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中国成为世界上第四个拥有大功率IGBT芯片自主产权的国家
中国北车集团日前在西安对外发布：大功率IGBT芯片（绝缘栅双极型晶体管）通过专家鉴定并投入批量生产。中国自此有了完全自主产权的大功率IGBT“中国芯”。
　　中国北车集团日前在西安对外发布：大功率IGBT芯片（绝缘栅双极型晶体管）通过专家鉴定并投入批量生产。中国自此有了完全自主产权的大功率IGBT&&。　　据介绍，作为新一代半导体器件，IGBT是自动控制和功率变换的关键核心部件，被广泛应用在轨道交通装备行业、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中。此前，国内高端IGBT芯片基本依赖进口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不仅可以为我国高铁、动车组等轨道交通装备及其他相关行业提供强劲的&中国芯&，还将逐步改善国内目前大功率IGBT全部依赖进口的状况，降低我国轨道交通发展成本。目前，中国已成为全球最大的IGBT芯片消费国，年需求量超75亿元，每年还以30%以上的速度增长，到2020年，中国仅轨道交通电力牵引产业每年IGBT芯片的市场规模将不低于10亿元，智能电网不低于4亿元。据介绍，加上中国北车，目前世界上掌握这项技术的企业只有四家。&
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*验 证 码：proteusz中有什么适合驱动大功率IGBT的_百度知道
proteusz中有什么适合驱动大功率IGBT的
功率大概有6KW，电压300电流20左右吧
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我有更好的答案
.,IGBT是电压控制的,一般的电流不大.要瞬间电流大是为了,上升沿能满足需求瞬间驱动电流在2A左右. 一般驱动电压在15V,截至电压为0V或-5V; 1 +15V 有2A的最大瞬间电流;正常工作在15V的时候500mA都是大的了.上
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igbt驱动功率是多少
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IGBT是电压控制的,一般的电流不大.要瞬间电流大是为了,上升沿能满足需求.上升沿瞬间变化,要求电压有足够的能力来驱动,截至电压为0V或-5V.2
-5V是为了关闭完全用,也可以不用.-5V电流就更小了.100mA以内因此总功率在10W以内,最后还看你的IGBT型号,一般可以参考手册有说明;推荐一个驱动管: Infineon的
1ED020I12-F 可以驱动IGBT一路,电流在2A峰值,有保护,使用还行瞬间驱动电流在2A左右.一般驱动电压在15V,否则开关时间拉长,不能正常工作;正常工作在15V的时候500mA都是大的了;1 +15V 有2A的最大瞬间电流
采纳率：80%
多少的都有，基本都在10W以下看你要求要多大的IGBT驱动了
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IGBT元件与功率MOS的区别
来源：电源网综合
编辑：铃铛
在电路中经常使用在大功率电源当中，其元件的构造与特征能够使其顺利的在高功率电路中能够提供高安全性与大功率的支持，本文将为大家介绍IGBT元件的构造与特征，并为大家介绍IGBT与功率MOS的区别，感兴趣的朋友快来看一看吧。
IGBT的构造和功率MOSFET的对比如图1所示。IGBT是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的，从而具有以下种种特征。
图1功率MOSFET与IGBT的构造比较
（1）MOSFET的基本结构 （2）IGBT的基本结构
电压控制型元件
IGBT 的理想等效电路，正如图1-2所示，是对pnp双极型晶体管和功率MOSFET进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。
因此，在门极—发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时，pnp晶体管的基极—集电极间就连接上了低电阻，从而使pnp晶体管处于导通状态。
此后，使门极—发射极之间的电压为0V时，首先功率MOSFET处于断路状态，pnp晶体管的基极电流被切断，从而处于断路状态。如上所述，IGBT和功率MOSFET一样，通过电压信号可以控制开通和关断动作。
图2理想的等效电路
耐高压、大容量
IGBT和功率MOSFET同样，虽然在门极上外加正电压即可导通，但是由于通过在漏极上追加p+层，在导通状态下从p+层向n基极注入空穴，从而引发传导性能的转变，因此它与功率MOSFET相比，可以得到极低的通态电阻。
下面对通过IGBT可以得到低通态电压的原理进行简单说明。
众所周知，功率MOSFET是通过在门极上外加正电压，使p基极层形成沟道，从而进入导通状态的。此时，由于n发射极（源极）层和n基极层以沟道为媒介而导通，MOSFET的漏极—源极之间形成了单一的半导体（如图1中的n型）。它的电特性也就成了单纯的电阻。该电阻越低，通态电压也就变得越低。但是，在MOSFET进行耐高压化的同时，n基极层需要加厚，（n基极层的作用是在阻断状态下，维持漏极—源极之间所外加的电压。因此，需要维持的电压越高，该层就越厚。）元件的耐压性能越高，漏极—源极之间的电阻也就增加。正因为如此，高耐压的功率MOSFET的通态电阻变大，无法使大量的电流顺利通过，因此实现大容量化非常困难。
针对这一点，IGBT中由于追加了p+层，所以从漏极方面来看，它与n基极层之间构成了pn二极管。因为这个二极管的作用，n基极得到电导率调制，从而使通态电阻减小到几乎可以忽略的值。因此，IGBT与MOSFET相比，能更容易地实现大容量化。
正如图2所表示的理想的等效电路那样，IGBT是pnp双极型晶体管和功率MOSFET进行达林顿连接后形成的单片级联型Bi-MOS晶体管。此外，IGBT与双极型晶体管的芯片和功率MOSFET的芯片共同组合成的混合级联型Bi-MOS晶体管的区别就在于功率MOSFET部的通态电阻。在IGBT中功率MOSFET部的通态电阻变得其微小，再考虑到芯片间需要布线这一点，IGBT比混合级联型Bi-MOS晶体管优越。
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& &轨道交通主要是采用电力牵引的火车和地铁，其大功率交流传动电力机车内部构成有有两个重要的功率模块，即主牵引变流器和辅助变流器。主牵引变流器为牵引机车提供动力，功率最高、电压最大，工作条件最为严酷。辅助变流器为其他非动力电流供电，如空调、车灯、后备电源等，电压、功率相对较低，工作条件也相对较好。
&&&&&&主牵引变流器需要3.3千伏或6.5千伏高压模块，辅助变流器所需的电压则相对比较低，1.7千伏模块就能满足。它们均需要选用牵引级IGBT模块，因为机车工作环境非常恶劣。牵引级IGBT是电子应用领域要求等级最高的IGBT，对可靠性和产品生命周期的要求极高。
& &牵引级IGBT的功率高达1千万瓦，每个IGBT承受的最高电压可高达6.5千伏，标称电流高达600安。牵引级高压大功率IGBT的工作环境严酷，负载剧烈变化，对IGBT模块的寿命影响很大，这就需要采用特定的技术来提高器件的温度循环寿命和功率循环寿命。
& &一般工业级IGBT功率模块的工作温度为125℃，但英飞凌(Infineon)的IHM/IHV-B系列牵引级IGBT功率模块的工作温度比常见工业级功率模块的工作温度高出25℃，达到150℃。提高25℃对于IGBT有两个好处：首先，增加了IGBT模块的输出功率能力，有利于提高模块输出功率的密度，进而使整个变流器的设计更为小巧。其次，提高牵引级IGBT的工作温度增强了功率循环能力，从而提高模块的可靠性和工作寿命。IGBT的输出电流主要受结温限制，芯片的温度限制了它的功率负荷。如果能够将结温提升就意味着IGBT可以输出更大的电流。而实现结温提升的方法有两种：一是降低IGBT的饱和电压，降低IGBT的损耗；另外一个手段就是提高模块的焊线工艺，提升它的可靠性和功率交变能力。提高IGBT的结温可以使客户获得更大的使用功率，还可以降低损耗，散热器温度和模块壳温也随之降低了，允许模块输出更大的电流，同时IGBT的可靠性提升大大延长了模块的使用寿命。
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