FLASH闪存_百度百科
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FLASH闪存是属于内存器件的一种，&Flash&。闪存则是一种非易失性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存。
FLASH闪存概述
的物理特性与常见的内存有根本性的差异：
闪存则是一种非易失性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
FLASH闪存分类
NOR和是市场上两种主要的非易失技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的分不清NOR和NAND闪存。
NAND 闪存的则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干，若干页则组成储存块， NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 的成本较低，有利于大规模普及。
NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的
只有 8 个，比 NOR 要少多了。这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。
FLASH闪存应用
NAND 被广泛用于移动存储、MP3 播放器、数码相机、 等新兴数字设备中。由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长。
“flash”经常可以与“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的很高，在1～4MB的小容量时具有很高的,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
FLASH闪存特点
FLASH闪存性能
flash闪存是非易失,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
FLASH闪存可靠性
采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和的可靠性。
FLASH闪存耐用性
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
FLASH闪存易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的,可以像其他那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要,要得多。各种NAND器件的因厂家而异。
在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
FLASH闪存其他作用
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
FLASH闪存亮点
Flash是非挥发性随机存取存储器（NVRAM），它可以作为缓存或作为直接存储的底层设备。虽然比动态随机存储器（DRAM）慢10倍，但尽管这样，它还比硬盘快得多。它的速度和耐用性，让写操作变得比直接写硬盘快很多。将FLASH作为一个持续的高速缓存，再让它慢慢的写回磁盘作永久数据保存。
高速缓存可以分布在整个集群，从而对多种类型的操作系统提供快可靠的高速缓存副本。这种高速缓存副本由由Flash闪存或者内存组成，将共享整个群集的缓存。
FLASH闪存特性比较
FLASH闪存接口差别
NOR flash带有接口,有足够的地址来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
读和写操作采用512的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的就可以取代硬盘或其他块设备。
FLASH闪存容量成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB市场的大部分,而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
FLASH闪存位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。
比特反转测试图片
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。
当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND存储时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
FLASH闪存坏块处理
NAND器件中的坏块是分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。
器件需要对介质进行扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。
FLASH闪存软件支持
当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、和Intel等厂商所采用。
FLASH闪存虚拟化
基于的存储能够解决很多性能问题，尤其是由虚拟服务器环境所导致的问题。但FLASH闪存仍有很多神秘之处：它们可信吗？哪种类型的FLASH闪存最适合虚拟环境？　　FLASH闪存是一种内存技术，与不同，在断电时它仍旧可以保留所存储的信息。尽管FLASH闪存在执行读写操作时并不像RAM那样快，但性能远远高于典型的硬盘。更为重要的是，FLASH闪存访问数据时几乎不存在任何时间延迟。FLASH闪存技术非常适合随机I/O，而虚拟服务器环境中恰恰存在大量的随机I/O。　　对FLASH闪存主要的关注点之一是其执行写操作的方式。FLASH闪存可以执行的写操作次数有限，这意味着FLASH闪存厂商需要开发复杂的控制器技术，对写入FLASH闪存模块的方式进行管理，确保每个FLASH闪存单元接收相同的写请求。　　目前有三种类型的FLASH闪存，耐久性各不相同。单阶存储单元（SLC）FLASH闪存在每个单元写一位数据，耐久性最好。多阶存储单元（MLC）FLASH闪存在每个单元写多位数据，耐久性排名第二。三阶存储单元（TLC）在每个单元写三位数据，耐久性最差。每个单元写入的数据位越多意味着每个单元的容量越高，每GB的成本越低，同样意味着平均寿命更短。　　SLC是数据中心标准，但控制器技术的不断优化使得MLC被大多数用例所接受。尤其是在采用了某种方式的数据保护，比如镜像或者RAID或者使用了FLASH闪存层时。
FLASH闪存规格介绍
　　就在虚拟环境中使用FLASH闪存而言，通常有三种规格可供选择。　　最常见的是固态硬盘，其与硬盘的规格相同。这类FLASH闪存可以很容易地安装在服务器内部或者存储阵列内部，直接使用HDD的驱动器插槽即可。　　SSD的不足之处在于性能、密度。在SSD中放置FLASH闪存意味着所有的存储I/O都是通过SCSI堆栈处理的。与其他方式相比，会增加一些延迟。尽管如此，这些系统，尤其是阵列，仍旧可以交付成千上万个IOPS，因此很少会受到需要使用SCSI协议的SSD的影响。密度同样受到了忽视，闪存SSD厂商已经采用了独特的方式在硬盘中塞入尽可能多的FLASH闪存，与同等的HDD相比，SSD通常提供了更大的存储容量。　　就某些环境而言，SCSI所增加的延迟存在问题，尽管通常我们所指的并不是虚拟环境。当延迟是一个关注点时，可以选择PCIe SSD，将闪存设备集成到PCIe板卡上。这通常避免了标准的存储协议堆栈而且能够在本地访问CPU。但用于三大最为流行的虚拟环境的驱动器都是很普通的。　　应该被虚拟环境视为RAM内存的一个扩展。因为PCIe具备低延迟特性，能够提供性能非常高的虚拟内存池，这样一来动态RAM用于存储换出的页面几乎对性能没有任何影响。　　另一种正在变得流行的FLASH闪存是内存总线FLASH闪存。FLASH内存总线FLASH闪存安装在服务器FLASH内存插槽中而不是PCIe总线中。FLASH内存总线FLASH闪存看起来像是DRAM双排直插内存模块，但实际上包含的是FLASH闪存。这种实现方式的延迟甚至比PCIe SSD还要低而且在访问CPU时提供了私有、高性能路径。FLASH内存总线FLASH闪存在虚拟环境中应用有限，但将FLASH内存总线FLASH闪存用作虚拟交换FLASH内存大有裨益，当难于使用PCIe插槽时，FLASH内存总线闪存同样是刀片、1U以及2U服务器的理想选择。
FLASH闪存损耗
FLASH闪存的损耗在VMware以及Hyper-V环境中备受关怀，类似于缓存和数据去重这样的技术将会对其持久性造成负面影响。
FLASH闪存被认为是大有前途的技术，很多人认为他们可以在服务器中部署闪存充当缓存的角色。但殊不知FLASH闪存适合读，而并不适合写。你需要十分注意FLASH闪存的耗损，并充分利用其有限的寿命。
FLASH闪存厂商会使用DRAM，这种介质抗耗损能力比较好。他们将所有的写操作都聚集于DRAM缓存，从而减少对闪存缓存的大量写操作。这保留了闪存的完整性并有效防止了闪存的耗损。
Hyper-V则体现出略微不同的FLASH闪存耗损问题。它在存储中应用数据去重，而对源文件执行写。原数据以很多小的写操作写入缓存，当Hyper-V在运行去重算法时，这些写操作又会二次破坏缓存。
．TechTarget数据中心[引用日期]
．TechTarget[引用日期]
．TechTarget[引用日期]
清除历史记录关闭什么叫NAND闪存？什么叫NOR闪存？ 这两者有什么区别？
一般记忆体可分为二大规格，一是，一是.（1）简单的来说，规格记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data
Flash，晶片容量大，目前主流容量已达2Gb；
（2）规格记忆体则类似，以储存程序代码为主，又称为Code
Flash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为512Mb。
2、NOR NAND FLASH的区别：
规格与规格记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。NAND规格晶片多应用在小型记忆卡，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中。
以下列举主要的区别：
（1）存储对象，NAND以存储数据为主，NOR以存储程序代码为主；
（2）存储容量，NAND 的容量比 NOR的大；
（3）读写速度，NAND写入与清除资料的速度远快于NOR，但是NOR在读取资料的速度则快于NAND；
（4）应用场合，NAND多应用在小型记忆卡，以储存资料为主，NOR则多应用在通讯产品中。
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8:40:00谢谢。clown Post at
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16:40:00NOR的特点是可在芯片内执行（XIP，eXecute&In&Place），这样应该程序可以直接在flash内存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，但写入和探险速度较低。而NAND结构能提供极高的单元密度，并且写入和擦除的速度也很快，是高数据存储密度的最佳选择。这两种结构性能上的异同步如下：NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。NAND的擦除速度远比NOR快。NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路也更加简单。NAND闪存中每个块的最大擦写次数量否万次，而NOR的擦写次数是十万次。此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂得多。NOR可以直接使用，并在上面直接运行代码。而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND&Flash都有支持，如风河（拥有VxWorks系统）、微软（拥有WinCE系统）等公司都采用了TrueFFS驱动，此外，Linux内核也提供了对NAND&Flash的支持或非（NOR）结构的Flash具有高速的随机存取功能，但成本较高；新的UltraNAND结构的Flash相对于NOR结构的Flash，具有价格低，容量特别大的优势，支持对存储器高速地连续存取。谝芯片工作电压范围在2.7～3.6V，特别适用于需要批量存储大量代码或数据的语音、图形、图像处理场合，在便携式移动存储和移动多媒体系统中应用前景广阔。&P&align=right&&FONT&color=red&+分&3RD币&/FONT&&/P&cecil Post at
19:17:00&P&NAND闪存中每个块的最大擦写次数量百万次&/P&&P&嘿嘿....斗胆修改一哈&/P&[em01][br]&p&align=right&&font&color=red&+3&RD币&/font&&/p&babybird Post at
12:28:00&P&nor&flash可以像ram一样按地址访问，地址线与数据分开，完全可以任意寻址。&/P&&P&nand&flash　没有单独的并行地址线，访问时，命令与地址都采用数据线传送，配有命令锁存与地址锁的ＰＩＮ脚。而且nand&flash工艺上存在坏区，出厂需要mark。norflash不允许有坏区。nandflash不能直接用于程序存储器.&/P&[br]&p&align=right&&font&color=red&+5&RD币&/font&&/p&paul2006 Post at
12:43:00&DIV&class=quote&&B&以下是引用&I&Angelkill&/I&在&16:40:59的发言：&/B&NOR的特点是可在芯片内执行（XIP，eXecute&In&Place），这样应该程序可以直接在flash内存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，但写入和探险速度较低。而NAND结构能提供极高的单元密度，并且写入和擦除的速度也很快，是高数据存储密度的最佳选择。这两种结构性能上的异同步如下：NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。NAND的擦除速度远比NOR快。NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路也更加简单。NAND闪存中每个块的最大擦写次数量否万次，而NOR的擦写次数是十万次。此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂得多。NOR可以直接使用，并在上面直接运行代码。而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND&Flash都有支持，如风河（拥有VxWorks系统）、微软（拥有WinCE系统）等公司都采用了TrueFFS驱动，此外，Linux内核也提供了对NAND&Flash的支持或非（NOR）结构的Flash具有高速的随机存取功能，但成本较高；新的UltraNAND结构的Flash相对于NOR结构的Flash，具有价格低，容量特别大的优势，支持对存储器高速地连续存取。谝芯片工作电压范围在2.7～3.6V，特别适用于需要批量存储大量代码或数据的语音、图形、图像处理场合，在便携式移动存储和移动多媒体系统中应用前景广阔。&P&align=right&&FONT&color=red&+分&RD币&/FONT&&/P&&/DIV&有一点请教一下：NOR&FLASH可以在芯片内部运行，是否可以因此我们就可以省去RAM？我问这个问题的疑虑是现在流行很多二合一的memory芯片，往往是兼有RAM&和&NOR&FALASH。[br]&p&align=right&&font&color=red&+3&RD币&/font&&/p&paul2006 Post at
12:46:00&P&另外NOR&FALASH&比&NAND&FALASH&贵的一个主要问题是因为NOR&FALASH&的制作工艺比NAND&FALASH&复杂的多&/P&[br]&p&align=right&&font&color=red&+3&RD币&/font&&/p&babybird Post at
20:56:00&DIV&class=quote&&B&以下是引用&I&paul2006&/I&在&12:43:14的发言：&/B&有一点请教一下：NOR&FLASH可以在芯片内部运行，是否可以因此我们就可以省去RAM？我问这个问题的疑虑是现在流行很多二合一的memory芯片，往往是兼有RAM&和&NOR&FALASH。&/DIV&ram跟flash的还是很大区别的，是二合一做在一起而已。但ram就是ram，flash就是flash，ram断电丢失，没有擦写次数限制，而flash可以记忆数据，有擦写次数限制。它用来存code代码与一些配置信息。[br]&p&align=right&&font&color=red&+5&RD币&/font&&/p&paul2006 Post at
21:10:00&P&babybird:我的意思可能不是很明白，我的意思是NOR&FALASH既然不仅可以记忆数据而且可以运行程序，为什么要在做个二合一，不如单独搞个大一点的NOR&FALASH，一部分用来存程序，一部分用来用来运行程序。而且我们公司采用的二合一MEMORY程序即在RAM中运行也在FALASH中运行。所以有些搞不明白，程序在两种中运行具体有什么差别。&/P&&P&谦虚请教&/P&[br]&p&align=right&&font&color=red&+5&RD币&/font&&/p&babybird Post at
1:08:00&DIV&class=quote&&B&以下是引用&I&paul2006&/I&在&21:10:55的发言：&/B&&P&babybird:我的意思可能不是很明白，我的意思是NOR&FALASH既然不仅可以记忆数据而且可以运行程序，为什么要在做个二合一，不如单独搞个大一点的NOR&FALASH，一部分用来存程序，一部分用来用来运行程序。而且我们公司采用的二合一MEMORY程序即在RAM中运行也在FALASH中运行。所以有些搞不明白，程序在两种中运行具体有什么差别。&/P&&P&谦虚请教&/P&&/DIV&按你的说法，理论上找一个大一点儿的norflash也应该可以，但事实上是不行的。对于任何一个操作系统都要有一个存储操作系统程序的空间，小型系统中一般都存在norflash中，程序执行时中间要用到一些临时变量，一些临时的缓存数据，还有一些相应的堆栈信息。这些变量与数据就要存在RAM中。理论上这些数据存在norflash中也是可以的，但这些变量是要频繁读写的，flash的擦写是有次数的（一般几万次到几百万次），对于一个高速的CPU像操作变量一样擦写flash，估计很快就挂了。而且它的速度比起RAM来也差得多，况且这些变量并不需要永久保存，可以掉丢失。一般CPU内部都会有一小块的RAM，被称之为cache（高速缓存），常用的变量会放在这里来处理，大量的缓冲数据会放在外面的（二合一）的ＲＡＭ中，这样会提高系统的速度。我们常用ＰＣ跟这种方式不太一致，ＰＣ是将硬盘中存储的程序先读到RAM(内存中)，然后在ＲＡＭ中来运行它。而不像我们手机可以直接在norflash中寻址来执行程序。ndflash不能像norflash一样执行程序也是因为它没有地址线，每个字节空间没有一个独立的地址。如果非用它作为程序存储器的话，也不是不可以，一种方法是中间加一个过度接口；另一种方法也是像硬盘那样，可以将程序读入内存中执行。[br]&p&align=right&&font&color=red&+5&RD币&/font&&/p&flyman135 Post at
14:20:00&P&看看我的贴，这个问题我发过免费资料的&&/P&&P&&b&NOR&/NAND&FLASH&USE&（常用资料）&/b&&/P&&P&&a&href=&http://www.52rd.com/bbs/dispbbs.asp?BoardID=21&ID=1321&&target=&_blank&&&http://www.52rd.com/bbs/dispbbs.asp?BoardID=21&ID=1321&/A&&/P&simon Post at
0:22:00&P&今天刚注册，前面登陆写了好多未想过12点，结果都没了，可看斑竹帮忙加了好几个5分，重新写下吧呵呵&/P&&P&我刚工作也对这nor和nand搞得迷糊&/P&&P&其实所谓nor和nand是基于不同的制造技术，按字面，nor是与非门，nand是或非门，就是做IC时最小的逻辑单元。就好像我们说cmos器件就是因为它内部是以一个pmos加一个nmos构成的cmos为基本单元搭起来一个道理。&/P&&P&而在执行code方面，如果不能理解的话，就这样记，nor和nand在这方面的区别就好像听歌时CD和磁带的区别！CD可以随意选从哪首开始，而磁带就做不到这点。而在应用方面的区别，多做自然就有感觉了，nor就放程式，而nand因为便宜容易做得容量大，经常存资料。包括mp3,u盘都是用nand的。&/P&&P&最后说下11楼所说的2种变通方法。1是在CPU的memory总线上（就是本该接nor的地址，数据和oe，wr等控制信号）接上一个转换电路，负责将memory&interface转成nand的接口，这样在后面再接上nand，cpu还是可以寻址了。这样的技术叫DOC。M-System是这其中做的比较好的一家。接口电路和nand已经做在一起了，而令人惊讶的是这样封装在一起的东西几乎和同样容量的nand一个价，自然比相同容量的nor要少好多钱了。&/P&&P&2就是再加上一个比较大的sdram，上电后cpu先执行固化在cpu里面的一段code，bootloader，这段code负责将nand里面的程序搬到sdram里面去执行。&/P&[br]&p&align=right&&font&color=red&+5&RD币&/font&&/p&jiangsirnj Post at
12:51:00flash结合ROM与RAM的特点，&nor&FlASH比nand&FLASH应用在更多的场合上飘落杭州 Post at
16:39:00Nor&和Nand的flash最本质的区别就是在实现存储的时候（做过芯片设计的老兄比较清楚），一个是与或的形式，而一种是与非的形式。Nor一般用来存储程序，不太容易丢数据，Nand一般来存数据，有时会丢数据的，速度要快点[br]&p&align=right&&font&color=red&+3&RD币&/font&&/p&飘落杭州 Post at
16:44:00&P&Ram&和flash是不一样的，Ram就像我们计算机里的内存，处理速度比较快，但是掉电会丢数据，这也就是为什么我们的电脑进入睡眠的时候要保存个人设置，而flash就像硬盘，擦写次数有限制，在10万次左右，就像我们的硬盘一样，这两个不能相互替代的。现在的手机有一套比较完善的管理制度，尽量减小对flash的擦写，所以有些手机在设置完毕后（如墙纸），如果没有正常关机，而是直接拔电池，待开机后恢复到原先的设置的原因。&/P&[br]&p&align=right&&font&color=red&+3&RD币&/font&&/p&sunbiao2365 Post at
18:45:00&P&NAND和NOR&flash的区别&/P&&P&NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR&flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND&flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。　　相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。&　　NOR的特点是芯片内执行(XIP,&eXecute&In&Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。&/P&&P&性能比较：　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。――擦除操作简单，擦除时间少！　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。　　执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。　　●&NOR的读速度比NAND稍快一些。――　　●&NAND的写入速度比NOR快很多。　　●&NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　●&大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　●&NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。&/P&&P&接口差别　　NOR&flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。　　NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。&/P&&P&容量和成本　　NAND&flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。　　NOR&flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND&flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure&Digital、PC&Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。&/P&&P&可靠性和耐用性　　采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。　　寿命(耐用性)　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。　　位交换　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。　　一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。　　当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。　　这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。　　坏块处理　　NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。　　NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。&&/P&&P&易于使用　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。　　由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。　　在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。&/P&&P&软件支持　　当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。　　在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。　　使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind&River&System、Microsoft、QNX&Software&System、Symbian和Intel等厂商所采用。　　驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。&/P&[em01][em01][em01][em01][em01][br]&p&align=right&&font&color=red&+5&RD币&/font&&/p&nemoium Post at
15:40:00好帖，顶一个，。新来的，大家多多关照vonyoven Post at
20:30:00打算的撒旦cylbailey Post at
17:08:00&&根本原因是NOR结构需要比nand多的多的金属层连接过孔,&在版图layout的相当占地方.