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闪迪酷铄 CZ73 USB 3.0 闪存盘 完美拆解
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本帖最后由 Hashimoto 于
12:51 编辑
其实这个盘的内部设计很简单，或者说是内部设计很有条理。
作为一个极客（这句是装B），我当初第一次见到CZ73时，一个是在想其性能如何，另一个就是在想这个盘的内部构造的怎么样的，怎么拆开它。
数码之家等论坛的人拆过了闪迪许多盘，其他论坛的我也看过有人拆CZ43，但是就是没有人拆过CZ73，这引起了我的好奇。
这个CZ73很难拆吗？不应该啊！我学习着ifixit，虽然没有X光机器，但是我有强光手电筒啊，关灯，点亮，观察，我看到了里面有一个金属导热片和黑胶贴着，
看来这就是不掉盘的关键了。闪迪CZ73是和闪迪CZ43和闪迪CZ48的其中一个版本一样的黑胶，只是CZ43上那个有一个红色的LED，而CZ73没有，
另外虽然三者速度不同，那也是因为开卡时进行了限制，为了保命，大家都知道eSLC、eMLC、eTLC降速保命吧，这个差不多，不过这个是为了防止发热，
发热大就有很大的几率会导致掉盘，也就是掉固件，使盘变得不稳定，所以闪迪想解决掉盘的问题就通过开卡限制了U盘的速度，速度慢了自然也就发热小了，
发热小了自然也就不会掉固件了，不会掉固件了自然也就稳定了，之前有SSD厂家也这么做过，比如浦科特的M6V，明明是东芝MLC闪存，SM2246EN主控，速度却那么差，明显是限制了速度。
闪迪CZ43的盘身基本都在USB里，虽然后面能露出来一点吧，所以速度被限制在了130MB/s，虽然我只是看了读取速度啊，但是读取的能力已经可以说明闪迪对其产品的定位了，
还有啊，我说的只是64GB和128GB版本的产品是读150MB/s，32GB及以下容量的CZ73还是读130MB/s，这就不是闪迪想控制了，是闪存的通道数CE数确实跟不上，速度自然也就跟不上...
还有啊，说一个我认为很有道理的事情啊，大家可以去京东等购物网站或是闪迪官网去看一下闪迪的那个U盘产品图，CZ88第一位，CZ80第二位，CZ73第三位，
之前还没出CZ43和CZ73的时候CZ48是第二位，而且这个表上面的USB3.0的盘，最上面的是终身质保且USB3.0的盘都提供数据恢复软件，越往下面的越低端，
很明显，闪迪是按照U盘的性能定位来排的这个表啊...当然我说的也只是我个人经过合理的分析之后推测出来的，仅供参考...
当初我手里正有一个CZ43，但是在经过几轮速度暴力测试之后（此处也不算暴力了，我说的暴力是对比一般用户根本不会进行我这么多的测试）
在我测试完部署WTG的时候挂掉了，掉盘了，掉固件了。大家都知道啊，这个闪迪的U盘只有闪迪CZ48的其中一个版本是采用群联PS2251-03（PS2303）主控的，
其他的盘都是采用闪迪自主研发的USB控制器的，然而闪迪做U盘主控的理念和群联当初的群联PS2251-01（PS2301）主控差不多，都是模仿SSD的原理提升U盘速度，
但是这两家还不一样，首先，群联模仿的是堆闪存使得多通道多CE在物理上提升速度，当然这个也是最直接的，而闪迪是在固件算法上进行模仿SSD的工作，提升速度，
但是实际表现虽然是群联的好，群联那个主控也是对外出售的，但是那个成本造价很高，一般只会被厂家用于其高端USB闪存盘上，比如东芝EX系列第一代，
群联DTHX30骇客神盘等。而闪迪这个主控是不出售的，只给自家的盘用，其实即使闪迪出售了估计也不会有厂家愿意用闪迪的方案，因为闪迪的主控和群里的主控4K速度都快，
但是seq速度闪迪的是很渣的，群联那个是seq速度那是相当牛X的，4K写入速度也能有1MB/s以上，当然了，群联前一段又推出了他们最新的U盘主控群联PS2251-08（PS2308），
然而seq速度是有很大提升，4k速度却创了历史新低啊！这么说吧，手机圈的朋友都知道美国高通公司吧，骁龙CPU，这个群联PS2251-01（PS2301）就像是当初的骁龙810，
而群联PS2251-08（PS2308）就像是最新推出的骁龙820，我说的像只是他们在自己领域对芯片的定位和芯片的处境啊，手机CPU和USB闪存控制器那还是不一样的。
好吧，废话说的太多了，重点就是，这货的价格明显是使用了TLC闪存，但是用了我大东芝的闪存，速度果然不一般。（闪迪和东芝合资建闪存厂，
闪迪CZ80的闪存有数码之家的坛友拆下来过，焊到别的主控板上开卡，量产工具居然提示是东芝闪存！实际上闪迪的闪存就是东芝的晶圆，就像镁光和英特尔的关系一样，
英特尔的闪存实际上都是镁光的晶圆，只不是打上不同的标就是不同的型号了，其规格都一样的。
好了，该说说怎么拆了...
首先，吧盘反过来，闪迪SANDISK字母那一面朝下放，如果桌子滑就找个东西垫着，然后用壁纸刀和小的一字螺丝刀吧尾部金属卡在塑料部分的那一片弄下来，
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注意，不是拿下来，拿下来就毁了，没法复原了，是要使得那个勾不勾在塑料部分上，然后金属部分和塑料部分就可以拆开了，然后映入眼帘的就是散热片，也可以理解为是配重片，
然后黑胶片就掉出来了，如我所料，果然是和闪迪CZ43和闪迪CZ48的其中一个版本一样的黑胶，只是CZ43上那个有一个红色的LED，而这个没有。
然后，我就惊喜了，果然如我当初所料，真的有散热片，或者说是配重片，就是通过这么一个散热片，闪迪CZ73才做到不掉盘的，速度限制最小还不掉盘...
我可以大胆的猜测一下，相同容量的版本，CZ73&CZ43&CZ48，我说的只是速度啊，发热当然也是了...
好吧，有说了一大堆废话，继续说重点...
然后就可以拆开了，那个配重可以拆下来，塑料部分中间有两个卡子，往中间掰，就可以把配重散热片取下来了...
总体来说闪迪这个盘的内部还是很精致的，外部嘛...呵呵了，亮面塑料容易有划痕，薄薄的拉丝铝合金金属片很容易有划痕也很容易损坏，外观上闪迪这个盘远不如三星的结实，
三星Bar那个不锈钢，我估计就算是车压过去都不会坏的，那是多么厚的不锈钢，这是多么薄的铝合金金属片...三星那个还防水...
不过三星的也是啊，尤其是三星的，闪迪的32GB及已下容量版本的4K速度还可以的，三星的非SD卡+读卡器的盘，也就是U盘主控的盘，都建议买64GB及以上容量版本的，
因为据我们了解三星32GB及以下容量版本的盘使用的并非64GB及以上容量版本的SM3267AB主控，而是使用更低端的SM3267AE主控，所以4K速度和seq速度都很差，
尤其是seq速度，SM3267AB在开始时可以达到读130MB/s，写110MB/s的成绩，而闪迪的能达到读130MB/s，写50MB/s的成绩，三星的4K写入速度有1.6MB/s吧，闪迪的却有2.5MB/s，
而且但是掉速之后三星和闪迪的4K速度基本没变，seq速度却统一掉到了读100MB/s，写10MB/s，神奇吧...使用体验上我用过三星Bar64GB版本会一卡一卡的，
闪迪CZ73虽然也会卡顿，但是要比三星Bar的好太多太多了...所以，如果你是外观控，那还是买三星Bar，不锈钢机身流光溢彩，比闪迪CZ73那个要漂亮太多了，
如果你是实用主义者，那还是买闪迪CZ73吧，虽然丑一点，但是性能在那摆着呢...
最后说一下啊，发这帖子真心不易啊...我家断网了，什么原因就不说了啊，坛主比较清楚...
然后其实还是要感谢坛主...感谢坛主的流量...坛主说费流量也要去论坛多发帖...
虽然费的是坛主的流量吧...这里情况复杂，不多说了，你们只要知道这帖子发的极其不容易就是了...
还好我用ACDSee Pro 8 (64-bit)压了一下，要不我手机拍的4K图片也传不上来...
把软件名字说全确实是为了装b，但是，我拍4K照片可不是，是为了有时候要录制视频素材，拍图片拍的质量高的可能直接影响到后期的处理...算了，不装b了...
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全网首拆啊，版主动手能力很强
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头像被屏蔽
小心把你的手划流血，绝对的技术流，可惜了这个U盘了。
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黑胶货，一旦坏掉就无解了； 闪迪的货，就算不坏，掉固件了也难整，没工具放。 至于LZ，你都拆了，也只能祈祷多用两年咯
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我没说的是，那个就相当于一个挂钩，拆完了还可以插回去复原，就是用螺丝刀或壁纸刀取下那个金属片勾在塑料部分的地方时可能会产生一些痕迹，其他的没什么，反正现在这盘我是装起来继续玩了…虽然个人比较强迫症，但还是妥协了…
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user 发表于
黑胶货，一旦坏掉就无解了； 闪迪的货，就算不坏，掉固件了也难整，没工具放。 至于LZ，你都拆了，也只能祈 ...
这货掉盘的几率要比cz43和cz48小的太多太多了，闪迪都敢放开速度，已经说明了这货里面那个金属散热片也是配重，把热都导走了，很管用…
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sandiskcz43 发表于
这么长我竟然看完了。cz43还有led灯？
CZ43有红色LED，CZ73没有LED
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lz牛逼，鉴定完毕
Powered by拆解三星的移动固态硬盘T3 探秘48层3D闪存
时间： 10:26:12
来源：快科技
编辑：xwgod
从CPU到GPU，从内存到显存再到闪存，各种芯片都在搞3D堆叠工艺，而堆叠最狠的，绝对是三星电子的3D V-NAND闪存。TechInsights最近拆解了三星新的48层3D V-NAND，被其精湛的工艺彻底征服了。拆解对象是三星新的移动固态硬盘T3 2TB，应用了2015年8月份发布的3D V-NAND TLC闪存颗粒，每个晶粒(Die)的容量为256Gb(32GB)，编号“K9AFGY8S0M”。这块硬盘PCB的正反面安装了四颗闪存芯片，编号“K9DUB8S7M”，每颗容量512GB，内部封装了16个我们想要探索的48层堆叠3D V-NAND晶粒。16颗晶粒相互堆叠以及采用传统线键合技术连接的封装横截面。这些晶粒的厚度只有40微米，是迄今所见封装中最薄的，相比之下三星上代32层堆叠3D V-NAND中的晶粒厚度约为110微米。另外，AMD R9 Fury X显卡所用海力士HBM显存的晶粒厚度约为50微米，三星TSV DDR4 DRAM晶粒的厚度约为55微米。40微米，可能已经逼近300毫米晶圆无需使用承载晶圆(carrier wafer)所能实现的最薄极限了。单独的一个256Gb晶粒，包括两个5.9×5.9毫米的闪存Bank，存储密度约为每平方毫米2600MB，而这还是21nm工艺实现的，相比之下三星16nm工艺平面型NAND闪存的密度只有每平方毫米740MB。这是闪存阵列部分的SEM(扫描式电子显微镜)横截面，可以看到其中有55个闸极层，包括48个NAND单元层、4个虚拟闸极、2个SSL、1个GSL。这是V-NAND顶部的更高倍数放大图作为对比的三星32层V-NAND TEM(隧道电子扫描显微镜)横截面V-NAND串联TEM平面图，可看到多个环形的分层三星16nm平面型NAND闪存阵列
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