP型晶体管，则发射结导通电压VBE分别为(-0.6 ~ -0.7)V和(-0.2~ -0.3)V。
　　（2）一般情况下，当VCE &1V以后，输入特性几乎与VCE=1V时的特性重合，因为VCE &1V后，IB无明显改变了。晶体管工作在放大状态时，VCE总是大于1V的（集电结反偏），因此常用VCE≥1V的一条曲线来代表所有输入特性曲线。
　　2.输出特性曲线
　　晶体管的输出特性曲线表示以IB为参考变量时，IC和VCE的关系，即:
　　图2是三极管的输出特性曲线，当IB改变时，可得一组曲线族，由图可见，输出特性曲线可分放大、截止和饱和三个区域。
　　（1） 截止区 ：IB = 0的特性曲线以下区域称为截止区。在这个区域中，集电结处于反偏，VBE≤0发射结反偏或零偏，即VC&VE≧VB。电流IC很小，（等于反向穿透电流ICEO）工作在截止区时，晶体管在电路中犹如一个断开的开关。
　　（2） 饱和区 ：特性曲线靠近纵轴的区域是饱和区。当VCE&VBE时，发射结、集电结均处于正偏，即VB&VC&VE。在饱和区IB增大，IC几乎不再增大，三极管失去放大作用。规定VCE=VBE时的状态称为临界饱和状态，用VCES表示，此时集电极临界饱和电流：4三极管的主要参数
　　工作电压/电流
　　用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
　　特征频率fT
　　:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.
　　电流放大倍数.
　　集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
　　最大允许耗散功率.
　　封装形式
　　指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
浏览次数：约 174 次
编辑次数：0次
最近更新：
创建者：ckadmin2010
佳华电子长期专业收购电子:财富热线24小时电话 /微信：182
Q Q：32952
深圳市宇翔达科技有限公司是一家提供安防监控、蓝牙、汽车电子解决方案的高科技企
★深圳市铭盛电子科技有限公司长期高价收购IC/二三极管/手机电脑配件等一切电子元
京公网安备:09号
Copyright (C)
All Rights Reserved 版权所有三极管 Vbe 和 Ib 的关系 - 捷配电子市场网
三极管 Vbe 和 Ib 的关系
作者：babyfans　栏目：
三极管 Vbe 和 Ib 的关系Vbe 不是固定的0.6~0.7v吗？为什么射极偏置电路里在发射极加电阻Re 由于温度升高导致 Ic 升高即 Ie 升高，也就是Ie×Re升高，Ie×Re的升高部分回送到基极－发射极去控制Vbe（关键就是这个Vbe），使外加于管子的Vbe减小，结果使Ib自动减小，结果牵制了Ic的增加，从而使Ic基本恒定，这个就是反馈原理。在这个原理中，我不大明白Vbe的固定值0.6~0.7v，为什么到这里就变成了控制Ib的量，从而控制Ic 。这个Vbe到底指的是什么，还有和Ib的关系。
作者： maychang 于
10:47:00 发布：
Vbe 不是固定的0.6~0.7v，它仍有一个变化范围虽然很小，但仍是变化的，其变化引起Ib变化，从而使Ic变化。Vbe指的是基极与发射极之间的电压，它与Ib不是线性关系。
作者： babyfans 于
20:07:00 发布：
maychang 的解释有一点疑问假设在基极所加的电压为6V，则发射极的电压就为5.4V（6－0.6），如果发射极电流因为温度升高而增大，致使发射极电阻上产生压降，如果这个电压不超过5.4V的话，就不能改变Vbe为0.6V的状态。这怎么解释。
作者： tuwen 于
21:06:00 发布：
负反馈的效果并不能使Ie完全恒定不变你前面对发射极电阻的负反馈作用的叙述完全正确。但最后的平衡状态不是Ie一点不变，而是Ie略有增大，Ie×Re略有升高，Vbe略有减小。发射极电阻负反馈的效果是最终Ie的增大比起没有负反馈的情况要小得多。
作者： myhisense 于
21:41:00 发布：
Vbe不会超过超过5.4V吧Vbe之前稳定下,假设为5.4V,Ie*Re=5.4V.&&这时,温度升高,升高即 Ie 升高,那么此时的Ie*Re肯定大于5.4
作者： babyfans 于
10:46:00 发布：
tuwen Vbe&&&&&发射结的0.6V压降&&&Ib我知道Vb 是被固定在了一个定值，当发射极电流增加，Ve 增大，所以Vbe 减小。 这里只问一个问题我想我就会明白了。&&&Vbe&&&&&发射结的0.6V压降&&&Ib&&&&&&&三者之间的关系？
作者： ic学生 于
12:38:00 发布：
pn结的内电场和温度有关二极管的内电场公式vbi=KTln(Na*Nb/ni^2)/e ni和温度关系很大，所以vbe肯定是和温度有关的。我们一般视为恒定是为了简化计算，而且三极管的vbe―ib输入特性也不是一条垂直vbe的，在0.7v左右还是有弯曲的，所以vbe是可以微小变化的。
作者： 霸天虎 于
20:10:47 发布：
各位大人,我想请教一下,你知不知道有什么VBE电压超低的NPN三极管,最好是贴片的,要是能有供应商的联系方式的话就更好.我做一个产品急用,老板快要对我开刀了.所以烦请指教.跪谢!!!!!!!!!
讨论内容：
Copyright &
www.dzsc.com 浙ICP证030469号您所在位置： &
&nbsp&&nbsp&nbsp&&nbsp
三极管mos管.ppt 54页
本文档一共被下载：
次 ,您可全文免费在线阅读后下载本文档。
下载提示
1.本站不保证该用户上传的文档完整性，不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。
2.该文档所得收入(下载+内容+预览三)归上传者、原创者。
3.登录后可充值，立即自动返金币，充值渠道很便利
三极管mos管
你可能关注的文档：
··········
··········
门电路 门电路：实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。 用高、低电平分别表示1、0两个逻辑值
正逻辑与负逻辑 2.2
半导体二极管和三极管的开关特性 二、三极管的开关特性 1．三极管的三种工作状态 二、二极管或门电路 三、三极管非门电路 2.4
TTL门电路 4. TTL反相器的抗干扰能力 二、TTL反相器的静态输入特性和输出特性 1.输入特性
输入端等效电路 2.输出特性 （1）高电平输出特性
（1）灌电流负载 NOL称为输出低电平时的扇出系数。
（2）拉电流负载。 一般NOL≠NOH，常取两者中的较小值作为门电路的扇出系数，用NO表示。
在工程实践中，有时需要将几个门的输出端并联使用，以实现与逻辑，称为线与。普通的TTL门电路不能进行线与。
为此，专门生产了一种可以进行线与的门电路——集电极开路门。 （1）当输出高电平时
（1）三态输出门的结构及工作原理。 当EN=0时，G输出为1，D1截止，相当于一个正常的二输入端与非门，称为正常工作状态。 当EN=1时，G输出为0，T4、T3都截止。这时从输出端L看进去，呈现高阻，称为高阻态，或禁止态。 三态门在计算机总线结构中有着广泛的应用。 （a）组成单向总线， 实现信号的分时单向传送.
5．74LS系列——为低功耗肖特基系列。 6．74AS系列——为先进肖特基系列， 它是74S系列的后继产品。 7．74ALS系列——为先进低 功耗肖特基系列， 是74LS系列的后继产品。
二、MOS管的开关特性 1、MOS管的结构
以N沟道增强型为例： 2、输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGS&VGS(th)，iD = 0, ROFF & 109Ω 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD
基本上由VGS决定，与VDS 关系不大
漏极特性曲线（分三个区域）
可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时，
这个电阻受VGS 控制、可变。 MOS管的基本开关电路 开关等效电路 5、MOS管的四种类型 增强型
1．逻辑关系： （设VDD＞（VTN+|VTP|），且VTN=|VTP|） （1）当Vi=0V时，TN截止，TP导通。输出VO≈VDD。 （2）当Vi=VDD时，TN导通，TP截止，输出VO≈0V。 2.6.2 CMOS 反相器的静态输入/出特性 二、CMOS反相器的静态输入特性和输出特性 2.输出特性 （1）低电平输出时 (2).高电平输出时 （2）或非门 3.漏极开路门（OD门） 类似于TTL电路中的OC门 常用于输出缓冲/驱动器中，或者用于输出电平的转换，以及满足大负载电流的需要，也可用于实现“线与”——所有与OC门类似。 当EN=1时，TP2和TN2同时截止，输出为高阻状态。 所以，这是一个低电平有效的三态门。 5 ．CMOS传输门 工作原理：（设两管的开启电压VTN=|VTP|） （1）当C接高电平VDD，/C 接低电平0V时，若Vi在0V～VDD[0~VTN，|VTP| ~VDD]的范围变化，至少有一管导通，相当于一闭合开关，将输入传到输出，即Vo=Vi。 （2）当C接低电平0V，/C 接高电平VDD，Vi在0V～VDD的范围变化时，TN和TP都截止，输出呈高阻状态，相当于开关断开。 五、TTL集成逻辑门电路系列简介 1．74系列——为TTL集成电路的早期产品，属中速TTL器件。 2．74L系列——为低功耗TTL系列，又称LTTL系列。 3．74H系列——为高速TTL系列。 4．74S系列——为肖特基TTL系列，进一步提高了速度。如图示。 金属层 氧化物层 半导体层 PN结 以N沟道增强型为例： 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS &VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层）
开启电压 输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响 输出特性：
iD = f (VDS)
对应不同的VGS下得一族曲线
OFF ，截止状态
ON，导通状态 大量正离子 导电沟道 2.6
CMOS门电路 CMOS逻辑门电路是由N沟道
正在加载中，请稍后...