旁路旁路电容与去耦电容容的区别和取值,很全面的旁路旁路电容与去耦电容

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去耦电容与旁路电容的作用有何区别
电容分基本上可为两大类: 耦合电容,储能电容。 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。
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; & 回想当年鉴鹰刚刚大学本科毕业不久,进入一家大型国企,保守传统思想——“教会徒弟,饿死师傅”这种陋习的影响,只能靠自己死磕书本,硬啃项目慢慢才取得一点进步。所以后来干脆辞职再次回到电子科技大学读了三年研究生!为了让现在毕业的毕业的年轻人不要重蹈鉴鹰当年的覆辙,我也愿意将自己多年积累的一点经验分享给大家,想让更多的年轻人看到,获得一点点帮助就足矣!
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的高频旁路电容,电源回路当然也属于强信号回路。用于小信号回路的旁路电容则不称为“去耦”而称“旁路”,因为“旁路”所占能量的比重较大,“去耦”则较小,这是二者的差别。
这下应该明白了吧。
chunyang 发表于
“去耦电容”特指用在强信号回路中的高频旁路电容,电源回路当然也属于强信号回路。用于小信号回路的旁路电 ...
另外电容的取值有没有什么秘诀...
卷绕而成,薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大,能耐受大的脉动电流,容量误差大,泄漏电流大;普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。
电容量:0.47~10000u
额定电压:6.3~450V
主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大
应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等
他们的本质区别。(转)
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行...
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去耦电容:防止放大电路前后级通过电源耦合产生的自激,通常用于电路的供电位置。旁路电容:给交流信号(或高频干扰)提供一个捷径,通常用于需要减小交流阻抗(高频阻抗)的地方,比如并在三极管用于稳定工作点的发射极电阻两端。
什么是电源耦合?
电源总是有内阻的,放大电路的不同部分因工作电流会在电源内阻上产生一个信号,这个信号会通过电源加到放大电路的另一部分,这就是通过电源耦合,这种耦合极容易引起自激。通常在放大电路不同部分供电采取串个小电阻,就近并上一个电容会减弱这种现象,这就叫去耦电容。详见资料:
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