‎北京风华贴片电容涨价通知价位怎么样?在哪可以买啊?

风华贴片电阻质量好吗_百度知道
风华贴片电阻质量好吗
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风华贴片电阻质量当然好,现在制作电阻工艺这样先进,电阻误差可比原来小多了,选择它是绝对没有问题的。
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安华高推出新10&GbE&LRM&X2光纤收发器产
安华高推出新10&GbE&LRM&X2光纤收发器产
Avago Technologies(安华高科技)近日宣布,推出集成电子分散补偿功能的新10 GbE LRM收发器产品,这个新产品系列包含有X2、XENPAK和XFP。Avago新推出的HFBR-707X2DEM X2模块通过多模光纤为企业网络环境带来可靠的10G数据传输率,HFBR-707X2DEM将在Interop Las Vegas 2007展中成为200米距离以上多模光
&&& Avago Technologies(安华高科技)近日宣布,推出集成电子分散补偿功能的新10 GbE LRM收发器产品,这个新产品系列包含有X2、XENPAK和XFP。Avago新推出的HFBR-707X2DEM X2模块通过多模光纤为企业网络环境带来可靠的10G数据传输率,HFBR-707X2DEM将在Interop Las Vegas 2007展中成为200米距离以上多模光纤10GBASE-LRM互通性演示的一部分。&&& 除了主动参与目前已经完成的10 GbE LRM标准制定外,Avago也相当积极地准备10 GbE LRM SFP+产品,Avago Technologies策略行销经理,同时也是IEEE 802.3aq/10GBASE-LRM标准委员会主席David Cunningham表示,“长久以来Avago都在企业网络技术上扮演着先锋的角色,同样的精神也体现在我们对新兴以太网技术开发的主动参与上,我们积极参与了用来定义10GBASE-SR、LRM以及LR产品SFP+的SFP+ 8431标准制定,在完成后,这项标准将可以推动要求较高的企业和数据中心环境中更高密度新一代网络设备的成长。”&&& Avago的HFBR-707X2DEM符合IEEE 802.3aq标准和X2 MSA Issue 2.0b,可以支持OM1、OM2与OM3 MMF上最少220米的连线距离,并能够提供让客户监测设备性能和其他特性的数字式光学监测(DOM, Digital Optical Monitoring)和MDIO管理接口,HFBR-707X2DEM采用Avago的10G FP技术并内置EDC功能。&&& 这些模块目前已经可以提供样品,预计在2007年第二季开始正式供货。
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深圳创恩电子有限公司
深圳创恩电子有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
东莞市奥莱克电子有限公司
深圳瑞琦电子经营部贴片电容有多少个种类?_百度知道
贴片电容有多少个种类?
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  贴片电容的分类:可分为无极性和有极性两类。  一、无极性电容下述两类封装最为常见,即;  二、有极性电容也就是我们平时所称的电解电容,一般我们平时用的最多的为铝电解电容,由于其电解质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列,  A 3216 10V  B 3528 16V  C 6032 25V  D 7343 35V。
风华贴片电容代理商-南京南山(最新代理证编号:FHJXS201507)回答你:贴片电容是个比较笼统的概念,一般情况下特指多层片式陶瓷电容器(MLCC),但是如果把贴片电容理解成贴片式电容,则可以包括贴片钽电容器和贴片铝电解电容器。以下以风华高科多层片式陶瓷电容器(MLCC)为例说明贴片电容的常见种类:通用型系列贴片电容高Q型贴片电容直流中高压贴片电容贴片排容三端EMI滤波电容低ESL贴片电容安规贴片电容柔性端头贴片电容X8R多层贴片电容微波贴片电容开路模式贴片电容要详细了解,可以留下邮箱,我发风华高科贴片电容规格书给你,或登录我们的官方网站下载。
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  贴片电容的分类  一 NPO电容器  二 X7R电容器  三 Z5U电容器  四 Y5V电容器  区别:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。  NPO电容器  NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。  NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。  封 装 DC=50V DC=100V  ---1000pF 0.5---820pF  ---1200pF 0.5---1800pF  ---5600pF 560---2700pF  pF---0.033μF 1000pF---0.018μF  NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。  X7R电容器  X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。  X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。  X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。  封 装 DC=50V DC=100V  pF---0.056μF 330pF---0.012μF  pF---0.15μF 1000pF---0.047μF  pF---0.22μF 1000pF---0.1μF  μF---1μF 0.01μF---0.56μF  Z5U电容器  Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。  尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。  封 装 DC=25V DC=50V  μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF  μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF  μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF  μF---1μF 0.01μF---1μF  Z5U电容器的其他技术指标如下:  工作温度范围10℃ --- 85℃  温度特性 22% ---- -56%  介质损耗 最大 4%  Y5V电容器  Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。  Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。  Y5V电容器的取值范围如下表所示  封 装 DC=25V DC=50V  μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF  μF---1μF 0.01μF---0.33μF  μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF  μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF  Y5V电容器的其他技术指标如下:  工作温度范围 -30℃ --- 85℃  温度特性 22% ---- -82%  介质损耗 最大 5%  贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。
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风华高科超薄贴片电容规格书
南京南山半导体有限公司|
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&&风华超薄贴片电容一级代理商―南京南山(代理证编号201407)整理发布。
华高科超薄贴片电容器厚度超薄 主要用于IC底片或IC卡电路。规格尺寸:两个封装。
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