k4f641632f-tc45飞机充电宝容量限制是多大

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II8MB ×16VDDDQ0VDDQDQ1DQ2VSSQDQ3DQ4VDDQDQ5DQ6VSSQDQ7NCVDDQLDQSNCVDDNCLDMWECASRASCSNCBA0BA1AP / A10A0A1A2A3VDD123456789101112131415161718192021222324252627282930313233666564636261605958VSSDQ15VSSQDQ14DQ13VDDQDQ12DQ11VSSQDQ10DQ9VDDQDQ8NCVSSQUDQSNCVREFVSSUDMCKCKCKENCNCA11A9A8A7A6A5A4VSS66Pin TSOPII( 400mil X 875mil )( 0.65毫米引脚间距)银行地址BA0~BA1自动预充电A10575655545352515049484746454443424140393837363534128MB TSOP -II封装引脚组织8Mx16行地址A0~A11列地址A0-A8DM在内部装载匹配DQ和DQS相同。行&列地址的配置5 32修订版1.2 2009年二月2010年4月消费者的记忆产品指南三星电子保留更改产品,信息的权利,规格,恕不另行通知。本文所讨论的产品和规格仅供参考。所有信息讨论本文提供的&AS IS&的基础上,没有任何形式的担保。本文及本文讨论的所有信息保持三星的独有财产电子产品。任何专利,版权,口罩工作,商标或任何其他知识产权的任何许可右侧是该文件正由一方到另一方,通过暗示,禁止反言或其他 -明智的。三星的产品不得用于生命支持,重症监护,医疗,安全设备,或使用类似的应用产品故障可能导致人身或人身伤害,或任何损失军事或国防应用程序,或任何政府采购,以这特殊条款或规定可以申请。如需更新或有关三星产品的更多信息,请联系您最近的三星办公。所有品牌名称,商标和注册商标均归其各自所有者所有。(c)2010三星电子有限公司保留所有权利。-1-产品指南1.消费者心目中订购信息123456789102010年4月消费者的记忆11K 4 X X X X X X X X - X X X X三星内存DRAM产品密度&刷新组织1.三星内存:K2. DRAM : 43.产品SHTBDJ:SDRAM:DDR SDRAM:DDR2 SDRAM:DDR3 SDRAM:GDDR:GDDR37.接口(VDD, VDDQ)28Q6K:LVTTL ( 3.3V , 3.3V ):SSTL_2 ( 2.5V , 2.5V ):SSTL_18 ( 1.8V , 1.8V ):SSTL_15 ( 1.5V , 1.5V ):POD_18 ( 1.8V , 1.8V )速度温度&电源套餐类型调整接口(VDD, VDDQ)银行8.修订MABCDEFG:第一将军:第二届创:第三将军:第四将军:第五将军:第六届将军:7将军:8日创HIJKLNOS:9日创:10日创:第11届创:12日创:13日创:14日创:15日创:19将军4.密度&刷新64:64MB, 4K / 64ms的28:128MB, 4K / 64ms的56:256MB, 8K / 64ms的51:512MB, 8K / 64ms的1G:1GB内存, 8K / 64ms的2G:2GB, 8K / 64ms的10:1GB内存, 8K / 32ms的9.包装类型UZ:TSOPII (无铅)100TQFP (无铅)只为128Mb的GDDR:FBGA (无铅):144FBGA (无铅)只为128Mb的GDDR:TSOPII (无铅&无卤):FBGA (无铅&无卤):FBGA (无铅&无卤)为64兆DDR , GDDR 128Mb的:FBGA DDP (无铅&无卤):FBGA FLIP - CHIP (无铅&无卤)5.组织04:x408:x816:x1632:x3231:X32 ( 2CS )VLHFMB10.温度&电源6.银行234:2银行:4银行:8银行CLIPDQ:商业温度。 &普通电源:商业温度。 &低功耗:工业级温度范围。 &普通电源:工业级温度范围。 &低功耗:工业级温度范围。 &超低功耗:商业温度。 DDR3 + (无缝, BL4 )-2-产品指南1234567892010年4月消费者的记忆1011K 4 X X X X X X X X - X X X X三星内存DRAM产品密度&刷新组织速度温度&电源套餐类型调整接口(VDD, VDDQ)银行11.速度75:7.5ns , PC133 ( 133MHz的CL = 3 )60:6.0ns ( 166MHz的CL = 3 )50:5.0ns ( 200MHz的CL = 3)的40:4.0ns ( 250MHz的CL = 3)的B0:DDR266 ( 133MHz的@ CL = 2.5 , tRCD的= 3 ,激进党= 3 )B3:DDR333 ( 166MHz的@ CL = 2.5 , tRCD的= 3 ,激进党= 3 )CC:DDR400 ( 200MHz的@ CL = 3 , tRCD的= 3 ,激进党= 3 )E6:DDR2-667 ( 333MHz的@ CL = 5 , tRCD的= 5 , tRP的= 5 )E7:DDR2-800 ( 400MHz的@ CL = 5 , tRCD的= 5 , tRP的= 5 )F7:DDR2 / 3-800 ( 400MHz的@ CL = 6 , tRCD的= 6 ,激进党= 6)F8:DDR2 / 3-1066 ( 533 @ CL = 7 , tRCD的= 7 ,激进党= 7 )H9:DDR3-1333 ( 667MHz的@ CL = 9 , tRCD的= 9 ,激进党= 9 )K0:DDR3-1600 ( 800MHz的@ CL = 11 , tRCD的= 11 ,激进党= 11 )7A:GDDR3-2.6Gbps ( 0.77ns )08:GDDR3-2.4Gbps ( 0.8ns )1A:GDDR3-2.0Gbps ( 1.0ns )12:GDDR3-1.6Gbps ( 1.25ns )14:GDDR3-1.4Gbps ( 1.4ns )-3-产品指南2.1 SDRAM密度64MB N-二模银行4Banks产品型号K4S640832NK4S641632NK4S280832KK4S281632KK4S280832OK4S281632OK4S560432J256Mb的J-模4BanksK4S560832JK4S561632JK4S560432N256MB N-二模4BanksK4S560832NK4S561632N包装&电力,温度。 (-C / -L ) &速度LC(L)75LC(L)50/C(L)60/C(L)75U*1C(L)75UC(L)50/C(L)60/C(L)75LC(L)75LC(L)50/C(L)60/C(L)75U*1C(L)75UC(L)75UC(L)60/C(L)75LC(L)75LC(L)75LC(L)60/C(L)75组织。8M ×84M ×1616M ×88M ×1616M ×88M ×1664M ×432M ×816M ×1664M ×432M ×816M ×16LVTTL8K/64msLVTTL8K/64ms接口LVTTL刷新4K/64ms2010年4月消费者的记忆2.商业温度消费DRAM组件产品指南电源( V)3.3±0.3V包54pin TSOP (II)的无济于事。NOW128MB K-模4BanksLVTTL4K/64ms3.3±0.3V54pin TSOP (II)的*1NOW128MB O型模具4BanksLVTTL4K/64ms3.3±0.3V54pin TSOP (II)的3Q’103.3±0.3V54pin TSOP (II)的*1NOW3.3±0.3V54pin TSOP (II)的NOW记1. 128Mb的K-模SDR和256MB无铅封装代码J-模SDR DRAM的支持无铅&无卤封装( -U )2.2 DDR SDRAM密度64MB N-二模64MB Q-模128MB L-死128MB O型模具银行4Banks4Banks4Banks4Banks产品型号K4H641638NK4H641638QK4H281638LK4H281638OK4H560438J256Mb的J-模4BanksK4H560838JK4H561638JK4H560438N256MB N-二模4BanksK4H560838NK4H561638NK4H510438F512MB F-模4BanksK4H510838FK4H511638FK4H510438G512MB G-模4BanksK4H510838GK4H511638G记: 1. VDD/VDDQSPEC为128Mb的DDR L-模DDR500VDD/VDDQ2.5V ± 0.125VDDR4002.5V ± 0.2V包装&电力,温度。 (-C / -L ) &速度LC ( L) CCFC ( L) CCLC ( L) CCLC ( L) / C (L ) CCLC(L)CC/C(L)B3LC(L)B3/C(L)B0LC(L)CC/C(L)B3LC(L)CC/C(L)B3LC(L)B3/C(L)B0LC(L)CC/C(L)B3LC(L)CC/C(L)B3LC(L)B3/C(L)B0HC(L)CC/C(L)B3LC(L)CC/C(L)B3HC(L)CC/C(L)B3LC(L)CC/C(L)B3HC(L)CC/C(L)B3LC(L)B3/C(L)B0HC(L)CC/C(L)B3LC(L)CC/C(L)B3HC(L)CC/C(L)B3LC(L)CC/C(L)B3HC(L)CC/C(L)B3组织。4M ×164M ×168M ×168M ×1664M ×432M ×816M ×1664M ×432M ×816M ×16128M ×464M ×832M ×16128M ×464M ×832M ×16接口SSTL_2SSTL_2SSTL_2SSTL_2刷新4K/64m4K/64m4K/64m4K/64m电源( V)2.5±0.2V2.5±0.2V2.5±0.2V*12.5±0.2V*12.5±0.2V*2包66pinTSOPII60Ball FBGA66pinTSOPII66pinTSOPII66pinTSOPII无济于事。NOW2Q’10NOW2Q’10SSTL_28K/64m66pinTSOPIINOWSSTL_28K/64m2.5±0.2V*266pinTSOPII66pinTSOPII60Ball FBGA66pinTSOPII60Ball FBGA66pinTSOPII60Ball FBGA66pinTSOPII60Ball FBGA66pinTSOPII60Ball FBGA66pinTSOPII60Ball FBGANOWSSTL_28K/64m2.5±0.2V*2NOWSSTL_28K/64m2.5±0.2V*2NOW2. VDD/VDDQSPEC 256 / 512Mb的DDRDDR400VDD/VDDQ2.6V ± 0.1VDDR333/2662.5V ± 0.2V-4-产品指南2.3 DDR2 SDRAM密度128MB O型模具256MB I-模256MB N-二模512MB G-模银行4Banks4Banks4Banks4Banks产品型号K4T28163QOK4T56163QIK4T56163QNK4T51083QGK4T51163QGK4T51043QI512MB I-模4BanksK4T51083QIK4T51163QI1GB电子芯片8Banks8BanksK4T1G084QEK4T1G164QEK4T1G084QFK4T1G164QF包装&电力,温度。 (-C / -L ) &速度HCF8/E7/F7/E6Z*1C(L)E7/F7/E6/D5/CCHCF8/E7/F7/E6HC(L)F8/E7/F7/E6HC(L)F8/E7/F7/E6HC(L)E7/F7/E6HC(L)E7/F7/E6HC(L)F8/E7/F7/E6HC(L)F8/E7/F7/E6HC(L)F8/E7/F7/E6BC(L)F8/E7/F7/E6BC(L)F8/E7/F7/E6组织。8M ×1616M ×1616M ×1664M ×832M ×16128M ×464M ×832M ×16128M ×864M ×16128M ×864M ×16SSTL_18SSTL_188K/64m8K/64mSSTL_188K/64m接口SSTL_18SSTL_18SSTL_18SSTL_18刷新4K/64m8K/64m8K/64m8K/64m2010年4月消费者的记忆电源( V)1.8V±0.1V1.8V±0.1V1.8V±0.1V1.8V±0.1V包84Ball FBGA84Ball FBGA84Ball FBGA60Ball FBGA84Ball FBGA60Ball FBGA84Ball FBGA无济于事。NOWNOWNOWNOWNOWNOWNOWNOW1.8V±0.1V1.8V±0.1V1.8V±0.1V60Ball FBGA84Ball FBGA60Ball FBGA84Ball FBGA1GB F-模记1. 128Mb的I-死DDR2 84ball FBGA支持无卤素封装2.4 DDR3 SDRAM密度1GB电子芯片2GB B-模银行8Banks8Banks产品型号K4B1G0846EK4B1G1646EK4B2G0846BK4B2G1646BK4B2G0846CK4B2G1646C包装&电力,温度。 (-C / -L ) &速度HC(L)F7/F8/H9/K0HC(L)F7/F8/H9/K0HC(L)F7/F8/H9/K0HC(L)F7/F8/H9/K0HC(L)F8/H9/K0HC(L)F8/H9/K0组织。128M ×864M ×16256M ×8128M ×16256M ×8128M ×16接口SSTL_15SSTL_15刷新8K/64m8K/64m电源( V)1.5V±0.075V1.5V±0.075VPKG78ball FBGA96ball FBGA78ball FBGA96ball FBGA78ball FBGA96ball FBGA无济于事。NOWNOW2GB C-模8BanksSSTL_158K/64m1.5V±0.075VNOW2.5 + DDR3 SDRAM密度1GB电子芯片2GB C-模银行8Banks8Banks产品型号K4B1G1646EK4B2G1646C包装&电力,温度。 (-C / -L ) &速度HQH9HQH9组织。64M ×16128M ×16接口SSTL_15SSTL_15刷新8K/64m8K/64m电源( V)1.5V±0.075V1.5V±0.075VPKG96ball FBGA96ball FBGA无济于事。NOWNOW记:有关产品的规格或技术文件的详细信息,请与我们联系&&-5-
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