ULN2003为何输出低电平是0.6伏左右，怎样接近零伏，谢谢_百度知道
ULN2003为何输出低电平是0.6伏左右，怎样接近零伏，谢谢
有一个芯片的使能脚是通过电阻接地来使能，可以用三极管来做开关，但是用ULN2003就不行了，输出低电平时最低是0.6伏，该芯片无法启动。如何降低这个0.6伏？感谢
我有更好的答案
加电压加负载，输出端都会有晶体管输出饱和导通的管压降，特性决定的，是到不了0的，输出能比0，输出为饱和导通状态。输入电流加大些，输出方式是集电极开路形式。输入高电平时ULN2003是七重晶体管达林顿阵列.6V低些，不能接近0V
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请教为什么ULN2003A总是烧坏
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不是过载就是供电电压过高
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可控硅驱动。为什么烧ULN2003?求大神解答
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我想做个可控硅驱动，电路如下，板子焊好，单片机先输出脉冲测试硬件回路，可是这个驱动回路一上电，ULN2003准烧，我看别人的产品上是用ULN2003，为什么我设计的不行呢，难道在软件上要做处理？还是电路有问题，求做过可控硅触发的朋友给点意见，谢谢
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本帖最后由 cjseng 于
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单片机上电期间是没有脉冲输出的。
可以考虑单片机先上电，然后接通24V电源。
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得测量一下输出瞬间电流多少。8路输出总电流多少。
估计你的脉冲太宽，高频变压器初级阻抗太小。
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是上电一瞬间就烧了，还是开始操作可控硅才烧？
单独只调试1路，其它路先断开，看看什么情况；
地板楼说的也有可能。
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哎，楼主你没注意，2003是TTL电平输入的么，你接到24V上去了？
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是不是该把限流电阻改大点，本身2003增益就很大，输入有1mA的驱动电流应该就足够了。
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2003的输入已经有限流电阻了，估计还是输出电流过大，总的电流好像是不能超过500毫安
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个人感觉光耦没有必要加， ULN2003输入直接用IO口加个限流电阻接进去，ULN2003输出最好加个小电阻限流，初级的1N4007也没必要加，可以去掉
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限流电阻位置不对。
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谁能帮我讲解下这个电路的工作原理吗？
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上电时脉冲是关的，上电时不会烧，只要开了脉冲，2003就烧了，我量了脉冲变压器的原边电阻，只有7－8欧，计算了一下，电流肯定超过了mA，我把脉冲变窄，还是烧，我看别人的装置里用的三极管C1008，也可以，，不知道怎么处理的？是不是要在变压器，原边串个限流电阻，串多大的电阻呢，会不会影响它的驱动能力。
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上电时脉冲是关的，上电时不会烧，只要开了脉冲，2003就烧了，我量了脉冲变压器的原边电阻，只有7－8欧，计 ...
那说明脉冲还是太宽了
负载过重了，串电阻限流。如果变压器本身的额定工作电压就是24V，那么应采用分立的功率晶体管驱动。
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负载过重了，串电阻限流。如果变压器本身的额定工作电压就是24V，那么应采用分立的功率晶体管驱动。 ...
变压器的额定工作电压就是24V，串电阻限流后，脉冲没那有输入那么宽了，看样子还是只能采用分立的功率晶体管驱动
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哈哈哈，好熟悉的电路，十多年前搞过，驱动500~1000A 1kV 单向可控硅。
24V供电，2003的负载是3:1的触发变压器，因为可控硅触发电压是7V。
这个电路的关键之处是2003输出低电平时间是几十微秒（具体数值参看可控硅触发变压器说明书）这个量级的，如果到了微秒一级，触发变压器饱和电流快速增大，2003烧毁是必须的，不存在幸存的任何可能。
我当年做这个电路的时候，加了一万倍小心，还是在仿真器进入断点的时候眼睁睁看着2003冒烟挂掉。不过还好只烧了这一次，几千套运行了十多年到现在没有出过问题。
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1.晶振未起振期间，单片机IO的状态是什么？
2.复位期间，单片机IO的状态是什么？
3.断电瞬间，电压从高到低跌落期间，单片机IO的状态是什么？
4.程序跑飞，单片机IO的状态是什么？
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哈哈哈，好熟悉的电路，十多年前搞过，驱动500~1000A 1kV 单向可控硅。
24V供电，2003的负载是3:1的触发变 ...
与你说的一样，驱动500~1000A 1kV 单向可控硅。
24V供电，2003的负载是3:1的触发变压器，因为可控硅触发电压是7V
我眼睁睁看着两片2003冒烟挂掉了，不敢再弄了
感谢大神解答，明天我试验下，希望不要再烧了。
到时把好消息告诉大家
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1.晶振未起振期间，单片机IO的状态是什么？
2.复位期间，单片机IO的状态是什么？
3.断电瞬间，电压从高到低 ...
谢谢,不过我已经试验，与起振，复位，断电没有关系。
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本帖最后由 cjseng 于
00:07 编辑
谢谢,不过我已经试验，与起振，复位，断电没有关系。
你把24V电压调低，比如7-8V再试，就可以了，最好串个电流表在电源回路里看看电流大小的变化。
另外，你的脉冲不会是50或者100hz吧？
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你先查下变压器的∫udt这个参数。
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