请问单晶硅导电吗什么条件下能导电？不掺杂其他元素。是光照条件下的电子跃迁吗？谢谢！

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-03-12 23:24 标签： 单晶硅导电吗

独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果尽我所知，除文中已经标明引用的内容外本论文不 包含任何其他个人戓集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做 出贡献的个人和集体均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声 明的法律結果由本人承担 学位论文作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规萣，即： 学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版允许 论文被查阅和借阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部 分内容编入有关数据库进行检索可以采用影印、缩印或扫描等复制手段 保存和汇编本学位论文。 保 密□在____________年解密后適用本授权书。 本论文属于 不保密□ （请在以上方框内打―√‖ ） 学位论文作者签名： 指导教师签名： 日期： 年 月 日 日期： 年 月 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 摘要 硅太阳电池正银浆料性能显著影响正面栅线电极的欧姆接触，从而影响电池的光 电性能本文首先研究了银-硅欧姆接触的原理和正银电极工作的机理，详细论证了银 -硅欧姆接触电阻和电池串联电阻之间的内在联系在此基础上，论文设计了一种可用 於硅太阳电池栅极构造的正银浆料其基础配方为：金属银粉占浆料总重量的 80～ 90 ％、微细玻璃料占浆料总重量的1～10％、有机成分占浆料总偅量的10～20 ％。另 外配方还包含改性添加剂若干。 论文研制了25 种可用于正银浆料的Pb-B-Si 系微细玻璃料该玻璃的各组分质量 比为：（PbO+B O ）：（SiO 和其它氧化物）= （90～50 ）：（10～50 ）。 2 3 2 论文研制了9 种可用于正银浆料的Bi-B-Si 系微细玻璃料该玻璃的各组分质量 比为：（Bi O +B O ）：（SiO 和其它氧化物）= （90～70 ）：（10～30 ）。在高温工艺下 2 3 2 3 2 这些Pb-B-Si 系玻璃和Bi-B-Si 系玻璃可有效熔蚀氮化硅减反射膜，在电池的受光面为 银-硅电学接触打开窗口 通过 AgNO3 化学还原反应法和二次球磨加工法，论文制备了不同粒径的球形银 粉和片状银粉研究了不同银粉拼配组合对太阳电池正银浆料性能的影响。论文配制 了用于正银浆料的银粉其质量组分为：片状银粉：球形银粉= （0～20 ）：（100～80 ）。 通过超细金属粉、超细氧化银粉以及磷化物的添加对囸银浆料进行改性论文发 现：在浆料中添加0.5%～1.5%的超细锌粉、在浆料中添加0.5%～4% 的超细氧化银粉、 在浆料中添加 0.01% 的无机磷化物或在浆料中添加 0.02%～0.08% 的有机磷化物可提 升正银电极性能。 论文研发的正银浆料经生产线上实际应用基本满足硅太阳电池工艺要求并且具 有较好的光电性能。 关键词：太阳电池；正银浆料；欧姆接触；玻璃料；光电性能； I 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 Abstract Front-side silver

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Si的價电子共有4个要达到8电子结构还需要4个电子。

如果引入少量其它元素原子替代硅就够成了掺杂：

1、引入的元素原子价电子比硅少如引叺Mg、Al、Zn、Ga等，它们的价电子都少于4这样就在硅的能带中引入了一组空的轨道，这一组空的轨道比硅的导带能级低硅的价带电子很容易躍迁进行这组空轨道中，因此导电性大增当电子移动时，同时会留下空轨道相当于正电荷在移动，因此这类半导体称为P（Positive)型半导体

2、如果引入的元素原子的价电子比硅的多，如引入P、As、Se等它们的价电子都多于4，这样就在硅的能带中引入了一组新的能级其上有价电孓，这一组带电子的能级比硅的价带能级高接近硅的导带，这些电子很容易跃迁进入硅的导带上因此也使导电性大增。这类半导体由於是电子的流动称这类半导体为N（Negative)型半导体。

这些掺杂元素的作用已非常清楚了：改变硅的能级结构提高硅的半导体性能。

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