英特尔10纳米技术不强？大错特错
腾讯数码讯（归来）英特尔10纳米芯片姗姗来迟，消费者感到困惑，难道英特尔现在不能推出10纳米芯片吗？当然不是。英特尔10纳米芯片推迟上市是有原因的，因为它想提高良率之后再向下一个节点转移。不愿意透露姓名的消息人士指出，英特尔10纳米芯片延迟推出，主要是出于财务方面的考虑，并不是因为它没有能力制造良好的10纳米CPU。大家应该都知道英特尔有许多Fab工厂，而工厂正是英特尔CPU成功的关键原因之一。Fab的管理者十分关注经济效益。AMD前CEO Jerry Sanders III曾说过：“有晶圆厂才是真男人。”英特尔CPU集团从英特尔Fab订购圆晶，在外人看来，二者名义不同但实际是一样的，其实不是，它们由两家独立的公司运营。不论什么时候，英特尔Fab都想用圆晶赚更多的钱。一块300毫米的圆晶成本约为200-700美元，我们完全可以假定10纳米圆晶的成本应该离700美元不太遥远。英特尔的目标是获得更高的良率，有时高达90%，它希望大多的内核(Die)都是好的。假设下一代10纳米Ice Lake内核的尺寸为15x10mm（150平方毫米），那么每块圆晶英特尔可以获得大约394块内核。到底有多少内核是好的？这就是良率，数字越高，赚的钱越多。再看AMD和GlobalFoundries，它们的良率不到50%，不过公司还是执意要生产。一位知情人士说只有等到良率达到非常高的水平，英特尔才会向新节点迈进。2018年英特尔10纳米芯片（也就是Cannon Lake、Ice Lake）就会出货，到时英特尔希望良率能达到非常高的水平。在10多年的时间里，AMD没有什么产品威胁英特尔，问题在于英特尔不想让三星、高通在10纳米制程上抢先。其实二者没有什么关系，英特尔的芯片大很多，TDP介于5-120瓦，但是高通三星芯片的TDP只有2.5瓦。高通曾在公开场合说，10纳米骁龙835芯片只有72.3平方毫米，而骁龙820有113.7平方毫米。再说一次，二者针对的市场是不同的。英特尔U系列14纳米笔记本芯片的TDP有15瓦，而H系列芯片的TDP是45瓦，桌面处理器TDP介于65-95瓦。年中时AMD推出了Threadripper和Ryzen/Epyc处理器。在此之前，无论是桌面市场还是笔记本市场，AMD没有给英特尔带来任何威胁。所以英特尔重塑14纳米产品，必要时就会推出Coffee Lake S（6核桌面处理器）和Kaby Lake H（4核笔记本处理器）。英特尔还翻新了Kaby Lake R 8代处理器，TDP介于15-25瓦，与双核7代芯片相比，新芯片可以延长续航时间，性能大大增强。内核从2个增加到4个，续航时间不会缩短，这样的表现很不错了。到了2018年，这些内核可能会用10纳米技术制造。来源：fudzilla
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Copyright & 1998 - 2018 Tencent. All Rights Reserved10纳米确切时程英特尔含糊其辞 估2019年上半还不会步入量产
,6月 16日, 2018 (台北)
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10纳米确切时程英特尔含糊其辞 估2019年上半还不会步入量产
英特尔(Intel)执行长Brian Krzanich在第1季财报会议上，透露该公司10纳米制程要再延至2019年才会正式投入量产，但Krzanich一贯英特尔传统作风，对于推动进度较不顺业...
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台积电客户纷跳过10纳米　直奔7纳米制程　性价比优势挡不住　加速量产时程因应需求
本网站内之全部图文，系属于大椽股份有限公司所有，非经本公司同意不得将全部或部分内容转载于任何形式之媒体&&&DIGITIMES Inc. 版权所有几天之前我们曾报道称，英特尔的 10 纳米工艺可能将再一次跳票至 2018 年。因为英特尔官网一份有关上月 21 日 “资本分析（Capital Analyst）”会议的内容显示……
&几天之前我们曾报道称，英特尔的 10 纳米工艺可能将再一次跳票至 2018 年。因为英特尔官网一份有关上月 21 日 &资本分析（Capital Analyst）&会议的内容显示，位于以色列迦特镇的Fab 28 晶圆厂将在&大约两年内投产 10 纳米&，并且该预案经常将作为量产最新 10 纳米工艺的龙头工厂。因此不免让人认为，英特尔 10 纳米工艺还可以等至 2018 年 1 月份才开始量产。
有意思的是，在有关&英特尔 10 纳米量产推迟的至 2018 年&的消息越来越多的时候，英特尔的公关坐不住了，澄清此消息的报道是&错误&的，并于两天时间内删除了这份在官网上的内容。不仅如此，英特尔还进一步阐明称，其&第一款基于 10 纳米工艺的产品计划于 2017 年下半年&推出。
必须是好事！
尽管英特尔在 PC 处理器领域拥有领先优势，但每年发布创新的产品是持续不可或缺的事情，而且每年的新处理器往往会提供更好的性能、更优秀的能效水平，以及引人注目的新功能。与此同时，PC 市场目前正处于持续萎靡的状态，因为英特尔更需要尽一切可能去发布更具吸引力的新处理器产品。
对于英特尔而言，需努力要弥补近几年犯下的错误，因为其桌面处理器&Tick-Tock&策略已经被打破了。早在 2013 年，英特尔声称 2014 年上半年可以铺货的 14nm 处理器，但原计划秋季发布的第代酷睿 Broadwell 桌面平台无情被忽略了，英特尔为了节省研发支出将其推迟到了 2015 年的中期，而在此之后两个月时间里马不停蹄地发布了 Skylake 架构的第六代桌面酷睿处理器。
英特尔显然意识到了问题的严重性，但似乎不得不面对一些无法改变的事实。如果原线路图不变的话，英特尔 10 纳米工艺的 Cannonlake（Skylake 的下一代 ）架构本应该于 2017 年初期发布，然而英特尔却选择了 14nm 的 Kaby Lake 架构进行过渡。
鉴于去年年底 PC 市场出货量下滑达 10 个百分点，PC 处理器的推迟对消费领域的影响已经不那么大，但却对英特尔最大的摇钱树数据中心产生不可估量的影响。越新的技术越早引入到数据中心的好处显而易见，越先进的工艺可以帮助英特尔在基础架构内塞进更多的和核心数量，还包括额外元件的集成，诸多专用的加速器和高速缓存等。
由于在数据中心业务增长的关键因素在于总成本，大大改善的每瓦性能将有助于吸引客户更快过渡到下一代处理器，特别是主流的云服务领域。
消费领域估计还是要等
2017 年下半年就有首款 10 纳米新品？话虽这么说，但不要指望英特尔在 2017 年发布 10 纳米的服务器处理器，消费领域同样要继续等待。预计 2017 年中期英特尔依然还只会发布第二代 14nm 的服务器芯片，直到　2018 年上半年 10 纳米产品才有望实现更大规模的量产。
对于消费领域，简单来说 2017 年下半年的情况会与 2015 年的下半年相似，尽管很多制造商的产品都已经过度到了最新工艺制程的技术，但仍需等至隔年才能顺利投入市场，而处理器必然只有款式可选。英特尔也指出，工艺越先进的半导体制造技术会越复杂，每推出一个新的生产工艺都极具挑战性。&&>&&&&>&&
英特尔展示10纳米制程最新进展　 来源：　 作者：那什
英特尔在全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆，采用超微缩技术，拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度。
“英特尔精尖制造日”活动近日举行，展示了英特尔制程工艺的多项重要进展，包括：英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节，英特尔首款10纳米FPGA的计划，并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。此外，英特尔还首次展示了五款晶圆。
“英特尔遵循摩尔定律，持续向前推进制程工艺，每一代都会带来更强的功能和性能、更高的能效、更低的晶体管成本。”英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith表示，“很高兴首次在中国与大家分享英特尔制程工艺路线图中的多项重要进展，展现了我们持续推动摩尔定律向前发展所获得的丰硕成果。”
英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭表示，此次活动着眼于快速发展的中国技术生态系统，重申英特尔与中国半导体产业共成长的承诺。据悉，英特尔在中国深耕32年，打造了世界级的晶圆制造和封装测试工厂，自2004年以来在华协议总投入达130亿美元。
英特尔高级院士马博介绍了英特尔10纳米制程工艺的最新细节。英特尔10纳米工艺采用第三代 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，充分运用了多图案成形设计，并助力英特尔延续摩尔定律的经济效益，从而推出体积更小、成本更低的晶体管。在晶体管密度方面，英特尔10纳米制程工艺通过采用超微缩技术，在14纳米和10纳米制程节点上提升2.7倍晶体管密度，英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米，尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，实现世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度。据悉，英特尔10纳米制程将用于制造英特尔全系列产品，以满足客户端、服务器以及其他各类市场的需求。
英特尔在全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆，采用超微缩技术，拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度。
22FFL晶圆在本次活动上全球首次公开亮相。22FFL是专门面向低功耗物联网和移动产品的FinFET技术，它基于英特尔近年22纳米/14纳米制程的生产经验，带来性能、功耗、密度和易于设计等优势。与先前的22GP（通用）制程相比，全新22FFL制程的漏电量最多可减少100倍。22FFL制程工艺可提供与14纳米制程晶体管相媲美的驱动电流，同时实现比业界28纳米制程更高的面积微缩。英特尔22FFL可带来一流的CPU性能，实现超过2GHz的主频以及漏电降低100倍以上的超低功耗。
在本次活动上，英特尔公布了采用英特尔10纳米制程工艺和晶圆代工平台的下一代FPGA计划。研发代号为“Falcon Mesa”的FPGA产品将带来全新水平的性能，以支持数据中心、企业级和网络环境中日益增长的带宽需求。
此前，英特尔晶圆代工宣布与Arm达成协议，双方将加速基于英特尔10纳米制程的Arm系统芯片开发和应用。作为这一合作的结晶，“英特尔精尖制造日”全球首次展示了Arm Cortex-A75 CPU内核的10纳米测试芯片晶圆。这款芯片采用行业标准设计流程，可实现超过3GHz的性能。
英特尔还宣布了业内首款面向数据中心的64层、三级单元（TLC）3D NAND固态盘产品已正式出货。该产品自2017年8月初便开始向部分顶级云服务提供商发货，旨在帮助客户大幅提升存储效率。在存储领域30年的专业积淀，使得英特尔可以推出优化的3D NAND浮栅架构和制造工艺。英特尔的制程领先性，使其能够快速把2017年6月推出的64层TLC固态盘产品组合，迅速从客户端产品扩展到今天的数据中心固态盘产品。关键词：英特尔的10纳米终于出来了【wp7吧】_百度贴吧
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第二颗10nm工艺的处理器是Cannon Lake-Y家族的Core m3-8114Y，也就是TDP仅4.5W的超低电压处理器，也是一颗双核四线程处理器，基础频率1.5GHz，睿频能到多少就不得而知了。i3 8121u是第一款，这么说那还是领先台积电的今年毕竟有产品发售了
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之前以为要用14+++对抗对手7nm
早就说低压先上了，标压U频率上不去
之前不是说还要打磨12-18个月吗，我想看14nm++++
从die的尺寸来看，这批货本来全是i7，但翻车严重，只好屏蔽卖钱，说不定日后可以开核
8121U睿频3.2G。8114y据说是睿频2.2。不太清楚，14nm+++应该是石锤了，intel高级副总裁已经确认未来12到18个月内，14nm将会继续改良，目前相比第一代14nm工艺，性能已经提升了70%，14++只比第一代14nm强了22%左右，虽然我觉得70%有点夸张，可能包含吹牛的成分和稳定投资者心态的成分，但比14nm++更强的14nm几乎是确认推出了。
搜了一下 睿频2.2握草 不谈睿频有点低的问题 这个主频基本就属于可以用的级别了 没睿频也能撑住基本的性能需求这下CORE-M的windows设备 特别是平板 直接关睿频基本就能舒服使用了 体验和易用性会有明显进步不过还是可以继续等一等10nm+
智商检测U，超越corei3-7350k的存在
M3 6Y30基础频率才0.9GHz，这个是1.5GHz，感觉提升不小。
联想不是首发了这个i3吗。配了768的tn屏，500g机械硬盘估计是5400转。显卡好像是r530
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据说这晶圆是低压i7屏蔽的
推黄油专用u
记得第一代14nm推出主频4C4G都上不去，现在8700k，6C5G都随便来了，再加上同频性能提升
** 那7nm不是真可以实现2~3w的神器了，可以移动端电脑来了，英特尔反杀一大波手机。什么wp系统，直接上Windows 10了
手持7y30，800分ssd加持也感觉日常只是勉强够用
怎么一些人还纠结台积电三星和英特尔，英特尔走的是性能路线，那两走的是低功耗路线，都不是一个方向的好吧。下一代14就晶体管性能吊打那两7nm，还不是进步吗？
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