电工学下册第15章（秦曾煌）ppt下载_爱问共享资料
电工学下册第15章（秦曾煌）.ppt
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简介：本文档为《电工学下册第15章（秦曾煌）ppt》，可适用于高等教育领域，主题内容包含第章半导体二极管和三极管第章半导体二极管和三极管半导体二极管稳压二极管半导体三极管PN结半导体的导电特性第章半导体二极管和三极管第章半导体二极管和三符等。
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资料评价：p型半导体作用 完美作业网 www.wanmeila.com
什么是P型半导体和N型半导体？都有哪些性质呢？ P型半导体多数载流子为空穴的半导体。型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。N型半导体多数载流子为电子的半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。参考资料：百度百科
为什么要叫N/P型半导体 双极半导体是指半导体器件中包含p型和n型两种半导体。P型半导体指半导体中掺入三价元素杂质，如硅中掺入杂质硼，这样的半导体中多数载流子是空穴；N型半导体指半导体中掺入五价元素杂质，如硅中掺入杂质磷，这样的半导体中多数载流子是电子。当p型半导体与n型半导体接触时会在接触面上形成pn结，即是PN结二极管。双极结型晶体管也就是BJT、三极管，其原理都是以PN结为基础的。单级型半导体器件指半导体器件中只有P型或N型一种半导体，如JFET、MOSFET等场效应晶体管。在没有特殊规定时，NP型半导体和PN型半导体是一个意思，可以通用 ；但晶体管的NPN管与PNP管就完全不同，不能混用了。我发现你这其实是一个英语问题，不是物理问题。。。。P型半导体中空穴导电，空穴带正（Positive）电荷；N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷。
N型半导体和P型半导体的异同 N型半导体的载流子是电子，参入的杂质一般是磷；P型半导体的载流子是空穴（就是一个原子失去电子后的状态，但是空穴只是对应电子的一种叫法，并没有空骸），参入杂质一半是B。相同点就是半导体的那些特点喽
如何理解P型半导体和N型半导体中的多数载流子，物质不是电中性的吗？ 金属是导电的，但是在没有外加电场的情况下是电中性的，这是因为载流子能够导体和半导体中自由移动，而没有外加电场是不会移动的，因此无外加电场的情况下半导体是电中性的。p型半导体由于硼与Si之间少一个成键电子，Si会有个悬挂键，这就像一个电子空位，电子会填充这个空位，而电子填充的作用可以等效为空位在半导体中的移动。当外电路提供电子时，半导体p型掺杂越大，半导体内空位越多，电子填充作用越明显，等效为空穴电流就越大。关于空穴导电的问题我在另一个回答中也有说明，你可以看看。[]
P型半导体的P是什么意思？N型半导体的N是什么意思？ P型半导体中空穴导电，空穴带正（Positive）电荷；N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷；LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极管产生于1960年。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好
P型半导体带正电，N型半导体带负电。 对错 这种说法是错的,不论是P型还是N型半导体,它们本身是不带电的,也就是保持电中性.区别只是载流子的浓度不同,P型中的空穴浓度大于自由电子浓度,N型恰恰相反.
P型半导体的介绍 P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
P型半导体材料包括哪些 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ）多子与少子是相对概念。如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。
半导体制冷，什么n型p型半导体是什么意思 半导体理论比较深奥，枯燥和抽象，你看了可能乏味，所以只能简单告诉你。自然界中能导电的物质称为导体，如金属、石墨等；不能导电的物质称为绝缘体，如玻璃、陶瓷等；处于两者之间的物质，称为半导体，如锗、硅、砷化镓等。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，形成主要靠自由电子导电的是N型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代硅晶格中硅原子的位置，就形成了主要靠空穴导电的是P型半导体。
什么是半导体，p型半导体，n型半导体 锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。在电子工程世界为您找到如下关于“空穴”的新闻
空穴资料下载
该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层，8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层，制备了结构为ITO/PVK(0~60 nm)/Alq3(60 nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流–电压–发光亮度特性，研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响，优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明，有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关，当空穴传输层厚度为15...
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模拟电子技术第1章 半导体二极管及其应用电路本章重点内容 z PN结及其单向导电特性 z 半导体二极管的伏安特性曲线 z 二极管在实际中的应用1.1PN结价电子＋4＋4＋41.1.1 本征半导体＋4 ＋4 ＋4共价键的两 个价电子自由电子＋4cb＋4 ＋4a＋4空穴（a）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗...
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结构如下：
图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。当硅晶体中掺入其他的杂质，如硼、磷等，当掺入硼时，硅晶体中就会存在着一个空穴，它的形成可以参照下图：
[pic]　　图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边...
高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。 3、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗? 答：不是，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。空穴导电时等电量的电子会沿其 反方向运动。 4、制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂？ 答：按百万分之一数量级的比例掺入。 5、 什么是 N 型半导体?什么是 P 型半导体?当两种半导体制作在一起时会产生什么现象? 答：多数载子为自由电子的半导体...
增高、受光照等）后，即可摆脱原子核的束缚（电子受到激发），成为自由电子，同时共价键中留下的空位称为空穴。在外电场的作用下，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动形成的电子电流，一是仍被原子核束缚的价电子（不是自由电子）递补空穴形成的空穴电流。也就是说，在半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，这是半导体和金属在导电机理上的本质区别。本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合...
&& OLED (Organic Light Emitting Display，中文名有机发光显示器）是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象。其原理是用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成...
2. 晶体管内部载流子运动过程
①发射区的电子向基区运动
如图3-2 所示。由于发射结外加正向电压，多数载流子不
断越过发射结扩散到基区，形成了发射区电流EN I 。同时基区
的多子—空穴也会向发射区扩散，形成空穴电流EP I 。
② 发射区注入到基区的电子在基区的扩散与复合
当发射区的电子到达基区后，由于浓度的差异，且基区很薄，电子很快运动到集电结。在扩散
过程中有一部分电子与基区...
电阻很大，反向电流很小，反向电流也称暗电流。当光照射在PN结上时，使PN结附近产生光生电子和光生空穴对，使少数载流子的浓度大大增加，因此通过PN结的反向电流也随着增加。光敏二极管和光敏三极管光敏三极管由两个PN结组成，它的发射极与光敏二极管一样，具有光敏特性。它的集电极则与普通晶体管一样，可以获得电流增益。光照射发射极产生的光电流，相当于基极电流，因此集电极电流是光电流的β倍，所以光敏三极管有放大...
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/UBF8T346G9.Office/msoclip1/01/clip_image022.pngfile://localhost/Users/ldc/Library/Group%20Containers/UBF8T346G9.Office/msoclip1/01/clip_image020.png简单的看名字，就可以发现我最前面的那个说法并不是空穴来风。英飞凌这个环境强大的地方是将不少应用也做进了...
的，源极接地。
从原理上，NMOS载流子是电子，由低电压处提供，所以低压端称源端，PMOS载流子是空穴，由高压处提供，所以高压端称源端。
[quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2200510&ptid=545722][color=#999999]qwqwqw2088 发表于
我们都知道一个原理：三极管输出的功率，随输出电压不同，输出功率不同，电压越高，功率越大。　　三极管是靠载流子的运动来工作的，以 npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子...
的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。按照管...
contact)发光材料寿命和使用效率。
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第一章 常用半导体器件————杂质半导体
本系列博文为华成英教授的《模拟电子技术基础（第四版）》学习笔记
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【N型半导体】
在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体
显然现在多出了一个电子，该电子不被束缚，成为了自由电子，所以N型半导体中，自由电子浓度大于空穴的浓度，称自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子
所以N型半导体主要靠自由电子导电
【P型半导体】
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体
由于杂志原子外有3个价电子，少了一个，就多出一个空穴，所以P型半导体中，空穴为多数载流子，自由电子是少数载流子，靠空穴导电
P型半导体和N型半导体交界面就形成PN结。PN结有单向导电性。
【PN结的形成】
1】由于两边的多数载流子不一样使得各自都有浓度差，这样由于扩散运动，多数载流子会往对面区域扩散
2】由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行
3】参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结
【PN结正向导通】
当电源的正极接到PN结的P端，且电源负极接到N端时，称为PN结外加正电压，也称正向偏置
此时外电场将多数载流子推向空间点合区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使得扩散加剧漂移运动减弱，PN结导通
【PN结反向截止】
当电源正极接到PN结的N端，且电源的负极接到PN结的P端时，称PN结外加反向电压，也称反向接法或者反向偏置
此时外电场使得空间电荷区变宽，加强了内电场，阻止扩散运动的进行，而加剧漂移运动的进行，形成反向电流，称为漂移电流，但是由于少数载流子数目少，电流小，所以忽略不计，我们称PN结此时截止
【PN结伏安特性】
当反向电压超过一定数值后，反向电流急剧增加，称为反向击穿
因耗尽层宽度变窄，不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，致使电流急剧上升，称为齐纳击穿
新产生的电子与空穴被电场加速后又撞击其他价电子，载流子雪崩式增加，电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿
【PN结的电容效应】
PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放过程，与电容充放电相同，效果称为势垒电容Cb
PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放过程，称为扩散电容Cd
结电容Cj = Cb + Cd
【杂志半导体总结】
本征半导体中掺入不同价的元素形成N型半导体和P型半导体，N型半导体多数载流子是自由电子，而P型是空穴，这使得将他们放在一起时，在交界面会形成PN结。
PN结的形成是扩散运动和漂移运动的共同结果，PN结外加正电时，扩散加剧，PN结导通，外加负电时，漂移运动加剧，但是少数载流子数量少，电流小，忽略不计，称为PN结截止。
PN结方向电压太高会被击穿，造成永久性损坏，同时在PN结外部电压变化时，会有电容效应
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