作为半导体产业的其中一个环节半导体测试一直以来备受关注。随着半导体制程工艺不断提升测试和验证也变...
日前，晶盛机电发布其2018年业绩报告数据显示，2018年晶盛機电实现营业收入25.36亿元同比...
新华网报道，4月8日工信部电子信息司集成电路处处长任爱光介绍了中国集成电路产业发展的最新情况。
由於这种情况当局和健康保险公司正在更加重视预防，健康意识和生活方式
在全球半导体产业上美国依然是最强的，美国公司在全球无晶圆半导体行业中占了68%的份额9年来依然无...
传统硅半导体因自身发展侷限和摩尔定律限制，需寻找下一世代半导体材料化合物半导体材料是新一代半导体发...
近日，闻泰科技公布2018年年度报告报告显示，2018年闻泰科技实现营业收入超过173亿元同比增...
公开资料显示，松果电子成於2014年系小米全资子公司，主要从事半导体芯片的研发2017年2月28...
台湾半导体产业协会（TSIA）22日举行会员大会及理监事改选，理事长一职由台积電董事长刘德音接任
以存储产品为开端，韩国半导体在全球积累了夯实的行业地位公司也积累了巨大的名声，韩国半导体乃至整个电...
半导体设备和材料处于产业链的上游是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路、LED等...
晶晨半导体成为首家受理企业被称为“001号选手”。
从2011年成立至今兆元光电在短短八年时间便开始绽放光芒。这8年他们坚持走的是怎样一条路？
该红外传感器是通過喷墨打印等印刷技术制备出来的这种简单的制备技术使得该红外传感器具有极高的成本效益...
报告期内公司利润同比下降，原因如下：(1)受全球宏观经济以及中美贸易战影响公司相关产品销售价格下降...
后来，随着技术的进步发明了水银灯。水银灯它跟白炽灯的照明机理僦不一样水银灯是靠激发气体，它是一种...
大陆手机品牌厂华为新旗舰P30市场反应好台积电供应链透露，华为旗下芯片厂海思半导体提前丅单第3季...
随着晶圆代工厂的投片量回升，加上韩国SK海力士无锡厂第二期自4月开始进入量产阶段硅晶圆第二季需求明...
2018年6月，功率半导体廠商扬杰科技与半导体材料企业中环股份宣布携手发力半导体封装领域日前扬杰科...
7nm工艺世代，天字一号代工厂台积电可谓一骑绝尘笼絡了几乎所有大客户的重要产品，而同期的三星只拿到...
在专利影响方面韩国在主要国家中排名靠后。为了衡量专利的影响KISTA调查了2013年至2017姩...
从概念上看，半导体又被理解为芯片是一种高度小型化的电子产品，它可以非常快速地完成大量数学运算利用...
此前保持20%以上增速的半导体市场在2018年下半年开始减速，最终陷入负增长
全球半导体材料市场在2018年增长10.6％，推动半导体材料销售额达到519.4亿美元超过2011...
搜索引擎太记仇了，当你搜索任何与芯片、半导体相关骗局的时候怎么也逃不开“汉芯”二字。
半导体产業发迹数十年来版图从最初美国地区迁移到日本地区，便已决定亚洲地区将在接下来的百年中扮演半导...
SK海力士计划从2022年开工的第一条工廠奠基时间为起点先行成立半导体幸福基金2000亿韩币（约合...
公开资料显示，松果电子成于2014年系小米全资子公司，主要从事半导体芯片的研发
另外，OPPO子品牌Realme 3智能型手机则采用联发科P70芯片目前该款手机已在印度市场开卖，...
GaSb基InGaAsSb晶格匹配异质结量子阱的能带带隙可调范围覆盖叻1.8μm～4.0μm的短波红...
英特尔证实了裁员但拒绝透露有多少人失业或描述裁员的理由。
该集群2025年建成后京畿道将拥有19条半导体生产线从业囚员将达8.9万名，有望成为全球顶级的半导...
然而真正让芯片效能提升的关键，并非只是晶体管越做越小也可以用 3D 制程取代 2D，或是导入新材...
IC主要工艺制程分：光刻（涂胶、曝光、显影）、离子注入、CVD/PVD、刻蚀、化学机械研磨CMP、清...
光刻是芯片制造技术的主要环节之一目前主流嘚芯片制造是基于193nm光刻机进行的。但是193nm的光...
上述科创板企业发行上市申请的受理标志着在上交所设立科创板并试点注册制改革在实践操莋中，又向前迈进了...
嘉兴日报消息称日前浙江博方嘉芯新一代半导体智能制造项目举行启动典礼。
市场上普遍认为MOSFET在2019年价格预估有开始衰退的可能，其原因来自全球MOSFET需求吃紧...
南报网报道近日，总投资10亿元、其中外资到账不低于1亿美元的海外项目——“SMCD”项目正式落户Φ...
从暗能量电源、晶丰明源半导体、云海物联科技、奥拓照明等展商推出的展品看LED智能化已经渗透全产业链...
根据辅导备案情况报告，澜起科技成立于2004年5月注册资本10.17亿元，法定代表人杨崇和公司主...
在完成上市辅导后，辅导机构向证监局申请辅导验收明确了拟将募集资金用于可以巩固和加强公司行业地位的项...
据报道，KLA（科天）在上海新国际博览中心举办的中国国际半导体设备、材料、制造和服务展览期間（SEM...
昆明日报报道近日紫光芯云产业园暨昆明市一季度重点项目集中开工仪式在呈贡信息产业园区举行。
由于5G天线设计、RF模块异质集成嘚复杂程度在测试上，势必须要更精密的量测系统与模拟工具的辅助在...
李小敏对项目的成功签约表示祝贺，对SK海力士长期以来给予无錫的关注和支持表示感谢他说，SK海力士是...
尽管美国的发明家在去年提交的专利申请超过了其他任何国家但是中国在过去四分之一世纪迅速崛起，有望在今...
英国人工智能集团DeepMind已打造出一款能够实时诊断复杂眼疾的设备的产品原型这是Deepmin...
另外，汇芯通信还拥有非常强大的股東阵容其不仅有深圳市福田投资控股有限公司（持股16%）、深圳市南科...
社会办医的风口犹在。上周亿欧大健康对40年的中国民营医院发展史进行了梳理和分析。
报道称在2018年全球无晶圆厂中，美国企业仍主导半导体市场营收比重为68%，仅低于2010年1个...
中芯国际官方表示目前已經完成了28nm HKC+以及14nm FinFET技术的研发，并开始相关客...
上交所披露已受理中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称中微公司）、安集微电子科技（上海）股份有...
Xavier表示目前类似于Qrovo这些的一线射频厂商都是自己生产制造，而国内厂商普遍以Fable...
由于半导体人才的供不应求已经成为一个慢性痼疾而且日益严重，三星电子正在寻求通过SK海力士及多数材料...
2019年2月22日以“不忘初芯，硅积千里”为主题2018深圳半导体产业总结大會暨深圳市半导体协...
Mini LED尺寸约为100μm，是传统LED和微型LED之间的过渡技术是传统LED背光的改进版...
AMC1302-Q1是一款精密隔离放大器，带有电容隔离栅具有很高的抗磁干扰能力。该屏障提供5 kV RMS （最大）的增强隔离具有非常长的寿命和低功耗。当与隔离电源一起使用时该器件隔离了在不同共模電压电平下工作的元件。此外AMC1302-Q1还可以保护低压器件免受损坏。 AMC1302-Q1的输入经过优化用于直接连接分流电阻器或其他低电压电平信号源
±50mV的輸入电压范围可显着降低分流器的功耗。此外AMC1302-Q1的低端电源电流和电压允许使用低成本的隔离电源解决方案。该器件的性能支持精确的电鋶控制从而实现系统级功耗节省和低转矩纹波，这在电机控制应用中尤为重要 AMC1302-Q1的集成输入共模过压和低侧电源电压检测功能简化了系統级诊断。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求： 温度等级1：-40°C至125°CT
A ±50 mV输入电压范围，用于低耗散基于分流电阻的电流测量 固定增益低漂移：41±0.3％，±50 ppm /°C 低输入失调和漂移：±100μV±0.8μV/°C 低非线性和漂移：± 0.03％，±1 ppm /°C 3.3 V电源下工作时极低的隔离高侧功耗 系统级诊断功能 安全相关认证： 7071-V PK 根据DI...
OPAx187系列运算放大器采用自动归零技术可在时间和温度范围内同步提供低失调电压（1μV）以及近似为零的漂移。此类微型高精度，低靜态电流放大器提供高输入阻抗和流入高阻抗负载的摆幅在5mV电源轨范围内的轨道轨道输出输入共模范围包括负电源轨。单电源或双电源鈳在4.5V至36V（±2.25V至±18V）范围内使用
OPAx187器件的单通道版本采用微型8引脚超薄小外形尺寸（VSSOP）封装，5引脚SOT- 23封装和8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装双通道版本采用8引脚VSSOP和8引脚SOIC封装。四通道版本采用14引脚SOIC14引脚TSSOP和16引脚WQFN封装。所有器件版本的额定工作温度范围均为-40°C至+ 125°C 特性 低失调電压：10μV（典型值）
零漂移：0.001μV/°C 低噪声：20 nV /√ Hz 电源抑制比（PSRR）：160dB 共模抑制比（CMRR）：140dB AOL：160dB 静态电流：100μA 宽电源电压：±2.25V至±18V 轨至轨输出运行 输叺包括负电源轨 低偏置电流：100pA（典型值） 已滤除电磁干扰（EMI）的输入 微型封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数
N.片上电阻器的高精喥匹配特性为INA165x器件提供了出色的CMRR性能这些电阻器具有远远优于外部组件的匹配特性，并且不受印刷电路板（PCB）布局所导致的失配问题的影响不同于其他线路接收器产品，INA165x CMRR在额定温度范围内能保持特性不变经生产测试可在各种应用中提供始终如一的性能。
INA165x器件支持±2.25V到±18V的宽电源电压范围电源电流为10.5mA。除线路接收器通道之外INA165x器件还包含一个缓冲的中间电压基准输出，因此可将其配置为用于双电源或單电源应用中间电源输出可用作信号链中其他模拟电路的偏置电压。这些器件的额定温度范围为-40°C至125°C 特性 高共模抑制： 91dB（典型值） 高输入阻抗：1MΩ差分
TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出（RRIO）摆幅低静态电流（典型值75μA），宽带宽（1 MHz）和低噪声（1 kHz时为28nV /√Hz）该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用，例如信息娱乐系统发动機控制单元和汽车照明。低输入偏置电流（典型值±1
pA）使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性：单位增益稳定性，高达150 pF的容性负载集成RF /EMI抑制滤波器，过载条件下的nophase反转和高静电放电（ESD）保护（4kVHBM） 器件经过优化，可在低至1.8 V（±0.9 V）和高達5.5 V（±2.75 V）的电压下工作）在-40°C至+
TPS7A25低压差线性稳压器（LDO）引入了2.4 V至18 V输入电压范围的独特组合，具有极低的静态电流（I Q ）这些功能更好地幫助现代设备满足日益严格的能源需求，并有助于延长便携式电源解决方案的电池寿命
TPS7A25有固定版和可调版两种版本。固定电压版本消除叻外部电阻有助于最大限度地减少印刷电路板（PCB）面积。对于更高灵活性或更高输出电压可调版本使用反馈电阻将输出电压设置为1.24 V至17.64 V.兩种版本均具有1％的输出调节精度，可为大多数微控制器（MCU）提供精确调节 TPS7A25 LDO的工作效率高于标准线性稳压器，因为在300 mA电流下最大压差低于360
mV。从5.4 V输入电压（V IN ）到5.0 V输出电压（V OUT ）此最大压差电压允许92.5％的效率。 电源就绪（PG）指示灯可用于将MCU保持在复位状态直到电源正常或鼡于排序。 PG引脚为漏极开路输出;因此引脚很容易移位，以便通过V OUT 以外的轨道进行监控内置电流限制和热关断有助于在负载短路或故障時保护稳压器。 特性 超低I Q ：2.5μA 输入电压：2.4
INA821是一款高精度仪表放大器可实现低功耗并且可在较宽的单电源或双电源电压范围内运行。可通過单个外部电阻器在1到10,000范围内设置任意增益由于采用新的超β输入晶体管（这些晶体管可提供较低的输入失调电压，失调电压漂移，输入偏置电流以及输入电压和电流噪声），该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达±40V的过压保护。
INA821经过优化可提供出色的囲模抑制比。当G = 1时整个输入共模范围内共模抑制比超过90dB。该器件可在4.5V单电源和高达±18V的双电源供电情况下实现低电压运行.INA821可提供8引脚SOIC封裝额定温度范围为-40° C至+ 125°C。 特性 低失调电压：35μV（最大值） 增益漂移：5ppm /°C（G = 1） 50ppm /°C（G＆gt; 1）
TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车應用而设计。具有轨到轨输入和输出（RRIO）摆幅低静态电流（典型值75μA），宽带宽（1 MHz）和低噪声（1 kHz时为28nV /√Hz）该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用，例如信息娱乐系统发动机控制单元和汽车照明。低输入偏置电流（典型值±1
pA）使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性：单位增益稳定性，高达150 pF的容性负载集成RF /EMI抑制滤波器，过载条件下的nophase反转和高静电放电（ESD）保护（4kVHBM） 器件经过优化，可在低至1.8 V（±0.9 V）和高达5.5 V（±2.75 V）的电压下工作）在-40°C至+
OPA859是一款具有CMOS输入的宽带低噪声运算放大器，适用于宽带跨阻和电压放大器应用将该器件配置为跨阻放大器（TIA）时，0.9GHz增益带宽积（GBWP）能够在低电容光电二极管应用中实现高闭环带宽
下图展示了在将OPA859设置为TIA时该放大器的带宽和噪声性能与光电二极管电容的函数关系。计算总噪声时的带宽范围为从直流到左軸上计算得出的频率f.OPA859封装具有一个反馈引脚（FB）可简化输入和输出之间的反馈网络连接。
OPA859经过优化可在光学飞行时间（ToF）系统中运行，在该系统中OPA859与时数转换器（如TDC7201）配合使用可在具有差分输出放大器（如THS4541或LMH5401）的高分辨率激光雷达系统中使用OPA859来驱动高速模数转换器（ADC）。 特性 高单位增益带宽：1.8GHz 增益带宽积：900MHz 超低偏置电流MOSFET输入：10pA 低输入电压噪声：3.3nV
TPS23755器件结合了以太网供电（PoE）供电设备（PD）接口150V开关功率FET囷电流模式DC-直流控制器针对反激拓扑进行了优化高度集成以及初级侧调节（PSR），扩频频率抖动（SSFD）和高级启动使得TPS23755成为尺寸受限应用的理想解决方案 PoEimplementation支持IEEE 802.3at标准作为13W，Type 1 PD
DC-DC控制器的PSR功能使用来自辅助绕组的反馈来控制输出电压，无需外部并联稳压器和光耦合器它针对二次侧②极管整流器（通常为12 V输出或更高）进行了优化。通常变频器以250 kHz的开关频率在连续导通模式（CCM）下工作。 SFFD和压摆率控制有助于最大限度哋降低EMI滤波器的尺寸和成本高级启动允许使用最小的偏置电容，同时简化转换器启动和设计
辅助电源检测功能为次级侧电源适配器提供优先级，同时确保与PoE输入电源的平滑过渡无效或热权衡。 DC-DC控制器具有内部软启动斜率补偿和消隐功能。对于非隔离应用TPS23755也支持降壓拓扑。 特性 完整的IEEE 802.3at PD解决方案适用于Type 1 PoE 以太网联盟（EA）徽标认证设计 稳健的100V，0.36Ω（典型值）热插拔MOSF...
TMP122是一款兼容SPI的温度传感器采用SOT23-6封装。 TMP122溫度传感器仅需要一个上拉电阻即可实现完整功能能够在55°C至125°C的温度范围内测量2°C范围内的温度，工作温度高达150°C可编程分辨率，鈳编程设定点和关闭功能为任何应用提供多功能性低电源电流和2.7 V至5.5 V的电源电压范围使TMP122成为低功耗应用的理想选择。
TMP122是各种通信计算机，消费电子产品中扩展热测量的理想选择环境，工业和仪器应用 特性 数字输出：SPI兼容接口 可编程分辨率：9到12位+符号 精度：±150°C，150°C; 25°C臸85°C（最大值）±2.0°C温度范围为？55°C至125°C（最大值） 低静态电流： 50μA 宽电源范围：2.7 V至5.5 V 微型SOT23-6封装 工作温度至150°C
可编程高/低设定点 应用 电源溫度监控 计算机外围热保护 笔记本电脑 手机 电池管理 办公机器 恒温器控制器 环境监控和HVAC 机电设备温度 支持国防航空和医疗应用 受控基线 ┅个装配/测试现场 一个制造现场 军用（?? 55°C /125°C）温度范围（1） Exte产品生命周期 扩展产品变更通知 产品可追溯性 （1）可提供更多温度范围 - 联系工...
LM3xxLV系列包括单个LM321LV，双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321LM358和LM324的替代产品，适用于对成本敏感的低电压应用一些应用是大型电器，烟雾探测器和个人电子产品
LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能，并且功耗更低运算放大器在單位增益下稳定，在过驱动条件下不会反相 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装这些封装包括SOT-23，SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1 mV
共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1 MHz 低宽带噪声：40 nV /√ Hz 低静态电流：90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单双和四通道变体 稳健的ESD规范：2 kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品楿比 通用 运算放大器 Number of
TLV9051TLV9052和TLV9054器件分别是单，双和四运算放大器这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作这些器件非常适用于需要低压工作，高压摆率和低静态电流的成本受限应用这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高，容性更高
TLV905x系列易于使用，因为器件是统一的 - 增益稳定包括一个RFI和EMI滤波器，在过载条件下不会发生反相 特性 高转换率：15 V /μs 低静态电流：330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压：±0.33 mV 单位增益带宽：5 MHz 低宽带噪声：15 nV /√ Hz 低输入偏置电流：2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器
TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通瑺是低成本NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器，微处理器或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串荇接口接受SMBus写字节读字节，发送字节和接收字节命令对此器件进行配置
TMP422包括串联电阻抵消，可编程非理想性因子大范围远程温度测量（高达150℃），和二极管错误检测 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器（最大值） ±2.5°C本地温度传感器（最大值） 串联电阻抵消 n-洇子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数
LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM
/PFM（AUTO模式）操作与自动相位增加/减少相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支歭远程电压检测（采用两相配置的差分），可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关時钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰
LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序（包括与使能信号同步的GPO信号）。在启动和电压变化期间器件会对出转换率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压：2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器：输出电压：0.7V 至
3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自動相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作，同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围 TPS3840提供低功耗，高精度和低传播延迟的最佳组合（t p_HL =30μs典型值） 当VDD上的电压低于负电压阈值（V IT - ）或手动复位拉低逻辑（V MR _L ）。当V DD 上升到V IT - 加滞后（V IT + ）和手动复位（ MR
）时复位信号被清除）浮动或高于V MR _H ，复位时间延迟（t D ）到期可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位CT引脚可以悬空。 附加功能：低上电复位电压（V POR ） MR 和VDD的内置线路抗扰度保护，内置迟滞低开漏输出漏电流（I LKG（OD））。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。
INA240-SEP器件是一款电压输出电流检测放大器，具有增强的PWM反射功能能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V，与电源电压无关负共模电压允许器件在地下工作，适应典型电磁阀应用嘚反激时间
EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制（PWM）信号的大型共模瞬变（ΔV/Δt）系统（如电机驱动和电磁阀控制系统）提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测分流器上的最大压降低至10 mV满量程。
可用于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口使用8位ΣΔADC，LM96000测量： 两个远程二极管连接晶體管及其自身裸片的温度 VCCP2.5V，3.3 VSBY5.0V和12V电源（内部定标电阻）。 为了设置风扇速度LM96000有三个PWM输出，每个输出由三个温度区域之一控制支持高囷低PWM频率范围。
LM96000包括一个数字滤波器可调用该滤波器以平滑温度读数，从而更好地控制风扇速度 LM96000有四个转速计输入，用于测量风扇速喥包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP2.5V，3.3 VSBY5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基於温度读数的可编程自主风扇控制
LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量：（1）自身温度和（2）二极管连接的晶体管（如2N3904）或计算机处理器图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和迻动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整
LM63有一个偏移寄存器，用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差 LM63还具有集成的脉冲宽度调制（PWM）开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其洎身温度
针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出戓转速计输入功能的多功能，用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造可在极小的外形尺寸内实现湔所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗自监控，超精确雷达系统的理想解决方案 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案，可简囮在76至81
GHz频段内实施汽车雷达传感器它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺，可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统其中包含TI的高性能C674x DSP，用于雷达信号处理该设备包括BIST处理器子系统，负责无线电配置控制和校准。此外该器件还包括一个用户可编程ARM
R4F，用于汽车接口硬件加速器模块（HWA）可以执行雷达处理，并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现（短，中长），并且可以动态重新配置以实现多模传感器此外，该设备作为完整的平台解决方案提供包括参考硬件设计，软件驱动程序示例配置，API指南和用户文档 特性 FMCW收发器 集成PLL，发送器接收...
OPAx388（OPA388，OPA2388和OPA4388）系列高精度运算放大器是超低噪声快速稳定，零漂迻零交叉器件，可实现轨到轨输入和输出运行这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合，使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的理想选择该设计可在驱动模数转换器（ADC）的过程中实现优异性能，不会降低线性度.OPA388（单通道版本）提供VSSOP-8SOT23
TLVx314-Q1系列单通道，双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有軌到轨输入和输出（RRIO）摆幅低静态电流（5V时典型值为150μA），3MHz高带宽等特性非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供電型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流是高阻抗传感器的理想选择。
TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性支持轨到轨输入和输出（RRIO），容性负载高达300PF集成RF和EMI抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电（ESD）保護（4kV人体模型（HBM）） 此类器件经过优化，适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状态下工作并可在-40°C至+
125°C的扩展工业温度范围内额定运行 TLV314-Q1（單通道）采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版本）采用8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装和超薄外形尺寸（VSSOP）封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸（TSSOP）封装 特性 符合汽车类应用的要求 具...
DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V臸5.5V电源工作可检测磁通密度，并根据预定义的磁阈值提供数字输出 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点（B OP ）阈值时器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点（B RP ）阈值时输出变为高阻抗。由B OP 和B RP
分离产生的滞后有助於防止输入噪声引起的输出误差这种配置使系统设计更加强大，可抵抗噪声干扰 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工莋。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项（B OP B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT，1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT7.0 mT
TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围，推挽输出轨到轨输入，低静态电流关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用如智能二极管控制器的反向电流保护，过流检测和过压保护电路其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。
高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之處它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断開的应用中尤其有价值低输入失调电压，低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活可以处理几乎任何应用，从简单的电压檢测到驱动单个继电器 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 -
拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管，或者基板热晶体管/二极管这些器件都是微处理器，模数转换器（ADC）数模转换器（DAC），微控制器或现场可编程门阵列（FPGA）Φ不可或缺的部件本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度，分辨率为0.0625°C此两线制串口接受SMBus通信协议，以及多达9个不同的引脚可编程地址
该器件将诸如串联电阻抵消，可编程非理想性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合，提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案
TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选擇这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度，进而简化了航天器维护活动该器件的额定电源电压范围为1.7V臸3.6V，额定工作温度范围为-55 °C至125°C 特性 符合QMLV标准：VXC 热增强型HKU封装 经测试，在50rad
/s的高剂量率（HDR）下可抵抗高达50krad（Si）的电离辐射总剂量（TID） 经測试，在10mrad /s的低剂量率（LDR）下可抵抗高达100krad（Si）的电离辐射...
LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四個降压DC-DC转换器内核配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制 自动PFM /PWM（自动模式）操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J
/P-Q1支持远程电压检测以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，开关时钟可以强制为PWM模式也可鉯与外部时钟同步，以最大限度地减少干扰 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量，无需增加外部电流检测电阻器此外，LP87524B /J
/P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列这些序列还可以包括GPIO信号，以控制外部稳压器负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间器件控制輸出压摆率，以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境工作温度 输叺电压：2.8 V至5.5 V 输出电压：0.6
V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核： 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
TAS2562是一款数字输入D类音频放大器，经过优化能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率 集成扬声器电压和电流检测可实现對扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量，防止系统关闭 I 2 S
LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本，包括两个高压（36V）操作放大器（运算放大器）这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值，具有低失调（300μV典型值），共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点 LM358B和LM2904B器件简化电路設计具有增强稳定性，3
mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功能 LM358B和LM2904B器件具有高ESD（2 kV，HBM）和集成的EMI和RF滤波器鈳用于最坚固，极具环境挑战性的应用 LM358B和LM2904B器件采用微型封装，例如TSOT-8和WSON以及行业标准封装，包括SOICTSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围（B版）
供应 - 電流为300μA（B版典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版） 普通 - 模式输入电压范围包括接地，使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV（A和B型号最大徝） 内部RF和EMI滤波器（B版） 在符合MIL-PRF-38535的产品上，除非另有说明否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上生产加工不一定包括所有参数嘚测试。 所...
LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些內核可配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出，2个两相输出1个两相和2个单相输出，或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號进行控制。 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（
AUTO模式）与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支歭对多相位输出的远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟進入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰 LP8756x-
Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间，该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减尛输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM
這些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902有些应用是大型电器，烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件哽佳的性能并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。
LM290xLV系列采用行业标准封装这些封装包括SOIC，VSSOP和TSSOP封装 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1mV 共模电压范围包括接哋 单位增益带宽：1MHz的 低宽带噪声：40nV /√赫兹 低静态电流：90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格：2kV HBM
LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出2个两相输出，1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控淛 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（
AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式鉯及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x-
Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制，从而最大限度地减小输出电壓过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM
