您所在位置： &
&nbsp&&nbsp&nbsp&&nbsp
PCB新手初学必备50个经典应用电路实例分析.doc 53页
本文档一共被下载：
次 ,您可全文免费在线阅读后下载本文档。
下载提示
1.本站不保证该用户上传的文档完整性，不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。
2.该文档所得收入(下载+内容+预览三)归上传者、原创者。
3.登录后可充值，立即自动返金币，充值渠道很便利
你可能关注的文档：
··········
··········
电路 1 简单电感量测量装置
在电子制作和设计，经常会用到不同参数的电感线圈，这些线圈的电感量不像电阻那么
容易测量，有些数字万用表虽有电感测量挡，但测量范围很有限。该电路以谐振方法测量电 感值，测量下限可达 10nH，测量范围很宽，能满足正常情况下的电感量测量，电路结构简
单，工作可靠稳定，适合于爱好者制作。
一、电路工作原理
电路原理如图 1（a）所示。
简单电感测量装置电路图
该电路的核心器件是集成压控振荡器芯片 MC1648 ，利用其压控特性在输出 3 脚产生频 率信号，可间接测量待测电感 LX 值，测量精度极高。
BB80 9 是变容二极管，图中电位器 VR1 对+15V 进行分压，调节该电位器可获得不同的
电压输出，该电压通过 R1 加到变容二极管 BB80 9 上可获得不同的电容量。测量被测电感 LX 时，只需将 LX 接到图中 A、B 两点中，然后调节电位器 VR1 使电路谐振，在 MC1648 的 3 脚会输出一定频率的振荡信号，用频率计测量 C 点的频率值，就可通过计算得出 LX 值。
电路谐振频率：f0 = 1/2π
所以 LX = 1/4π 2 f 2C
式中谐振频率 f0 即为 MC1648 的 3 脚输出频率值，C 是电位器 VR1 调定的变容二极管
的电容值，可见要计算 LX 的值还需先知道 C 值。为此需要对电位器 VR1 刻度与变容二极管 的对应值作出校准。
为了校准变容二极管与电位器之间的电容量，我们要再自制一个标准的方形 RF（射频） 电感线圈 L0。如图 6—7(b)所示，该标准线圈电感量为 0.44μH。校准时，将RF 线圈 L0 接在 图（a）的 A、B 两端，调节电位器 VR1 至不同的刻度位置，在 C 点可测量出相对应的测量 值，再根据上面谐振公式可算出变容二极管在电位器 VR1 刻度盘不同刻度的电容量。附表
给出了实测取样对应关系。
振荡频率（MHz） 98 76 62 53 43 38 34
变容二极管 C 值 6 10 15 20 30 40 5
二、元器件选择
集成电路 IC 可选择 Motoroia 公司的 VCO（压控振荡器）芯片。VR1 选择多圈高精度 电位器。其它元器件按电路图所示选择即可。
三、制作与调试方法
制作时，需在多圈电位器轴上自制一个刻度盘，并带上指针。RF 标准线圈按图（b）所 给尺寸自制。电路安装正确即可正常工作，调节电位器 VR1 取滑动的多个点与变容二极管
的对应关系，可保证测量方便。该测量方法属于间接测量，但测量范围宽，测量准确，所以 对电子爱好者和实验室检测电感量有可取之处。该装置若固定电感可变成一个可调频率的信 号发生器。
电路 2 三位数字显示电容测试表
广大电子爱好者都有这样的体会，中、高档数字万用表虽有电容测试挡位，但测量范围
一般仅为 1pF~20μF，往往不能满足使用者的需要，给电容测量带来不便。本电路介绍的三 位数显示电容测试表采用四块集成电路，电路简洁、容易制作、数字显示直观、精度较高， 测量范围可达 1nF~104μF。特别适合爱好者和电气维修人员自制和使用。
一、电路工作原理
电路原理如图 2 所示。
三位数字显示电容测试表 电路图
该电容表电路由基准脉冲发生器、待测电容容量时间转换器、闸门控制器、译码器和显 示器等部分组成。
待测电容容量时间转换器把所测电容的容量转换成与其容量值成正比的单稳时间 td。基
准脉冲发生器产生标准的周期计数脉冲。闸门控制器的开通时间就是单稳时间 td。在td 时间 内，周期计数脉冲通过闸门送到后面计数器计数，译码器译码后驱动显示器显示数值。计数 脉冲的周期 T 乘以显示器显示的计数值 N 就是单稳时间 td，由于 td 与被测电容的容量成正 比，所以也就知道了被测电容的容量。
图 2 中，集成电路 IC1B 电阻 R7~R9 和电容 C3 构成基准脉冲发生器（实质上是一个无 稳多谐振荡器），其输出的脉冲信号周期 T 与 R7~R9 和 C3 有关，在 C3 固定的情况下通过
量程开关 K1 b 对 R7、R8 、R9 的不同选择，可得到周期为 11 μs、1.1ms 和 11 ms 的三个脉冲 信号。
IC1A、IC2 、R1~R6、按钮 AN 及 C1 构成待测电容容量时间转换器（实质上是一个单 稳电路）。按动一次 AN，IC2B 的 10 脚就产生一个负向窄脉冲触发 IC1A，其 5 脚输出一次
单高电平信号。R3~R6 和待测电容 CX 为单稳定时元件，单稳时间 td=1.1 （R3~R6）CX。
IC4、IC2C、C5、 C6、 R10 构成闸门控制器和计数器，IC4 为 CD4553，其 12 脚是计数
正在加载中，请稍后...
16页21页26页31页46页17页21页34页17页23页二极管求助编辑百科名片二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)， 另外， 还有早期的真空电子二极管； 它是一种具有单向传导 单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个 PN 结两个 单向传导 引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来 讲，晶体二极管是一个由 p 型半导体和 n 型半导体烧结形成的 p-n 结界面。在其 界面的两侧形成空间电荷层， 构成自建电场。 当外加电压等于零时， 由于 p-n 结 两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电 平衡状态，这也是常态下的二极管特性。 目录二极管的特性 正向性 反向特性 击穿 二极管的应用 二极管的工作原理 二极管的类型 根据构造分类 二极管的特性 正向性 反向特性 击穿 二极管的应用 二极管的工作原理 二极管的类型 根据构造分类? ? ? ? ? ? ? ?根据用途分类 根据特性分类 二极管的导电特性 二极管的主要参数 半导体二极管参数符号及其意义 二极管的识别 LED 发光二极管如何分类 二极管型号命名方法? ?二极管和半导体的关系 测试二极管的好坏展开二极管图示二极管的特性 正向性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服 PN 结内 电场得阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区 死区。这个不能使二极管导通的正 死区 向电压称为死区电压 死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN 结内电场被克服，二极管 死区电压 导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电 压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形 成反向电流，由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱 和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种形象称为电击穿。引 起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如 果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加 电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反 向电压过高。二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子 二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性， 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作 用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降 0.7V，锗管正向管压降为 0.3V，发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。 主要有三种颜色，具体压 降 参 考 值 如 下 ： 红 色 发 光 二 极 管 的 压 降 为 2.0--2.2V ， 黄 色 发 光 二 极 管 的 压 降 为 1.8―2.0V，绿色发光二极管的压降为 3.0―3.2V，正常发光时的额定电流约为 20mA。 二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适 应的电阻。二极管的特性曲线与 PN 结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安特性曲线（图） 。在 二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过 0.6V 时，电流开始 按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约 0.7V 时，二极管处 于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号 UD 表示。 对于锗二极管，开启电压为 0.2V，导通电压 UD 约为 0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流 IS。 当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管 的反向击穿电压， 用符号 UBR 表示。 不同型号的二极管的击穿电压 UBR 值差别很大， 从几十伏到几千伏。二极管的反向击穿齐纳击穿 反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因 势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价 键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂 浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿 另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使少子漂移速 度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空 穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加， 致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制， 都可能造成 PN 结永久性损坏。二极管的应用1、整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直 流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在 反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开 关特性，可以组成各种逻辑电路。 3、限幅元件 二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为 0.7V，锗管为 0.3V） 。 利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 4、继流二极管 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。 5、检波二极管 在收音机中起检波作用。 6、变容二极管 使用于电视机的高频头中。 7、显示元件 用于 VCD、DVD、计算器等显示器上。 8、稳压二极管 反向击穿电压恒定，且击穿后可恢复，利用这一特性可以实现稳压电路。二极管的工作原理二极管实物晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结，在其界面处两侧形成空 间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于 p-n 结两边载流子浓度差引 起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压 偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电 流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电 压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0。 当外加的反向电压高到一定程度 时，p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电 子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。p-n 结的反向 击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。编辑本段二极管的类型 编辑本段 二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge 管）和硅二 极管（Si 管） 。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开 关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极 管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。 点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流， 使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN 结”。由于是点接触，只允许通 过较小的电流（不超过几十毫安） ，适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面 接触型二极管的“PN 结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安） ，主要用于 把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不 仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。贴片二极管编辑本段根据构造分类 编辑本段 根据构造分类半导体二极管主要是依靠 PN 结而工作的。与 PN 结不可分割的点接触型和肖特 基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据 PN 结构造面的 特点，把晶体二极管分类如下：点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而 形成的。因此，其 PN 结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较， 点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构 造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而 言，它是应用范围较广的类型。键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触 型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的 PN 结电容量 稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不 大于 50mA） 。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极 管有时被称为银键型。合金型二极管在 N 型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作 PN 结而形成的。 正向电压降小，适于大电流整流。因其 PN 结反向时静电容量大，所以不适于高频检 波和高频整流。扩散型二极管在高温的 P 型杂质气体中，加热 N 型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变 成 P 型，以此法 PN 结。因 PN 结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大 电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。台面型二极管PN 结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留 PN 结及其必要的部分，把 不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的 台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面 型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品 型号却很多。平面型二极管在半导体单晶片（主要地是 N 型硅单晶片）上，扩散 P 型杂质，利用硅片表面 氧化膜的屏蔽作用， N 型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的 PN 结。 在 因此， 不需要为调整 PN 结面积的药品腐蚀作用。 由于半导体表面被制作得平整，故而得名。 并且，PN 结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。 最初， 对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的， 故又把平面型称为外延平面型。 对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型 号则很多。合金扩散型二极管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙 地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的 PN 结中获得杂质的恰当的 浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。外延型二极管用外延面长的过程制造 PN 结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因 能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N 型硅片）的接触面上，用已形成的 肖特基来阻挡反向电压。肖特基与 PN 结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程 度只有 40V 左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间 trr 特别地短。因此， 能制作开关二极和低压大电流整流二极管。编辑本段根据 用途分类 编辑本段 根据用途分类 根据1、检波用二极管 就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA） 作为界 线通 常把 输出 电 流小 于 100mA 的叫 检 波。锗 材料 点接 触型 、 工作频 率可 达 400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为 2AP 型。类似点触 型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关 等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 2、整流用二极管 就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA） 作为界线通常把输出电流大于 100mA 的叫整流。面结型，工作频率小于 KHz，最高 反向电压从 25 伏至 3000 伏分 A～X 共 22 档。 分类如下： ①硅半导体整流二极管 2CZ型、②硅桥式整流器 QL 型、③用于电视机高压硅堆工作频率近 100KHz 的 2CLG 型。内部结构3、限幅用二极管 大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅 二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造 的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串 联起来形成一个整体。 4、调制用二极管 通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合 件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。 5、混频用二极管 使用二极管混频方式时，在 500～10,000Hz 的频率范围内，多采用肖特基型和点 接触型二极管。 6、放大用二极管 用二极管放 大，大 致有依靠隧道二 极管和 体效应二极管那 样的负 阻性器件的放 大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效 应二极管和变容二极管。 7、开关用二极管 有在小电流下（10mA 程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用 开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还 可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而 肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK 型点接触为中速开 关电路用；2CK 型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路； 肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。 8、变容二极管 用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方 面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其 PN 结的静电容量发生变化。因此， 被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散 型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管， 因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压 VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的 频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。 9、频率倍增用二极管 对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急 变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然 和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。 阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间 trr 短， 因此， 其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。 如果对阶跃二极管施加正弦波， 那么，因 tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。 10、稳压二极管 是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特 性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的 端电压（又称齐纳电压）从 3V 左右到 150V，按每隔 10%，能划分成许多等级。在功 率方面，也有从 200mW 至 100W 以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作， 动态电阻 RZ 很小，一般为 2CW 型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则 为 2DW 型。 11、PIN 型二极管（PIN Diode） 这是在 P 区和 N 区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶 体二极管。PIN 中的 I 是&本征&意义的英文略语。当其工作频率超过 100MHz 时，由 于少数载流子的存贮效应和&本征&层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变 成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，&本 征&区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入&本征&区，而使&本征&区呈现 出低阻抗状态。因此，可以把 PIN 二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频 开关（即微波开关） 、移相、调制、限幅等电路中。 12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode) 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是 栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其 电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系 上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。 13、江崎二极管 （Tunnel Diode） 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。 其 P 型区的 N 型区是高掺杂的（即高浓度杂质的） 。隧道电流由这些简并态半导体的 量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带 内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01 微米以下） ；简并半导体 P 型区和 N 型区中的 空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参 数有峰谷电流比（IP/PV） ，其中，下标&P&代表&峰&；而下标&V&代表&谷&。江崎二极 管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段） ，也 可以被应用于高速开关电路中。14、快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode) 它也是一种具有 PN 结的二极管。其结构上的特点是：在 PN 结边界处具有陡峭 的杂质分布区，从而形成&自助电场&。由于 PN 结在正向偏压下，以少数载流子导电， 并在 PN 结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个&存贮时间&后才能降 至最小值（反向饱和电流值） 。阶跃恢复二极管的&自助电场&缩短了存贮时间，使反 向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生 电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。 15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）二极管电路它是具有肖特基特性的&金属半导体结&的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除 材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为 N 型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子 导电的 PN 结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率 响仅为 RC 时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电 池或发光二极管。 16、阻尼二极管 具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在 电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。 17、瞬变电压抑制二极管 TVP 管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W －5000W）和电压（8.2V～200V）分类。 18、双基极二极管（单结晶体管） 两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路 中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。 19、发光二极管 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流 小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。 20.、硅功率开关二极管 硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。它主要用于大功率开关或稳压电 路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉,具有恢复特 性软、过载能力强的优点、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面。 21、旋转二极管 主要用于无刷电机励磁、也可作普通整流用。编辑本段根据特性分类 编辑本段 根据特性分类点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。 1、一般用点接触型二极管 这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反 向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A 等等属于这 一类。 2、高反向耐压点接触型二极管 是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和 整流。这种型号 的二极 管一般正向特性 不太好 或一般。在点接 触型锗 二极管中，有 SD38、1N38A、OA81 等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅 合金和扩散型。 3、高反向电阻点接触型二极管 正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电 流小， 因此其特长是反向电阻高。 使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中， 就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A 等等属于这类二极管。 4、高传导点接触型二极管 它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高 传导点接触型二极管而言，有 SD56、1N56A 等等。对高传导键型二极管而言，能够 得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高。编辑本段二极管的导电特性 编辑本段 二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流 入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会 导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小 时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某 一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为 0.1V，硅管约为 0.5V） 以后，二极管才 能直正 导通。导通后二 极管两 端的电压基本上 保持不 变（锗管约为 0.3V，硅管约为 0.7V） ，称为二极管的“正向压降”。反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中 几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极 管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两 端的反向电压增大到某一数值， 反向电流会急剧增大， 二极管将失去单方向导电特性， 这种状态称为二极管的击穿。编辑本段二极管的主要参数 编辑本段 二极管的主要参数用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类 型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 1、 最大整流电流 、 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值，其值与 PN 结面积及外 部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限 度（硅管为 141 左右，锗管为 90 左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散 热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如，常用的 IN4001－ 4007 型锗二极管的额定正向工作电流为 1A。 2、 最高反向工作电压 、 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。 为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001 二极管反向耐压为 50V，IN4007 反向耐压为 1000V。 3、 反向电流 、 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电 流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着 密切的关系，大约温度每升高 10℃，反向电流增大一倍。例如 2AP1 型锗二极管，在 25℃时反向电流若为 250uA， 温度升高到 35℃， 反向电流将上升到 500uA， 依此类推， 在 75℃时，它的反向电流已达 8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热 而损坏。又如，2CP10 型硅二极管，25℃时反向电流仅为 5uA，温度升高到 75℃时， 反向电流也不过 160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 4.动态电阻 Rd 二极管特性曲线静态工作点 Q 附近电压的变化与相应电流的变化量之比。编辑本段半导体二极管参数符号及其意义 编辑本段 半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容 Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电 容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变 化之比 CTC---电容温度系数Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流） 。锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下，通 过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的 最大工作电流（平均值） ，硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流； 测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流） 。在额定功率下，允许通过二极管 的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流） 。在测反向特性时，给定的反向电流； 硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二 极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏 电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流） 。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在 电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数；电容比 Q---优值（品质因素） δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于 150 度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△ V/△I 称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF（AV）---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VRM---反向峰值电压（最高测试电压） V（BR）---击穿电压 Vth---阀电压（门限电压、死区电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压编辑本段二极管的识别 编辑本段 二极管的识别小功率二极管的 N 极（负极） ，在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二 极管也用二极管专用符号来表示 P 极 （正极） N 极 或 （负极） ,也有采用符号标志为“P”、 “N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短 脚为负。用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的 负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚 好相反。 半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘 体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。半导体最重要的两种元素是硅 （读“gui”）和锗（读“zhe”） 。我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有好多家半 导体厂商。 . 二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。编辑本段 LED 发光二极管如何分类1.按发光管发光颜色分 按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿） 、 蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。根据发光二极管出光 处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、 无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。 2.按发光管出光面特征分 按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型 管等。 圆形灯按直径分为 φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm 及 φ20mm 等。国 外通常把 φ3mm 的?发光二极管记作 T-1;把 φ5mm 的记作 T-1（3/4） ；把 φ4.4mm 的记 作 T-1（1/4） 。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布 图来分有三类： （1）高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。 半值角为 5°~20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联 用以组成自动检测系统。 （2）标准型。通常作指示灯用，其半值角为 20°~45°。 （3）散射型。这是视角较大的指示灯，半值角为 45°~90°或更大，散射剂的量较 大。编辑本段二极管型号命名方法 编辑本段 二极管型号命名方法二极管的型号命名规定由五个部分组成型号命名编辑本段二极管和半导体的关系 编辑本段 二极管和半导体的关系二极管的正负二个端子。正端 A 称为阳极,负端 K 称为阴极。电流只能从阳极向 阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半’是一半的 ‘半’；而二极管也是只有一‘半’电流流动(这是错误的)，所有二极管就是半导体 ”。其 实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半 导体无论那个方向都能流动电流。编辑本段测试二极管的好坏 编辑本段 测试二极管的好坏一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极 管、续流二极管）是由一个 PN 结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万 用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。 1．极性的判别将万用表置于 R×100 档或 R×1k 档，两表笔分别接二极管的两个电极， 测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出 的阻值较大（为反向电阻） ，一次测量出的阻值较小（为正向电阻） 。在阻值较小的一 次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。 电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为 1k 值为 300 左右。硅材料二极管的电阻值为 5 k 向导电特性越好。 2．单负导 左右，反向电阻左右，反向电阻值为∞（无穷大） 。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单 若测得二极管的正、反向电阻值均接近 0 或阻值较小，则说明该 二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则 说明该二极管已开路损坏。 3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值） 可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的 “NPN/PNP”选择键设置为 NPN 状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内， 负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反 向击穿电压值。 也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测 二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万 用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图 4-71 所示，摇动兆欧 表手柄（应由慢逐渐加快） ，待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二 极管的反向击穿电压。（ 二 ） 稳压二极管的检测1．正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面 形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一 端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与 普通二极管相同，即用万用表 R×1k 档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测 出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表 笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。若测得稳压二极管的 正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。 的输出电压调至 15V，将电源正极串接 1 只 1.5k 2．稳压 值的测量用 0~30V 连续可调直流电源，对于 13V 以下的稳压二极管，可将稳压电源 限流电阻后与被测稳压二极管的负 极相连接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表测量稳压二极管两端的电 压值，所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于 15V，则应 将稳压电源调至 20V 以上。 也可用低于 1000V 的兆欧表为稳压二极管提供测试电 源。其方法是：将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接，兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后，按规定匀速摇动兆欧表手柄，同时用万用表监测稳压二极管两端电压 值（万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定） ，待万用表的指示电压指示稳定时， 此电压值便是稳 压二极 管的稳定电压值 。 低，则说明该二极管的性不稳定。 若 测量稳压二极管 的稳定 电压值忽高忽 图 4-72 是稳压二极管稳压值的测量方法。（ 三 ） 双向触发二极管的检测1．正、反向电阻值的测量用万用表 R×1k 或 R×10k 档，测量双向触发二极管正、 反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小 或为 0，则说明该二极管已击穿损坏。 2．测量转折电压测量双向触发二极管的转折 电压有三种方法。 第一种方法是：将兆欧表的正极（E）和负极（L）分别接双向触 发二极管的两端， 用兆欧表提供击穿电压， 同时用万用表的直流电压档测量出电压值， 将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差（一 般为 3~6V） 。此偏差值越小，说明此二极管的性能越好。 第二种方法是：先用万用 表测出市电电压 U，然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后， 接入市电电压，读出电压值 U1，再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压 值 U2。 若 U1 与 U2 的电压值相同，但与 U 的电压值不同，则说明该双向触发二极 管的导通性能对称性良好。若 U1 与 U2 的电压值相差较大时，则说明该双向触发二 极管的导通性不对称。若 U1、U2 电压值均与市电 U 相同时，则说明该双向触发二极 管内部已短路损坏。若 U1、U2 的电压值均为 0V，则说明该双向触发二极管内部已 开路损坏。 20k 第三种方法是：用 0~50V 连续可调直流电源，将电源的正极串接 1 只 电阻器后与双向触发二极管的一端相接，将电源的负极串接万用表电流档（将其置于 1mA 档）后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压，当电流表 指针有较明显摆动时（几十微安以上） ，则说明此双向触发二极管已导通，此时电源 的电压值即是双向触发二极管的转折电压。 检测方法。 图 4-73 是双向触发二极管转折电压的（ 四 ） 发光二极管的检测1．正、负极的判别将发光二极管放在一个光源下，观察两个金属片的大小，通 常金属片大的一端为负极，金属片小的一端为正极。 2．性能好坏的判断 用万用 表 R×10k 档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正 极时）约为 10~20k ，反向电阻值为 250k ~∞（无穷大） 。较高灵敏度的发光二极管， 在测量正向电阻值时，管内会发微光。若用万用表 R×1k 档测量发光二极管的正、反 向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大） ，这是因为发光二极管的正 向压降大于 1.6V（高于万用表 R×1k 档内电池的电压值 1.5V）的缘故 用万用表的 R×10k 档对一只 220?F/25V 电解电容器充电（黑表笔接电容器正极，红表笔接电容器 负极） ，再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极， 若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。 也可用 3V 直流电源，在电源的正极串接 1 只 33电阻后接发光二极管的正极， 将电源的负极接发光二极管的负极（见图 4-74） ，正常的发光二极管应发光。或将 1 节 1.5V 电池串接在万用表的黑 表笔（将万用表置于 R×10 或 R×100 档，黑表笔接电池负极，等于与表内的 1.5V 电 池串联） ，将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的 发光二极管应发光。（ 五 ） 红外发光二极管的检测1．正、负极性的判别红外发光二极管多采用透明树脂封装，管心下部有一个浅 盘，管内电极宽大的为负极，而电极窄小的为正极。也可从管身形状和引脚的长短来 判断。通常，靠近管身侧向小平面的电极为负极，另一端引脚为正极。长引脚为正极， 短引脚为负极。 2．性能好坏的测量用万用表 R×10k 档测量红外发光管有正、反向 电阻。正常时，正向电阻值约为 15~40k （此值越小越好） ；反向电阻大于 500k （用 R×10k 档测量，反向电阻大于 200 k ） 。若测得正、反向电阻值均接近零，则说明该 红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极 管已开路损坏。若测得的反向电阻值远远小于 500k ，则说明该二极管已漏电损坏。 Rac 电子资料网（ 六 ） 红外光敏二极管的检测将万用表置于 R×1k 档，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向 电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为 3~10 k 左右，反向电阻值为 500 k 以上。若 测得其正、 反向电阻值均为 0 或均为无穷大， 则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。 在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管 的接收窗口（见图 4-75） 。正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时，其反向 电阻值会由 500 k 管的灵敏度越高。 以上减小至 50~100 k 之间。阻值下降越多，说明红外光敏二极（ 七 ） 其他光敏二极管的检测1．电阻测量法用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，然后用万用表 R×1k 档测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值在 10~20k 二极管漏电或开路损坏。 之间， 反向电阻值为∞（无穷大） 。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则是该光敏 再去掉黑纸或黑布，使光敏二极管的光信号接收窗口对准 光源，然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时，正、反向电阻值均应变小，阻值 变化越大，说明该光敏二极管的灵敏度越高。 2．电压测量法将万用表置于 1V 直流 电压档，黑表笔接光敏二极管的负极，红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的 光信号接收窗口对准光源。正常时应有 0.2~0.4V 电压（其电压与光照强度成正比） 。 3．电流测量法将万用表置于 50?A 或 500?A 电流档，红表笔接正极，黑表笔接负极， 正常的光敏二极管在白炽灯光下，随着光照强度的增加，其电流从几微安增大至几百微安。（ 八 ） 激光二极管的检测1．阻值测量法拆下激光二极管，用万用表 R×1k 或 R×10k 档测量其正、反向电 阻值。正常时，正向电阻值为 20~40k 之间，反向电阻值为∞（无穷大） 。若测得正 向电阻值已超过 50k ，则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值大于 90k ，则说明该二极管已严重老化，不能再使用了。 2．电流测量法用万用表测量 激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降，再根据欧姆定律估算出流过该管的电 流值，当电流超过 100mA 时，若调节激光功率电位器（见图 4-76） ，而电流无明显的 变化，则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控，则说明激光二极管的光学 谐振腔已损坏。（ 九 ） 变容二极管的检测1．正、负极的判别有的变容二极管的一端涂有黑色标记，这一端即是负极，而 另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环，红色环的一 端为正极，黄色环的一端为负极。 也可以用数字万用表的二极管档，通过测量变容 二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性。正常的变容二极管，在测量其正向 电压降时，表的读数为 0.58~0.65V；测量其反向电压降时，表的读数显示为溢出符号 “1”。在测量正向电压降时，红表笔接的是变容二极管的正极，黑表笔接的是变容二 极管的负极。 2．性能好坏的判断用指针式万用表的 R×10k 档测量变容二极管的正、 反向电阻值。正常的变容二极管，其正、反向电阻值均为∞（无穷大） 。若被测变容二 极管的正、反向电阻值均有一定阻值或均为 0，则是该二极管漏电或击穿损坏。（ 十 ） 双基极二极管的检测1．电极的判别将万用表置于 R×1k 档，用两表笔测量双基极二极管三个电极中任 意两个电极间的正反向电阻值，会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为 2~10k ，这两个电极即是基极 B1 和基极 B2，另一个电极即是发射极 E。再将黑表笔 接发射极 E，用红表笔依次去接触另外两个电极，一般会测出两个不同的电阻值。有 阻值较小的一次测量中，红表笔接的是基极 B2，另一个电极即是基极 B1。 2．性 能好坏的判断双 基极二 极管性能的好坏 可以通 过测量其各极间 的电阻 值是否正常来 判断。用万用表 R×1k 档，将黑表笔接发射极 E，红表笔依次接两个基极（B1 和 B2） ， 正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极 E，黑表笔依次接两 个基极，正常时阻值为无穷大。 向电阻值均为 2~10k 则说明该二极管已损坏。 双基极二极管两个基极（B1 和 B2）之间的正、反 范围内， 若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时，十一） （ 十一 ） 桥堆的检测1．全桥的检测大多数的整流全桥上，均标注有“ ”、“-”、“~”符号（其中“ ”为整 流后输出电压的正极，“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端） ，很容易确定出 各电极。 Rac 电子资料网 检测时， 可通过分别测量“ ”极与两个“~”极、 “-”极与两个“~” 之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即 可判断该全桥是否已损坏。若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为 0 或均为 无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。 即可判断出该半桥是否正常。 2．半桥的检测半桥是由两只整流 二极管组成， 通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、 反电阻值是否正常，十二） （ 十二 ） 高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表 的 R×10k 档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于 200k ，反 向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿 损坏。十三） （ 十三 ） 变阻二极管的检测用万用表 R×10k 档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的 正向电阻值（黑表笔接正极时）为 4.5~6k ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反 向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。十四） （ 十四 ） 肖特基二极管的检测二端型肖特基二极管可以用万用表 R×1 档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔 接正极）为 2.5~3.5 ，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接 近 0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。 三端型肖特基二极管应先测出其公共端， 判别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。正 向特性测试 把万用表的黑表笔（表内正极）搭触二极管的正极，红表笔（表内负极） 搭触二极管的负极。若表针不摆到 0 值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极 管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为 0 值，说明管芯短路损坏，若 正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。反向特性测试把万用表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无 穷大值或接近无穷大值，二极管就是合格的。部分常用二极管参数05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 05Z13X 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A) 1N4002 硅整流二极管 100V, 1A, 1N4003 硅整流二极管 200V, 1A, 1N4004 硅整流二极管 400V, 1A, 1N4005 硅整流二极管 600V, 1A, 1N4006 硅整流二极管 800V, 1A, 1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A, 1N4148 二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V, 1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392 硅整流二极管 100V,1.5A, 1N5393 硅整流二极管 200V,1.5A, 1N5394 硅整流二极管 300V,1.5A, 1N5395 硅整流二极管 400V,1.5A, 1N5396 硅整流二极管 500V,1.5A, 1N5397 硅整流二极管 600V,1.5A, 1N5398 硅整流二极管 800V,1.5A, 1N5399 硅整流二极管 A, 1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A) 1N5401 硅整流二极管 100V,3A, 1N5402 硅整流二极管 200V,3A, 1N5403 硅整流二极管 300V,3A, 1N5404 硅整流二极管 400V,3A, 1N5405 硅整流二极管 500V,3A, 1N5406 硅整流二极管 600V,3A, 1N5407 硅整流二极管 800V,3A, 1N5408 硅整流二极管 1000V,3A, 1S1553 硅开关二极管 70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 1S1554 硅开关二极管 55V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 1S1555 硅开关二极管 35V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 1S2076 硅 开 关 二 极 管 35V,150mA,250mW, 8nS, 3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF, 1S2076A 硅开关二极管 70V,150mA,250mW,8nS, 3PF,450ma, 60V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,1S2471 硅开关二极管 80V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF, 1S2471B 硅开关二极管 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma, 1S2471V 硅开关二极管 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma, 1S2472 硅开关二极管 50V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF, 1S2473 硅开关二极管 35V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF, 1S2473H 硅开关二极管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma, 2AN1 二极管 5A, f=100KHz 2CK100 硅开关二极管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma, 2CK101 硅开关二极管 70V,150mA,250mW,8nS, 3PF,450ma, 2CK102 硅开关二极管 35V,150mA,250mW, 8nS, 3PF,450ma, 2CK103 硅开关二极管 20V,100mA, 2PF,100ma, 2CK104 硅开关二极管 35V,100mA, 10nS,2PF,225ma, 2CK105 硅开关二极管 35V,100mA, 4nS,2PF,225ma, 2CK106 硅开关二极管 75V,100mA, 4nS,2PF,100ma, 2CK107 硅开关二极管 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma, 2CK108 硅开关二极管 70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 2CK109 硅开关二极管 35V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 2CK110 硅开关二极管 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma, 2CK111 硅开关二极管 55V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma, 2CK150 硅开关二极管 15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF, 2CK161 硅开关二极管 15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF, 2CK4148 硅开关二极管 75V, Ir≤25nA,Vf=1V,4PF, 2CK2076 硅开关二极管 35V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V, ≤1.8PF, 2CK2076A 硅开关二极管 60V, Ir≤1uA,Vf≤0.8V, ≤1.8PF, 2CK2471 硅开关二极管 80V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF, 2CK2472 硅开关二极管 50V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF, 2CK2473 硅开关二极管 35V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF, 2CN1A 硅二极管 400V, 1A, f=100KHz, 2CN1B 硅二极管 100V, 1A, f=100KHz, 2CN3 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3D 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3E 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3F 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3G 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3H 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3I 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN3K 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CN4D 硅二极管 V, 1.5A, f=100KHz,2CN5D 硅二极管 V, 1.5A, f=100KHz, 2CN6 硅二极管 V, 1A, f=100KHz, 2CP1553 硅二极管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF, 2CP1554 硅二极管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF, 2CP1555 硅二极管 Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF, 2CW1 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V,Pzm=280mW, 2CW2 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V,Pzm=280mW, 2CW3 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V,Pzm=280mW, 2CW4 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V,Pzm=280mW, 2CW5 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V,Pzm=280mW, 2CW5 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V,Pzm=280mW, 2CW9 硅稳压二极管 Vz=1.0~2.8V,Pzm=250mW, 2CW10 硅稳压二极管 Vz=2.5~3.5V,Pzm=250mW, 2CW11 硅稳压二极管 Vz=3.2~4.5V,Pzm=250mW, 2CW12 硅稳压二极管 Vz=4.0~5.8V,Pzm=250mW, 2CW13 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V,Pzm=250mW,半导体三极管百科名片半导体三极管半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。 在半导体锗或硅的单晶上制备 两个能相互影响的 PN 结，组成一个 PNP（或 NPN）结构。中间的 N 区（或 P 区） 叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基 极 B、发射极 E 和集电极 C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。 目录发明人结构简介 工作原理 三极管的分类 三极管电极和管型的判别 部分常用三极管参数 放大电路 检测 发明人 结构简介 工作原理 三极管的分类 三极管电极和管型的判别 部分常用三极管参数 放大电路 检测 展开编辑本段发明人 编辑本段 发明人1947 年 12 月 23 日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3 位科学家――巴丁 博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中 正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3 位科学家惊奇地发现，在他们发明 的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而 产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果――晶体管。因 它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为 “献给世界的圣诞节礼物”。另外这 3 位科学家因此共同荣获了 1956 年诺贝尔物理学 奖。 晶体管促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作 为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效 益。 由于晶体管彻底改变了电子线路的结构， 集成电路以及大规模集成电路应运而生， 这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。编辑本段结构简介 编辑本段 结构简介三极管的基本结构是两个反向连结的 PN 接面，如图 1 所示，可有 pnp 和 npn 两 种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter, E） 、基极（base, B）和集电极 （collector, C） ，名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn 与 pnp 三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的极为 n 型半导体， 和二极 体的符号一致。在没接外加偏压时，两个 pn 接面都会形成耗尽区，将中性的 p 型区和 n 型区隔开。三极管的电特性和两个 pn 接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里 我 们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区 EB 极间的 pn 接 面维 持在正向偏压，而 BC 极间的 pn 接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管 都以 此方式偏压。图 2(a)为一 pnp 三极管在此偏压区的示意图。 EB 接面的空乏 区由于 在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也 会注入到射极；而 BC 接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大， 故本身是不 导通的。图 2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的 电位能的分布图。 三极管和两个反向相接的 pn 二极管有什么差别呢？其间最大的不 同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之 pnp 三极 管为例， 射极的电洞注入基极的 n 型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后 朝集电极 方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达 BC 接面的耗尽 区时,会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂 移电流 到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流 IC。 IC 的大小和 BC 间反向偏 压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流 IBrec，与由基 极注入 射极的电子流 InBE（这部分是三极管作用不需要的部分） InB E 在射极与 。 与电 洞复合，即 InB E=IErec。pnp 三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚 地 在图 3(a)中看出。射极注入基极的电洞流大小是由 EB 接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形 类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。更精确的 说，三极管是利用 VEB（或 VBE）的变化来控制 IC，而且提供之 IB 远比 IC 小。npn 三极管的操作原理和 pnp 三极管是一样的，只是偏压方向，电流方 向均相反，电子 和电洞的角色互易。pnp 三极管是利用 VEB 控制由射极经基极,入射到集电极的电洞， 而 npn 三极管则是利用 VBE 控制由射极经基极、入射到集电极的电子。三极管在数 字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表 0 与 1（或 1 与 0）两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小 的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化， 故可用作信号放大器。编辑本段工作原理 编辑本段 工作原理晶体三极管 （以下 简称三极管）按 材料分 有两种：锗管和 硅管。 而每一种又有 NPN 和 PNP 两种结构形式，但使用最多的是硅 NPN 和锗 PNP 两种三极管， （其中， N 表示在高纯度硅中加入磷， 是指取代一些硅原子， 在电压刺激下产生自由电子导电， 而 p 是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电） 。两者除了电源极性不同外，其工作 原理都是相同的，下面仅介绍 NPN 硅管的电流放大原理。 对于 NPN 管，它是由 2 块 N 型半导体中间夹着一块 P 型半导体所组成， 发射区与基区之间形成的 PN 结称为 发射结,而集电区与基区形成的 PN 结称为集电结,三条引线分别称为发射极 e、基极 b 和集电极 c。 当 b 点电位高于 e 点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而 C 点 电位高于 b 点电位几伏时， 集电结处于反偏状态， 集电极电源 Ec 要高于基极电源 Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很 薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区 的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方 扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电 子流称为发射极电流了。 由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分 越过集电结进入集电区而形成集电集电流 Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的 空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源 Eb 重新补给，从而形成了基极电流 Ibo.根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的 Ib，就可 以在集电极上得到一个较大的 Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic 与 Ib 是维持一定的 比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic 与基极电流的变化量△Ib 之比为： β= △Ic/△Ib 式中 β--称为交流电流放大倍数，由 于低频时 β1 和 β 的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β 值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极 管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。 三极管放大时管子内部的工作 原理 1、发射区向基区发射电子 电源 Ub 经过电阻 Rb 加在发射结上，发射结正偏， 发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流 Ie。 同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓 度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩 散与复合 电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在 浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成 集电极电流 Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电 子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电 结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流 Icn。另外集电区的 少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用 Icbo 来表 示，其数值很小，但对温度却异常敏感。主要参数特征频率 fT当 f= fT 时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于 fT，电路将不正 常工作。工作电压/ 工作电压 / 电流用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。hFE电流放大倍数。VCEO集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。PCM最大允许耗散功率。封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板 上实现。编辑本段三极管的分类 编辑本段 三极管的分类晶体三极管的种类很多，分类方法也有多种。下面按用途、频率、功率、材料等 进行分类。 1)按材料和极性分有硅材料的 NPN 与 PNP 三极管.锗材料的 NPN 与 PNP 三极管。 2)按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、 高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。 3)按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。 4)按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。 5)按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。 6)按外形封装的不同可分为金属封装三极管、 玻璃封装三极管、 陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。编辑本段三极管电极和管型的判别 编辑本段 三极管电极和管型的判别 目测法一、管型的判别 一般，管型是 NPN 还是 PNP 应从管壳上标注的型号来辨别。 依照部分标准，三极管型号的第二位(字母)，A、C 表示 PNP 管，B、D 表示 NPN 管， 例如： 3AX 为 PNP 型低频小功率管 3BX 为 NPN 型低频小功率管 3CG 为 PNP 型高频小功率管 3DG 为 NPN 型高频小功率管 3AD 为 PNP 型低频大功率管 3DD 为 NPN 型低频大功率管 3CA 为 PNP 型高频大功率管 3DA 为 NPN 型高频大功率管 此外有国际流行的
系列高频小功率管， 9012 和 9015 为 PNP 管外， 除 其余均为 NPN 型管。 二、 管极的判别 常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装(半柱型)等外型。用万用表电阻档判别三极管内部有两个 PN 结，可用万用表电阻档分辨 e、b、c 三个极。在型号标注 模糊的情况下,也可用此法判别管型。 ① 基极的判别 判别管极时应首先确认基极。对于 NPN 管，用黑表笔接假定的基极，用红表笔 分别接触另外两个极,若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调， 测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时黑表笔接的就是基极。PNP 管，情况正相反， 测量时两个 PN 结都正偏的情况下，红表笔接基极。 实际上，小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、 红表笔接基极，既可测定三极管的两个 PN 结是否完好(与二极管 PN 结的测量方法一 样)，又可确认管型。 ② 集电极和发射极的判别 确定基极后，假设余下管脚之一为集电极 c，另一为发射极 e,用手指分别捏住 c 极与 b 极(即用手指代替基极电阻 Rb)。同时,将万用表两表笔分别与 c、e 接触,若被测 管为 NPN,则用黑表笔接触 c 极、用红表笔接 e 极(PNP 管相反),观察指针偏转角度； 然后再设另一管脚为 c 极,重复以上过程,比较两次测量指针的偏转角度大的一次表明 IC 大，管子处于放大状态，相应假设的 c、e 极正确。三极管性能的简易测量(1) 用万用表电阻档测 ICEO 和 β 基极开路，万用表黑表笔接 NPN 管的集电极 c、红表笔接发射极 e(PNP 管相反)，此时 c、e 间电阻值大则表明 ICEO 小，电阻值小则表明 ICEO 大。 用手指代替基极电阻 Rb，用上法测 c、e 间电阻，若阻值比基极开路时小得多则 表明 β 值大。 (2) 用万用表 hFE 档测 β 有的万用表有 hFE 档，按表上规定的极型插入三极管即可测得电流放大系数 β, 若 β 很小或为零，表明三极管己损坏，可用电阻档分别测两个 PN 结，确认是否有击 穿或断路。编辑本段部分常用三极管参数 编辑本段 部分常用三极管参数MPSA42 NPN 21E 电话视频放大 300V0.5A0.625W MPSA92 PNP 21E 电话视频放大 300V0.5A0.625W MPS2222A NPN 21 高频放大 75V0.6A0.625W300MHZ 9011 NPN EBC 高频放大 50V30mA0.4W150MHz 9012 PNP 贴片低频放大 50V0.5A0.625W 9013 NPN EBC 低频放大 50V0.5A0.625W ] 9013 NPN 贴片低频放大 50V0.5A0.625W 9014 NPN EBC 低噪放大 50V0.1A0.4W150MHZ 9015 PNP EBC 低噪放大 50V0.1A0.4W150MHZ 9018 NPN EBC 高频放大 30V50MA0.4W1GHZ 8050 NPN EBC 高频放大 40V1.5A1W100MHZ 8550 PNP EBC 高频放大 40V1.5A1W100MHZ 2N2222 NPN 4A 高频放大 60V0.8A0.5W25/200NSβ=45 2N2222A NPN 小铁高频放大 75V0.6A0.625W300MHZ 2N2369 NPN 4A 开关 40V0.5A0.3W800MHZ 2N2907 NPN 4A 通用 60V0.6A0.4W26/70NSβ=200 2N3055 NPN 12 功率放大 100V15A115W 2N3440 NPN 6 视放开关 450V1A1W15MHZ 2N3773 NPN 12 音频功放开关 160V16A150W COP 2N4 NPN 21E 通用 60V0.2Aβ=100-400 2N3906 PNP 21E 通用 40V0.2Aβ=100-400 2N5401 PNP 21E 视频放大 160V0.6A0.625W100MHZ 2N5551 NPN 21E 视频放大 160V0.6A0.625W100MHZ 2N5685 NPN 12 音频功放开关 60V50A300W 2N6277 NPN 12 功放开关 180V50A250W 2N6609 PNP 12 音频功放开关 160V15A150W COP 2N6678 NPN 12 音频功放开关 650V15A175W15MHZ 2N6718 NPN 小铁音频功放开关 100V2A2W50MHZ 3DA87A NPN 6 视频放大 100V0.1A1W3DG6A NPN 6 通用 15V20mA0.1W100MHz 3DG6B NPN 6 通用 20V20mA0.1W150MHz 3DG6C NPN 6 通用 20V20mA0.1W250MHz 3DG6D NPN 6 通用 30V20mA0.1W150MHz 3DG12C NPN 7 通用 45V0.3A0.7W200MHz 3DK2B NPN 7 开关 30V30mA0.2W 3DK4B NPN 7 开关 40V0.8A0.7W 3DK7C NPN 7 开关 25V50mA0.3W 3DD15D NPN 12 电源开关 300V5A50W 3DD102C NPN 12 电源开关 300V5A50W V 稳压管录像机用 A634 PNP 28E 音频功放开关 40V2A10W A708 PNP 6 NF/S 80V0.7A0.8W A715C PNP 29 音频功放开关 35V2.5A10W160MHZ A733 PNP 21 通用 50V0.1A180MHZ A741 PNP 4 S 20V0.1A A781 PNP 39B 开关 20V0.2A A928 PNP ECB 通用 20V1A0.25W A933 PNP 21 Uni 50V0.1A140MHz A940 PNP 28 音频功放开关 150V1.5A25W4MHZ /C PNP 21 通用 30V0.8A0.6W A966 PNP 21 音频激励输出 30V1.5A0.9W COP:C PNP 28 音频功放开关 60V1.5A25W100MHZ/C PNP BCE 功放开关 350V2A15W A1012 PNP 28 音频功率放 60V5A25W A1013 PNP 21 视频放大 160V1A0.9W A1015 PNP 21 通用 60V0.15A0.4W8MHZ A1020 PNP 21 音频开关 50V2A0.9W A1123 PNP 21 低噪放大 150V0.05A0.75W A1162 PNP 21d 通用贴片 50V0.15A0.15W A1216 PNP BCE 功放开关 180V17A200W20MHZ / PNP 29 音频功放开关 120V1.5A20W150MHZ/C PNP BCE 功放开关 140V10A100W30MHZ /C PNP BCE 功放开关 230V17A200W30MHZ /C PNP BCE 功放开关 160V10A100W30MHZ /C PNP BCE 功放开关 200V15A150W30MHZ /C ? PNP 高频 120V1A10W120MHZ A1444 PNP BCE 高速电源开关 100V15A30W80MHZ 6 A1494 PNP BCE 功放开关 200V17A200W20MHZ /C3858A1516 PNP BCE 功放开关 180V12A130W25MHZ A1668 PNP 28B 电源开关 200V2A25W20MHZ A1785 PNP BCE 驱动 400V1A1W/120V1A0.9W140MH A1941 PNP BCE 功放开关 140V10A100WCOP: PNP BCE 功放开关 230V15A150W /C PNP 30 功放开关 B449 PNP 12 功放开关 50V3.5A22.5W 锗管 B631K PNP 29 音频功放开关 120V1A8W130MHZ B647 PNP 21 通用 120V1A0.9W140MHZ /D667 B649 PNP 29 视放 180V1.5A1W /D669 B669 PNP 28 达林顿功放 70V4A40W B673 PNP 28 达林顿功放 100V7A40W B675 PNP 28 达林顿功放 60V7A40W B688 PNP BCE 音频功放开关 120V8A80W /D718 B734 PNP 39B 通用 60V1A1W /D774 B744 PNP 21 通用 30V0.1A0.25W B772 PNP 29 音频功放开关 40V3A10W B774 PNP 21 通用 30V0.1A0.25W B817 PNP 30 功放开关 160V12A100W /D PNP 28 功放开关 60V3A30W B937A PNP 功放开关 60V2A35 DRAL B1020 PNP 28 功放开关达林顿 100V7A40Wβ= PNP 30 达林顿功放 100V20A100Wβ= B1185 PNP 28B 功放开关 60V3A25W 70MHZ /D PNP ECB 功放开关 80V0.7A1W 100MHZ B1240 PNP 39B 功放开关 40V2A1W100HZ B1243 PNP 39B 功放开关 40V3A1W70HZ B1316 PNP 54B 驱动功放达林顿 100V2A10Wβ=1 PNP BCE 音频功放 180V15A150W B1335 PNP 28 音频功放低噪 80V4A30W B1375 PNP BCE 音频功放 60V3A2W9MHZ B1400 PNP 28B 达林顿功放 120V6A25W B1429 PNP BCE 功放开关 180V15A150W B1494 PNP BCE 达林顿功放 120V25A120W C106 NPN EBC 音频功放开关 60V1.5A15W C380 NPN 21 高频放大 35V0.03A250MHZ C458 NPN 21 通用 30V0.1A230MHz C536 NPN 21 通用 40V0.1A180MHZC752 NPN 21 通用 30V0.1A300MHz C815 NPN 21 通用 60V0.2A0.25W C828 NPN 21 通用 45V0.05A0.25W C900 NPN 21 低噪放大 30V0.03A100MHZ C943 NPN 4A 通用 60V0.2A200MHZ C945 NPN 21 通用 50V0.1A0.5W250MHZ C1008 NPN 6 通用 80V0.7A0.8W50MHZ C1162 NPN 29 音频功放开关 35V1.5A10W C1213 NPN 39B 监视器专用 35V0.5A0.4W C1222 NPN 21 低噪放大 60V0.1A100MHZ C1494 ? NPN 40A 发射 36V6A PQ=40W/175MHZ C1507 NPN 28 视放 300V0.2A15W C1674 NPN 21 HF/ZF 30V0.02A600MHz C1815 NPN 21 通用 60V0.15A0.4W8MHZ C1855 NPN 21f HF/ZF 20V0.02A550MHz C1875 NPN 12 彩行 A50W C1906 NPN 21 高频放大 30V0.05A1000MHZ C1942 NPN 12 彩行 W C1959 NPN 21 通用 30V0.4A0.5W300MHz C1970 NPN 28 手机发射 40V0.6A PQ=1.3W/175MHZ C1971 NPN 28A 手机发射 35V2.0A PQ=7.0W/175MHZ C1972 NPN 28A 手机发射 35V3.5A PQ=15W/175MHZ C2012 NPN 21 HF 30V0.03A200MHZ C2027 NPN 12 行管 W C2068 NPN 28E 视频放大 300V0.05A1.5W80MHZ C2073 NPN 28 功率放大 150V1.5A25W4MHZ /A940 C2078 NPN 28 音频功放开关 80V3A10W150MHZ C2120 NPN 21 通用 30V0.8A0.6W C2228 NPN 21 视频放大 160V0.05A0.75W C2230 NPN 21 视频放大 200V0.1A0.8W C2233 NPN 28 音频功放开关 200V4A40W C2236 NPN 21 通用 30V1.5A0.9W /A966 C2238 NPN 28 音频功放开关 160V1.5A25W100MHZ C2320 NPN 21 通用 50V0.2A0.3W200MHZ C2335 NPN 28 视频功放 500V7A40W C2373 NPN 28 功放 200V7.5A40W C2383 NPN 21 视频开关 160V1A0.9W /A NPN 大铁功放开关 600V50A400WC2481 NPN 29 音频功放开关 150V1.5A20W C2482 NPN 21 视频放大 300V0.1A0.9W C2500 NPN 21 通用 30V2A0.9W150MHZ C2594 NPN 29 音频功放开关 40V5A10W C2611 NPN 29 视频放大 300V0.1A1.25W C2625 NPN 30 音频功放开关 450V10A80W C2682 NPN 29 NF/Vid 180V0.1A8W C2688 NPN 29 视放管 300V0.2A10W80MHZ C2690 NPN 29 音频功放开关 120V1.2A20W C2751 NPN BCE 电源开关 500V15A120Wβ=40 C2837 NPN 30 音频功放开关 150V10A100W C2898 NPN 28 音频功放开关 500V8A50W C2922 NPN 43 音频功放开关 180V17A200W50MHZ /A NPN 12 开关管 Wβ=20 C3030 NPN BCE 开关管达林顿 900V7A80Wβ=15 C3039 NPN 28 电源开关 500V7A50Wβ=40 C3058 NPN 12 开关管 600V30A200W β=15 C3148 NPN C2500 NPN 21 通用 30V2A0.9W150MHZ C2594 NPN 29 音频功放开关 40V5A10W C2611 NPN 29 视频放大 300V0.1A1.25W C2625 NPN 30 音频功放开关 450V10A80W C2682 NPN 29 NF/Vid 180V0.1A8W C2688 NPN 29 视放管 300V0.2A10W80MHZ C2690 NPN 29 音频功放开关 120V1.2A20W150MHZ/A1220P C2751 NPN BCE 电源开关 500V15A120Wβ=40 C2837 NPN 30 音频功放开关 150V10A100W C2898 NPN 28 音频功放开关 500V8A50W C2922 NPN 43 音频功放开关 180V17A200W50MHZ /A NPN 12 开关管 Wβ=20 C3030 NPN BCE 开关管达林顿 900V7A80Wβ=15 C3039 NPN 28 电源开关 500V7A50Wβ=40 C3058 NPN 12 开关管 600V30A200W β=15 C3148 NPN 28 电源开关 900V3A40Wβ=15 C3150 NPN 28 电源开关 900V3A50Wβ=15 C3153 NPN 30 电源开关 900V6A100Wβ=15 C3182 NPN 30 功放开关 140V10A100Wβ=95/A NPN 21 高频放大 60V0.15A0.4W130MHZC3262 NPN BCE 达林顿功放 800V10A100W C3264 NPN BCE PA 功放开关 230V17A200Wβ=170/A NPN 30 音频功放开关 160V12A120Wβ=100 C3281 NPN 30 音频功放开关 200V15A150W30MHZβ=100 C3300 NPN 30 音频功放开关 100V15A100W β=600 C3310 NPN 28C 电源开关 500V5A40W C3320 NPN 28C 电源开关 500V15A80W β= 15 C3355 NPN 21F 高频放大 20V0.1A6500MHZ G C3358 NPN 40B 高频放大 20V0.1A7000MHZ C3457 NPN BCE 电源开关 Wβ=12 u N C3460 NPN BCE 电源开关 Wβ=12 C3466 NPN BCE 电源开关 Wβ=10 C3505 NPN 28B 电源开关 900V6A80W β=20 C3527 NPN BCE 电源开关 500V15A100Wβ=13 C3528 NPN BCE 电源开关 500V20A150Wβ=13 C3595 NPN 29 射频 30V0.5A1.2Wβ=90 C3679 NPN BCE 电源开关 900V5A100W6MHZ C3680 NPN BCE 电源开关 900V7A120W6MHZ C3688 NPN BCE 彩行 W C3720 NPN BCE 彩行 W C3783 NPN BCE 高压高速开关 900V5A100W C3795 NPN BCE 高压高速开关 900V5A2W8MHz C3807 NPN BCE 低噪放大 30V2A1.2W260MHZ C3858 NPN BCE 功放开关 200V17A200W20MHZ /A NPN BCE 高压高速开关 900V3A40W C3873 NPN BCE 高压高速开关 500V12A75W30MHZ C3886 NPN BCE 开关,行管 W8MHZ C3893 NPN 28B 行管 W8MHZ C3907 NPN 28B 功放开关 180V12A130W30MHZ C3953 NPN 29 视放 120V0.2A1.3W 4000MHZ C3987 NPN 28 达林顿 50V3A20W C3995 NPN BCE 行管 W 34 寸 C3997 NPN BCE 行管 W C3998 NPN BCE 行管 W C4024 NPN BCE 功放开关 100V10A35W 24MHZ C4038 NPN BCE 门电路 50V0.1A0.3W180MHZ C4059 NPN BCE 高速开关 600V15A130W 0.5/2.2US C4106 NPN BCE 电源开关 500V7A50W20MHZ?C4111 NPN BCE 开关行管 W C4119 NPN BCE 微波炉开关 W C4231 NPN 50C 音频功放 800V2A30W C4237 NPN BCE 高压高速开关 W30MHZ C4242 NPN BCE 高压高速开关 450V7A40W C4288 NPN BCE 行管 W8MHZ C4297 NPN BCE 电源开关 500V12A75W10MHZ C4429 NPN BCE 电源开关 W C4517 NPN BCE 音频功放 550V3A30W6MHZ C4532 NPN BCE C4582 NPN 28b 电源开关 600V15A75W20MHZ ON4673 NPN BCE ON4873 NPN BCE C4706 NPN BCE 电源开关 900V14A130W6MHz C4742 NPN 46 彩行 W(带阻尼) C4745 NPN 46 彩行 W { C4747 NPN 46 彩行 W C4769 NPN BCE 微机行管 W(带阻尼) C4913 NPN BCE 大屏视放管 A35W C4924 NPN BCE 音频功放 800V10A70W C4927 NPN BCE 行管 W C4927 NPN BCE SONY29&行管 W C4941 NPN BCE 行管 W 500/380NS C4953 NPN BCE 500V2A25W C5020 NPN BCE 彩行 W C5068 NPN BCE 彩行 W C5086 NPN BCE 彩行 W C5088 NPN BCE 彩行 W C5129 NPN BCE 彩显行管 W(带阻) C5132 NPN BCE 彩行 W C5144 NPN BCE 大屏彩行 W C5148 NPN BCE C5149 NPN BCE 高速高频行管 W(带阻) C5198 NPN BCE 功放开关 140V10A100W C5200 NPN BCE 功放开关 230V15A150W /A NPN BCE 彩行 W 原 C5243 NPN BCE 彩行 W 原 C5244 NPN BCE 彩行 WC5249 NPN BCE C5250 NPN BCE 开关 W C5251 NPN BCE 彩行 W C5252 NPN BCE 彩行 W C5294 NPN BCE C5296 NPN BCE 开关管 25&--34& 大屏彩显电源管 C5297 NPN BCE 开关管 25&--34& 大屏彩显电源管 C5331 NPN BCE 大屏彩显行管 W C5423 NPN BCE D40C NPN ECB 对讲机用 40V0.5A40W75MHZ(达林顿) D325 NPN BCE 功放开关 50V3A25W D385 NPN 11 达林顿功放 100V7A30W D400 NPN 21 通用 25V1A0.75W 8A D415 NPN 29 音频功放开关 120V0.8A5W D438 NPN 21 通用 500V1A0.75W100MHz D547 NPN 大铁功放开关 600V50A400W D560 NPN BCE 达林顿功放 150V5A30W D600K NPN 29 音频功放开关 120V1A8W130MHZ/B631K D637 NPN 39E 通用 60V0.1A150MHZ D667 NPN 21 视频放大 120V1A0.9W140MHZ/B647 D669 NPN 29 视频放大 180V1.5A1W140MHZ/D669 D718 NPN 30 音频功放开关 120V8A80W D774 NPN 39B 通用 100V1A1W /B734 D789 NPN 21 音频输出 100V1A0.9W D820 NPN 12 彩行 W D870 NPN 12 彩行 W RRRR D880 NPN 28 音频功放开关 60V3A10W D882 NPN 29 音频功放开关 40V3A30W D884 NPN 28 音频功放开关 330V7A40W D898 NPN 12 彩行 W D951 NPN 12 彩行 W D965 NPN 21 音频 40V5A0.75W D966 NPN 21 音频 40V5A1W D985 NPN 29 功放 150V1.5A10W D986 NPN 29 功放 150V1.5A10W D1025 NPN 28 达林顿功放 200V8A50W D1037 NPN BCE 音频功放开关 150V30A180W D1047 NPN 30 音频功放开关 160V12A100W /B817D1071 NPN 28 功放 300V6A40W D1163A NPN 28 行偏转用 350V7A40W60MHz D1175 NPN 12 行偏转用 W D1273 NPN 28 音频功放 80V3A40W50MHZ D1302 NPN 21 音频 25V0.5A0.5W200MHZ D1397 NPN BCE 开关 A50W3MHz D1398 NPN BCE 开关 W3MHz D1403 NPN 28B 彩行 W D1403 NPN 28B 彩行 W D1415 NPN 28B 功放电源开关 100V7A40Wβ=6000 达林顿 D1416 NPN 28B 功放电源开关 80V7A40Wβ=6000( 达林顿) D1426 NPN 28B 彩行 A80W D1427 NPN 28B 彩行 W D1428 NPN 28B 彩行 W D1431 NPN 28B 彩行 W D1433 NPN 28B 彩行 W D1439 NPN BCE 彩行 W D1541 NPN 28B 彩行 W D1545 NPN 28B 彩行 W D1547 NPN BCE 彩行 W D1554 NPN BCE 彩行 A80W D1555 NPN BCE 彩行 W D1556 NPN BCE 彩行 W D1559 NPN BCE 达林顿功放 100V20A100W D1590 NPN 28 达林顿功放 150V8A25W D1632 NPN 28B 彩行 W D1640 NPN 29 达林顿功放 120V2A1.2W D1651 NPN SP 彩行 W3MHZ D1710 NPN BCE 彩行 W D1718 NPN 28C 音频功放 180V15A3.5W20MHZ D1762 NPN BCE 音频功放开关 60V3A25W90MHZ D1843 NPN BCE 低噪放大 50V1A1W D1849 NPN 50A 彩行 W D1850 NPN 50A 彩行 W D1859 NPN 50A 音频 80V0.7A1W120MHZ D1863 NPN 50A 音频 120V1A1W100MHZ D1877 NPN 30 彩行 W(带阻尼) D1879 NPN 30 彩行 W(带阻尼)D1887 NPN 30 彩行 W D1930 NPN 21 达林顿达林顿 100V2A1.2W D1975 NPN 53A 音频功放 180V15A150W D1978 NPN 21 达林顿 120V1.5A0.9W D1980 NPN 61B 达林顿 100V2A10W D1981 NPN ECB 达林顿 100V2A1W D1993 NPN 45B 音频低噪 55V0.1A0.4W D1994A NPN ECB 音频驱动 60V1A1W D1997 NPN 45B 激励管 40V3A1.5W100MHZ D2008 NPN ECB 音频功放 80V1A1.2W D2012 NPN BCE 音频功放 60V3A2W3MHZ D2136 NPN ECB 功放 80V1A1.2W D2155 NPN 53A 音频功放 180V15A150W D2256 NPN 46 达林顿功放 120V25A125W D2334 NPN 28B 彩行 W D2335 NPN BCE 彩行 W D2349 NPN BCE 大屏彩显行管 D2374 NPN BCE D2375 NPN BCE D2388 NPN EBC 达林顿 90V3A1.2W D2445 NPN BCE 彩行 A120W D2498 NPN BCE 彩行 W D2588 NPN BCE 点火器用 DK55 NPN BEC 开关 400V4A60W BC307 PNP 21a 通用 50V0.2A0.3W BC327 PNP CBE 低噪音频 50V0.8A0.625W COM BC337 BC337 NPN 21a 音频激励低噪 50V0.8A0.625W COM BC327 BC338 NPN 21a 通用激励 50V0.8A0.6 BC546 NPN 21a 通用 80V0.2A0.5W BC547 NPN CBE 通用 50V0.2A0.5W300MHZ BD135 NPN 29 音频功放 45V1.5A12.5W BD136 PNP 29 音频功放 45V1.5A12.5W BD137 NPN 29 音频功放 60V1.5A12.5W BD138 PNP 29 音频功放 60V1.5A12.5W BD139 PNP 29 音频功