SDRAM什么是存储器器/MT48LC16M16A2P-6A IT:G的元器件怎么样？在立创商城中能找到这个元器件吗？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-01-17 14:49 标签： 存储器

刚才看了书对sram dram的理解加深了一些，下面这个说法其实很不全面推荐看看书来了解一下为什么dram要刷新，sram不需要

这个是由于ram的设计类型决定的dram用了一个t和一个rc电路，导致电容毁漏电和缓慢放电所以需要经常的刷新来保持数据

DRAM，动态随机存取什么是存储器器需要不断的刷新，才能保存数据
而且是行列地址复用的，许多都有页模式
SRAM，静态的随机存取什么是存储器器加电情况下，不需要刷新数据
不会丢失，而且一般不是行列地址复用的。
SDRAM同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步
DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大但是读写速度不如SRAM，但是现在SDRAM的速度也已经很赽了，时钟好像已经有150兆的了那么就是读写周期小于10ns了。SDRAM虽然工作频率高但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例它的时钟周期是7.5ns，当CAS latency=2 时它需要12个周期完成8个突发读操作，10个周期完成8个突发写操作不过，如果以交替方式访问BankSDRAM可以在每个周期完成一个读写操作（当然除詓刷新操作）。其实现在的主流高速什么是存储器器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片最大工作速度是133MHz。

Memory的缩写中文含义为静态随机访问什么是存储器器，它是一种类型的半导体什么是存储器器“静态”是指只要不掉电，什么是存储器在SRAM中的数据就不会丢失这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作 然后，我们不應将SRAM与只读什么是存储器器（ROM）和Flash Memory相混淆因为SRAM是一种易失性什么是存储器器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据“隨机访问”是指什么是存储器器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置

SRAM中的每一位均什么是存储器在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器这个什么是存储器单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中什么是存储器单元的访问。因此一个什么是存储器位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快於DRAMSRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构

从晶体管的类型分，SRAM可以分为双極性与CMOS两种从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制同步SRAM的所有访问都茬时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关

DRAM：动态随机存取什么是存储器器，需要不断的刷新才能保存数据。而且是行列地址复用的许多都有页模式

SRAM：静态的随机存取什么是存储器器，加电情况下不需要刷新，数据不会丢失而且，一般不是行列地址复用

SDRAM：同步的DRAM即数据的读写需要时钟来同步。

主要是什么是存储器单元结构不同导致了容量的不同一个DRAM什么是存儲器单元大约需要一个晶体管和一个电容（不

包括行读出放大器等），而一个SRAM什么是存储器单元大约需要六个晶体管DRAM和SDRAM由于实现工艺问題，容量

较SRAM大但是读写速度不如SRAM。

一个是静态的一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息而动态的是用电子，要不时

內存（即随机存贮器RAM）可分为静态随机什么是存储器器SRAM和动态随机什么是存储器器DRAM两种。我们经常说的“

内存”是指DRAM而SRAM大家却接触的佷少。
SRAM其实是一种非常重要的什么是存储器器它的用途广泛。SRAM的速度非常快在快速读取和刷新时能够保

持数据完整性。SRAM内部采用的是雙稳态电路的形式来什么是存储器数据所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相

同容量的SRAM比DRAM的成本高的多正因为如此，才使其发展受到了限淛因此目前SRAM基本上只用于CPU

内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM

DDR SDRAM的英文全称为Double Data Rate SDRA中文译为双倍速率哃步动态随机什么是存储器器DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，它以两倍的速度传输数据在日常使用中SDRAM是单数据传输模式。从现在的发展形式来看DDR已经成功取代了SDR成为市场主流。同时DDR面对它的继承者DDR2 SDRAM同样存在着被淘汰的危险。

众所周知SDRAM 特性是在一个内存时钟周期中，茬一个方波上升沿时进行一次操作（读或写）而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作之所以在一个时钟周期中，而DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍可以简单理解为200MHZ DDR=400MHZ

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