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都在炒芯片，芯片业的铲子的怎么没有关注？这个才是核心
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指甲盖大小的
，密布千万电线，纹丝不乱，需要极端精准的照相机——光刻机。光刻机精度，决定了芯片的上限。高精度光刻机产自ASML、尼康和三家；顶级光刻机由ASML垄断，国内最牛逼芯片
海思也是由代工的，设备就是ASML的光刻机。&&&&&&&&&&&&&&&光刻机芯片制造的核心占据
设备市场的39%&&&&&&&看看生产铲子的多赚钱吧！&&&&&&&半导体设备供应商ASML今日发布2017年第4季财报：营收季增4.7%至25.61亿欧元；毛利率自2017年第3季的42.9%升至45.2%；纯益季增15.6%至6.44亿欧元。综合来看，ASML&2017年营收年增33.2%至90.53亿欧元、毛利率自44.8%升至45.0%、纯益年增44%至21.19亿欧元，合25.87亿美元，人民币163.42亿。&&&&&&&&&&&&&&关键一点是，国外对中国出口封锁，高端的ASML是不卖给中国的！&&&&&&&&&&&&&&长春光机所极紫外光刻关键技术研究项目通过验收&&&&&&&&10:04:21&&&&&&&来源:吉林日报&作者:李晓静&&&&&&&&&原标题：“极紫外光刻关键技术研究”项目通过验收&&&&&&&&&日前，“极大规模
及成套工艺”国家科技重大专项实施管理办公室组织专家，在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所召开了“极紫外光刻关键技术研究”项目验收会。评审专家组充分肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术研发向前推进了重要一步。&&&&&&&&&极紫外光刻光学技术代表了当前应用光学发展最高水平，作为前瞻性EUV光刻关键技术研究，项目指标要求高，技术难度大、瓶颈多，创新性高，同时国外技术封锁严重。&&&&&&&&&2008年国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项将EUV光刻技术列为“32-22nm装备技术前瞻性研究”重要攻关任务。长春光机所作为牵头单位承担起了“极紫外光刻关键技术研究”项目研究工作，成员包括中国科学院光电技术研究所、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院
研究所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学。&&&&&&&&&项目研究团队秉承锲而不舍的科研精神，潜心钻研，厚积薄发，历经八年的艰苦奋战，圆满完成国家重大专项部署的研究内容与任务目标，实现EUV光学成像技术跨越，显著提升了我国极紫外光刻核心光学技术水平。（记者李晓静）&&&&&&&&&&&&&&日，由长春光机所牵头承担的国家科技重大专项02专项——“极紫外光刻关键技术研究”项目顺利完成验收前现场测试。在长春光机所、成都光电所、上海光机所、
微电子所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学等参研单位的共同努力下，历经八年的戮力攻坚，圆满地完成了预定的研究内容与攻关任务，突破了现阶段制约我国极紫外光刻发展的核心光学技术，初步建立了适应于极紫外光刻曝光光学系统研制的加工、检测、镀膜和系统集成平台，为我国光刻技术的可持续发展奠定了坚实的基础。&&&&&&&光刻技术是集成电路制造产业的核心，决定着集成电路的
特征尺寸。伴随半导体产业摩尔定律延续，极紫外光刻（Extreme&Ultraviolet&Lithography,&EUVL）被公认为是最具潜力的下一代光刻技术。&&&&&&&极紫外光刻是一种以13.5nm的EUV光为工作波长的投影光刻技术，是传统投影光刻技术向更短波长的延伸，正处于产业化的临界点。作为工业制造领域尖端技术的融合，世界上只有少数几家研究机构及公司掌握此技术。目前，EUVL技术的国际垄断局面已经初步形成，对我国形成了技术封锁，将来的销售政策也难以预料。我国自上世纪九十年代起关注并发展EUVL技术，初期开展了EUV光源、EUV多层膜、超光滑抛光技术等基础性关键技术研究。2008年“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项将EUVL技术列为下一代光刻技术重点攻关，《
》将EUVL列为了集成电路制造领域的发展重点，并计划在2030年实现EUV光刻机的国产化。&&&&&&&在02专项任务牵引下，长春光机所应光室的短波光学研究团队潜心钻研，艰苦奋战，在EUV光学系统协同设计、膜厚控制精度达原子量级的EUV多层膜技术、深亚纳米量级的超光滑非球面加工与检测技术、超高精度物镜系统波像差检测及集成技术等方面，突破了一系列EUVL工程化关键技术瓶颈；成功研制了小视场EUVL曝光光学系统，投影物镜波像差优于0.75nm(RMS)，构建了EUVL静态曝光装置，获得32nm线宽的光刻胶曝光图形；建立了EUVL关键技术验证及工艺测试平台。通过项目的实施，圆满地实现了极紫外成像光学技术的跨越，形成了一支具有国内领先、国际先进水平的研究队伍，为开展极紫外光刻曝光光学系统的工程研制奠定了坚实的人才与技术基础。&&&&&&&&&&&&&&突破技术封锁，完成原型机的研发和验收！！！！&&&&&&&&&&&&&&&760)this.width=760" onclick="self.open(this.src);" class="lazy" src="placeHolder.png"
data-original="https://image.taoguba.com.cn/img//z15y1hhm524r.jpg@!topic">&&&&&&&光刻机是制造芯片的核心设备，一直以来被荷兰的ASML公司所垄断。Intel、台积电、
&都是它的股东方。国际上14nm的光刻机都是ASML的产品。其每年的产量只有24台，单价高达1.5亿美元。目前
&已经排到了3年以后。&&&&&&&&&我国曾多次想要订购ASML的14nm光刻机，但无奈的是，不管多少钱，人家不卖！现在国内一些32nm和22nm的光刻机都是采购自其他国家的二手设备，就算是二手也还需要向美国提出申请，人家同意才行。最为令人气愤的是，出售给我国的光刻机都带有附加条件，那就是不能用来生产军用级别的芯片和给中国自主芯片代工，也就是说中国人自己研制的芯片，不能用人家的设备生产。之前宣称的我国龙芯和申威等
之所以无法量产，就是这个原因。芯片性能达到了国际水平，但却没有相应的国产光刻机生产。可见，中国的光刻机有多么尴尬。&&&&&&&&&&&&&&我们来看看
的股东名单：&&&&&&&&760)this.width=760" onclick="self.open(this.src);" class="lazy" src="placeHolder.png"
data-original="https://image.taoguba.com.cn/img//kyozjxrx6rmw.jpg@!topic">&&&&&&&&再看看大股东的承诺：&&&&&&&为进一步避免同业竞争，长春光机所于日出具补充承诺：&本所郑重承诺，本所目前生产的有
&产品仅用于科研目的，并未转化为批量生产。一旦用于科研目的的任何军工产品可进行批量生产，本所将该等产品的生产全部投入长春技术股份有限公司。本所亦保证将来不从事上述产品的工业化批量生产活动，否则赔偿长春奥普光电技术股份有限公司因此造成的任何直接或间接损失，并承担由此致的一切不利法律后果。&&&&&&&&760)this.width=760" onclick="self.open(this.src);" class="lazy" src="placeHolder.png"
data-original="https://image.taoguba.com.cn/img//5hr7rf94mdar.JPEG@!topic">&&760)this.width=760" onclick="self.open(this.src);" class="lazy" src="placeHolder.png"
data-original="https://image.taoguba.com.cn/img//ka7z9l7vb43r.png@!topic">&&&&&&&&看看生产铲子的多赚钱吧！
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别忘了，还属于吉林，有三胖概念哈。
公司明确宣布不涉及光刻机，还炒个毛
&公司是没开发，但是大股东长春光机做的，但是有承诺的，只要商业应用就比如归上市公司。&&&&&&&&&&&&&&为进一步避免同业竞争，长春光机所于日出具补充承诺：&本所郑重承诺，本所目前生产的有
&&产品仅用于科研目的，并未转化为批量生产。一旦用于科研目的的任何军工产品可进行批量生产，本所将该等产品的生产全部投入长春技术股份有限公司。本所亦保证将来不从事上述产品的工业化批量生产活动，否则赔偿长春奥普光电技术股份有限公司因此造成的任何直接或间接损失，并承担由此致的一切不利法律后果。&&&&&&&原帖由30岁了在&17:47发表&&&&&&&公司明确宣布不涉及光刻机，还炒个毛
居然还有人炒作A的光刻机概念&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&A做不出来的，绝无可能&短期做出来；&&我估摸着10年之内，做到10nm就胜利了；！！！
周一涨停板是涨停原贴由tigerword在&17:47:02发表&&&&&&&别忘了，&还属于吉林，有三胖概念哈。
这才说明有发展的必要和潜力啊，国家必将加大投入和研发！否则永远受制于人原帖由左神流英在&17:59:35发表
居然还有人炒作A的光刻机概念A做不出来的，绝无可能&短期做出来；&我估摸着10年之内，做到10nm就胜利了；！！！
去做深入了解；了解了之后，你会发现，&10年以内&无有可能赶上，个人认为没有技术转让货这外部帮助，10年左右，自主能到10nm左右就很不错了；&&我了解的越多也越失望，所以对这个题材觉得彻底没戏；&&&&&&&&&&&&&&光刻机需要的顶级技术不是一项，而是很多项；&
，精密加工，。。。太多了；&每一个突破起来都很困难，都是以10年记的，这么多综合起来才能实现；&&&&&&&原帖由tigerword在&18:35发表&&&&&&&这才说明有发展的必要和潜力啊，国家必将加大投入和研发！否则永远受制于人原帖由左神流英在&17:59:35发表居然还有人炒作A的光刻机概念A做不出来的，绝无可能&短期做出来；&我估摸着10年之内，做到10nm就胜利了；！！！
这就说明国家要大力发展大力支持搞啊，否则永远受制于人么，这次中兴事件教训还不深刻么原帖由左神流英在&18:42:22发表
去做深入了解；了解了之后，你会发现，&10年以内&无有可能赶上，个人认为没有技术转让货这外部帮助，10年左右，自主能到10nm左右就很不错了；&我了解的越多也越失望，所以对这个题材觉得彻底没戏；光刻机...
之前发展一直更不上，是因为国家投入还是不够啊，别人一年的研发费用都是多少亿，我们十年研发总共投入才六亿，后面国家必然加大投入，上面不是已经定调了么，不惜一切代价发展啊！
9494&&&&&&&原帖由tigerword在&19:12发表&&&&&&&之前发展一直更不上，是因为国家投入还是不够啊，别人一年的研发费用都是多少亿，我们十年研发总共投入才六亿，后面国家必然加大投入，上面不是已经定调了么，不惜一切代价发展啊！
问题就是&现在不会有突破；，而且差十万八千里，现在就不会有行情；&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&几年之内没指望，那样&就炒不起来，这个概念就没戏啊；&&&&&&&原帖由tigerword在&19:09发表&&&&&&&这就说明国家要大力发展大力支持搞啊，否则永远受制于人么，这次中兴事件教训还不深刻么原帖由左神流英在&18:42:22发表去做深入了解；了解了之后，你会发现，&10年以内&无有可能赶上，个人认为没有技术转让货这外部帮助，10年左右，自主能到10nm左右就很不错了；&我了解的越多也越失望，所以对这个题材觉得彻底没戏；光刻机...
我也觉得好，但是看股价就知道看上的都是小资金
等待大资金发觉吧
你卖铲子也得有地挖才行啊，光刻机涉及几万个零部件，其他的跟不上只能当技术储备了
这个预期绝对正宗，炒股就是炒预期，美国佬封锁
出口，反而倒逼加快研发，等注入那天肯定都上100元了。
怎么没有地了，
的海思处理器之类的，不过华为现在是在代工，因为是基于国外arm，可以用荷南光刻机，国内可没有，台积电也不能做国产设计芯片的代工，工艺上不去，制约了
的发展啊。原帖由bingo25在&20:16:48发表
你卖铲子也得有地挖才行啊，光刻机涉及几万个零部件，其他的跟不上只能当技术储备了
晚上又传出
被调查，要是华为的海思被限制不能在弯弯用ASML光刻机生产的话就完了，&&&&&&&发展国产光刻机势在必行啊！
人民日报发文：力挺
&国产化。&&&&&&&&&&&&&&&光刻机才是真正的高端制造设备啊，一台ASML上亿美金。
4月26日讯，记者获悉，今年我国在继续抓好“
”既定目标任务实施的同时，还将在强化创新、补齐短板、促进融合、优化结构、扩大开放、营造市场环境六个方面加大力度，将出台推动重大短板
创新发展指导性文件，并启动一批重大短板装备工程项目，提高供给能力。（中国证券报）&，光刻机显然属于重大短板装备！
发展的真正掣肘就在半导体设备上，光刻机必将大力发展。
到&<input class="tp_input01" type="text" id="yt_bottom"
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同时将此用户拉入黑名单早年，各学校，由美国搞了什么因特尔培训，其实就是微软使用培训。可关键的，芯片制造，集成技术他会给你培养。各学校信息技术课程内容赶紧改变思路。重点学习门电路，集成
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强国社区-人民网想做物联网霸主？芯片才是核心战场！-传感技术-与非网
物联网被业内公认为是继计算机、之后世界产业技术革命的第三次高潮，孕育着史无前例的大市场。万物互联的背后离不开小小的芯片，包括华为、联发科、英特尔、高通在内的巨头纷纷发力物联网芯片。核心芯片是物联网时代的战略制高点，谁能掌握核心专利，成为物联网产业的霸主呢？
战鼓擂响　　深耕手机芯片市场多年的联发科聚焦物联网芯片，近日宣布推出新一代客制化WiFi无线芯片平台系列MT7686、MT7682、，这三款芯片让物联网应用具备了更多实用、易用的功能。联发科技物联网事业部副总经理杨裕全表示：&此次推出的新一代WiFi系列芯片在功耗上优化三倍以上，唤醒速度小于0.1秒，这两大产品优势可让开发者在提供创新用户体验及开发新形态的产品时获得更好的平台技术支持。&
&中国芯&另一成员华为积极战略布局物联网，高度集成的芯片将在6月底将大规模发货。华为指出，2017年预计全球将有20几个国家都将部署（窄带物联网）网络。目前华为已经与40多家合作伙伴、20几种行业业态展开合作。目前，在中国，华为在智能停车、消防领域的应用处于领先地位。
风靡城市的共享单车是窄带物联网技术最大的应用市场之一，搭载物联网芯片的单车将从一种出行方式扩展为一种生活方式。摩拜不仅牵手高通，在新款单车中加入高通的最新物联网芯片，还与华为达成战略合作，在窄带物联网应用及创新等领域开展深度合作。
物联网作为互联网的延伸，通过智能感知、识别技术等广泛应用与互联网相融合，也被公认为是继计算机、互联网之后世界产业技术革命的第三次高潮，市场商机无限。
市场研究公司Machina Research发布的数据显示，全球物联网连接数量及物联网收入在年之间将增长三倍，增至3万亿美元，而到2025年全球物联网连接数量将达到惊人的270亿个。
物联网成为推动世界高速发展的重要生产力，各国都在投入巨资深入研究探索，我国也不例外。工信部近日正式发布《关于实施深入推进提速降费、促进实体经济发展2017专项行动的意见》（简称《意见》）。《意见》提出，将加快NB-IoT商用进程。另外，《意见》还提出了NB-IoT商业化的具体方向，包括拓展蜂窝物联网在工业互联网、城市公共服务及管理等领域的应用，支持智能工厂、智能网联汽车等创新业态发展。
谁执牛耳？
物联网万亿蛋糕虽然美味，但想要咬下去并不是那么容易。在2G、3G甚至是4G时代，中国企业并没有占据先发优势，尤其是在核心技术方面，频频吃了专利的亏。例如，高通在CDMA上拥有包括600多项核心专利在内的3900项专利，占CDMA所有专利的27%，垄断了全球92%以上的CDMA市场。在中国，这一比例几乎达到100%。吃过专利亏的中国企业在布局物联网时，更应该未雨绸缪，在专利上加大投入，尽早掌握行业话语权。
根据咨询公司LexInnova发布的物联网专利调查报告显示，芯片厂商和网络设备制造商在物联网专利方面，芯片巨头高通和英特尔排名前两位，专利数量是第三名的2倍。
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什么3D封装，立体“多层”芯片才是下一代芯片出路
　　斯坦福大学工程师开发出的四层“多层芯片”原型。底层和顶层是逻辑，中间是两层存储芯片层。垂直的管子是纳米级的电子“电梯”，连接逻辑层和存储层，让它们能一起工作解决问题。本文引用地址：
　　左边是目前的单层电路卡，逻辑与存储芯片分隔在不同区，通过电线连接。就像城市街道，由于数据在逻辑区和存储区来来回回地传输，常会产生拥堵。右边是多层的逻辑芯片和存储芯片，形成一种“摩天大楼”式的芯片，数据通过纳米“电梯”实现立体传输，避免了拥堵。
　　今日视点
　　几十年来，“更小、更快、更便宜”已成为推动电子设备发展的魔咒。最近，美国斯坦福大学工程师又给它增加了第四个——更高。在12月15日至17日美国旧金山召开的电气和电子工程师协会(IEEE)国际电子设备大会上，斯坦福大学研究小组介绍了怎样构建一种“多层”芯片，能大大提高目前电路卡上单层的逻辑和存储芯片的性能。
　　电路卡就像繁忙的城市，在存储芯片上存储数据，通过逻辑芯片计算。当计算机繁忙时，连接逻辑芯片与存储芯片的线路就会发生“数字交通拥堵”，而“多层”芯片能终结这种拥堵。
　　这种新方案能在存储层上叠加逻辑层，紧密且互相连接，通过数千个纳米级的电子“电梯”在各层之间运输数据，将比目前单层逻辑芯片和存储芯片间的连线速度更快，耗电更少。
　　三项突破
　　这项研究由斯坦福大学电学工程与计算机科学教授萨博哈西斯·米特拉和H-S·菲利普·翁等人负责。据研究小组介绍，他们的创新研究取得了三项突破：第一是制造的新技术，是微小的门，通过开关电流来代表1和0;第二是新型的计算机存储器，具有多层结构;第三是把制造逻辑门和存储器的新技术整合在一起，成为多层结构的新技术，这与以往的堆叠芯片完全不同。
　　“这项研究还在早期阶段，但我们的设计和制造技术是可升级的。”米特拉说，“随着今后的发展，这种结构将会使计算机性能大大提高，超过现有任何计算机。”
　　翁说，这种芯片的原型已在去年的国际电子器件大会(IEDM)上展出过，显示了怎样把逻辑和存储芯片结合到一种能大规模生产的三维结构上。可以说，这改变了芯片的范式。“有了这种新结构，电子制造业会把你手中的计算机变成强大的超级计算机。”
　　碳纳米管造逻辑层
　　工程师几十年前就已造出了硅芯片。但无论手机还是平板电脑都会发热，放出热量的大小也能显示其内部问题。即使把它们关上，有时也会有电从硅晶体管中泄露。用户会感觉到热，对系统本身来说，这种泄露也会耗尽电池，浪费电力。研究人员正致力于解决这一难题，比如用碳纳米管(CNT)晶体管。
　　碳纳米管非常纤细，20亿根才有一根头发粗细，所以漏电要比硅少得多。在米特拉和翁的第二篇会议论文中，介绍了他们是怎样制造性能最高的碳纳米管晶体管的。用以往的生产碳纳米管的标准工艺，造出的纳米管密度不够致密。他们攻克了这一难题，开发出一种灵活的技术，能把足够多的碳纳米管打包在足够小的面积里，以制造有用的芯片。
　　他们先在圆形石英晶片上用标准方法生产碳纳米管，然后增加厚度到一定量，再用黏合法把整个碳纳米管层从石英介质上剥离，放到硅晶片上。这种硅晶片就是他们多层芯片的基础。
　　研究人员先要制造密度足够大的碳纳米管层，才能制造出高性能的逻辑设备。他们按这种工艺重复13次，在石英晶片上生长了一大堆碳纳米管，然后用转移技术剥离，把它们沉淀在硅晶片上。用这种简捷的技术来固定，他们造出了一些迄今密度最高、性能最高的碳纳米管。他们还证明了，在制造多层芯片时，能在超过一个逻辑层上实施这种技术。
　　“三明治式”存储器
　　造出高性能的CNT晶体管层只是多层芯片的一部分，在每层CNT晶体管层上直接制作出存储芯片也同样重要。翁是制造这种存储器的领导者。
　　翁设计的新型存储器与目前的存储器完全不同，不是以硅为基础，而是用氮化钛、二氧化铪和铂，构成一种金属—氧化物—金属的夹层结构，从一个方向通电会产生电阻，而反向通电则能导电。从电阻到导电状态的改变，就是这种新存储技术形成数字0和1的方式，所以它的名字就叫做电阻式随机存取存储器或RRAM。
　　RRAM比目前的存储器耗电更少，在移动设备上使用能延长电池寿命。这种新的存储技术也是制造多层芯片的关键，因为RRAM能以比硅存储器更低的温度制造。
　　多层互连
　　会议上展示的是斯坦福大学电学工程研究生马克斯·修雷克和托尼·吴制造的四层芯片。制造RRAM和CNT晶体管层都是以低热工艺为基础，所以能在每层 CNT逻辑芯片上直接制造存储芯片层，在制造每层存储芯片层时，能钻数千个与下面逻辑层互相连通的小孔。在传统的电路卡上，就是这种多层互连让多层芯片能避免“交通拥堵”。
　　如果用传统的硅基逻辑和存储芯片，无法实现多层间的紧密互连。因为制造硅基存储器要花太多热量，大约要1000℃，这会让下面的逻辑芯片融化。
　　以往也有人研究堆叠式硅芯片，这会节约空间，但无法避免数据“交通拥堵”。因为每层芯片都要独立制造，并用电线连接——这仍然倾向于拥堵，与研究小组设计的“纳米电梯”是完全不同的。
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