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二极管和三极管有什么差别？
二极管和三极管有什么差别？
二极管的应用非常广泛。几乎所有的电路中，都要用到二极管。①二极管的特点、原理和表示。晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在界面处两侧形成空间电荷层，有自建电场。二极管最重要的特性就是单向导电性。在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。当没有外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等，这样就处于电平衡状态。
二极管的应用非常广泛。几乎所有的电路中，都要用到二极管。①二极管的特点、原理和表示。晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在界面处两侧形成空间电荷层，有自建电场。二极管最重要的特性就是单向导电性。在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。当没有外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等，这样就处于电平衡状态。当施加正向电压时，外界电场和自建电场的互相抵消使载流子的扩散电流增加引形成正向电流。当施加反向电压时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。当外加的反向电压增高到一定程度，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，这就是二极管的击穿现象。二极管在电路中常用“d”加数字表示，如： d8表示编号为8的二极管。②二极管的分类。按照所用的半导体材料，可分为硅二极管（si管）和锗二极管（ge管）。按照用途，可分为稳压二极管、开关二极管、检波二极管、整流二极管等。按照管芯结构，可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。三极管内部含有2个p-n结，并且具有放大能力的的器件。①三极管的原理、分类和表示。三极管顾名思义具有三个电极。前面我们提到的二极管是由一个pn结构成的，而三极管由两个pn结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是npn型的三极管，另一种是pnp型的三极管。这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补。比如otl电路中的对管就是由pnp型和npn型配对使用。三极管在电路中常用“q”加数字表示，如：q10表示编号为10的三极管。②三极管的作用和参数。三极管最基本的作用是放大。把微弱的电信号变成一定强度的信号，这种转换仍然遵循能量守恒，只是将电源的能量转换成信号的能量而已。三极管的一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。
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深圳市安口电子双二极管和双三极管的区别在哪里？
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双二极管和双三极管的区别在哪里？
提问者：唐罗绮|
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回答数：20805
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双二极管是整流桥！作用是整流！三极管是放大电流和信号的器件！三极管的三个电极又类似于两个二极管的串接！串接脚为基极的特性！但二极管是整流！三极管是放大
回答数：138025
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你好!很高兴为你解答，双向二极管是两支二极管正负极相互反向并联,无论是什么封装外形,实际都只有两个有效管脚,三极管则有三个有效管脚。
回答数：6780
| 被采纳数：3
你好，个人了解区别如下：
双二极管又称晶体二极管二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一.
双三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号,
也用作无触点开关。
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晶体管和二极管区别
首先说明一下：晶体管，就是指的半导体器件，二极管也是晶体管里的一种。下面我们详细介绍一下二极管和三极管的特性及功能原理。半导体二极管及其特性　　半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和面接触型两种。　　点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上，安装上一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处理，使触针接触处形成一层异型的晶体。很据所用金属丝的不同，分别称之为钨键二极管和金键二极管。国产2APl一7和2APll—17型半导体二极管即属此类。但前者触针是钨丝，后者是金丝。　　面接触型二极管多数系用合金法制成。在N型锗晶体的表面上安放上一块铟，然后在高温下使一部分锗熔化于铟内。接着将温度降低，使熔化于姻内的锗又沉淀而出，形成P型晶体。此P型晶体与末熔化的N型晶体组成P—N结。　　点接触型半导体二极管具有较小的接触面积，因而触针与阻挡层间的电容饺小(约1微微法)；而面接触型二极管的极间电容较大，约为15一20微微池。因此，前者适合于在频率较高的场合工作，而后者只适宜于频率低于50千赫以下的地方工作；另外前者允许通过的电流小，在无线电设备中宜作检波用，后者可通过较大之电流，多用于整流。 常用的半导体二极管其特性指标参数意义如下：　　1.工作频率范围f(MHz)：指由于P—N结电容的影响，二极管所能应用的频率范围。　　2.最大反向电压Vmax(V)：指二极管两端允许的反向电压，一般比击穿电压小。反向电压超过允许值时，在环境影响下，二极管有被击穿的危险。　　3.击穿电压VB(V)：当二极管逐渐加上一定的反向电压时，反向电流突然增加，这时的反向电压叫反向击穿电压。这时二极管失去整流性能。　　4.整流电流I(mA)I指二极管在正常使用时的整流电流平均值。 晶体三极管的结构和类型 　　 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。 　　 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。晶体三极管及其工作原理　　晶体三极管系由俩个P—N结组合而成。根据组合方式的不同，有PNP型及NPN型两种。它们的工作原理是完全相同的。　　晶体三极管的制造方法有生长法、合金法和扩散法等数种。出于生长法工艺复杂，质量控制困难，目前已被淘汰。合金法工艺简单，价格低廉，目前多采用此法生产。国产3AXl—5型晶体管即采用合金法制成。合金法制成的晶体管的缺点是结的厚度不易精确控制，因而工作频率不高。　　扩散法的优点是P—N结的厚度可以精确控制，能获得很薄的扩散层，因而工作频率可以大大提高。国产3AGll一14即属此型，适易在高频下工作。　　晶体三极管共有三个不同的导电区域，例如两个P型区夹着一个N型区(P—N—P)，或两个N型区夹着一个P型区N一P—N)，就做成了晶体三极管的基本部分——管芯。在每两个导电区之间都形成一个P—N结，所以无论是哪一种晶体三极管，都含有两个P—N结。按照它们不同的作用，分别叫做发射结和集电结。两个结把一块完整的晶体分成三个区。如果两边是空穴导电的P型区，而中间是电子导电的N型区，我们就称它为P—N—P型晶体三极管，反之，如果两边是N型区，中间是P型区，就叫N—P—N型晶体三极管。晶体三极管的三个区域，根据作用的不同，分别叫做发射区、基区和集电区，它们是三极管的三个电极，分别叫做发射极、基极和集电极。为方便起见，常以拉丁字母e、b、c表示。 　　晶体三极管的工作原理基本上可以用它的放大作用来解释。因为，放大原理是晶体管一切工作的基础。　　我们知道，在P一N结两端不加电压，电子和空穴的扩散受P—N结势垒电压的阻止，无法继续进行。还知道：加正向电压可使P—N结阻挡层势垒电压降低，扩散就能够继续进行；如果加反向电压，将增高势垒电压，扩散就停止。　　现在假定：在晶体三极管的发射结加正向电压(P区接电池正极，N区接负极)，集电结加反向电压(P区接电池负极，N区接正极)。这时，发射结势垒降低，扩散能够进行，于是基区的电子跑向左边的发射区，发射区的空八跑向基区。如果用Ib代表从发射结注入基区的空穴电流，用Ic代表从发射结注入发射区的电子电流，那么，从发射结流出的总电流Ie等于两者之和。　　在实际晶体管中，为了适应需要，人们设法使基区少掺些杂质，所以它的电子远比发射区的空穴少，因此电子电流远小于空穴电流，以至于Ib可以忽略不计，这时Ie＝Ic。　这样一来，可以明显地看出，发射极的作用就是向基区发射空穴，就好象电子管的阴极是专门发射电子一样。　　大量的空穴到达基区以后，由于基区做得很簿，空穴很容易渡越基区跑到集电结的边缘。集电结上加有几伏甚至几十伙的反向电压，这个电压对空穴来说是能帮助空穴进入集电区的。也就是况，带正电的空穴一赶到集电结的左边，就受到集电结右边P区的负电压作用，被吸引过去，然后与外电路的电池送来的电子复合，形成集电极电流Ic。　　但是，并不是所有扩散到基区的空穴都能被集电极吸引，形成集电极电流。因为在空穴路过基区的时候会和基区(N型区)的多数载流子—电子互相吸引，和电子复合而消失，加之上述基区也有少量的电子会跑到发射区去和空穴复合，形成Ic，这两种复合都需要由外电路电池供给负电子，所以形成了基极电流Ib。但因为基区很清(厚度只有万分之一米)，空穴穿过基区的时间只有几亿分之一秒，所以复合的数量是很小的，绝大部分空穴都达到集电极，故集电极电流Ic几乎等于发射极总电流Ie。 　　这是一个模拟晶体管工作状态的FLASH，你现在就可以填入数字或直接按Push开始。 　　上面讲的是只加固定电压而未加输入交流信号的情况。在加入输入信号之后，加到发射结上的电压就等于电池电压Veb和信号电压之和，由于信号电压是不断变化的，发射结上的电压也就随着信号电压在变动，因而引起发射结阻挡层势垒的高低也作相应的变化。势垒高时，发射极电流Ie小，势垒低时Ie大也就是发射极电流Ie会随着输入电压变化而变化。发射极电流Ie大就说明到达基区的空穴多，穿过基区到达集电结的空穴也就多，结果集电极电流Ic也就大，反之，发射极电流Ie小时，集电极电流也会小。同时，我们也会想象到发射极电流Ie大时，空 穴在基区的复合数目也会多些，Ie小时复合也相应少些，复合电流也是变化的。不过这种变化，由于复合电流本来就很小，和Ie或1c的变化相比是很小的，可以忽略。在这里我们用△Ie代表发射极电流的变化数量，用△Ic代表集电极电流的变化数量。　　若用△R代表发射结的交变电阻，R代表负载电阻，我们很容易算出电压放大倍数K。如果以Vo表示集电极电流△Ic在负载R上产生的输出电压，Vin表示输入电压，那么 　　K=Vo/Vin=(△IcR)/(△Ie△R)≒R/△R 　　由于发射结上加的是正向电压，这个电压变化一点点，流过结的电流就会有很大变化，所以发射结电阻△R是很小的，一般只有几十欧。我们知道P—N结的正向电阻很小，而P—N结的反向电阻却很大，所以集电结的电阻很大，可达几百千欧。因此负载电阻R也可以用的很大(阻抗匹配)，R一般是几千欧到几十千欧，所以R／△R就很大，因此从负载上取出的输出信号电压Vc远比输入信号电压Vin大，被放大了很多倍。这就是晶体三极管放大信号的道理。
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我来说两句……
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经验分享：三极管和二极管组成的逻辑门电路
　　介绍：有时候我们搭电路时只需要实现一个简单的逻辑，但用一个4门的集成电路来设计未免过于昂贵与占面积，而且IC里没用到的门电路又必须拉高或拉低，相当烦琐。鉴于简化电路的需要我整理了一套用三极管、二极管、电阻组成的逻辑门电路，可实现2输入或3输入的AND，OR，NAND，NOR，EXOR操作。
三极管组成的逻辑门电路
　　实际使用时有一点需要注意的是三极管、二极管的压降会降低输出信噪比，所以不建议将此种电路和TTL电路混用。
　　再上传一个晶体管构成的施密特电路：
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