闭合电路的动态分析分析的疑问

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关于清看门狗电路的一个疑问
资深工程师
15:52:50  
本帖最后由 gk320830 于
16:37 编辑
该电路是典型的清看门狗电路的一部分,图中CLRWD为单片机发出来的方波脉冲信号,高电平为3.2,低电平为0,频率在100KHZ的样子,现在用示波器测得C51后端的电压波形为与CLRWD频率相同但高电平为1.8V,低电平为-1.5V的方波脉冲,现在我去掉C51,R80前端的电压为1V。
按照我的理解,C51后端的方波幅值应该是高电平为1V,低电平为-2.2V才对,所以想不通啊,请大家帮我看看
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15:56:31  
“C51后端的方波幅值应该是高电平为1V,低电平为-2.2V才对”
这样理解,你的根据是什么?
资深工程师
15:57:08  
本帖最后由 gk320830 于
16:37 编辑
根据电容两端电平不能突变 来定的
资深工程师
15:58:22  
在稳定的条件下:
单片机CLEWD信号输出高电平时,C51前端电压为3.2V,C51后端电压为1V,电容两端压差为2.2V,所以当单片机CLEWD信号输出低电平时,由于电容两端电平不能突变,C51后端应该是-2.2V。
资深工程师
15:58:24  
大家看看是这样不
16:02:20  
电容两端电压不能突变,不是两端电平不能突变。
“图中CLRWD为单片机发出来的方波脉冲信号,高电平为3.2,低电平为0,频率在100KHZ的样子”
既然是方波,CLRWD信号已经发生了突变,即C51右端电平发生了突变。
16:03:31  
楼主的想法和分析方法是正确的.
但在计算过程中, 忽略了 单片机 IO 端口里面的驱动等效电阻了.
如果考虑上合适的内部电阻, 应该能够得到楼主观测到的值. 也同样发算出 IO 端口里的那个等效电阻了.
必须说明的是, 由于端口里拉高和拉低是不同的 MOS 管实现的, 所以拉高和拉低的等效电阻是不同的.
助理工程师
16:06:18  
“当单片机CLEWD信号输出高电平时,C51前端电压为3.2V,C51后端电压为1V。”
从这里开始错。
C51左端对地电压1V,是在没有CLRWD信号时测量的静态直流电压。之所以是1V,是因为Q9发射结压降0.7V
加上R80两端电压0.3V。
有CLRWD信号时,C51左端对地电压不是1V。因为Q9发射结具有强烈非线性(近似二极管),CLRWD信号高电平使Q9基极电流增加和CLRWD信号低电平使Q9基极电流减少是不一样的。这个增加和减少不一样,相当于整流(这不大容易看清楚,能够看清楚是整流电路,你的模拟电路水平就提高了一点)。这个整流电路,使C51充电,方向是左负右正。
资深工程师
16:09:08  
palatree 发表于
“当单片机CLEWD信号输出高电平时,C51前端电压为3.2V,C51后端电压为1V。”
从这里开始错。
这个理解不了啊
您说有CLRWD信号时,C51左端对地电压不是1V,你的理由是CLRWD信号高电平使Q9基极电流增加,
我不明白的地方是,CLRWD信号高电平是通过如何的机理来影响Q9的基极电流的,
至于后面的整流解释,半点都没有头绪了。
有通俗的解释么
助理工程师
16:12:10  
这个有困难
简单的几句话解释不清楚&&我看看能不能画出几幅图
16:13:54  
学习并关注中
看了帖子额{:45:}也是很困惑啊
16:17:23  
小弟分析下~~大家帮着看看。
在存在耦合电容的情况下,可以认为其作用为隔离直流成分。单片机输出的方波为3.2V--0V,那么输出就应该是个滤除直流成分的纯交流信号,当然具体输出还要看具体的电路。
去除耦合电容后,就是一个简单的叠加原理的计算。可以认为端口为带小内阻的电压源,那么分别短路就可以认为,当该网络节点的电压与端口输出电压一致~
16:19:01  
不知道分析的成立不?
16:21:20  
模拟电路博大精深啊&&mark下
等养肥了再仔细研究
16:24:43  
攻城师 发表于
小弟分析下~~大家帮着看看。
在存在耦合电容的情况下,可以认为其作用为隔离直流成分。单片机输出的方波为 ...
有二极管时,叠加原理不适用。
16:26:56  
收益良多啊
16:29:42  
对于高手来说很简单的概念我不太理解的,
希望高手给出结论的同时,麻烦稍微讲下思路,
觉得这个是最重要的。
对于初学者来说,没有理解的正确结论是没有价值的[/b]。
资深工程师
16:32:09  
没有理解的正确结论是没有价值的
这句话不错 理解才是关键
期待对问题的补充 先消化下
09:50:25  
LZ考虑的1V,-2.2V是充放电的暂态,而不是稳压.
给出我的计算方法
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09:51:58  
谢谢24楼得详细解答,好好消化下
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一个过零检测电路的疑问
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最近找220V过零检测电路图纸,偶然看到这个图。有几点不明白,希望大家指点下。
& &1、整流桥输出端的地直接通过CY1和开关电源副边信号地连接。220V火线直接连接R7,R9,流过MCU,信号地,整流桥输出地,零线。想问下,这样连接做过零检测,220V经过了MCU,虽然流过MCU电流较小,但但是如果人体触摸MCU&&管脚,是否存在危险?
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电流很小,可能还没验电笔的高
CY1电容量2200pF,你计算一下该电容对工频交流的容抗,就知道了。
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谢谢各位的解答。我疑问的是,如果手摸到ZERO,即220V流过R7,R9,接入MCU I\O的管脚,此时电容CY1是否近乎被人体短路,而人体流过的电流,主要取决于R7,R9?
谢谢各位的解答。我疑问的是,如果手摸到ZERO,即220V流过R7,R9,接入MCU I\O的管脚,此时电容CY1是否近乎 ...
人体流过的最大电流,主要由CY1决定。
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钳位到5.1V?AD口这么高电压?不经过隔离直接采样,风险很大。一般都要进运放跟随输出再采集。
用电压互感器采电压,同时经过比较器转换成方波信号采频率和过零检测,比较系统。
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人体流过的最大电流,主要由CY1决定。
人体触电,人体电阻小于工频时CY1阻抗,电流直接流过人体,大地,并不会过CY1和零线吧?
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钳位到5.1V?AD口这么高电压?不经过隔离直接采样,风险很大。一般都要进运放跟随输出再采集。
用电压互感 ...
你说的对,直接采集。我认为电阻失效带来的风险比较大,你认为哪里有风险?
人体触电,人体电阻小于工频时CY1阻抗,电流直接流过人体,大地,并不会过CY1和零线吧? ...
你首帖所说的“如果人体触摸MCU&&管脚”,实际上就是人体接触CY1右端,即“开关电源副边地”。此时“整流桥输出地”对大地电压为交流220V(有效值),因桥式整流两对角线轮流导通。CY1在50Hz频率下容抗为1.44兆欧左右,和R7R9串联后差不多。
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由于CY1串联阻抗比较高,和串联电阻的阻抗差不多了,RC移相,实际过零点和MCU采集到的过零点有相移。
这个电路其实不怎么合理的,省钱,但是增加软件负担,过零点也不准确。
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