region-detail-title
供应场效应管W4N150
region-detail-gallery
用阿里巴巴客户端扫码
手机下单享受额外优惠
region-detail-property
享受会员价、淘宝数据等更多权益
手机下单更便宜
（15000个可售）
申请已发出！
已选0个/0.00元
一般情况下：
划线价格：划线的价格可能是商品的销售指导价或该商品的曾经展示过的销售价等，并非原价，仅供参考。
未划线价格：未划线的价格是商品在阿里巴巴中国站上的销售标价，具体的成交价格根据商品参加活动，或因用户使用优惠券等发生变化，最终以订单结算页价格为准。
活动预热状态下：
划线价格：划线的价格是商品在目前活动预热状态下的销售标价，并非原价，具体的成交价可能因用户使用优惠券等发生变化，最终以订单结算页价格为准。
未划线价格：未划线的价格可能是商品即将参加活动的活动价，仅供参考，具体活动时的成交价可能因用户使用优惠券等发生变化，最终以活动是订单结算页价格为准。
*注：前述说明仅当出现价格比较时有效。若商家单独对划线价格进行说明的，以商家的表述为准。
联系卖家：
交易勋章：
供应等级：
在线销售产品金额等级，彰显供应商在线销售服务能力
经营模式：
所在地区：
广东 汕头市潮南区
@88.com 版权所有region-detail-title
供应场效应管2SK
region-detail-gallery
用阿里巴巴客户端扫码
手机下单享受额外优惠
region-detail-property
享受会员价、淘宝数据等更多权益
手机下单更便宜
Hitachi/日立
（50000个可售）
申请已发出！
已选0个/0.00元
一般情况下：
划线价格：划线的价格可能是商品的销售指导价或该商品的曾经展示过的销售价等，并非原价，仅供参考。
未划线价格：未划线的价格是商品在阿里巴巴中国站上的销售标价，具体的成交价格根据商品参加活动，或因用户使用优惠券等发生变化，最终以订单结算页价格为准。
活动预热状态下：
划线价格：划线的价格是商品在目前活动预热状态下的销售标价，并非原价，具体的成交价可能因用户使用优惠券等发生变化，最终以订单结算页价格为准。
未划线价格：未划线的价格可能是商品即将参加活动的活动价，仅供参考，具体活动时的成交价可能因用户使用优惠券等发生变化，最终以活动是订单结算页价格为准。
*注：前述说明仅当出现价格比较时有效。若商家单独对划线价格进行说明的，以商家的表述为准。
联系卖家：
交易勋章：
交易勋章-AA级
供应等级：
在线销售产品金额等级，彰显供应商在线销售服务能力
经营模式：
所在地区：
&先生&（经理）
电&&&&&&话：
移动电话：
传&&&&&&真：
抱歉,公司地址无法被地图定位
地址因网络出错无法加载,请刷新页面试试
@88.com 版权所有YR场效应管 耗尽型n沟道MOS管-IRF630
&信息编号：2684167
供应商： 企业认证 报价：人民币￥820.00元每
种类绝缘栅(mosfet)所在地无锡新区硕放新宅路4号联系电话
手机号访问统计214次
产品详细介绍&【大量供应】yr场效应管 耗尽型n沟道mos管-irf630& irf640产品图片&&物流/快递说明【买家必读】一、特别提醒网络购物不同于商场购物，商场的产品在柜台处于静止状态几乎无损耗，中国幅员辽阔，网 购过程中一个包裹几乎都要经常飞机，汽车，火车成百上千公里的运输，才能到达顾客手中，中间避免不了会产生挤压，震动，摩擦，碰撞，造成包裹内产品或外包装变形 或者磨损，粗糙，当然我们会全力包装好产品，但有些时候实在无法避免，造成这样的情况请顾客谅解。如果您喜欢完美请到专柜购买。二、购物前：有任何问题，可以随时咨询哦，我们一定会耐心为你解答的。三、关于产品的价格有产品的价格都已经是我们能给出的最低价格，妨碍我们愉快的沟通，请各 位姐妹们口下留情，假如别家店比较优惠，建议上别家购买。四、索要额外赠品并以此相要挟寻求心灵安慰的顾客，请绕道而行，小店实难满足哦，并 将不予回复！五、买家拍下后：联系我们修改邮费，多拍一件就会自动多收取一个邮费。等我们把邮费修改好了，你确认无误了再付款～～六、买家付款后：在收货期间一定让电话保持开机，畅通状态，以免快递员不能及时联系到你哦~~七、到货签收时：在接收包裹前应该先检 查清楚东西再签收，（收包裹前准备一把小刀，轻松割开）.如发现商品缺少、配送有误、货物破损等问题并及时联系我们（快递单上有我们主管的电话）。因为您一旦签收， 然后发现问题再向快递索赔成功的可能性为0，缺货破损及时联系，我们会联系快递公司给您解决。个别地方快递公司得让收件人先签收再检查，遇到这种情况的 话，要注意啦，签字前和快递员说明好，要等你检查好了以后才能让快递员离开哦。如遇货有破损、数量不对等问题，让快递员在快递单上注明就好（之后快递公司通知我们）。 对于货物的损失，我们会全额赔付的。您收到包裹后有任何疑问都可以联系解决支付宝新规则：货物的缺失，损坏早交付(买家签收）之前由卖家承 担，交付（买家在运单上签字）之后由买家承担。另外：请各位顾客一定要验收后在确认签字,或签好字后当快递面检查后确认物品完整后在收,签后却说东西坏了或是物品不对 了,让我负责即使用评价威胁我,我也没办法帮你承担!只能和你说抱歉!八、关于快递慢，服务态度恶劣！这是一个网购中普遍的问题，快递行业在我们国家 处于一个起步发展期，各地区从业人员的素质高低不齐，所造成的服务优劣，实在无法控制（快递公司不是我们开的，我们无法控制），请顾客能够体谅。发货之前顾客可以提 醒我们尽可能使用自己满意的快递。有些时候快递公司自身的一些原因，会导致比较长的时间收到，快递公司不会承诺限时到达，这是也我们无法左右的！也请顾 客能够体谅！&公司简介&无锡亚伦科技有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园，毗邻太湖、紧靠环太湖高速公路、沪宁高速，距离南京、上海、杭州各200多公里，距苏州、常州三十多公里。公司生产面积12000多m² ，公司现有生产人员109名，集聚了大批优秀半导体人才，拥有本科以上专业人员18名，其中博士1名，硕士2名. 我们拥有全球领先的半导体制造设备，是专业从事半导体器件研发、制造、销售的高新技术企业。能够独立为用户提供从系统设计到方案解决等一系列的技术及产品服务。在功率器件和专用ic的研发技术和生产能力方面名列国内前列，特别是cmos、肖特基、可控硅、三端稳压等产品被国内外客户大量采用并赢得好评。公司研发和量产的120多个高质量的功率器件和集成电路品种已广泛应用于电动车、太阳能光伏、节能灯、汽车电器、摩托车电器、电源、电动玩具、音视频、家电等领域，并致力于不断改善人们的生活质量，努力成为中国领先的半导体器件供应商。&&本产品的
品牌为
YR，
型号是
IRF630IRF840，
种类为
绝缘栅(MOSFET)，
沟道类型是
N沟道，
导电方式为
耗尽型，
封装外形是
SMD(SO)/表面封装，
材料为
N-FET硅N沟道，
如果[YR场效应管 耗尽型n沟道MOS管-IRF630
IRF640 ]描述不够全，请联系我司获取详细资料，请说明是从顺企网看到的，会有更多优惠
相关链接：
& 本页链接：http://product.11467.com/info/2684167.htm
YR场效应管 耗尽型n沟道MOS管-IRF630
IRF640的文档下载：
无锡亚伦科技有限公司的其他产品1600.00元每个 品牌:YR 型号:BT153 控制方式:单向820.00元每个
种类:绝缘栅(mosfet)关于无锡亚伦科技有限公司 |
| 主要经营：MOS ; 肖特基 ; 可控硅 ; 三端稳压 ; 达林顿
本公司主要经营 MOS，肖特基，可控硅，三端稳压，达林顿等。公司秉承“顾客至上， ...
相关报价相关产品分类其他城市的耗尽型MOS管(N沟道)
免责声明：本站信息由企业自行发布，本站完全免费，交易请核实资质，谨防诈骗 &&&&
& 11467.com 顺企网版权所有
发布批发采购信息、查询企业黄页，上顺企网场效应管,耗尽型场mos效应管的工作原理-详解！！
信息来源：本站　日期：　
耗尽型场效应管
场效应管的主要参数除输入电阻RGS、漏极饱和电流IDSS、夹断电压UGS(off)和敞开电压UGS(th)外，还有以下重要参数：
（1）跨导gm。
gm表示场效应管栅、源电压UGS对漏极ID操控作用的巨细，单位是μA/V或mA／V。
（2）通态电阻。在断定的栅、源电压UGS下，场效应管进入饱满导通时，漏极和源极之间的电阻称为通态电阻。通态电阻的巨细决定了管子的开通损耗。
（3）最大漏、源击穿电压UDS(BR)。指漏极与源极之间的反向击穿电压。
（4）漏极最大耗散功率PDM。漏极耗散功率的最大值，是从发热角度对管子提出的限制条件。
场效应管的输入电阻很高，栅极上很容易堆集较高的静电电压将绝缘层击穿。为了防止这种损坏，在保存场效应管时应将它的3个电极短接起来；在电路中，栅、源极间应有固定电阻或稳压管并联，以确保有必定的直流通道；在焊接时应使电烙铁外壳良好接地。
耗尽型场效应管工作原理
耗尽型是指，当VGS=0时即构成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
耗尽型MOS场效应管，是在制造过程中，预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，在UGS=0时，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子，构成N型导电沟道。
当UDS&0时，将产生较大的漏极电流ID。假设使UGS&0，则它将削弱正离子所构成的电场，使N沟道变窄，从而使ID减小。当UGS更负，抵达某一数值时沟道消逝，ID=0。使ID=0的UGS我们也称为夹断电压，仍用UP表示。UGS&UP沟道消失，称为耗尽型。
N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET结构类似，只需一点不同，就是N沟道耗尽型MOSFET在栅极电压uGS=0时，沟道曾经存在。该N沟道是在制造过程中应用离子注入法预先在衬底的表面，在D、S之间制造的，称之为初始沟道。N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图1.（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS＝0时，这些正离子曾经感应出反型层，构成了沟道。于是，只需有漏源电压，就有漏极电流存在。
当VGS＞0时，将使ID进一步增加。VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID＝0。对应ID＝0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示，有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如图1.（b）所示。
(a) 结构表示图 　　　　　 & &　(b) 转移特性曲线
图1. N沟道耗尽型MOSFET的结构和转移特性曲线
由于耗尽型MOSFET在uGS=0时，漏源之间的沟道曾经存在，所以只需加上uDS,就有iD流通。假设增加正向栅压uGS，栅极与衬底之间的电场将使沟道中感应更多的电子，沟道变厚，沟道的电导增大。
假设在栅极加负电压（即uGS＜0＝，就会在相对应的衬底表面感应出正电荷，这些正电荷抵消N沟道中的电子，从而在衬底表面产生一个耗尽层，使沟道变窄，沟道电导减小。
当负栅压增大到某一电压Up时，耗尽区扩展到整个沟道，沟道完好被夹断（耗尽），这时即使uDS仍存在，也不会产生漏极电流，即iD=0。UP称为夹断电压或阈值电压，其值通常在–1V–10V之间N沟道耗尽型MOSFET的输出特性曲线和转移特性曲线分别如图2—60（a）、（b）所示。在可变电阻区内，iD与uDS、uGS的关系仍为
在恒流区，iD与uGS的关系仍满足式（2—81），即
若思索uDS的影响，iD可近似为
对耗尽型场效应管来说，式（2—84）也可表示为
式中，IDSS称为uGS=0时的饱和漏电流，其值为
P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完好相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
微信二维码
Copyright (C)2015 深圳市可易亚半导体科技有限公司
<meta name="360-site-verification" content="9e4b42dfb66ffa" /
<meta name="360-site-verification" content="9e4b42dfb66ffa" /豆丁微信公众号
君，已阅读到文档的结尾了呢~~
N沟道耗尽型场效应管的特性曲线测定,场效应管特性曲线,离心泵特性曲线的测定,n沟道耗尽型场效应管,耗尽型场效应管,伏安特性曲线,发动机外特性曲线,幅频特性曲线,三极管特性曲线,发动机万有特性曲线
扫扫二维码，随身浏览文档
手机或平板扫扫即可继续访问
N沟道耗尽型场效应管的特性曲线测定
举报该文档为侵权文档。
举报该文档含有违规或不良信息。
反馈该文档无法正常浏览。
举报该文档为重复文档。
推荐理由：
将文档分享至：
分享完整地址
文档地址：
粘贴到BBS或博客
flash地址：
支持嵌入FLASH地址的网站使用
html代码：
&embed src='http://www.docin.com/DocinViewer--144.swf' width='100%' height='600' type=application/x-shockwave-flash ALLOWFULLSCREEN='true' ALLOWSCRIPTACCESS='always'&&/embed&
450px*300px480px*400px650px*490px
支持嵌入HTML代码的网站使用
您的内容已经提交成功
您所提交的内容需要审核后才能发布，请您等待！
3秒自动关闭窗口