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一台捕鱼机逆变器大功率场效应管烧坏。
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一台捕鱼机逆变器大功率场效应管烧坏（型号dg210n06），一路没有坏的驱动电压是5v，一路损坏的驱动电压10v，这个测得电压是把功率管焊离电路，这种情况是正常吗？如果换上功率管会再烧吗？请论坛上朋友说说自己的经验谢谢！
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为了我们家园，为了生态，我们不会给你去说这个的
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方东红 发表于
为了我们家园，为了生态，我们不会给你去说这个的
哈哈，真逗，不过电路我不懂，感觉你说得很有道理
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真心忠告你，修这个东西后患无穷。
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驱动坏了&&先看看图腾坏了没有&&管子直接用控制器管子代替
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只能告诉你绝对会烧，信不信由你
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弄不好会出人命的，慎修
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路过学习。。
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已修好了，驱动小板上驱动三极管击穿12v电源直接通过，如果装上功率管必烧功率管；逆变器两路驱动电压一定相同的只能误差一点点，电压约电源一半。
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这东西还是不要修为好，大小鱼灭绝性扑杀，缺德。
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资料评价：常用电子元器件有哪些？常用电子元器件有哪些？拍明芯城百家号　　　　对于从事电子行业的工程师来说，电子元器件就像人们日常进口的米饭一样，是每天都需要去接触，每天都需要用到的，但其实里面的门门道道很多工程师未必了解。？。本文由拍明芯城元器件商城编辑，买卖元器件上拍明芯城，不赚差价　　一：电阻　　作为电子行业的工作者，电阻是无人不知无人不晓的。它的重要性，毋庸置疑。人们都说“电阻是所有电子电路中使用最多的元件。”　　电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。　　在物理学中，用电阻(Resistance)来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。　　电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻　　电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。　　1、参数识别：电阻的单位为欧姆(Ω)，倍率单位有：千欧(KΩ)，兆欧(MΩ)等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472表示47×100Ω(即4.7K);104则表示100Kb、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻(精密电阻)。　　2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差(%)银色/x0.01±10金色/x0.1±5黑色0+0/棕色1x10±1红色2x100±2橙色3x1000/黄色4x10000/绿色5x.5蓝色6x.2紫色7x.1灰色8x/白色9x/。　　二：电容　　电容(或电容量，Capacitance)指的是在给定电位差下的电荷储藏量;记为C，国际单位是法拉(F)。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上;造成电荷的累积储存，最常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。电容　　1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。请登陆:输配电设备网浏览更多信息　　2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m==1.2PF1n=1000PF数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10×102PF=表示22×104PF=0.22uF3、电容容量误差表符号FGJKLM允许误差±1%±2%±5%±10%±15%±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1uF、误差为±5%。　　三：晶体二极管　　晶体二极管(crystaldiode)固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。晶体二极管　　晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的二极管。　　1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。　　2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极(负极)，在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极)，也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。　　3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。　　4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下：型号1N2 1N4 1N61N4007耐压(V)50 100 200 400 600 800 1000电流(A)均为1。　　四：稳压二极管　　稳压二极管(又叫齐纳二极管),此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。稳压二极管　　1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。　　2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型号1N 1N2 1N4 1N4 1N1 1N4761稳压值3.3V3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V。　　五：电感　　电感：当线圈通过电流后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。我们把这种电流与线圈的相互作用关系称其为电的感抗，也就是电感，单位是“亨利”(H)。也可利用此性质制成电感元件。电感　　电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小;当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH(误差5%)的电感。　　电感的基本单位为：亨(H)换算单位有：1H=103mH=106uH。　　六：变容二极管　　变容二极管(VaractorDiodes)又称'可变电抗二极管'。是一种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管，其结构如右图所示。变容二极管　　管变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：(1)发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。(2)变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。　　七：晶体三极管　　晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。晶体三极管　　晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。　　1、特点：晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号;NPN型三极管有：A42、、等型号。　　2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。名称共发射极电路共集电极电路(射极输出器)共基极电路输入阻抗中(几百欧～几千欧)大(几十千欧以上)小(几欧～几十欧)输出阻抗中(几千欧～几十千欧)小(几欧～几十欧)大(几十千欧～几百千欧)电压放大倍数大小(小于1并接近于1)大电流放大倍数大(几十)大(几十)小(小于1并接近于1)功率放大倍数大(约30～40分贝)小(约10分贝)中(约15～20分贝)频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级，低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路。　　八：场效应管　　场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管　　1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。　　2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1是两种型号的表示符号：　　3、场效应管与晶体管的比较　　(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。　　(2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。　　(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。　　(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。　　九：传感器　　传感器是一种物理装置或生物器官，能够探测、感受外界的信号、物理条件(如光、热、湿度)或化学组成(如烟雾)，并将探知的信息传递给其他装置或器官。传感器　　国家标准GB7665-87对传感器下的定义是：“能感受规定的被测量件并按照一定的规律转换成可用信号的器件或装置，通常由敏感元件和转换元件组成”。传感器是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将检测感受到的信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。它是实现自动检测和自动控制的首要环节。　　“传感器”在新韦式大词典中定义为：　　“从一个系统接受功率，通常以另一种形式将功率送到第二个系统中的器件”。根据这个定义，传感器的作用是将一种能量转换成另一种能量形式，所以不少学者也用“换能器-Transducer”来称谓“传感器-Sensor”。　　十：变压器　　变压器(Transformer)是利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置，主要构件是初级线圈、次级线圈和铁心(磁芯)。在电器设备和无线电路中，常用作升降电压、匹配阻抗，安全隔离等。在发电机中，不管是线圈运动通过磁场或磁场运动通过固定线圈，均能在线圈中感应电势，此两种情况，磁通的值均不变，但与线圈相交链的磁通数量却有变动，这是互感应的原理。变压器就是一种利用电磁互感应，变换电压，电流和阻抗的器件。变压器的功能主要有：电压变换;电流变换，阻抗变换;隔离;稳压(磁饱和变压器)等。变压器本文仅代表作者观点，不代表百度立场。系作者授权百家号发表，未经许可不得转载。拍明芯城百家号最近更新：简介:拍明芯城是快速撮合的元器件交易平台作者最新文章相关文章场效应管的问题点解答
1 场效应管的性能与双极型三极管比较具有哪些特点？
场效应管是另一种半导体放大器件。在场效应管中只是多子参与导电，故称为单极型三极管；而普通三极管参与导电的，既有多数载流子，又有少数载流子，故称为双极型三极管。由于少数载流子的浓度易受温度的影响，因此，在温度稳定性、低噪声等方面前者优于后者。
2．双极型三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。因此，基极总有一定的电流，故三极管的输人电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的输入电阻很高，可达10^9～10^14Ω。高输入电阻是场效应管的突出优点。
3．场效应管的漏极和源极可以互换，耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负，灵活性比双极型三极管强。
4 场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。但场效应管还可以作为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作。且便于集成。在大规模和超大规模集成电路中应用极为广泛。
2 场效应管的伏安特性如何表示？试以N沟道结型场效应管为例，说明场效应管的输出特性曲线与双极型三极管的输出特性有和区别？
场效应管的伏安特性用输出特性（又称漏极特性）Id=f(Vds)|Vgs=常数和转移特性Id=f(Vgs)|Vds=常数表示。它们都反映了场效应管工作的同一物理过程，转移特性可以直接从输出特性上用作图法�一对应地求出。
N沟道结型场效应管的输出特性曲线与双极型三极管的输出特性相比有类似之处，但有区别，详见表 1．3．2。
3 何为场效应管的开启电压Vt和夹断电压Vp? 在图1.3.3(a)和(b)所示场效应管的输出特性曲线上如何确定其值？
对于增强型绝缘栅型场效应管(MOSFET)，在Vgs0时不存在导电沟道，只有当Vgs达到开启电压V，时才有漏极电流Id。因此，在输出特性中， Id大于或等于零（即开始出现Id）时所对应的Vgs值即为开启电压计。一般，N沟道增强型MOSFET的Vt值为正值，P沟道的Vt值为负值。
图1．3．3（a）所示为P沟道增强型MOSFET的输出特性曲线，由图可知该管的开启电压Vt=-2V。
对于结型场效应管（JFET）和耗尽型绝缘栅型场效应管（MOSFET），当Vgs=0时已存在导电沟道，栅源电压Vgs等于夹断电压Vp时，沟道夹断，漏极电流Id=0。一般N沟道FET的Vp值为负值，而P沟道FET的Vp值为正值。
图1．3．3（ b）所示为N沟道JFET的输出特性曲线。根据以上分析，Id=0所对应的Vgs值为夹断电压，故Vp＝-5V。
由于可变电阻区和饱和区的分界线是预夹断点的轨迹，预夹断时，Vgd=Vp。因此，在输出特性上，用Vds的值来表示预夹断点时，可求得：
Vds=Vdg+Vgs=Vgs-Vgd=Vgs-Vp
故由预夹断轨迹，也可求得Vp。例如，在图1·3．3（b）中，Vgs=OV那条曲线与预夹断分界线交点所对应的Vds值就是-Vp，即-Vp=5V；而Vgs=-2V那条曲线与预夹断分界线交点所对应的Vds值减去Vgs也是一Vp，可得出-Vp=Vds-Vgs=3V-(-2)V=5V。余此类推。
4 场效应管有许多类型，它们的输出特性及转移特性各不相同，不同类型的场效应管各极间所加电压极性也不相同，试总结它们的规律。
场效应管的种类很多，有结型FET、耗尽型MOSFET、增强型MOSFET，每一类型又有P沟道和N沟道之分。各种类型场效应管的符号和特性曲线见表1·3·4（a）。
为了保证它们工作在饱和区（即放大区）起放大作用，Vgs和Vds的极性有如下规律。
1．Vds值的极性取决于导电沟道的类型
凡是N沟道，载流子是电子，欲使电子向漏极漂移运动，Vds必为正值；凡是P沟道，载流子是空穴，欲使空穴向漏极漂移运动，Vds必为负值。
2．Vgs值的极性取决于工作方式和导电沟道的类型
对于结型场效应管，要求栅源极间加反向偏置电压。如果是N沟道，栅极为P型半导体，为使PN结反偏，要求Vgs≤0；如果是P沟道，要求Vgs≥0。
对于绝缘栅型MOSFET，如果是增强型N沟道，为了吸引电子形成N沟道，栅极必须加正电压，即Vgs≥O。如果是耗尽型N沟道，为了排斥沟道中的电子，使沟道变窄，栅极必须加负电压，即Vgs≤0；为了加宽沟道，吸引更多电子到衬底表面来，栅极必须加正电压，即Vgs＞O；P沟道则相反。
综上所述，结型场效应管中。Vgs和Vds反极性；增强型MOFETS中Vgs与Vds同极性；耗尽型MOFETS中有两种情况，视加宽还是缩减沟道而定，可以是正偏、零偏或反偏。见表l·3·4（b）。
3 Vp和Vt的正负极性取决于导电沟道类型
结型场效应管和耗尽型MOSFET存在夹断电压Vp，N沟道Vp为负值，P沟道为正值；增强型MOSFET存在开启电压Vt，N沟道Vt为正值，P沟道为负值。
5 场效应管的工作原理与普通三极管不同，那么场效应管放大电路的偏置电路有何特点？它有几种偏置方式？
场效应管偏置电路的特点是：
1．场效应管是电压控制器件，因此，放大电路只要求建立合适的偏置电压V(GS)，不要求偏置电流；
2．不同类型的场效应管，对偏置电压的极性有不同要求如JFET必须是反极性偏置，即V(GS)与V(DS)极性相反，增强MOSFET的V(GS)和V(DS)必须是同极性偏置，耗尽型MOSFET的V(GS)可正偏、零偏或反偏；
3．场效应管的跨导gm都较低，对放大性能不利，因此，必须设置较高的静态工作点。为了减小静态工作点受温度变化的影响，常采用稳定工作点的电路。
基于上述特点，必须根据不同的场效应管选用不同的偏置电路。在分立元件的场效应管放大电路中，偏置电路有零偏压、固定偏压、自偏压、混合偏置等形式；在集成电路平常采用不同的电流源作为偏置电路。
零偏压电路只适于耗尽型MOSFET放大电路；固定偏压适于所有的场效应管放大电路；自偏压适于JFET和耗尽型MOSFET放大电路；混合偏置既包含了固定偏压又包含了自偏压，适于所有的场效应管放大电路。
表2．6．l列出了场效应管放大电路的各种偏置电路及Q点计算式。
6 场效应管放大电路的组成原则与普通三极管电路价的组成原则基本相同。试判断图2．6．2所示的场效应管放大电路能否进行正常放大，并说明理由。
判断一个场效应管放大电路对输入信号能否进行正常放大的原则，与判断三极管放大电路对输入信号能否进行正常放大的原则基本一样，也就是要有适当的直流偏置和有畅通的信号输入、输出回路。根据此原则对图2．6．2判断如下。
图2·6．2（a）所示电路对信号不能正常放大，因为管子T为N沟边结型场效应管，要求偏置电压V(GS)＜0才能正常放大，而在本电路中V(GS)＞O。
图2。6。2（b）所示电路对信号不能正常放大，因为管子T为增独型PMOS管，要大V(GS)&=V(T)才能正常放大，而在本电路中采用自偏置电路结构，不能建立正常的偏置电压V(GS)。
图2．6．2(c)所示电路只要选择合适的静态工作点和有适当大小的输入信号，就能保证对信号讲行不失真的放大，因为管子T为耗尽型NMOS管，电路采用电阻分压式固定偏置电路，偏置电压V(GS)&0，V(DS)&0，而且有正确的信号输入、输出回路，满足了正常放大的基本条件。
图2.6.2(d)所示电路只要选择适当的静态工作点和有适当大小的输入信号，就能保证该放大电路不失真地放大。因为，管子T为耗尽型NMOS管，电路采用自偏置结构，其偏置电压V(GS)&0，V(DS)&0，而且有正确的信号输入、输出回路，可满足正常放大的基本条件。
图2.6.2(e)所示电路只要选择适当的静态工作点和有适当大小的输入信号就能保证不失真的放大。因为，管子T为增强型PMOS管，电路采用电阻分压式固定偏置方式，可通过选用合适的Rg1,Rg2,Rs获得V(GS)&=V(T)，而且V(DS)&0，又有正确的信号输入、输出回路，可满足正常放大的基本条件。
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