三极管工作在开关状态_百度知道
三极管工作在开关状态
三极管作为开关工作在饱和区和截止区，在书上看到了这句话，发射极正偏集电极正偏工作在饱和区，开关状态连接是如：NPN管发射极连接电源负极，基极接控制，集电极连接要控制的东西，在基极正电平时，满足发射极正偏，但集电极正偏从何而来，请高手详解，还有就...
而此时基极电压是0：电源正极－－负载－－三极管C极－－三极管E极－－电源负，偏置电压加来后，把三极管的C-E极之间看成是一个开关。三极管饱和时，截止时看成断路，因为基极与集电极内部也是二极管（集电结），并且基极是正极，集电极是负极.3V或更低。要让三极管进入饱和，通常0。这就是所谓的基极正偏。因为三极管B-E内部是一个二极管（发射结），基极是正极，射极是负极。当三极管饱和后，C-E之间几乎等于短路，所以压降很小.7V（约），对于集电结来说就是反偏，必需要给三极管基极加正的偏置电压，让三极管有足够大的基极电流。对于硅管，C-E看成短路即开关通以下以NPN管为例：三极管做开关应用的电路是，基极（相对于发射极）电压便是0，放大倍数是100，基极控制电压是10V.7V，集电极电压低于0.7V，看起来集电结就像正偏了。这就是所谓的集电极正偏，其实这种叫法不确切。三极管不是饱和时（比如截止时），集电极电压远高于0.7V。基极电阻大小由集电极电流大小和三极管放大倍数、基极控制电压高低三方面决定，总之是要让三极管进入深饱和。比如负载电流是100mA
这个基极电阻是怎么算出来的公式是什么你的回答我看的最明白
先据负载电流和三极管放大倍数算基极电流，再据基极控制电压算基极电阻。因为是开关应用，为了确保三极管饱和深度足够，应取负载电流的数倍以上来计算。以上例，负载电流是100mA，取5倍是500mA，据放大倍数100算得基极电流是5mA，再据控制电压10V算得电阻是2K。也可先以负载电流算得基极电流，再把基极电流扩大几倍来算基极电阻。或者以负载电流算得基极电阻后再把阻值缩小几倍。
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来自团队：
看下Ibs这个参数吧！IB&IBS时进入饱和区 此时VCEQ的电压降很小，VBEQ&VCEQ 所以两个结都是正向偏置。
你的提问有点简单，不太好回答；不过有二点：一是放大器要正常工作，基极跟集电极都要接偏置；如果说集电极是接要控制的东西，那可能控制的信号本身是高电平。二是放大器的状态仅凭基极电阻是无法确定的。另外，所谓偏置，说的是结的偏置，是指发射结和集电结。因此，放大器的正偏置是指，发射结正偏，集电结反偏。不是发射极正偏，集电极反偏，呵呵。
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汽车的多状态开关电压信号高于上限是什么意思
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控制启动，停止，故障！就是常开常闭信号就行了 。电流电压调速就需要讲电压或电流信号了。
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反激变压器计算和绕制
变压器的简单设计
首先确定已知参数：
1）开关频率：Fsw；
2）变压器的效率：η；
3）最大占空比：Dmax；
4）输入电压范围：Vinmin,Vinmax
5）输出电压 Vout
6）输出电流Iout
7）K=0.4(DCM=1,CCM=0.3~0.5)；
8）输出二极管管压降Vf
9）辅助绕组电压Vb
10）辅助绕组二极管管压降Vfb
设计步骤一
输入功率 Pin=(Vout*Iout) η
输入电流平均值 Iin_avg=Pin/(√2*Vinmin*Dmax)
初级电感量Lp=(√2*Vinmin*Dmax)^2/2*Pin*Fsw*K
纹波电流 ⊿I= √2*Vinmin*Dmax/Lp*Fsw
设计步骤二
再确认参数
根据设计功率和结构空间选择磁芯
选好磁芯确定磁芯材质选出ui值
确定材质找出相对温度的Bs(饱和磁通密度)一般选择60°相对的Bs.
找出Ae（磁芯实际截面面积）、Acw（磁芯总卷线截面面积）、Ve（磁芯实效体积）值
设计步骤三
计算输入电流峰值Ipk=(Iin_avg*⊿I/2)*1.2
计算AP值 AP=Ae*Acw
计算初级圈数确认选择NP1= (√2*Vinmin*Dmax)/ui*Fsw*AeNP2=LP*Ipk/Bs*AeNP= | NP1 if NP1&NP2| NP2 otherwise
匝比的计算 n=[Dmax/(1-Dmax)]/Vout+Vf
次级线圈的计算 NS=NP/n
辅助绕组线圈的计算Nfb=(Vf+Vfb/Vout+Vf)*NS
反推验证Dmax
Dmax=[n*(Vout+Vf)]/[√2*Vinmin+n*(Vout+Vf)]
气隙的计算 Lg=4*3.14*10^-7*NP^2*Ae/Lp
关于反激变压器的气隙
为什么要开气隙？反激变换器中，变压器起着电感和变压器的双重作用，因而变压器磁芯处于直流偏磁状态，为防磁饱和因此要加入气隙。防止磁芯饱和不仅只有开气隙一种方法，另外一种是增加磁心的体积；不过通常设计时空间已经限制了磁芯的大小，所以实际设计中开气隙的方法应用的比较多；这两种方法都可以使磁心的磁滞回线变得“扁平”，这样对于相同的直流偏压，就降低了工作磁通的密度。
变压器的线径选择
变压器的线径计算是有规定的，特别是反激式电源变压器更应该注意？
自然冷却时j=1.5~4A/mm2，强迫冷风时3~5A/mm2。
在不同的频率下选取d也是不同的，在200KHz以下时，一般为4~5A/mm2，在200KHz以上时，一般为2~3A/mm2。
变压器的绕制方法
为了减少漏感，目前最好的、工艺最简单的绕制方法是初次级交错绕法也就是大家常说的三明治绕法。
输出整流管
电动自行车电源电路原理图
次级侧电路原理图
次级整流二极管的选型
为了降低输出整流损耗，次级整流二极管一般选用肖特基二极管，肖特基二极管有较低的正向导通压降Vf，能通过较大的电流。
输出整流二极管的耐压值
Vout为输出电压
Np为变压器原变圈数
Ns为变压器副边圈数
Vdcmax为输入最大直流（最大交流的峰值）
120%为给二极管留的尖峰余量
二极管的峰值电流值
Ipp为原边的峰值电流（计算变压器时计算）
次级整流二极管的有效值电流值（此处为工作在DCM模式）
Dmax为最大占空比
次级整流管的热设计
二极管的热损耗包括正向导通损耗、反向漏电流损耗及恢复损耗。因为选用的是肖特基二极管，反向恢复时间短和漏电流比较小，可忽略不记。
二极管的PN结对环境的热阻可以通过DATASHEET查得Rthjc=1.2°C/W
Tj=Rthjc*Vf*Id_rms+TaTa为工作的环境温度Tj为二极管工作温度理论值Vf表示二极管的正向导通压降Id_rms表示通过二极管的有效值电流
RC吸收回路
吸收回路选型
吸收的本质 ，什么是吸收？
在拓扑电路的原型上是没有吸收回路的，实际电路中都有吸收，由此可以看出吸收是工程上的需要，不是拓扑需要。
吸收一般都是和电感有关，这个电感不是指拓扑中的感性元件，而是指诸如变压器漏感、布线杂散电感。
吸收是针对电压尖峰而言，电压尖峰从何而来？电压尖峰的本质是什么？
电压尖峰的本质是一个对结电容的dv/dt充放电过程，而dv/dt是由电感电流的瞬变（di/dt）引起的，所以，降低di/dt或者dv/dt的任何措施都可以降低电压尖峰，这就是吸收。
吸收的作用？
1、降低尖峰电压
2、缓冲尖峰电流
3、降低di/dt和dv/dt，即改善EMI品质
4、减低开关损耗，即实现某种程度的软开关。
5、提高效率。提高效率是相对而言的，若取值不合理不但不能提高效率，弄不好还可能降低效率。
RC吸收的特点
1、双向吸收。一个典型的被吸收电压波形中包括上升沿、上升沿过冲、下降沿这三部分，RC吸收回路在这三各过程中都会产生吸收功率。通常情况下我们只希望对上升沿过冲实施吸收。因此这意味着RC吸收效率不高。
2、不能完全吸收。这并不是说RC吸收不能完全吸收掉上升沿过冲，只是说这样做付出的代价太大。因此RC吸收最好给定一个合适的吸收指标，不要指望它能够把尖峰完全吸收掉。
3、RC吸收是能量的单向转移，就地将吸收的能量转变为热能。尽管如此，这并不能说损耗增加了，在很多情况下，吸收电阻的发热增加了，与电路中另外某个器件的发热减少是相对应的，总效率不一定下降。设计得当的RC吸收，在降低电压尖峰的同时也有可能提高效率。
吸收的误区
1、Buck续流二极管反压尖峰超标，就拼命的在二极管两端加RC吸收。这个方法却是错误的。为什么？因为这个反压尖峰并不是二极管引起的，尽管表现是在这里。这时只要加强MOS管的吸收或者采取其他适当的措施，这个尖峰就会消失或者削弱。
2、副边二极管反压尖峰超标，就在这个二极管上拼命吸收。这种方法也是错误的，原因很清楚，副边二极管反压尖峰超标都是漏感惹的祸，正确的方法是处理漏感能量。
3、反激MOS反压超标，就在MOS上拼命吸收。这种方法也是错误的。如果是漏感尖峰，或许吸收能够解决问题。如果是反射电压引起的，吸收不但不能能够解决问题的，效率还会低得一塌糊涂，因为你改变了拓扑。
吸收的计算
书上网络上都有关于吸收回路的计算方法的介绍,但由于寄生参数的影响,这些公式几乎没有实际意义,实际上大部分的RC参数是靠实验来调整的,但RC的组合理论上有无穷多,怎么来初选这个值是很关键的,下面来介绍一些实用的理论和方法 。
1、先不加RC,用容抗比较低的电压探头测出原始的震荡频率.此震荡是有LC 形成的,L主要是变压器次级漏感和布线的电感和输出电容, C主要是二极管结电容和变压器次级的杂散电容。
2、测出原始震荡频率后, 可以试着在二极管上面加电容,直到震荡频率变为原来的1/2.则原来震荡的C值为所加电容的1/3,知道了C就可以算R值了, R=2∏fL=1/(2∏fC)。把R加到所加C上,震荡就可以大大衰减。这时再适当调整C值的大小,直到震荡基本被抑制。
吸收电路测试经验总结：
一、吸收电容C的影响
1、并非吸收越多损耗越大，适当的吸收有一个效率最高点。
2、吸收电容C的大小与吸收功率（R的损耗）呈正比关系。即：吸收功率基本上由吸收电容决定。
二、吸收电阻R的影响
1、吸收电阻的阻值对吸收效果干系重大，影响明显。
2、吸收电阻的阻值对吸收功率影响不大，即：吸收功率主要由吸收电容决定。
3、当吸收电容确定后，一个适中的吸收电阻才能达到最好的吸收效果。
4、当吸收电容确定后，最好的吸收效果发生在发生最大吸收功率处。换言之，哪个电阻发热最厉害就最合适。
5、当吸收电容确定后，吸收程度对效率的影响可以忽略。
软件仿真不同阻值时的波形曲线图
1．反激式开关电源输出整流滤波电路工作状态分析
反激式开关电源输出整流滤波电路原理上是最简单的。但是，由于反激式开关电源的能量传递必须通过变压器转换实现，变压器的初次级两侧的开关（MOSFET或整流二极管）均工作在电流断续状态。在相同输出功率条件下，反激式开关电源的开关流过的电流峰值和有效值大于正激式、桥式、推挽式开关电源。为了获得更低的输出电压尖峰，通常的反激式开关电源工作在电感电流（变压器储能）断续状态，这就进一步增加了开关元件的电流额定。
开关电源的电路拓扑对输出整流滤波电容器影响也是非常大的，由于反激式开关电源的输出电流断续性，其交流分量需要由输出整流滤波电容器吸收，当电感电流断续时输出整流滤波电容器的需要吸收的纹波电流相对最大。
对应的输出整流二极管的电流波形如图1，输出滤波电容器的电流波形如图2。
图1 反激式开关电源的输出整流二极管的电流波形
图2 输出滤波电容器的电流波形
由图1可以得到流过输出整流二极管电流峰值与平均值、有效值的关系为如下。
流过输出整流器的峰值电流与平均值电流的关系：
根据电荷相等，可以得到：
可以得到整流二极管电流的峰值：
流过输出整流器的有效值电流与峰值电流的关系：
流过整流器的有效值电流与平均值电流的关系：
式中：IrecM、Irecrms、IO、Dmax分别为流过输出整流器的峰值电流、有效值电流、平均值电流和输出整流二极管的最大导通占空比。
流过输出滤波电容器的电流有效值略小于流过输出整流器的有效值电流。
式（2）、（3）、（4）表明，随着输出整流器导通占空比的减小，相同输出电流平均值对应的峰值电流、有效值电流随占空比的减小而增加。
在大多数情况下，反激式开关电源工作在变压器电流临界或断续状态。在变压器电流临界状态下，初级侧开关管导通占空比与输出整流器导通占空比相加为1。
在大多数情况下，反激式开关电源的输出整流器的最大导通占空比约为0.5。这样，流过输出整流器的电流峰值与输出平均值电流之间的关系为：
有效值电流与输出电流平均值的关系为：
2．设计实例与分析
某反激式开关电源的技术参数为：电路图拓扑：反激式；输入电压：85Vac~264Vac工作频率：65kHz ；输出：12V/5A；纹波电压：50mV；CLC滤波。
（1）第一级滤波电容器的选择
对于输出电流5A对应的峰值电流为20A、有效值电流为14.14A，其中大部分流入滤波电容器。按最高温度的纹波电流2倍选用电容器，滤波电容器的纹波电流之和至少要7A。
25V/1000μF低ESR铝电解电容器的额定纹波电流约为1A，需要7只并联。如果非要5只并联甚至4只并联，也是可以运行的，但是不具有长期可靠性。
25℃温度下，25V/1000μF低ESR铝电解电容器的ESR约为0.09Ω。7只并联对应的ESR为129mΩ、5只并联为180mΩ、4只并联为225mΩ。由电流变化在ESR上产生的峰值电压分别为2.59V、3.60V、4.50V。除此之外，滤波电容器的ESL还会在整流二极管开通时由于电流的跃变而产生感生电势，这个感生电势同样会加到滤波电容器上，因此，滤波电容器上的峰值电压将不只是上述的2.59V、3.60V、4.50V。其电压波形如图3。
图3 第一级滤波电容器的电压波形
很显然，2.59V、3.60V、4.50V是不能满足设计要求的，需要在第一级滤波电容器后面加上一级LC低通滤波器。
（2）第二极LC低通滤波器的设计与参数选择
第二级需要考虑的是如何将不能满足要求纹波电压经过LC滤波使其满足要求。通常滤波电感可以选择30~100μH，输出滤波电容器不仅要考虑输出纹波电压是否可以满足要求，还要考虑抑制负载电流的变化，在这里可以选择330~1000μF/25V。
MOS开关管损耗
1，开通损耗
MOS管在开通过程中，电流，电压和功耗的波形近似如下
Rds（on）为Mos管的导通电阻，会随着MOS管结温的变化而变化，一般MOS的Datasheet中都会给出一个温度变化曲线，可以参考改曲线取值。
Idrms为导通过程中的电流有效值
Ton为一个周期内的导通时间
F为开关频率
3，关断损耗
MOS管在关断过程中，电流，电压和功耗的波形近似如下
Idss为Mos管截止时在实际结温情况下的漏电流，可以参考器件手册取一个合适的值。
Vds为截止时Mos管DS之间的电压
Toff为一个周期内的截止时间
f 为开关频率
另外还有门级损耗和输出电容损耗，还有Mos内部寄生二极管的功耗。因对整体Mos管的功耗影响不大且涉及到具体的应用和各个管子的参数不同，这里不再详细叙述。
输出整流管损耗
一本80年代末翻译的书，里面很详细的阐述了功率晶体管和开关二极管设计的过程。很严谨也很详实，不是偶然间翻到，我们可能没有可能去搞清楚这个过程了。
这一段是我整理在我写的文章里面的，希望能把这个过程写清楚：
二极管在较高频率下应用的时候，需要注意二极管除了我们知道的正常的导通状态和正常的截至状态以外，在两种状态之间，转换过程中还存在着开启效应和关断效应。二极管在开关的过程中其电流和电压的变化过程如图所示：
① 开启效应:表征着二极管由截止过渡到导通的特性，从反向电压VR正向导通，跳变至最高电压V?P，然后慢慢降低为二极管正向导通电压VF，达到稳定状态的过程称为二极管的正向恢复过程。这一过程所需要的时间称为正向恢复时间。开启过程的过程是对对反偏二极管的结电容充电，使二极管的电压缓慢上升，因PN结耗尽区的工作机理，使电压的上升比电流的上升要慢很多。
② 关断效应：表征着二极管由导通过渡到截止的特性，从二极管正向导通电压VF，跳变至负向最高电压VFF，然后反向截止达到稳定状态VR的过程称为二极管的反向恢复过程。这一过程所需要的时间称为反向恢复时间。由于电荷存储效应，二极管正向导通时，会存在非平衡少数载流子积累的现象。在关断过程中存储电荷消失之前，二极管仍维持正偏的状态。为使其承受反向阻断的能力，必需将这些少子电荷抽掉。反向恢复时间分为存储时间Ts与下降时间Tf，存储时间时二极管处在抽走反向电荷的阶段，在这段时间以后电压达到反向最大值，二极管可开始反向阻断，下降时间则是对二极管耗尽区结电容进行充电的过程，直到二极管完全承受外部所加的反向电压，进入稳定的反向截止状态。
二极管的暂态开关过程就是PN结电容的充、放电过程。二极管由截止过渡到导通时，相当于电容充电，二极管由导通过渡到截止时，相当于电容放电。二极管结电容越小，充、放电时间越短，过渡过程越短，则二极管的暂态开关特性越好。
正向过程损耗
这是一个估计的结果
反向过程损耗
计算方法也是估计的（这是续流电路的情况）
实际的功率二极管用在不同的地方，其结果也是并不相同的，按照书中整流和续流两块去分析，我可能将之整理一下效果较好。感兴趣的同志们可以去看看，挺详细和详实的一本书。
整个开关过程，实质上，就是认为对结电容进行操作。如果没有电容，整个开关过程是非常理想的，也就等效成为一个理想的开关了。
补充（引用网上不明作者的图和过程分析）：
由于二极管外加正向电压时，载流子不断扩散而存储的结果。当外加正向电压时Ｐ区空穴向Ｎ区扩散，Ｎ区电子向Ｐ区扩散，这样，不仅使势垒区（耗尽区）变窄，而且使载流子有相当数量的存储，在Ｐ区内存储了电子，而在Ｎ区内存储了空穴，它们都是非平衡少数载流子，如下图所示。
空穴由Ｐ区扩散到Ｎ区后，并不是立即与Ｎ区中的电子复合而消失，而是在一定的路程LP（扩散长度）内，一方面继续扩散，一方面与电子复合消失，这样就会在LP范围内存储一定数量的空穴，并建立起一定空穴浓度分布，靠近结边缘的浓度最大，离结越远，浓度越小。正向电流越大，存储的空穴数目越多，浓度分布的梯度也越大。我们把正向导通时，非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷存储效应。
当输入电压突然由+VF变为-VR时Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：
① 在反向电场作用下，Ｐ区电子被拉回Ｎ区，Ｎ区空穴被拉回Ｐ区，形成反向漂移电流IR，如下图所示；
② 与多数载流子复合。
在这些存储电荷消失之前，ＰＮ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ＰＮ结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略，所以此时反向电流IR= （VR＋VD）/RL。VD表示ＰＮ结两端的正向压降，一般 VR&&VD，即 IR＝VR／RL。在这段期间，IR基本上保持不变，主要由VR和RL所决定。经过时间ts后Ｐ区和Ｎ区所存储的电荷已显著减小，势垒区逐渐变宽，反向电流IR逐渐减小到正常反向饱和电流的数值，经过时间tt，二极管转为截止。由上可知，二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上由于电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。
散热器计算
一、7805 设计事例
设 I=350mA，Vin=12V，则耗散功率 Pd=(12V-5V)*0.35A=2.45W。按照 TO-220
封装的热阻 θJA=54℃/W，温升是 132℃，设室温 25℃，那么将会达到 7805 的
热保护点 150℃，7805 会断开输出。
二、正确的设计方法是：
首先确定最高的环境温度，比如 60℃，查出民品 7805 的最高结温
Tj(max)=125℃，那么允许的温升是 65℃。要求的热阻是 65℃/2.45W=26℃/W。
再查 7805 的热阻，TO-220 封装的热阻 θJA=54℃/W，TO-3 封装（也就是大家说的“铁壳”）的热阻 θJA=39℃/W，均高于要求值，都不能使用（虽然达不到热保护点，但是超指标使用还是不对的）,所以不论那种封装都必须加散热片。资料里讲到加散热片的时候，应该加上 4℃/W 的壳到散热片的热阻。
计算散热片应该具有的热阻也很简单，与电阻的并联一样，即 54//x=26，
x=50℃/W。其实这个值非常大，只要是个散热片即可满足。
三、散热片尺寸设计
散热片计算很麻烦的，而且是半经验性的，或说是人家的实测结果。
基本的计算方法是:
1.最大总热阻 θja ＝ （ 器件芯的最高允许温度 TJ － 最高环境温度
TA ） / 最大耗散功率
其中，对硅半导体，TJ 可高到 125℃，但一般不应取那么高，温度太高会降
低可靠性和寿命。
最高环境温度 TA 是使用中机箱内的温度，比气温会高。
最大耗散功率见器件手册。
2.总热阻 θja＝芯到壳的热阻 θjc ＋壳到散热片的 θcs ＋ 散热片到环
其中，θjc 在大功率器件的 DateSheet 中都有，例如 3---5
θcs 对 TO220 封装，用 2 左右，对 TO3 封装，用 3 左右，加导热硅脂后，
该值会小一点，加云母绝缘后，该值会大一点。
散热片到环境的热阻 θsa 跟散热片的材料、表面积、厚度都有关系，作为
参考，给出一组数据例子。
a.对于厚 2mm 的铝板，表面积（平方厘米）和热阻（℃/W）的对应关系是：
中间的数据可以估计了。
b.对于 TO220，不加散热片时，热阻 θsa 约 60--70 ℃/W。可以看出，当表
面积够大到一定程度后，一味的增大表面积，作用已经不大了。据称，厚度
从 2 mm 加到 4 mm 后，热阻只降到 0.9 倍，而不是 0.5 倍。可见一味的加
厚作用不大。表面黑化，θsa 会小一点，注意，表面积是指的铝板二面的面积之和，但紧贴电路板的面积不应该计入。对于型材做的散热片，按表面积算出的 θsa 应该打点折扣……
说到底，散热片的计算没有很严格的方法，也不必要严格计算。实际中，
是按理论做个估算，然后满功率试试看，试验时间足够长后，根据器件表面
温度，再对散热片做必要的更改。
国产散热器厂家其实就是把铝型材做出来，然后把表面弄黑。热阻这种
最基本的参数他们恐怕从来就没有听说过。 如果只考虑散热功率芯片的输
入输出电压差 X 电流是芯片的功耗，这就是散热片的散热功率。
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该产品功能，有带电显示，温湿度数字显示，三相触头温度值显示，电缆搭接头温度显示，自动加热除湿控制，断路器分合闸状态指示，储能、接地开关指示，小车位置指示，一次回路模拟图，二次回路电压数值显示，人体感应柜内照明，智能语音防误提示，语音带电提示，分合闸回路指示，预分预合闸闪烁指示，电压、电流、有功功率、无功功率、功率因数、频率测量以及RS485通讯接口等功能。
产品简介 　　我公司生产的KWS-XS-5800系列开关状态智能操控仪，是针对3-35KV户内开关柜设计的新一代产品。适用于中置柜、手车柜、固定柜、环网柜等多种开关柜。 　　产品功能 　　该产品功能强大，有带电显示，温湿度数字显示，三相触头温度值显示，电缆搭接头温度显示，自动加热除湿控制，断路器分合闸状态指示，储能、接地开关指示，小车位置指示，一次回路模拟图，二次回路电压数值显示，人体感应柜内照明，智能语音防误提示，语音带电提示，分合闸回路指示，预分预合闸闪烁指示，电压、电流、有功功率、无功功率、功率因数、频率测量以及RS485通讯接口等功能。 　　产品特点 　　　　1、智能化程度高：不仅能显示开关分合状态，还可判断指出开关小车是处于试验位置与工作位置之间，还是处于柜体之外。 　　2、增加了语音防误提示功能和过热报警功能。 　　3、抗干扰能力强，采用独特的抗干扰技术。 　　4、高可靠性，采用工业级电子元器件。 　　设计理念 　　1、量身定做不同功能组合的产品，满足用户不同需求，物尽其用。 　　2、结实耐用寿命长。 　　3、人机界面好，信息丰富，操作简便，对避免误操作有显著作用。 　　4、外观精美新颖、做工细致，简化了开关柜面板，美化了工作环境。 　　技术指标 　　工作电源 AC/DC220V±10%50Hz 　　环境温度 -20℃~+70℃ 　　相对湿度 ≤95%RH 　　耐压强度 ≥AC2000V1min 　　绝缘性能 ≥100MΩ 　　抗电磁干扰性能 符合IEC255-22的标准规定 　　功能注释 　　●人体感应探头 　　-开关柜前若有人站立1秒钟，柜内照明自动启动，液晶屏背光点亮、送电时带有语音提示，操作者离开后 　　自动停止。 　　●语音防误提示 　　-在断路器合闸状态下，若误将小车从试验位置推至工作位置时，语音提示“请分断路器” 　　-在接地开关合闸状态下，若误将小车从试验位置推至工作位置时，语音提示“请分接地开关” 　　-在断路器和接地开关都处于合闸状态下，若误将小车从试验位置推至工作位置时，语音提示“请分断 　　路器，请分接地开关”。 　　●语音带电提示 　　-当柜体主回路送电时，若柜前有人停留，语音提示“本柜主回路已有电”（带人体感应探头的产品有此功能）。 　　●动态模拟图 　　-合闸时，合闸无源触点闭合，红色模拟条亮 　　-分闸时，分闸无源触点闭合，绿色模拟条亮 　　-预分预合闸闪烁指示 　　接地显示 　　-储能显示 　　-工作位置显示 　　试验位置显示- 　　-手车进出过程中动态显示 　　-断路器、接地开关防误闪烁提示 　　●带电闭锁显示 　　-LED启辉电压（KV）：额定相电压×0.15~0.65 　　-闭锁启控电压（KV）：额定相电压×0.65 　　-当三相同时不带电，闭锁解除灯亮，启动电磁锁动作。 　　-强制闭锁控制电源：交流或直流220V，可保证闭锁部分可靠工作；运行中仪器控制电源消失，闭锁接点不会误动作，被闭锁设备仍然可靠闭锁。 　　●温湿度模拟控制功能 　　-可带1~2路温湿度控制；当环境湿度≥90%RH时启动加热；湿度≤75%RH时，停止加热。当环境温度≥ 　　15℃时，加热自动停止；当环境温度≥50℃时，过热报警灯亮；加热器断线时报警灯亮。 　　●温湿度数字控制功能 　　-可带1~2路温湿度传感器及输出接点，可显示现场的温湿度数值，并且用户可根据需要自行设置加热/除 　　湿输出的上下限值。当环境温度≥40℃时，自动启动通风输出，防止过热损伤。 　　●分合闸回路电压数值显示 　　-二次回路分合闸电压是决定开关分合闸是否到位的重要参数。 　　柜内交直流电源 　　-本系列产品工作电源为双电源，仪器操控电压采用AC/DC模块结构,可实现交、直流供电。操控仪 　　加热器部分需专供交流AC220V电源。 　　●测量功能 　　-可以监测三相电流、电压、有功功率、无功功率、频率、积分电度（精度0.5级）。 　　●触头、电缆搭接头测温功能 　　-可在线测量触头、电缆搭接头温度，量程：-20℃~+150℃，精度：±2℃。 　　●通讯 　　-RS485接口具备远方通讯能力。可编程变送输出4~20mA或0~5V使其具备与DCS控制系统接口能力。 　　● 操作功能 　　－分合闸操作－远方/就地操作 　　－储能操作－照明操作
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