DRAM、FLASH、DDR简介及其厂商一览
DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)。
2Flash内存
Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
3NOR Flash和NAND Flash
NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM(四倍资料率同步动态随机存取内存)的后继者(增加至八倍)，也是现时流行的内存产品规格。
主要特点：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 现在许多低端的显卡也有采用DDR3显存的
DDR，英文全称为：Dual Data Rate，是一种双倍速率同步动态随机存储器。严格的说，DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器，而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
简单来说，DDR4就是第二代内存的意思，目前不少智能手机与电脑都用上了新一代DDR4内存，它属于我们熟知的DDR3内存的下一代版本，带来了更低的功耗与更出色的性能。
1NAND flash和NOR flash
一、NAND flash和NOR flash的性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。
这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
1、NOR的读速度比NAND稍快一些。
2、NAND的写入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
二、NAND flash和NOR flash的接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
三、NAND flash和NOR flash的容量和成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
六、位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用
七、EDC/ECC算法
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
八、坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
九、易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
十、软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
2DDR与DDR2
DDR与DDR2区别一览表
3DDR2与DDR3
特性区别：
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装(Packages)
由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度(BL，Burst Length)
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。
4DDR3与DDR4
主要区别：
1、外观改变
DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电脑无法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台。
2、DDR4内存频率与带宽提升明显
频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。
带宽方面，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。
综合来看，DDR4内存性能最大幅度可比DDR3提升高达70%，甚至更高。
3、DDR4内存容量提升明显，可达128GB
上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。
4、DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低。上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。
1、金士顿科技（Kingston Technology）
总部：美国
官网：http://www.kingston.com/cn/
主营：系统指定内存、ValueRAM内存模组、HyperX玩家专用内存、存储卡、MicroSD卡。
2、记忆科技（Ramaxel）
总部：深圳
官网：http://www.ramaxel.com/
主营：记忆提供内存、固态硬盘（SSD）、闪存卡等全系列存储产品及解决方案。
3、威刚科技（ADATA Technology）
总部：台湾
官网：http://cn.adata.com/
主营：内存、闪存盘/闪存卡、SSD 固态硬盘及移动硬盘。
4、美光科技（Micron Technology）
总部：美国爱达荷州
官网：http://www.micron.com/
主营：DRAM、NAND快闪存储器和CMOS影像感测器，其它半导体元件和内存模组。
5、创见资讯（Transcend Information）
总部：台湾台北市
官网：http://www.transcendchina.com/
主营：各式存储器模块、存储卡、读卡机、U盘、数字音频播放器、外接式硬盘、固态硬盘、工业用产品与其他周边产品。
6、MA Labs
总部：美国硅谷
官网：http://www.malabs.com/
主营：处理器，存储设备，笔记本电脑，主板，显卡，显示器，无线网络，外壳，消费电子，软件等。
7、金泰克（Kimtigo）
总部：中国
官网：http://www.kingtiger.com.hk/
主营：电脑、服务器到播放器、手机等几乎所有的使用存储产品的设备。业务范围囊括DRAMModule，SSD，MicroSD，UFD等。
8、宇瞻科技（Apacer Technology）
总部：台湾
官网：http://www.apacer.com.cn/
主营：Flash与USB等行动存储产品。
9、海盗船内存（Corsair Memory）
总部：美国
官网：http://www.corsair.com/zh-cn
主营：随身盘Flash Voyager、电源供应器、PC组件及外围设备。
10、十铨科技（Team Group）
总部：台湾
官网：http://www.teamgroupinc.com/en/index.php
主营：存储器模组（Memory Module），各款存储卡（Memory Card），快闪盘（UFD），固态硬盘（SSD），移动硬盘（Portable Hard Drive）及工规记忆储存产品，亦接受国际知名大厂委外代工。
11、闪迪SanDisk
总部：美国
官网：http://www.sandisk.cn/
主营：SD/microSD卡，读卡器，无线存储，移动闪存盘，USB闪存盘，SSD，嵌入式存储产品等
12、芝奇gskill
总部：台湾
官网：http://www.gskill.com/
主营：笔记本/台式/MAC内存，SSD，内存卡，电脑外设周边等
13、金邦科技GEIL
总部：台湾
官网：http://www.geil.com.tw/zh_CN/
主营：DDR系列内存，SSD，存储卡等
14、光威Gloway
总部：加拿大
官网：http://www.gloway.com.cn/
主营：内存系列，SSD，USB闪存盘等
15、美商博帝科技(Patriot Memory)
总部：美国
官网：http://www.patriotmemory.com/
主营：DRAM，SSD，Flash等
16、盛创Kingmax
总部：台湾
官网：http://www.kingmax.com/
主营：SSD，U盘，存储卡，内存DRAM等
17、三星Sangsung
总部：韩国
官网：http://www.samsung.com/cn/home/
主营：SD/MicroSD卡，SSD，嵌入式存储等
18、东芝Toshiba
总部：日本
官网：http://www.toshiba.com.cn/index.html
主营：NAND闪存，MCP存储器，可移除存储媒介等
19、海力士Hynix
总部：韩国
官网：http://www.skhynix.com/
主营：DDR4/DDR3 SDRAM，电脑内存，图像存储器，嵌入式存储，NAND Flash等
20、英特尔Intel
官网：http://www.intel.cn/
主营：内存，嵌入式存储等
21、飞索半导体Spansion
总部：美国
官网：http://www.spansion.com/
主营：HyperFlash NOR闪存，串并行NOR闪存，MCP闪存，NAND闪存等
22、意法半导体ST
总部：瑞士
官网：http://www.st.com/
主营：NFC/RFID存储器和收发器，NVRAM，串口EEPROM等
23、力积电子Zentel
总部：台湾
官网：http://www.zentel.com.tw/
主营：利基型 DRAM、Flash 产品设计，制造与销售。
24、芯城ISSI
总部：加利福尼亚州圣何塞市
官网：http://www.issi.com
产品：高速和低功耗的SRAM和低,中密度的DRAM，等
25、赛普拉斯CYPRESS
总部：加利福尼亚州圣何塞
官网：http://china.cypress.com/
产品：无线、Microcontrollers (MCUs)、存储器、触摸感应、电源管理、时钟与缓冲器，等
官网：http://www.microchip.com/
产品：PIC8位单片机(MCU)和高品质的串行EEPROM，等
27、ADESTO
官网：http://www.adestotech.com/
产品：DataFlash(R)内存，融合串行闪存，EcoXiP(TM)系统加速内存和Mavriq(TM)和莫尼塔(TM)串行存储设备，等
28、华邦WINBOND
官网：http://www.winbond.com.tw/
产品：闪存（Code Storage Flash Memory）、利基型动态随机存取内存（Specialty DRAM）及移动随机存取内存（Mobile DRAM），等
29、旺宏MACRONIX
官网：http://www.macronix.com/
产品：NOR型快闪记忆体、NAND型快闪记忆体、e.MMC记忆体，等
30、来扬LYONTEK
官网：http://www.lyontek.com.tw/
产品：Asynchronous SRAM、DDR OPI RAM、LPDDR2 SDRAM、Audio Amplifier，等
32、南亚科NANYA
官网：http://www.nanya.com/
产品：标准型DRAM 、低功率行动DRAM、MCP、良裸晶KGD、车用与工规等级DRAM，等
33、长江存储YMTC
官网：http://www.ymtc.com/
产品：长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并着力发展大规模存储器。
34、华芯SCS
官网：http://www.scsemicon.com/
产品：USB3.0国密主控、SSD系列、高性能闪存系列，等
35、兆易创新GIGADEVICE
官网：http://www.gigadevice.com/
产品：NOR Flash、SPI NAND Flash、GD32系列32位通用MCU，等
36、复旦微FMSH
官网：http://www.fmsh.com/
产品：安全与识别芯片、智能电表、非挥发存储器、专用模拟电路、北斗导航，等
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Flash与内存的区别
& & & &&在嵌入式系统中，文件系统和pc的存储介质有些不同。PC 机中常用的是硬盘、内存、光盘和 U 盘等；嵌入式系统中文件系统常用的有 SDRAM, DDR-SDRAM ，NOR-FLASH ，NAND-FLASH ，SD 卡，U 盘和硬盘等，种类比PC 机要多，有些是两者都有使用；如内存，在PC 机上称为内存，在嵌入式系统中有多个名字，可以叫内存，也可以叫SDRAM 和DDR 。& & & & 内存（sdram或ddr）在嵌入式系统中可以用做文件系统的存储介质，内存在掉电的情况下，不能保持原有数据不变，所以基于内存的文件系统只能是临时的文件系统，可以用来保存临时的文件，不能用来保存需要永久记录的文件，好处是只存在内存之中动态变化，重起系统不会产生垃圾，而且SDRAM中的文件操作要比其它介质中的文件操作要快。内存目前常用的有两种 SDRAM 和DDR SDRAM ，使用SDRAM 需要CPU 提供SDRAM 接口控制器，使用DDR SDRAM 需要CPU 提供DDR SDRAM 接口控制器，两者最大的不同是DDR SDRAM 比SDRAM 至少快1 倍，这就意味着读取一个文件如果使用SDRAM 需要2 秒钟，使用DDR 就可能只需要少于1 秒钟。& & & & FLASH 是嵌入式系统最常用的文件系统存储介质，有两种类型 NOR 和NAND ，NOR FLASH 可以直接进行读操作，但写操作是按块而不是按字节来进行，不能直接写，需要通过命令来做控制；NAND FLASH 即不能直接进行读操作，也不可以直接进行写，读写都是按块来进行，都需要通过命令来做控制。比较而言NOR 比NAND 读速度要快些，NAND 比NOR 的单位密度要高，就是单片IC NAND-FLASH 可以有4GB(Byte) 的存储空间，NOR-FLASH 最多也只有1Gb(bit) 。NAND FLASH 通常有坏块，所以文件系统的设计相对复杂(需要对坏块进行处理)。当然最后体验（点）也不一样。需要指出的是FLASH 掉电可以保持文件不丢失。& & & &最后，在修改bootload等操作中，只能通过修改flash，来实现操作。&
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DDR_FLASH_tec 详细的讲解了当前流行的几种主要的NAND 接口特性，包括SDR、DDR SCM 单片机开发 238万源代码下载- www.pudn.com
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&详细说明：详细的讲解了当前流行的几种主要的NAND FLASH接口特性，包括SDR、DDR NAND FLASH-Detailed explanation of the current popular several major NAND FLASH interface characteristics, including SDR, DDR NAND FLASH
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买了一台安卓系统的车载导航一体机，看资料上说是DDR 1G和nand flash 8g,感觉内存还
买了一台安卓系统的车载导航一体机，看资料上说是DDR1G和nandflash8g,感觉内存还是可以的，毕竟市面上很多都是512m,本想着可以多安装几个程序的，但实际上安装程序大小不能超过1g,否则...
买了一台安卓系统的车载导航一体机，看资料上说是DDR 1G和nand flash 8g,感觉内存还是可以的，毕竟市面上很多都是512m,本想着可以多安装几个程序的，但实际上安装程序大小不能超过1g,否则就无法安装，提示内存已满，请删除应用，我很纳闷，1g应该是运行内存吧，怎么会成了应用程序的存储地，之后又到文件管理里面看了显示sdcard还有5.6g，真不知道这几个存储到底什么意思？下了个360手机助手，把应用程序安装位置改到了，sd,貌似还是不能解决，cpu是rk3066. 运行速度对车载来说还蛮快的，有懂的指点或者解释一下么？
答题抽奖
首次认真答题后
即可获得3次抽奖机会，100%中奖。
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运行的内存说是有1G，但毕竟系统肯定要消耗掉一部分的，8G的储存，除去车机自带的应用软件，还剩5.6G也很正常的
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编辑：北极风 关键字：&&&&
&&以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量，在2014年下半将导入英特尔工作站／伺服器以及高阶桌上型电脑平台，并与LP-DDR3记忆体将同时存在一段时间；至于 快闪记忆体也跨入1x奈米制程，MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式，提升可抹写次数(Program Erase；P/E)来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场，而C/P值高的TLC从随身碟、记忆卡的应用导向低阶SSD…DDR4伺服器先行& 2016超越DDR3成为主流处理器(CPU)、绘图晶片(GPU)运算效能随摩尔定律而飞快进展，加上云端运算、网际网路行动化浪潮下，持续驱动动态记忆体(Dynamic RAM；DRAM)的规格进化。从非同步的DIP、EDO DRAM，到迈向同步时脉操作的SDRAM开始，以及讯号上下缘触发的DDR/DDR2/DDR3/DDR4记忆体，甚至导入20奈米与新型态的Wide I/O介面以降低讯号脚位数与整体功耗。处理器速度与云端运算持续驱动动态记忆体规格的演变，从DIP、EDO、SDRAM到DDR/DDR2/DDR3/DDR4。Samsung/Micron/Intel& &DDR4记忆体将于2014H2优先导入工作站／伺服器以及高阶桌机平台。IntelDDR4较以往不同的是改采VDDQ的终端电阻设计，目前计划中的传输速率进展到3,200Mbps，比目前最高速的DDR3-2133传输速率快了50%，将来不排除直达4,266Mbps；Bank数也大幅增加到16个(x4/x8)或8个(x16/32)，这使得采x8设计的单一DDR4记忆体模组，容量就可达到16GB容量。而DDR4运作电压仅1.2V，比DDR3的1.5V低了至少20%，也比DDR3L的1.35V还低，更比目前x86 Ultrabook/Tablet使用的低功耗LP-DDR3的1.25V还要低，再加上DDR4首次支援深度省电技术(Deep Power Down)，进入休眠模式时无须更新记忆体，或仅直接更新DIMM上的单一记忆体颗粒，减少35%~50%的待机功耗。将来迈入20奈米制程时，会导入3D立体堆叠加矽钻孔(3D Stacks+TSV)封装技术，以及针对绘图晶片、行动装置提出低脚位数的Wide I/O，来提升DRAM记忆体单位容量与频宽。英特尔将分别把DDR4规格导入伺服器／工作站平台，以及最高阶桌上型电脑平台(High-End DeskTop；HEDT)。前者是伺服器处理器XEON E5-2600处理器(代号Haswell-EP)，搭配的DDR4记忆体为2,133Mbps(DDR4-2133)；后者则是预定第三季推出的8核心Intel Core i7 Extreme Edition处理器，同样搭配DDR4-2133记忆体，以及支援14组USB 3.0、10组SATA6Gbps的X99晶片组，成为2014第4季至2015年上半年英特尔最强悍的桌上型电脑平台组合。而超微(AMD)下一代APU(代号Carrizo)已延迟至2015年登场，但其记忆体支援性仍停留在DDR3。至于行动装置部份，安谋(ARM)针对伺服器市场打造的64位元Cortex-A57处理器核心，已预留对DDR4记忆体支援，而第三方IP供应商也提供了相关的DDR4 PHY IP。三星于2013年底宣布量产20奈米制程的4GB记忆体颗粒，将32GB的记忆体推向伺服器市场；2014年1月推出行动装置用的低功耗DDR4(LP-DDR4)。SK海力士在2014年4月宣布借助矽钻孔(TSV)技术，开发出单一DDR4晶片外观、容量达128GB。市场预料DDR4将与DDR3(DDR3L、LP-DDR3)等共存一段时间，预计到2016年才会超越DDR3而成为市场主流。业界也正观察，在一些非挥发性记忆体如相变记忆体(Phase-Change Memory；PCM)、磁阻记忆体(Magneto Resistive Memory；M-RAM)、电阻记忆体(Resistive Memory；RRAM)等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，DDR4将可能是末代的DDR记忆体，届时电脑与软体结构将会出现极为剧烈的变动。NAND Flash逼近制程物理极限& 以3D提升容量密度以浮闸式(Floating Gate)半导体电路所设计的NAND Flash非挥发性记忆体，随着Flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。Micron自家市场统计预测指出，从年总体NAND Flash容量应用的年复合成长率可达51%。2013年，美光(Micron)与SK Hynix两家晶圆厂，先后发表16nm制程的NAND Flash记忆体技术，而东芝(Toshiba)则在2014年直接跨入15nm制程，并推出相关NAND Flash记忆体晶片产品。NAND Flash传输速率，从2010年ONFI 2.0的133MB/s，eMMC v4.41的104MB/s；到2011年ONFI v2.2/Toggle 1.0规格，传输速率提升到200MB/s，eMMC v4.5拉高到200MB/s，UFS 1.0传输速率为2.9Gbps；2012年ONFI v3.0/Toggle v1.5提升到400MB/s，UFS v2.0传输速率倍增为5.8Gbps；预估到2015年，ONFI v4.x/Toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800MB/s、1.6GB/s。随着NAND Flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数(P/E Cycles)的缩减。SLC记忆体从3x奈米制程的100,000次P/E Cycles、4个ECC bit到2x奈米制程降为60,000 P/E、ECC 24bit。MLC从早期5x奈米制程10,000 P/E、ECC 8bit，到2x/2y奈米制程时已降为3,000 P/E、24~40个ECC bit。有厂商提出，eSLC、iSLC的记忆体解决方案，以运用既有的低成本的MLC记忆体，在单一细胞电路单元使用SLC读写技术(只储存单一位元的电荷值)，抹写耐用度提升到30,000次P/E，成本虽比MLC高，但性价比远优于SLC，可应用在IPC／Kiosk／POS系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。随着采用传统2D平面制程技术的NAND Flash即将濒临极限，NAND Flash大厂纷纷开始采用3D堆叠制程技术来增加密度。旺宏(Macronix)在2006年提出Multi TFT(Thin Film Transistor)的堆叠NAND设计概念，同年Samsung也发表Stacked NAND堆叠式快闪记忆体，2007年东芝发表BiCS，2009年东芝发表P-BiCS、三星发表TCAT、VG-NAND与VSAT，2010年旺宏发表VG TFT，2011发表PNVG TFT，同年Hynix也发表Hybrid 3D技术。2010年VLSI研讨会，旺宏公布以75奈米制程，TFT BE-SONOS制程技术装置的VG(垂直闸) 3D NAND技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。三星(Samsung)同样于2006年发表Stacked NAND，2009年进一步发表垂直通道TCAT与水平通道的VG-NAND、VSAT。2013年8月，三星发布首款名为V-NAND的3D NAND Flash晶片，采用基于3D CTF(Charge Trap Flash)技术和垂直堆叠单元结构，单一晶片可以集结、堆叠出128 Gb的容量，比目前20nm平面NAND Flash多两倍，可靠性、写入速度也比20nm制程NAND Flash还高。三星目前在3D-NAND Flash应用进度领先其他业者，V-NAND制造基地将以韩国厂与新设立的大陆西安厂为主。其V-NAND目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年第四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料中心制造商进行测试。东芝(Toshiba)以2009年开发的BiCS—3D NAND Flash技术，从2014年第二季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z奈米技术的Flash产品。为了后续3D NAND Flash的量产铺路，东芝与新帝(SanDisk)合资的日本三重县四日市晶圆厂，第二期工程扩建计划预计2014年Q3完工，Q3顺利进入规模化生产。而SK海力士与美光(Micron)、英特尔(Intel)阵营，也明确宣告各自3D NAND Flash的蓝图将接棒16奈米，计划于2014年Q2送样测试，最快于年底量产。由于3D NAND Flash记忆体的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2D平面NAND Flash需要更长时间，且在应用端与主晶片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3D NAND Flash晶片将以少量、限量生产为主，对整个行动装置与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。行动装置的快闪记忆体容量、速率进展行动装置所需要的GB储存容量，据估计每部手机搭配的NAND Flash容量，将从GB增加到2015年的25.1GB；每部平板电脑搭配NAND Flash容量，从28.7GB增加到2015年的96.1GB。eMMC(embedded MultiMedia Card)是JEDEC协会所推出泛用的储存媒体规范，其藉由将MMC Controller跟NAND Flash封装成一颗晶片的方式，行动装置无须顾虑着NAND Flash制程与规格的改变，与新世代NAND Flash搭配的快闪记忆体控制晶片与韧体的搭配，进而简化体积与电路设计。2013年全球有4.5亿部行动装置均使用eMMC。而Universal Flash Storage(UFS)将以往eMMC安全、低功耗、小尺寸封装的应用，融合目前SSD所使用到的高速串列介面技术，目前UFS 1.1规格传输速率达到3Gbps，未来UFS 2.0将可进一步达到6Gbps。因UFS跟既有的eMMC介面迥然不同也无法相容，相关产业供应链尚未齐全，整个产业生态尚未建立，UFS产品预估2014年才有小量产品出现在市面上，且因成本因素会瞄准在高阶市场，UFS与eMMC两者届时会并存在市场上一阵子。
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结果，甚至还要加上学习和校对的过程，全部过程几乎在眨眼之间，这就离不开三星Galaxy S9丨S9+所搭载的DDR4 RAM的快速反应。因为RAM的角色决定了它是具有短期记忆和快速存取的能力，这些对于图像识别和机器学习都是至关重要的。这只是RAM与机器学习配合的一个典型场景，在智能手机讲究“体验为王”的今天，VR、AR、流媒体视频、在线直播、大型网游等等任何手机的反馈处理都需要在毫秒之间做出反应，多耽误半秒都会以“体验不佳”为由被甩在对手后面，所以智能手机、平板、车载设备内置的高速RAM成为了这一场速度战争的“主力武器”。&速度竞赛的领跑者&&DDR内存从诞生之初在21年的时间里已经走过了5代的发展历程，公平
2018 年 6 月 12 日，北京——是德科技（NYSE：KEYS）宣布推出首款 DDR51 和 LPDDR52 协议调试和验证解决方案。作为一家领先的技术公司，是德科技帮助企业、服务提供商和政府加速创新，创造一个安全互联的世界。这些解决方案与 Keysight U4164A 逻辑分析仪搭配使用，将使企业服务器、移动设备和无线设备的设计人员能够调试和测试 DDR5 和 LPDDR5 系统，以及验证协议的一致性。业界广泛采用 5G 新空口（NR）标准，这要求数据服务器和移动设备提供更高的数据速率和性能，并支持更低的功耗。DDR5 存储器具有更大的带宽，性能也大幅提升，能够满足下一代云服务器的需求，为 5G 用例提供有力支持
集微网消息，三星电子今天宣布，已开始大规模生产业内首款用于游戏笔记本电脑的单条32GB DDR4 SoDIMM（小型双列直插式内存模块）内存。新的SoDIMM内存基于10纳米工艺技术，能够显着提高容量和速度的同时并降低能耗。SoDIMM，即小型双列直插式内存模块。它是一种类型的计算机内存模组。相对于DIMM来说，SO-DIMM具有更小的外形尺寸（大致是正常DIMM尺寸的一半）。因此，SO-DIMM主要用于笔记本电脑等一些对尺寸有较高要求的使用场合。新的内存模组容量达到32GB单条，频率2666MHz，结构上是由16个16Gb DDR4 DRAM芯片组成。三星称，新品取代的是2014年推出的20nm级16GB SoDIMM模组，后者
三星电子今天宣布，已开始大规模生产业内首款用于游戏笔记本电脑的单条32GB DDR4 SoDIMM（小型双列直插式内存模块）内存。新的SoDIMM内存基于10纳米工艺技术，能够显着提高容量和速度的同时并降低能耗。SoDIMM，即小型双列直插式内存模块。它是一种类型的计算机内存模组。相对于DIMM来说，SO-DIMM具有更小的外形尺寸（大致是正常DIMM尺寸的一半）。因此，SO-DIMM主要用于笔记本电脑等一些对尺寸有较高要求的使用场合。新的内存模组容量达到32GB单条，频率2666MHz，结构上是由16个16Gb DDR4 DRAM芯片组成。三星称，新品取代的是2014年推出的20nm级16GB SoDIMM模组，后者的单芯片容量
集微网消息，近日，紫光国芯股份有限公司证券简称由“紫光国芯”变更为“紫光国微”后，迎来了不少投资者调研，紫光国微副总裁杜林虎和董秘阮丽颖接待并回答投资者提问时称，公司在DRAM存储器芯片产品方面加大投入，DRAM存储器芯片及相关内存模组产品已形成完整的系列，目前DDR3是主流产品，DDR4有望在今年内完成开发，但受制于后端制造产能的限制，出货量不会很大。另外，紫光国微智能终端安全芯片未来在物联网、人工智能等方面会有更多的发展机会，公司新研发的mPOS主控安全芯片也将是智能终端芯片业务新的增长点。以下是紫光国微与投资者问答：1、投资者问：请介绍一下公司智能安全芯片业务的情况？紫光国微：公司智能安全芯片业务主要包括智能卡安全芯
近日，紫光国芯股份有限公司证券简称由“紫光国芯”变更为“紫光国微”后，迎来了不少投资者调研，紫光国微副总裁杜林虎和董秘阮丽颖接待并回答投资者提问时称，公司在DRAM存储器芯片产品方面加大投入，DRAM存储器芯片及相关内存模组产品已形成完整的系列，目前DDR3是主流产品，DDR4有望在今年内完成开发，但受制于后端制造产能的限制，出货量不会很大。另外，紫光国微智能终端安全芯片未来在物联网、人工智能等方面会有更多的发展机会，公司新研发的mPOS主控安全芯片也将是智能终端芯片业务新的增长点。以下是紫光国微与投资者问答：1、投资者问：请介绍一下公司智能安全芯片业务的情况？紫光国微：公司智能安全芯片业务主要包括智能卡安全芯片和智能终端安全芯
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