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DDR3代内存怎么超频，DDR3内存超频介绍
导读：目前来说 内存 超频 已经简化了不少，在一些高端主板BIOS里面都已经集成了内存频率和内存时序的调节，而即使是中低端的产品也都支持频率的调节，只不过缺少了内存时序和内存超频的支持，也可以满足普通用户的需求了。 而本文就从主板BIOS调节来为大家 介绍 一
目前来说已经简化了不少，在一些高端主板BIOS里面都已经集成了内存频率和内存时序的调节，而即使是中低端的产品也都支持频率的调节，只不过缺少了内存时序和内存超频的支持，也可以满足普通用户的需求了。
　　 而本文就从主板BIOS调节来为大家一些简要的内存超频技巧，另外由于内存频率、时序规格植根于SPD，所以还将加入内存SPD的参数实战修改来超频，起到一劳永逸的作用。内存SPD基本参数介绍　　 由于BIOS内存超频相对简单，本文将在后续作简要介绍，而本文的重点讲集中在内存SPD参数的修改，而为了达成内存硬超频，我们有必要详细介绍下SPD的具体规格参数。
　　 SPD(Serial Presence Detect)也就是内存的BIOS，它是一颗8针的EEPROM芯片，容量只有256Byte，其中128Byte用于存储JEDEC规定的标准信息，其余部分留给厂商自定义和保留位置，包括产品厂商产品型号、序列号、生产日期以及一些特殊的内存说明信息等，而在保留位置还预留了Intel X.M.P信息存储空间。　　 SPD通过SMBus总线与PCH(或南桥)芯片通讯，系统启动过程中BIOS要访问SMBus设备需要通过PCH芯片的寄存器实现。然后内存控制器根据这些信息初始化内存状态，这样内存就可以正常工作，自然要刷新SPD数据也需要经由SMBus总线。
　　 图示是一根三星的标准DDR3 1600(俗称&金条&)内存的SPD信息，这些数据是以2进制存储在SPD芯片当中的，为了简化阅读，图示信息都是以16进制展示，我们知道4个2进制位就可以代表1个16进制位，而一个字节8bit则可以存储2个16进制数据，也就是说256Byte包含了512个16进制数据。
关于内存的十六进制对照表　　 根据SPD规范，这些数据基本是以2个16进制成对的形式来表达一项定义，而下文的介绍我们也以成对的数据来介绍。内存SPD JEDEC官方定义解析　　 知道了SPD是由这512个16进制数据表示后，下面我们就来一一看看它们代表的具体含义。
　　 在详细介绍这些信息前我们还是习惯性的把这些数据分为三组，JEDEC标准信息、内存厂商标识信息和Intel X.M.P信息。
　　 首先介绍的是JEDEC标准信息，而这一部分信息已经锁死，无法修改，我们看看就好。这部分数据起始位置为0-117，也就是118个数据对。00-09(十六进制，后面数据段都使用相同的方式表达)数据段描述了内存SPD、版本、颗粒、行列地址、位宽、支持电压等信息。
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由于 内存 价格较低，并且内存容量对电脑 性能 也起决...纯小白，请教一下cpu和内存怎么超频啊，需要什么软件吗？
刚昨天装好机，一次点亮，可谓是千辛万苦啊?配置是1400+微星b350 内存十栓的冥神8g 2400 我想超一下cpu 内存 请教下区里大神们，需要怎么操作呢。
cpu去amd官网下超频软件，方便的很，内存超频看脸吧，双通道才是根本解决途径?手动滑稽
2400的内存的话应该不用超了，默认够用了
引用2楼 @ 发表的:2400的内存的话应该不用超了，默认够用了内存是双通道，cpuz频率1066啊 是不是就是2133频率
引用1楼 @ 发表的:cpu去amd官网下超频软件，方便的很，内存超频看脸吧，双通道才是根本解决途径?手动滑稽双通道1066 要超一下吗？
引用3楼 @ 发表的:内存是双通道，cpuz频率1066啊 是不是就是2133频率是的，这是双面的内存吧，双通道是两条的意思?
锐龙玩家吗，加个锐龙群吧，可以随便问，群号
引用3楼 @ 发表的:内存是双通道，cpuz频率1066啊 是不是就是2133频率1066*2就是内存频率
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内存时序为什么不一样？
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我看你是憋了很久，想想看还是再水一把吧。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
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　　一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
　　在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：
　　一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置
　　首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
　　Command Per Clock(CPC)
　　可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
　　Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
　　显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
　　该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。
　　CAS Latency Control(tCL)
　　可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
　　一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。
　　CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
　　内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
　　这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
　　该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
　　RAS# to CAS# Delay(tRCD)
　　可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
　　该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示&行寻址到列寻址延迟时间&，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
　　如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
　　Min RAS# Active Timing(tRAS)
　　可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
　　该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
　　如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。
　　如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。
　　Row Precharge Timing(tRP)
　　可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
　　该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示&内存行地址控制器预充电时间&，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
　　tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
　　如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
　　Row Cycle Time(tRC)
　　可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。
　　Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。
　　其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。
　　在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。
　　Row Refresh Cycle Time(tRFC)
　　可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。
　　Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
　　如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
　　Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)
　　可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。
　　Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示&行单元到行单元的延时&。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。
　　延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
　　如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。
　　Write Recovery Time(tWR)
　　可选的设置：Auto，2，3。
　　Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。
　　如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。
　　Write to Read Delay(tWTR)
　　可选的设置：Auto，1，2。
　　Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。
　　tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。
　　Refresh Period(tREF)
　　可选的设置：Auto， ，其步进值非固定。
　　Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。
　　先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　---------------------
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　---------------------
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　---------------------
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　mhz(?.??s)
　　---------------------
　　mhz(15.6us)
　　mhz(15.6us)
　　mhz(15.6us)
　　mhz(15.6us)
　　---------------------
　　mhz(7.8us)
　　mhz(7.8us)
　　mhz(7.8us)
　　mhz(7.8us)
　　---------------------
　　mhz(3.9us)
　　mhz(3.9us)
　　mhz(3.9us)
　　mhz(3.9us)
　　---------------------
　　mhz(1.95us)
　　mhz(1.95us)
　　mhz(1.95us)
　　mhz(1.95us)
　　如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。
　　另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。
　　如果使用DFI的主板，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能／稳定性比。
　　Write CAS# Latency(tWCL)
　　可选的设置：Auto，1-8
　　Write CAS Latency (tWCL)，表示“写指令到行地址控制器延时”。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。
　　DRAM Bank Interleave
　　可选的设置：Enable， Disable
　　DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交错”。这个设置用来控制是否启用内存交错式(interleave)模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。最近的实验表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。
　　虽然interleave模式只有在不同bank提出连续的的寻址请求时才会起作用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。
　　对于DFI主板来说，任何情况下该设置都应该是Enable，可以增大内存的带宽。Disable对将减少内存的带宽，但使系统更加稳定。
　　DQS Skew Control
　　可选的设置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew
　　DQS Skew Control，表示“DQS时间差控制”。稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（skew），加强控制力可以减少skew，但相应的DQS（数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。
　　DDRII引进了更先进的技术：双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQS skew。
　　如下图所示。
　　对于DFI主板来说，建议设置为Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在牺牲一定性能的情况下，可以增加稳定性。
　　DQS Skew Value
　　可选的设置：Auto，0-255，步进值为1。
　　当我们开启了DQS skew control后，该选项用来设定增加或减少的数值。这个参数对系统的影响并不很敏感。 对于DFI主板来说，开启&Increase Skew&选项后，可以将该值设为50-255之间的值。值越大，表示速度越快。
　　DRAM Drive Strength
　　可选的设置：Auto，1-8，步进值为1。
　　DRAM Drive Strength（也被称为：driving strength），表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。
　　如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，根据在DFI NF4主板上调试和测试的结果，1、3、5 、7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的设置，8提供了最强的信号强度。TCCD建议参数为3、5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。
　　DFI用户建议设置：TCCD建议参数为3、5、7，其他芯片的内存建议设为6或8。
　　DRAM Data Drive Strength
　　可选的设置：Auto，1-4，步进值为1。
　　DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”。这个参数决定内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负荷的内存读取时，增加DRAM的驾驭能力。因此，如果你的系统内存的读取负荷很高，则应将该值设置为高(Hi/High)。它有助于对内存数据总线超频。但如果你并没有超频，提升内存数据线的信号强度，可以提高超频后速度的稳定性。此外，提升内存数据总线的信号强度并不能增强SDRAM DIMM的性能。因此，除非你内存有很高的读取负荷或试图超频DIMM，建议设置DRAM Data Drive Strength的值为低(Lo/Low)。
　　要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除非超频，一般用户建议设为Lo/Low。
　　DFI用户建议设置：普通用户建议使用level 1或3，如果开启了CPC，可能任何高于1的参数都会不稳定。部分用户开启CPC后能运行在3。更多的人关闭CPC后2-4都能够稳定运行。当然最理想的参数是开启CPC后设为level4。
　　Strength Max Async Latency
　　可选的设置：Auto，0-15，步进值为1。
　　Strength Max Async Latency目前还没能找到任何关于此项参数的说明，不知道其功能。感觉网友的经验，在进行Everest的LatencyTest时，可以看出一些差别。在我的BH-6上，参数从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别。从7ns调低6ns后，测试结果又减少了2ns。
　　DFI主板建议设置：BIOS中的默认值为7ns，建议大家在5-10之间调节。6ns对内存的要求就比较高了，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下，但对TCCD不适用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5设为7n比较适合超频。8ns对UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns时TCCD通常能稳定运行在DDR600，如果想超频到DDR640就必须设为9ns甚至更高了。
　　Read Preamble Time
　　可选的设置：Auto，2.0-9.5，步进值为0.5。
　　Read Preamble Time这个参数表示DQS（数据控制信号）返回后，DQS又被开启时的时间间隔。Samsung早期的显存资料显示，这个参数是用以提升性能的。DQS信号是双向的，无论从图形控制器到DDR SGRAM还是从DDR SGRAM到图形控制器都起作用。
　　DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值5.0。建议大家在4.0-7.0之间调节，该值越小越好。
　　Idle Cycle Limit
　　可选的设置：Auto，0-256，无固定步进值。
　　Idle Cycle Limit这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值，也就是读取一个内存页面之前，强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间。
　　DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值256。质量好的内存可以尝试16-32，华邦（WINBOND）BH-5颗粒的产品能稳定运行在16。Idle Cycle Limit值越低越好。
　　Dynamic Counter
　　可选的设置：Auto， Enable， Disable。
　　Dynamic Counter这个参数表示“动态计数器”。这个参数指定开启还是关闭动态空闲周期计数器。如果选择开启（Enable），则会每次进入内存页表(Page Table)就强制根据页面冲突和页面错误(conflict/page miss：PC/PM)之间通信量的比率而动态调整Idle Cycle Limit的值。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是密切相关的，启用后会屏蔽掉当前的Idle Cycle Limit，并且根据冲突的发生来动态调节。
　　DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto和关闭和一样的。打开该设置可能会提升性能，而关闭该设置，可以使系统的更稳定。
　　R/W Queue Bypass
　　可选的设置：Auto，2x，4x，8x，16x。
　　R/W Queue Bypass表示“读／写队列忽略”。这个参数指定在优化器被重写及DCI (设备控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被选定前，忽略操作DCI的读/写队列的时间。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是相类似，只是优化器影响内存中的读／写队列。
　　DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为16x。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。
　　Bypass Max
　　可选的设置：Auto， 0x-7x， 步进值为1。
　　Bypass Max表示“最大忽略时间”。这个参数表示优化器选择否决之前，最后进入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被优化器忽略的时间。仔细研究后，我觉得这个参数会影响内存到CPU内存控制器的连接。
　　DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为7x。建议4x或7x，两者都提供了很好的性能及稳定性。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。
　　32 Byte Granulation
　　可选的设置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。
　　32 Byte Granulation表示&32位颗粒化&。当该参数设置为关闭(Disable)时，就可以选择突发计数器，并在32位的数据存取的情况下，最优化数据总线带宽。因此该参数关闭后可以达到最佳性能的目的。
　　DFI主板建议设置：绝大多数情况下，建议选择Disable(8burst)选项。开启Enable (4burst)可以使系统更稳定一些。
Good times today,stupid tomorrow.
CPU:Intel I7 920 D0 Cooler:Mega+Enermax UCTP12Px2
Mainboard:ASUS P6X58D Premium Memory:OCZ3X1600LV6GK 2GX3+Apacer Black Panther
Graphics Card:Dataland R9290 PCS+
Hard Disk:Intel X25-M 80G G2+WesternDigital 640G black x2+640G blue+2T green+Seagate 1T dm003+2T dm001
Power:SilverStone ZM1200M
LCD:Dell Ultra Sharp 2709WFP Case:LianLi PC-A71 Mouse:Razer Mamba
～ § Lelouch ·Vi ·Britannia § ～游侠资深版主『PC游戏综合区』能天使硬件权威★★★★★★★★◆
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别给他看DFI的...反正DFI的很多选项他也没有...
我只是一个SneakerHead
电脑城苦力搬运工
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　　DFI，即台湾友通公司，以专业制造主板扬名于世界！
　　总裁吕衍奇先生 于1981年成立友通公司，以拓荒信息业新纪元为使命，使得台湾的信息产业开始萌芽；总公司设在台北汐止市。 本公司一贯宗旨是以服务顾客为优先，并且致力于高科技的研究与发展；友通同时以优良的质量在国际上获得 肯定。
　　在计算机产品设计及制造上，拥有超过二十 年的经验，同时又有一群顶尖的计算机工程师从事主板的研发。一直以来，友通希望自己能在主板市场上成为 制定成本效益比的标准典范；来自各媒体的持续奖赏， 充分肯定友通已达成目标并不断精进。 友通生产全系列高科技的主板以及特殊应用平台产 品，以符合个人计算机市场与特殊应用市场的大量需求。
　　同时也和英特尔及顶尖芯片研制厂商合作共同研究发展 最新的芯片及主板。因此，顾客对于我们的产品信心十 足。 友通立基于台湾，经由分公司将触角延伸至美国、 欧洲、中国大陆以及日本。友通以过去廿多年的经营， 在信息科技产业界已奠定重要席位。与英特尔、威盛及 矽统长久以来所建立的技术联盟，保证产品推出时效与 优异的效能与质量。
　　友通的产品以稳定的质量为基石，从研发阶段，一 连串的开发、制造、行销与服务，都以无瑕疵的稳定性 与优异质量为依托，一直来保有最具竞争力的优势。由 于长久以来的努力达成，促成友通年年皆获利并在业界 赢得令誉。无论何时何地，只要有个人计算机的地方就 有友通的产品。由于产品提供领先同行业强而有力的效 能、更多的功能以及最佳的成本效益比，友通已持续在全球市场激发效应与影响力。
　　DFI出产的主板，具有极高的超频性能，是目前公认的超频最为强悍的主板。
　　DFI为何方神圣？
　　DFI(Diamond Flower Information)公司，中文名称“友通”，是一家位于祖国宝岛台湾的IT企业。也许对于新入门的超频玩家来说，DFI的名字并不如ASUSTeK、GIGABYTE叫得那么响亮，但是三年以上“玩龄”的朋友心中——DFI，或者叫“钻石主板”——有着不可取代的神圣地位。
　　这里引用国内知名玩家杨迅（网络常用ID：绝望生鱼片 / yangxun8774）的一句话，想必他的肺腑之言，也能唤起当年玩家的共鸣吧：“收到LanParty DK P35的时候，我仿佛回到了那个充满挑战的年代，DFI NF4的年代。当时的NF4-D仿佛常胜将军一样，战无不胜，在和对手交锋中秒杀对手于无形之中。还有一句话广为流传下来‘别人的极限，我们的地平线！’那个时代就像做梦一样仿佛就在昨天。玩家一提起LanParty都热血沸腾。我的超频之梦也是从LanParty真正开始的……”
　　说到DFI，最经典产品线即为“LanParty”系列，凡此系列，必属精品。接下去我们就一起回顾DFI Lanparty的辉煌。
　　DFI经典产品回顾
　　OCER眼中的DFI如同CSer眼中的IE3.0，Drifter眼中的TOYOTA GT-S_AE86，快男粉丝团眼中的魏晨，周正龙眼中的华南虎（这个貌似有点牵强 —_—！）...囧rz
　　其实国内很多朋友痴迷于DFI还是要从NF4时代说起，当时DFI LanParty系列nF4-D、nF4 Ultra-D/R及nF4 SLI-D/R三款均被玩家们视为神器，而且各大论坛上关于DFI LP UT nF4的改版BIOS层出不穷。纵观04~05年各大超频赛事，选手们钟爱的主板非DFI莫属。下面笔者就带大家一起回味那曾经几度征服我们的板王！
　　DFI LanParty UT nF4 SLI-D
　　首先介绍DFI NF4时代巅峰之作：LP UT nF4 Series，依据定位不同，三款主板所采用的芯片组也不尽相同。分别为nForce 4 SLI、nForce(TM)4 Ultra和nForce 4。
　　由于NVIDIA NF4在当时是AMD Socket939处理器最佳搭配芯片组，整体平台效能强劲无敌。nForce 4 Series Chipset各款之间有着极大的相似性且易于民间改造。因此DFI几款主板LayOUT完全相同，不但BIOS可以通刷，甚至售价最低的nF4-D用银漆破解后都可以完整支持HT-1GHz，SATA2-3.0，SLI这三个顶级芯片组才有的功能。所以当时玩家们用DFI不但超得高，而且还动手破解以提升性价比。
　　使用独立声卡“Karajan Audio Module”音频外接模块配Realtek ALC850 Audio CODEC
　　DFI LP UT nF4 Series还提供了独立的卡拉扬音效模块以便玩家自由选择，另外为了适应当时DDR内存中的王者Winbond BH-5/UTT而提供了内存电压跳线，切换+3.3V与+5V供电，MAX DIMM Voltage=4V。此外命名上可以看出一些区别，如DFI LP UT nF4 SLI-D和DFI LP UT nF4 SLI-DR仅差在磁盘接口数量上，DR比D多了4个由第三方磁盘芯片提供的SATA接口，还支援Raid。
　　如果说缺点，那么就是两条PCI-E 16X距离过近且组建SLI需要跳线切换。不过这在下一代产品NF4-DR Expert中得以解决，后来有推出了限量发行的全球首款全固态电容主板DFI LP UT NF4-DR VENUS。
　　DFI LanParty UT NF4-DR VENUS
　　维纳斯主板推出后玩家们疯狂追捧，但是很多人说她更适合超AMD OP146搭配BH-5或UCCC，对TCCD兼容性差，反而不如U-D好超。总之在939平台，DFI抢尽了风头，说它不好，可能也是爱它爱得太深期望得过高了。而到了AM2平台DFI则不再风光，旗舰级主板当属LanParty UT NF590-SLI-M2R-G，被同时期的ASUSTeK Republic of Gamers CROSSHAIR抢了风头。
　　DFI LanParty UT NF590-SLI-M2R-G
　　DFI LanParty UT NF590-SLI-M2R-G到截稿之日总共有两个版本BIOS发布，其中第一版是出厂版本，第二版是加入了对Athlon 64 X2 BE-2xxx Series CPU的支持，修正了65纳米处理器半倍频调节失败，修正双核处理器内核温度读取错误，修正基于ITE8716/ITE8718传感器芯片的智能风扇程式，更新了微处理器命名，移除了处理器温度传感器二极管的FAE请求，修正部分处理器FID无法更改，修正倍频项目错误，重新制订了基于ITE8716/ITE8718的智能风扇控制规则等。不知道是由于DFI这款主板BIOS开发的稳定还是态度上的不重视导致久久没有看到新版本，我们更希望是前者。
　　时隔不久，DFI在Intel平台再度发力，其实很早的时候LanParty系列就在Intel平台有所建树，大家还记得875的蓝派主板吗？i975X和P965其实DFI也在做，只不过那些产品是另一个派系INFINITY包揽。
　　DFI LanParty 875
　　DFI INFINITY 975X
　　DFI INFINITY P965S
　　回顾了以上产品，我们不禁在想，为何同时代的产品DFI的超频能力就是比其他品牌高出一大截？根据笔者从业多年的经验来看，与其说“设计决定品质”或“用料决定品质”不如说“态度决定品质”——用料奢华不计成本并不一定品质出众，而看似毫无卖相且价格亲民也不乏有精品出现。
　　品质的概念是广义的，比如我们选购一款主板要看功能上是否可以满足现阶段的使用并且后续有没有升级的潜力？设计上有没有不足会导致使用中的不便？当出现问题时能否及时、简便的通过刷新BIOS等方式来解决？附件是否丰富实用？包装是否美观牢靠？
　　当然了，每一款产品都有它独特的定位及针对的人群。顶级主板通常都是不惜重金打造为了极致效能且功能丰富附件繁多，但是能消费得起的毕竟是一小部分人，这部分人包括骨灰级玩家和“但求最贵，不求最对”那部分‘烧包’；而中低端通常为了走量去简化一些使用概率低的功能，用料方面也‘收敛’了很多，多本着够用就好的原则，不过这部分产品最大的优势就是使用人群比例大，出现问题容易在最短时间内找到多种解决方案，厂商也很重视这部分产品。如果基数最大的产品频频出问题，RMA过高的话，卖场中的代理就会信心丧失，而综合装机店里拉单子的人也会因为怕给技术部及售后找麻烦而不推荐此类产品。久而久之产生恶性循环导致利润增长点丢失，企业也就无法生存，所以相信在当今如此激烈竞争中还能存活下来的硬件企业都早已意识到这一点不会再做搬石砸脚的事。
　　理论情况下，基于同一芯片组设计的主板效能基本一致，差异可以归结于误差范围内忽略不计。而当超频这个概念出现后，上述事件得以重新诠释。
　　笔者特别采访了DFI首席R&D:OSKAR_WU的代言人:Jerry_Chen，他讲述了自己及OSKAR的故事还有大家关心的R&D们如何设计出高品质主板的缘由所在。
　　注：R&D = Research and Development(研究与开发)
　　以下对话中笔者简称T，Jerry简称J。
　　T：很多玩家都对DFI的传奇R&D:OSKAR_WU有所耳闻，更有吴工狂热的FANS将心中偶像主刀设计的产品通通视为神器珍藏。请您来谈谈关于吴工鲜为人知的事好吗！
　　J：我跟OSKAR之前都是在ABIT效力，OSKAR因为不用当兵，所以虽然小我一岁但还是比我早任职两年左右。他大学三年级的时候就在当ABIT的POWER USER了，当时的ABIT总经理在网络上认识他，只要ABIT有新东西就会给他鉴定而他会给建议，诸如如何定位及价格和PCB要备多少量等等。大四的时候就去ABIT当PART TIME工程师，半工半读时他就做出业界唯一的双Celeron主机板，之所以唯一是因为Intel官方不支持，不过他在跟总工程师讨论后认为有可能性而且量产了独家主板。我说这些是想强调：OSKAR是主板业界少数的甚至是唯一的POWER USER级的工程师，他对超频充满热情而且投入的时间及精力无人能及，他更勇于挑战不可能的任务。我这样介绍他好像有些夸张，但这是跟他合作并一直是他的PARTNER的我最近身的观察及认知。我待在ABIT也不少年了，我敢说ABIT会玩超频的也只有OSKAR一人，你如果玩过ABIT好超频的板子，大部分都是出自他手或是跟我一起合作的，除了IC7-G是我独力完成之外，因为那时候他已经离开到DFI而我还在ABIT。偶有意外不是出自OSAKR之手的好超板子通常是不小心的，刚刚好很好超，而非经过OSKAR FINE TUNE过。只要经由OSKAR加持过的又愿意让公司量产的一定有其可玩性，只可惜不是每个人的配备都可以玩到极致而已。
　　T：那当您追随吴工一起效力于DFI后又是如何携手打造LanParty系列主板的呢？
　　J：因为OSKAR自己身为POWER USER，知道大家要的是什么，因此他必须有所坚持。我们就曾经为了让DRAM超频性更高而开发了三种不同DRAM LAYOUT的版本，套用不同的RULE记实验不同的方式对高频信号的影响，再用最佳的版本量产。这样很花时间及成本，但是这是我们的坚持！FINE TUNE是寂寞且烦人的工作，不是凡人作的来的。他会把DRAM和CPU超频相关的所有线路研究一遍，将有些他试出来有用的设定作调整，有时后一个电阻值他可以在换过几十个值之后才决定用哪个是最好的。但是板子上有影响力的零件那么多，他就必须一颗一颗试且一个一个值的试，有时我们比较晚量产，他的坚持是DELAY的主要原因。曾经为了多超个20MHz的极限，OSKAR花了两个星期去搞。
　　T：听说Intel开放给各大板卡厂商的技术资料完整性并不统一，那DFI如何保证在有限的条件下做出玩家们期待的精品呢？
　　J：其实我敢说其他第一线的主板工程师都没有OSKAR花的精力及时间多，他们数据多而我们得土法炼钢，他们工程师人数多而我们得多花时间。但是OSKAR就是身为POWER USER想替POWER USER打造出适合大家的板子而一直努力着。
　　T：现在玩超频的人已经越来越多，但是水平参差不齐，DFI能否也考虑一下中阶玩家呢？
　　J：之前我们都只注意到高价的超频版，现在我已经说服OSKAR要出一些中价的主板了，造福中阶的OC使用者。
　　T：是什么原因导致之前没有量产中阶超频板呢？我倒是知道之前分为LanParty和Infinity两个系列，现在的LanParty似乎分为UT、LT和DK几个系列了。
　　J：因为规模的关系，我们的采购成本输一线厂很多，所以同样的东西我们作跟他们作价格就有差别。对于中端产品我们投入的精力并不比高端少，毕竟成本输人家的部分需用差异性去弥补。至于UT、LT及DK均属于LanParty系列，只是产品的定位有细微差别而已。这次发展出DK的产品线就是希望将市场定位调整，让UT的产品线得已生存。因为要靠UT产品线生存难度太高，所以要靠DK将量冲起来，兼顾效能且价格合理，UT就给骨灰玩家好好地折磨。
　　T：但是DK系列的价格能否与UT系列大幅拉开呢？毕竟走量的产品便宜一分钱都是优势！
　　J：我们认为还是有些族群不会只在乎价格，而是让他们看到在产品背后看得到R&D的用心及坚持，这不是用钱砸得出来的。有人觉得我们的东西贵，我们也很无奈。跟大厂比我们成本真的比较高，也就是为什么大部分的二线厂全死光，DFI只能用特色来脱离同质化竞争。我们不希望这市场只剩一线厂，那会太无趣。这是我们坚持的目的！
　　T：那下面请教您些具体的技术方面问题，能谈一下DFI独家的技术及优势吗？
　　J：其实跟用料也有很大关系，例如UT用的PWM是VOLTERRA所研发的专门用在SERVER领域的特殊架构PWM，因为SERVER注重的是PWM的效率，所以他们在SERVER市占率还不错。所谓的效率很笼统，用汽车的油耗来比喻最恰当，同样排量的引擎，假设动力是完全一致的，但就有会更省油的那一台。
　　T：除此之外在超频方面又有什么独特的建树呢？
　　J：我刚刚有提到OSKAR会找出所有跟CPU和DRAM相关的CHIPSET设定来作优化，由于没有资料所以我们是用土法炼钢去找，分成硬件及软件。CHIPSET在硬件上有很多DRIVING电阻及TIMING电容，OSKAR是一颗一颗去试，试到有效果的地方在一个值一个值去试，然后在加上额外线路或甚至加上一些IC去达到调整目的。我们甚至在UT系列有用到手机在使用的特殊IC，现在的P35 UT就用了不少颗。一颗都是一两块美金的成本，但是有价值我们就用。你会觉得就这样大家都会啊？光你要试出什么地方有调整的必要就需要经验及敏锐度。
　　T：那软件方面呢？也就是主板的灵魂——BIOS，因为玩家们都知道DFI的Genie BIOS中有很多独家的Timing，可是有些命名却容易让人摸不着头脑，毕竟那些DFI独家的设定Tweak到位才能使大家觉得手中用的神器威力无边！
　　J：所谓未被开放的TIMING就是我们独家线路所做的，当OSKAR发现有地方可以调整或改善超频性能时我们会加一些额外的线路配合。关于软件部分则是OSKAR以FINE TUNE硬件的精神研究BIOS的可能性，试到有意义的地方就改不同的值，一样需要有经验跟敏锐度当靠山。当你调整时你必需判断是否有改善，才知道这个值是否要试下去。不然你会错失很多有意义的地方，所以OSKAR价值在这里得以展现。当然你要有耐心去试出优化值，这部分需要热诚去支持。因为很乏味也很累人，所以当他花了那么多心血做出来的东西销售状况不佳时，都替他感到可惜。目前的症结应该是渠道不佳的问题，这也是我们努力在尝试改变。
　　DFI Genie BIOS中一些选项的命名之所以不同于其它板卡厂商，是由于设计者加入了有助于提升频率或改善效能的组件，因此需要对应出一些选项供大家调校。
　　T：那P35 DK中应用的元件没有UT系列高档，又如何保证具备近似UT的超频性能呢？毕竟两者同属DFI LanParty系列！
　　J：当然因为BIOS设计过于复杂，使一般人望之却步。所以出DK系列除了成本调整之外，也将部分设计作一些简化。例如原来用IC作的可以调128阶，用比较单纯的线路可调16阶，诸如此类。不过我们需要更多的POWER USER来带入门者进入DFI的世界。
　　T：可还是有用户反应DK售价偏高，毕竟大陆很多小厂的P35已经卖到599~799RMB价位了！
　　J：这不能怪消费者，因为每个人都会在乎价格，我们只能尽量将差异化作大一点让它产生价值。
　　T：也就是说DFI是靠超频能力来走差异化竞争路线，可是我们还是会看到很多低价板也做到了全固态、热管散热、大板型等等看似有利于超频的卖相特征。他们似乎也在刻意避开同质化竞争，对此您有什么看法？
　　J：DFI对于YY及效能之间，宁愿选择效能。就像我们对热管一直很排斥，但是实在是挡不住这个迷思，只好去作。因为热管的好处大家根本说不清楚，结果到最后变成美观大展。其实我们正在跟某散热器大厂作合作要推出特别版的设计，示范以效能为目的的原厂配备不需在额外改装。但是成本考虑，只是象征性质的量，不可能是大众版。最快会在C73和X48使用，请拭目以待！
电脑城苦力搬运工
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回复 #5 杜伊科维奇 的帖子
杜总一个个附件插入啊？
Good times today,stupid tomorrow.
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原帖由 lazy34 于
12:54 发表
杜总一个个附件插入啊？
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百度水王。。。。。。。。。。。。。。。。。。
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冒着暴雨学习此贴........................
好久没来油虾了，进来冒个泡~~~~
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又见水王.............................
CPU:Intel E3 1230 V3+TS120I& && &M B:Asrock H87 Fatal1ty
GPU:HIS R9 270X IceQ *2& && && && &RAM:CMZ
HDD:ST3T*2+M550 256G& && && && &POW:SS G650
BOX:CM RC692& && && && && && && && && &D P:DELL U2414
KEY:PLU G3000 Red& && && && && && &&&Mouse:LOGITECH G500+GTFS
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牛!佩服! 这么多图我都没心思去看!
MSI X58 白金
OCZ DDR3 3*1G 1333
GTX260+ 映众
康舒 IP660
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这种问题就是用来水的
随便搜索答案要多少有多少
那里-不可以
UID1120333主题阅读权限60帖子精华0积分2104金钱4885 荣誉2 人气0 在线时间726 小时评议0
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有幸用过神板之一的飘过
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Lv.4游侠高级会员, 积分 670, 距离下一级还需 330 积分
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第一次看到这么大的CPU风扇，不成比例啊！，请问多少钱买的，什么牌子？
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