半导体材料的磁隧道磁电阻效应应可能随温度的升高由正磁隧道磁电阻效应应变负磁隧道磁电阻效应应吗？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-03-16 07:41 标签： 磁电阻效应
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目前，磁阻效应在当代的应用可谓是越来越广泛，通过对上一遍文章的了解，我们也大致已经对时间码多多少少有所了解了，现在我们就继续来深入了解什么是磁阻效应，关于磁阻效应、磁阻效应的分类、磁阻效应、常磁阻、巨磁阻、超巨磁阻、异向磁阻、穿隧磁阻效应。&&---
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目前，磁阻效应在当代的应用可谓是越来越广泛，通过对上一遍文章的了解，我们也大致已经对时间码多多少少有所了解了，现在我们就继续来深入了解什么是磁阻效应，关于磁阻效应、磁阻效应的分类、磁阻效应、常磁阻、巨磁阻、超巨磁阻、异向磁阻、穿隧磁阻效应。
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什么是磁阻效应
什么是磁阻效应
目前，磁阻效应在当代的应用可谓是越来越广泛，通过对上一遍文章的了解，我们也大致已经对时间码多多少少有所了解了，现在我们就继续来深入了解什么是磁阻效应，关于磁阻效应、磁阻效应的分类、磁阻效应、常磁阻、巨磁阻、超巨磁阻、异向磁阻、穿隧磁阻效应。
磁阻效应（Magnetoresistance Effects）
磁阻效应（Magnetoresistance Effects）是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某&速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。
磁阻效应的分类
若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。
磁阻效应(Magnetoresistance Effect, MR)
是指材料之电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。
磁阻效应最初于1856年由威廉&汤姆森，即后来的开尔文爵士发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效应后来被称为&常磁阻(ordinarymagnetoresistance, OMR)。
常磁阻(Ordinary Magnetoresistance, OMR)
对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到罗伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。
巨磁阻(Giant Magnetoresistance, GMR)
巨磁阻效应存在于铁磁性(如：Fe, Co, Ni)/非铁磁性(如：Cr, Cu, Ag, Au)的多层膜系统，由于非磁性层的磁交换作用会改变磁性层的传导电子行为，使得电子产生程度不同的磁散射而造成较大的电阻，其电阻变化较常磁阻大上许多，故被称为&巨磁阻&。1988年由法国物理学家阿尔贝&费尔与德国物理学家彼得&格林贝格分别发现的巨磁阻效应，也被视为是自旋电子学的滥觞。
超巨磁阻(Colossal Magnetoresistance, CMR)
超巨磁阻效应存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同，而且往往大上许多，所以被称为&超巨磁阻&。
异向磁阻(Anisotropic magnetoresistance, AMR)
有些材料中磁阻的变化，与磁场和电流间夹角有关，称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。
穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance, TMR)
穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance, TMR)穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由Michel Julliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现；
室温穿隧磁阻效应则于1995年，由Terunobu Miyazaki与Moodera分别发现。此效应更是磁性随机存取内存(magnetic random access memory, MRAM)与硬盘中的磁性读写头(read sensors)的科学基础。
本文我们为大家讲解了什么是磁阻效应，关于磁阻效应、磁阻效应的分类、磁阻效应、常磁阻、巨磁阻、超巨磁阻、异向磁阻、穿隧磁阻效应。希望对有需要的读者有所帮助。
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