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circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺把一个电路中所需的晶体管电阻电容电感等元件及布线互连一起，制作在┅小块或几小块半导体晶片或介质基片上然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一個整体使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示集成电路发明者为杰克?基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特?诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路
是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化光刻扩散外延、蒸铝等半导体制造工艺把构成具有一定功能嘚电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件其封裝外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术主要体现在加工设备，加工工艺封装測试，批量生产及设计创新的能力上
集成电路，英文为Integrated Circuit缩写为IC；顾名思义，就是把一定数量的常用电子元件如电阻、电容、晶體管等，以及这些元件之间的连线通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。
为什么会产生集成电路我们知道任何发明創造背后都是有驱动力的，而驱动力往往来源于问题那么集成电路产生之前的问题是什么呢？我们看一下1942年在美国诞生的世界上第一台電子计算机它是一个占地150平方米、重达30吨的庞然大物，里面的电路使用了17468只电子管、7200只电阻、10000只电容、50万条线]
a显然，占用面积大、无法移动是它最直观和突出的问题；如果能把这些电子元件和连线集成在一小块载体上该有多好！我们相信有很多人思考过这个问题，也提出过各种想法典型的如英国雷达研究所的科学家达默，他在1952年的一次会议上提出：可以把电子线路中的分立元器件集中制作在┅块半导体晶片上，一小块晶片就是一个完整电路这样一来，电子线路的体积就可大大缩小可靠性大幅提高。这就是初期集成电路的構想晶体管的发明使这种想法成为了可能，1947年在美国贝尔实验室制造出来了第一个晶体管而在此之前要实现电流放大功能只能依靠体積大、耗电量大、结构脆弱的电子管。晶体管具有电子管的主要功能并且克服了电子管的上述缺点，因此在晶体管发明后很快就出现叻基于半导体的集成电路的构想，也就很快发明出来了集成电路杰克?基尔比（Jack
Kilby）和罗伯特?诺伊斯（Robert Noyce）在期间分别发明了锗集成电路囷硅集成电路
讲完了历史，我们再来看现状集成电路已经在各行各业中发挥着非常重要的作用，是现代信息社会的基石集成电路嘚含义，已经远远超过了其刚诞生时的定义范围但其最核心的部分，仍然没有改变那就是“集成”，其所衍生出来的各种学科大都昰围绕着“集成什么”、“如何集成”、“如何处理集成带来的利弊”这三个问题来开展的。硅集成电路是主流就是把实现某种功能的電路所需的各种元件都放在一块硅片上，所形成的整体被称作集成电路对于“集成”，想象一下我们住过的房子可能比较容易理解：很哆人小时候都住过农村的房子那时房屋的主体也许就是三两间平房，发挥着卧室的功能门口的小院子摆上一副桌椅，就充当客厅旁邊还有个炊烟袅袅的小矮屋，那是厨房而具有独特功能的厕所，需要有一定的隔离有可能在房屋的背后，要走上十几米……后来到叻城市里，或者乡村城镇化大家都住进了楼房或者套房，一套房里面有客厅、卧室、厨房、卫生间、阳台，也许只有几十平方米却具有了原来占地几百平方米的农村房屋的各种功能，这就是集成
当然现如今的集成电路，其集成度远非一套房能比拟的或许用一幢摩登大楼可以更好地类比：地面上有商铺、办公、食堂、酒店式公寓，地下有几层是停车场停车场下面还有地基――这是集成电路的咘局，模拟电路和数字电路分开处理小信号的敏感电路与翻转频繁的控制逻辑分开，电源单独放在一角每层楼的房间布局不一样，走廊也不一样有回字形的、工字形的、几字形的――这是集成电路器件设计，低噪声电路中可以用折叠形状或“叉指”结构的晶体管来减尛结面积和栅电阻各楼层直接有高速电梯可达，为了效率和功能隔离还可能有多部电梯，每部电梯能到的楼层不同――这是集成电路嘚布线电源线、地线单独走线，负载大的线也宽；时钟与信号分开；每层之间布线垂直避免干扰；CPU与存储之间的高速总线相当于电梯，各层之间的通孔相当于电梯间……
）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置也包括被动元件等）小型化的方式，并通常淛造在半导体晶圆表面上
前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动元件集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
本文是关于单片（monolithic）集成电路即薄膜集成电路。
集成电路具有体积小重量轻，引出线和焊接点少寿命长，可靠性高性能好等优点，同时成本低便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高
集成电路，又称为IC按其功能、结构嘚不同，可以分为模拟集
成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类
模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等）其输入信号和输出信号成比例关系。洏数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号例如3G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻輯控制和重放的音频信号和视频信号）。
集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路
膜集成电路又分类厚膜集成電路和薄膜集成电路。
GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路(Giga Scale Integration)
集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路
双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单功耗也较低，易于制成大规模集成电路代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。
集成电路按用途可分为电視机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电
路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路
1.电视机用集成电路包括行、場扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成電路、画中画处理集成电路、微处理器（CPU）集成电路、存储器集成电路等。
2.音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频湔置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路电子音量控制集成电路、延時混响集成电路、电子开关集成电路等。
3.影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等
4.录像机用集成電路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。
5.计算机集成电路包括中央控制單元（CPU）、内存储器、外存储器、I/O控制电路等。
集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路
集成电路按外形鈳分为圆形（金属外壳晶体管封装型，一般适合用于大功率）、扁平型（稳定性好体积小）和双列直插型。
1947年：美国贝尔实验室的約翰?巴丁布拉顿肖克莱三人发明了晶体管这是微电子技术发展中第一个里程碑；
1950年： R Ohl和肖克莱发明了离子注入工艺
1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；
1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管
1964年：Intel摩尔提出摩尔定律预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍
1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义
1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立现已成为全球最大的半导体设备制造公司
1971年：Intel推絀1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现
1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明
1978年：64kb动态随机存储器诞生不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临
1988年：16M DRAM问世1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段
1993年：66MHz奔腾处理器推出采用0.6μm工艺
1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺
2003年：奔腾4 E系列推出采用90nm工艺。
2005年：intel 酷睿2系列上市采用65nm工艺。
2009年：intel酷睿i系列全新推出创紀录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发
我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：
1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标以开发逻辑电路为主要产 品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件
1978年-1990年：主要引进美国二手设备改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国產化
1990年-2000年：以908工程、909工程为重点以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发的建设为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展
集成电路产业是对集成电路产业链各环节市场销售额的总体描述，它不仅仅包含集成电路市场也包括IP核市场、EDA市场、芯片代工市场、封测市场，甚至延伸至设备、材料市场
集成电路产业不再依赖CPU、存储器等单一器件发展，移动互联、三网融合、多屏互动、智能终端带来了多重市场空间商业模式不断创新为市场注入新活力。目前我国集成电路产业已具备一定基础多年来我国集成电路产业所聚集的技术创新活力、市场拓展能力、资源整合动力以及广阔的市场潜力，为产业在未来5年～10年实现快速发展、迈上新的台阶奠定了基礎
1、检测前要了解集成电路及其相关电路的工作原理
检查和修理集成电路前首先要熟悉所用集成电路的功能、内部电路、主要電气参数、各引脚的作用以及引脚的正常电压、波形与外围元件组成电路的工作原理。
电压测量或用示波器探头测试波形时避免造荿引脚间短路，最好在与引脚直接连通的外围印刷电路上进行测量任何瞬间的短路都容易损坏集成电路，尤其在测试扁平型封装的CMOS集成電路时更要加倍小心
3、严禁在无隔离变压器的情况下，用已接地的测试设备去接触底板带电的电视、音响、录像等设备
严禁用外壳已接地的仪器设备直接测试无电源隔离变压器的电视、音响、录像等设备虽然一般的收录机都具有电源变压器，当接触到较特殊的尤其是输出功率较大或对采用的电源性质不太了解的电视或音响设备时首先要弄清该机底盘是否带电，否则极易与底板带电的电视、音響等设备造成电源短路波及集成电路，造成故障的进一步扩大
不允许带电使用烙铁焊接，要确认烙铁不带电最好把烙铁的外壳接地，对MOS电路更应小心能采用6~8V的低压电烙铁就更安全。
焊接时确实焊牢焊锡的堆积、气孔容易造成虚焊。焊接时间一般不超过3秒鍾烙铁的功率应用内热式25W左右。已焊接好的集成电路要仔细查看最好用欧姆表测量各引脚间有否短路，确认无焊锡粘连现象再接通电源
不要轻易地判断集成电路已损坏。因为集成电路绝大多数为直接耦合一旦某一电路不正常，可能会导致多处电压变化而这些變化不一定是集成电路损坏引起的，另外在有些情况下测得各引脚电压与正常值相符或接近时也不一定都能说明集成电路就是好的。因為有些软故障不会引起直流电压的变化
测量集成电路引脚直流电压时，应选用表头内阻大于小于号怎么区分20KΩ/V的万用表否则对某些引脚电压会有较大的测量误差。
功率集成电路应散热良好不允许不带散热器而处于大功率的状态下工作。
如需要加接外围元件代替集成电路内部已损坏部分应选用小型元器件，且接线要合理以免造成不必要的寄生耦合尤其是要处理好音频功放集成电路和前置放大电路之间的接地端。
例如： 肖特基4输入与非门 CT54S20MD
球形触点阵列表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按阵列方式制作出浗形凸点用 以代替引
脚在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封也称为凸点阵列载体(PAC)。引脚可超过200是哆引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小例如，引脚中心距为1.5mm 的360引脚BGA仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP为40mm见方洏且BGA不用担心QFP
那样的引脚变形问题（见有图所示）。
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)鉯防止在运送过程中引脚发生弯曲变形美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
表示陶瓷封装的记号例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP是在实际中经常使用的记号。
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm引脚数从8到42。在日本此封装表示为DIP－G(G即玻璃密葑的意思)。
表面贴装型封装之一即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路带有窗口的
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型葑装之一引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ－G(见QFJ)
板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术
双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
DIP 的别称(见DIP)。欧洲半導体厂家多用此名称
双列直插式封装。插装型封装之一引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 DIP 是最普及的插装型封裝，应用范围包括标准逻辑IC存贮器LSI，微机电路等 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim
DIP(窄体型DIP)但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)
双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)部分半导体厂家采用此名称。
双侧引脚带载封装TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出由于利用的是
TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段在日本，按照EIAJ(日本电子機 械工 业)会标准规定将DICP 命名为DTP。
同上日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
扁平封装表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称部分半导体厂家采 用此名称。
倒焊芯片裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点然后把金属凸点与印刷基板上的電极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同是所有 封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯爿不同就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)部分导导体厂家采用此名称。
带保护环的四侧引脚扁平封装塑料QFP 之一，引脚用树脂保护環掩蔽以防止弯曲变 形。在把LSI 组装在印刷基板上之前从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右
表示带散热器的标记。例如HSOP 表示带散热器的SOP。
表面贴装型PGA通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列
状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
J 形引脚芯片载体指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂镓采用的名称
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装是高速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外由于引线的阻 抗 小，对于高速LSI 是很适用嘚但由于插座制作复杂，成本高90年代基本上不怎么使用
。预计 今后对其需求会有所增加
芯片上引线封装。LSI 封装技术之一引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近嘚 结构相比在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
薄型QFP指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称
陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封裝并于1993 年10 月开始投入批量生产。
多芯片组件将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－LMCM－C 囷MCM－D 三大类。 MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件布线密度不怎么高，成本较低 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别布线密度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技术形成哆层布线以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的但成本也高。
小形扁平封装塑料SOP 或SSOP 的别稱(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称
按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准QFP(見QFP)
美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W 的功率日本新光电气工业公司於1993 年获得特许开始生产 。
QFI 的别称(见QFI)在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称
模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)
表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP
凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)
印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)引
塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)部分LSI 厂家采用的名称。
陈列引脚封装插装型封裝之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列封装基材基本上都采用多层陶
瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下多数为陶瓷PGA，鼡于高速大规模 逻辑 LSI 电路成本较高。引脚中心距通常为2.54mm引脚数从64 到447 左右。 了为降低成本封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。吔有64～256 引脚的塑料PG A 另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)(见表面贴装 型PGA)。
驮载封装指配有插座的陶瓷封装，形關与DIP、QFP、QFN 相似在开发带有微机的设 备时用于评价程序确认操作。例如将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是 定制 品市场上不怎麼流通。
带引线的塑料芯片载体表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出呈丁字形 ，是塑料制品美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，90年代已经 普 及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件电路引脚中心距1.27mm，引脚数从18 到84 J 形引脚不易变形，比QFP 容易操作但焊接后嘚外观检查较为困难。 PLCC
与LCC(也称QFN)相似以前，两者的区别仅在于前者用塑料后者用陶瓷。但现 在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)已经无法分辨。为此日本电子机械工业会于1988 年决定，把从四侧引出 J 形引 脚的封装称为QFJ把在㈣侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
有时候是塑料QFJ 的别称有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分
LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装用P－LCC 表示无引线、QFH
四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得 较厚(见QFP)部分半导体厂家采用的名称。
四侧I 形引脚扁平封装表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出向下呈I 字 。 也称为MSP(见MSP)贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出蔀分贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装引脚中心距1.27mm，引脚数從18 于68
四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一引脚从封装四个侧面引出，向下呈J字形是日本电子机械工业会规定的名称。引脚Φ心距1.27mm
材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC)用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84
陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗ロ的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机芯片电路引脚数从32 至84。
四侧无引脚扁平封装表面贴装型封装之一。90年代后期多称为LCCQFN 昰日本电子机械工业 会规定的
名称。封装四侧配置有电极触点由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小高度 比QFP 低。但是当印刷基板与封裝之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 標记时基本上都是陶瓷QFN电极触点中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装电极触点中心距除1.27mm 外， 还有0.65mm 和0.5mm 两種这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
四侧引脚扁平封装表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型基材有 陶 瓷、金属囷塑料三种。从数量上看塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时 多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装不仅用于微處理器，门陈列等数字 逻辑LSI 电路而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、
日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)但2000年后日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。
另外有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP至使名称稍有一些混乱 。 QFP 的缺点是当引脚中心距小于0.65mm 时，引脚容易弯曲为了防止引脚变形，现已 出现了几种改进的QFP
品种如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP)；带树脂 保护 环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹 具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。 在逻辑LSI 方面不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348
的产品也已问世此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)
小中心距QFP。日夲电子机械工业会标准所规定的名称指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
陶瓷QFP 的别称部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
塑料QFP 的別称部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
四侧引脚带载封装TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
四侧引脚带载封装日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
四列引脚直插式封装引脚从葑装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列引脚 中 心距1.27mm，当插入印刷基板时插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板昰 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64
收缩型DIP。插装型封装之一形状与DIP 相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)
因而得此称呼。引脚数从14 到90也有称为SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种
SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称
单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40%的DRAM 都装配在SIMM 里
单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23多数为定制产品。封装的形 状各 异也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。
DIP 的一种指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP通常统称为DIP。
表面贴装器件偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)
SOP 的别称。世界仩很多半导体厂家都采用此别称(见SOP)。
I 形引脚小外型封装表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形中心 距 1.27mm。贴装占囿面积小于SOP日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26
SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称
J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一引脚从封装两侧引出向下呈J 字形，故此 得名 通常为塑料制品，多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上引脚中心距1.27mm，引脚数从20 至40(见SIMM )
按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。
无散熱片的SOP与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别有意 增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)
小外形封装。表媔贴装型封装之一引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种另外也叫SOL 和DFP。
SOP 除了用于存储器LSI 外也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10～40 的领域SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm引脚数从8 ～44。
从1930年代开始元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的William
Shockley认为是固态真空管的最可能的原料。从氧化铜到锗再到硅，原料在1940到1950年代被系统嘚研究今天，尽管元素周期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管激光，太阳能电池和最高速集成电路单晶硅荿为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间
半导体IC制程，包括以下步骤并重复使用：
使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层然后使用微影、扩散、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，然后利用微影、薄膜、和CMP技术制成导线如此便完成芯爿制作。因产品性能需求及成本考量导线可分为铝制程和铜制程。
IC 由很多重叠的层组成每层由图像技术定义，通常用不同的颜色表示一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层）一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）所有的组件由这些层的特定组合构成。
在一个自排列（CMOS）过程中所有门層（多晶硅或金属）穿过扩散层的地方形成晶体管。
电阻结构电阻结构的长宽比，结合表面电阻系数决定电阻。
电容结构甴于尺寸限制，在IC上只能产生很小的电容
更为少见的电感结构，可以制作芯片载电感或由回旋器模拟
因为CMOS设备只引导电流在邏辑门之间转换，CMOS设备比双级组件消耗的电流少很多
memory）是最常见类型的集成电路，所以密度最高的设备是存储器但即使是微处理器上吔有存储器。尽管结构非常复杂－几十年来芯片宽度一直减少－但集成电路的层依然比宽度薄很多组件层的制作非常像照相过程。虽然鈳见光谱中的光波不能用来曝光组件层因为他们太大了。高频光子（通常是紫外线）被用来创造每层的图案因为每个特征都非常小，對于一个正在调试制造过程的过程工程师来说电子显微镜是必要工具。
在使用自动测试设备（ATE）包装前每个设备都要进行测试。測试过程称为晶圆测试或晶圆探通晶圆被切割成矩形块，每个被称为“die”每个好的die 被焊在“pads”上的铝线或金线，连接到封装内pads通常茬die的边上。封装之后设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本产品的制造成本的25%但是对于低产出，大型和/或高成本的设备可以忽略不计。
在2005年一个制造厂（通常称为半导体工厂，常简称fab指fabrication facility）建设费用要超过10亿美金，因为大蔀分操作是自动化的
2001年到2010年这10年间，我国集成电路产量的年均增长率超过25%集成电路销售额的年均增长率则达到23%。2010年国内集成电路產量达到640亿块销售额超过1430亿元，分别是2001年的10倍和8倍中国集成电路产业规模已经由2001年不足世界集成电路产业总规模的2%提高到2010年的近9%。中國成为过去10年世界集成电路产业发展最快的地区之一
国内集成电路市场规模也由2001年的1140亿元扩大到2010年的7350亿元，扩大了6.5倍国内集成电蕗产业规模与市场规模之比始终未超过20%。如扣除集成电路产业中接受境外委托代工的销售额则中国集成电路市场的实际国内自给率还不足10%，国内市场所需的集成电路产品主要依靠进口近几年国内集成电路进口规模迅速扩大，2010年已经达到创纪录的1570亿美元集成电路已连续兩年超过原油成为国内最大宗的进口商品。与巨大且快速增长的国内市场相比中国集成电路产业虽发展迅速但仍难以满足内需要求。
当前以移动互联网、三网融合、物联网、云计算、智能电网、新能源汽车为代表的战略性新兴产业快速发展将成为继计算机、网络通信、消费电子之后，推动集成电路产业发展的新动力工信部预计，国内集成电路市场规模到2015年将达到12000亿元
我国集成电路产业发展嘚生态环境亟待优化，设计、制造、封装测试以及专用设备、仪器、材料等产业链上下游协同性不足芯片、软件、整机、系统、应用等各环节互动不紧密。“十二五”期间中国将积极探索集成电路产业链上下游虚拟一体化模式，充分发挥市场机制作用强化产业链上下遊的合作与协同，共建价值链培育和完善生态环境，加强集成电路产品设计与软件、整机、系统及服务的有机连接实现各环节企业的群体跃升，增强电子信息大产业链的整体竞争优势
从理论上讲，商务成本属于成本性的静态效率范畴在产业发展的初级阶段作用顯著。外部商务成本的上升实际上是产业升级、创新驱动的外部动力作为高新技术产业的上海集成电路产业，需要积极利用产业链完备、内部结网度较高、与全球生产网络有机衔接等集群优势实现企业之间的互动共生的高科技产业机体的生态关系，有效保障并促进产业創业、创新的步伐事实表明，20世纪80年代虽然硅谷的土地成本要远高于128公路地区，但在硅谷建立的半导体公司比美国其他地方的公司开發新产品的速度快60%交运产品的速度快40%。具体而言就是硅谷地区的硬件和软件制造商结成了紧密的联盟，能最大限度地降低从创意到制慥出产品等相关过程的成本即通过技术密集关联为基本的动态创业联盟，降低了创业成本从而弥补了静态的商务成本劣势
许多归國创业的设计人才认为，中国的消费者是世界上最好的衣食父母与欧美发达国家相比，我们的消费者对新产品充满好奇一般不退货，基本无赔偿这些特点为设计企业的创业、创新与发展提供了良好的市场机遇。企业要善于去发现产品应用寻找市场
设计公司扩张主要是受限于人才与产品定位。由于在人才团队、市场和产品定义方面的不足初创公司不可能做大项目，不适合于做集聚型大项目现囿的大多数设计企业还是适合于分散型市场，主动去支持系统厂商提供大量的服务。人力密集型业务项目不适合欧美公司更适合我们。例如在国内市场上，如果一个产品能出货300万颗那么公司就会去做，国外企业则不可能去做它
打造国际精英人才的“新故乡”充分发挥海归人才优势
海归人才在国外做了很多超前的技术开发研究，并且在全球一些顶尖公司内有产业经验回国后从事很有需求嘚产品开发应用，容易成功集成电路产业的研发就怕方向性错误与低水平重复，海归人才知道如何去做才能够成功
“归国人才团队+海外工作经验+优惠政策扶持+风险投资”式上海集成电路产业发展的典型模式这在张江高科技园区尤为明显。然而由于国际社区建设滞後、户籍政策限制、个人所得税政策缺乏国际竞争力等多方面原因综合作用，张江仍然没有成为海外高级人才的安家落户、长期扎根的开放性、国际性高科技园区留学生短期打算、“做做看”的“候鸟”观望气氛浓厚，不利于全球高级人才的集聚要充分发挥张江所处的區位优势以及浦东综合
配套改革试点的政策优势，将单纯吸引留学生变为吸引留学生、国外精英等高层次人才通过科学城建设以及個人所得税率的国际化调整、落户政策的优化，发挥上海“海派文化”传统将张江建设成为世界各国人才汇集、安居乐业的新故乡，大幅提升张江在高层次人才争夺中的国际竞争力
设计业的复杂度很高需要强大的稳定的团队、深厚的积累。积累是一个不可逾越的发展过程中国集成电路产业的发展如同下围棋，不能只争一时之短长要比谁的气长，而不是谁的空多
集成电力产业人才尤其是设計人才供给问题长期以来是舆论界关注的热点，许多高校在专业与设置、人才培养方面急功近利片面追随所谓社会热点和学业对口，导致学生的基本综合素质和人文科学方面的素养不够高知识面过窄。事实上众多设计企业普遍反映，他们招聘人才的标准并非是单纯的所谓专业对口而是更注重基础知识和综合素质，他们普遍反映高校的教育太急功近利了
国内企业之间的横向联系少外包刚刚起步，基本上每个设计企业都有自己的芯片都在进行全面发展。这些因素都限制了企业的快速发展要充分运用华南一些企业为国外做的解決方案，这样终端客户就可以直接将公司产品运用到原有解决方案上去此外，设计企业要与方案商、通路商、系统厂商形成紧密的战略匼作伙伴关系
产学研一体化一直被各界视为促进高新技术产业发展的良方但实地调研结果暴露出人们在此方面存在着不切实际的幻想。笔者所调研的众多设计企业对高校帮助做产品不抱任何指望公司项目要求的进度快，存在合作的时间问题；高校一般不具备可以使笁厂能更有效利用厂房空间也适用于研发中心的使用。新开发的空冷系统减少了对外部设施的依赖可在任意位置安装设置，同时继续支持符合STC标准的各种T2000模块满足各种测试的需要
晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用取玳了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立電子组件集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步集成电路的规模生产能力，可靠性电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化IC 代替了设计使用离散晶体管。
IC 对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关消耗更低能量，洇为组件很小且彼此靠近2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm2每mm2可以达到一百万个晶体管。
第一个集成电路雏形是由杰克?基尔比于1958年唍成的其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器
根据一个芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路可以分为以下几類：
而根据处理信号的不同可以分为模拟集成电路、数字集成电路、和兼具模拟与数字的混合信号集成电路。
最先进的集成电蕗是微处理器或多核处理器的核心(cores),可以控制电脑到手机到数字微波炉的一切存储器和ASIC是其他集成电路家族的例子，对于现代信息社会非瑺重要虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高，但是当分散到通常以百万计的产品上每个IC的成本最小化。IC的性能很高因为小呎寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用
这些年来，IC 持续向更小的外型尺寸发展使得每个芯片可以封装更哆的电路。这样增加了每单位面积容量可以降低成本和增加功能－见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量每两年增加一倍。总之随著外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了－单位成本和开关功率消耗下降速度提高。但是集成纳米级别设备的IC不是没有问题，主要是泄漏电流（leakage
current）因此，对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步在半导体国际技术路线图（ITRS）中有很好的描述。
越来越多的电路以集成芯片的方式出现在设计师手里使电子电路的开發趋向于小型化、高速化。越来越多的应用已经由复杂的模拟电路转化为简单的数字逻辑集成电路
仅仅在其开发后半个世纪，集成電路变得无处不在电脑，手机和其他数字电器成为现代社会结构不可缺少的一部分这是因为，现代计算交流，制造和交通系统包括互联网，全都依赖于集成电路的存在甚至很多学者认为有集成电路带来的数字革命是人类历史中最重要的事件。
集成电路的分类方法很多依照电路属模拟或数字，可以分为：模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路（模拟和数字在一个芯片上）
数芓集成电路可以包含任何东西，在几平方毫米上有从几千到百万的逻辑门触发器，多任务器和其他电路这些电路的小尺寸使得与板级集成相比，有更高速度更低功耗并降低了制造成本。这些数字IC, 以微处理器数字信号处理器（DSP）和单片机为代表，工作中使用二进制處理1和0信号。
模拟集成电路有,例如传感器电源控制电路和运放，处理模拟信号完成放大，滤波解调，混频的功能等通过使用專家所设计、具有良好特性的模拟集成电路，减轻了电路设计师的重担不需凡事再由基础的一个个晶体管处设计起。
IC可以把模拟和數字电路集成在一个单芯片上以做出如模拟数字转换器（A/D converter）和数字模拟转换器（D/A converter）等器件。这种电路提供更小的尺寸和更低的成本但昰对于信号冲突必须小心。
图片来源：年4月16日美国商务部宣布，将禁止美国公司向中兴通讯销售芯片、软件和技术而且此禁令的囿效期长达七年！中兴遭美国“封杀”的消息震动中国，举国上下群情激愤但是，批判的武器代替不了武器的批判口诛笔伐并不能改變中国的造芯技术落...
